JP2008010405A - 画像表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】平面型画像表示装置で、蛍光面の高圧印加部分の端面の電界集中を緩和し放電発生を防止する。
【解決手段】ガラス基板上に複数の信号配線及び電子源を備えた背面基板1と、ガラス基板上に蛍光体層15、BM膜16及びメタルバック17を備えた前面基板2と、これら背面基板1と前面基板2間に介挿された枠体3とを備えた平面型画像表示装置であって、前記メタルバック17の周縁171を覆って高抵抗膜18を配置した。
【選択図】図3
【解決手段】ガラス基板上に複数の信号配線及び電子源を備えた背面基板1と、ガラス基板上に蛍光体層15、BM膜16及びメタルバック17を備えた前面基板2と、これら背面基板1と前面基板2間に介挿された枠体3とを備えた平面型画像表示装置であって、前記メタルバック17の周縁171を覆って高抵抗膜18を配置した。
【選択図】図3
Description
本発明は、自発光型フラットパネル型画像表示装置に係り、特に薄膜型電子源をマトリクス状に配列した画像表示装置に関するものである。
マトリクス状に配置した電子源を有する自発光型フラットパネルディスプレイ(FPD)の一つとして、微少で集積可能な冷陰極を利用する電界放出型画像表示装置(FED:Field Emission Display)や電子放出型画像表示装置が知られている。これらの冷陰極には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源、金属―絶縁体―金属を積層したMIM(Metal−Insulator−Metal)型、金属―絶縁体―半導体を積層したMIS(Metal−Insulator−Semiconductor)型、あるいは金属―絶縁体―半導体−金属型等の電子源などがある。
一般的な自発光型FPDは、上記のような電子源をガラス板からなる背面基板上に備えた背面パネルと、蛍光体層及びこの蛍光体層に前記電子源から放出される電子を射突させるための電界を形成する陽極をガラス板からなる前面基板上に備えた前面パネルと、両パネルの対向する内部空間を所定の間隔に保持する枠体とを備え、前記両パネルと枠体で形成される表示空間を真空状態に保持する構成とし、この表示パネルに駆動回路を組み合わせて構成される。
又、前記背面パネルの前記背面基板上には、一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設されて前記他方向に走査信号が順次印加される複数の走査信号配線を有し、更にこの背面基板上には、前記他方向に延在し前記走査信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の画像信号配線を備えている。加えて前記走査信号配線と画像信号配線の各交差部付近に上記の電子源がそれぞれ設けられ、走査信号配線と電子源とは給電電極で接続され、走査信号配線から電子源に電流が供給される構成が一般的である。
更に、前記個々の電子源は対応する蛍光体層と対になって単位画素を構成する。通常は、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色の単位画素で一つの画素(カラー画素、ピクセル)が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素(サブピクセル)とも呼ばれる。
上述の構成に加え、前述したような画像表示装置では、背面パネルと前面パネル間の前記枠体で囲繞された表示領域内に複数の間隔保持部材(スペーサ)が配置固定され、前記両パネル間の間隔を前記枠体と協働して所定間隔に保持している。このスペーサは、一般にはガラスやセラミックスなどの絶縁材あるいは幾分かの導電性を有する部材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。
又、封止枠となる枠体は背面基板と前面基板との間で各々の内周縁にフリットガラスなどの封着部材で固着され、この固着部が気密封着され封止領域となっている。両基板と枠体とで形成される表示領域内部の真空度は、例えば10-5〜10-7Torr程度である。
枠体と両基板との封止領域には、背面基板に形成された走査信号配線につながる走査信号配線引出端子や画像信号配線につながる画像信号配線引出端子がそれぞれ貫通する。
特開2002−75254号公報
特開2002−100313号公報
特開2004−363075号公報
上述のような自発光型の画像表示装置に関し、特許文献1では前記枠体の両基板との当接面に電極を設けると共に前記当接面に接する側壁側面に高抵抗膜を配置した構成が開示されている。又、特許文献2では放電防止のために表示領域外に抵抗値の異なる2種類の抵抗膜を順次配置する構成が開示されている。
この種の画像表示装置では、前記放電対策は必須である。しかしながら、従来この対策のために前記表示領域を含め両基板の内表面の汚れや損傷を発生させる恐れがあり、このことは表示品位の劣化を招くと共に長寿命化に支障を来たす問題の発生を内包している。
本発明の目的は、前述の問題を解決して表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、前面基板に設けられた加速電極の周縁に接して前記枠体方向に延在し、前記枠体と所定の間隔を有して配置された高抵抗膜を備えたことを特徴とする。
又、本発明は、前記加速電極に連なる前記高抵抗膜に加え、前記枠体の内側面に第2の高抵抗膜を配置したことを特徴とする。
更に、本発明は、前記高抵抗膜の形成において、この高抵抗膜を構成する材料に最適な形成方法を用いることを特徴とする。
加速電極の周縁に接して高抵抗膜を配置したことにより、この高抵抗膜が高圧電位緩和層となって蛍光面の高圧印加部分の端面の電界集中が緩和され、放電発生を抑制でき、表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を可能にした。
又、枠体の内側面に第2の高抵抗膜を配置したことにより、放電発生を更に抑制でき、表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を可能にした。
更に、加速電極の周縁の全周を覆って単一の高抵抗膜を配置したことにより、作業工程も簡便で、蛍光面の汚れ、損傷の発生も抑制でき、表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を可能にした。
更に又、前記高抵抗膜の形成において、この高抵抗膜を構成する材料に最適な形成方法を用いることにより、特性の優れた膜を効率的に形成でき、原価的にも優れたものとした。
以下、本発明を実施例の図面を参照して詳細に説明する。
図1(a)乃至図4は、本発明による画像表示装置の第1の実施例を説明する模式図で、図1(a)は前面基板側から見た平面図、図1(b)は図1(a)の側面図、図2は図1(b)のA−A線に沿った平面図、図3は図1(a)のB−B線に沿った断面図、図4は図1(a)のC−C線に沿った断面図である。
これら図1(a)乃至図4において、参照符号1は背面基板、2は前面基板、3は枠体、4は排気管、5は封着部材、6は空間、7は貫通孔、8は映像信号配線、9は走査信号配線、10は電子源、11は接続電極、12はスペーサ、13は接着部材、15は蛍光体層、16は遮光用のBM(ブラックマトリクス)膜、17は金属薄膜からなるメタルバック(加速電極)、18は高抵抗膜である。
これら両基板1、2は厚さ数mm、例えば1〜10mm程度のガラス板から構成され、両基板共に略矩形状を呈し、所定の間隔を隔てて配置されている。参照符号3は枠状を呈する枠体を示し、この枠体3は例えばフリットガラスの燒結体或いはガラス板等から構成され、単体で若しくは複数部材の組み合わせで略矩形状とされ、前記両基板1、2間に介挿されている。
この枠体3は、前記両基板1、2間の周縁部に介挿され、両端面が両基板1、2と気密接合されている。この枠体3の厚さは数mm〜数十mm、その高さは両基板1、2間の前記間隔に略等しい寸法に設定されている。参照符号4は排気管で、この排気管4は前記背面基板1に固着されている。5は封着部材で、この封着部材5は例えばフリットガラスから構成され、前記枠体3と両基板1、2間を接合して気密封着している。
前記枠体3と両基板1、2及び封着部材5で囲まれた空間6は前記排気管4を介して排気され、例えば10-5〜10-7Torrの真空度を保持している。又、前記排気管4は前述のように前記背面基板1の外表面に取り付けられ、この背面基板1を貫通して穿設された貫通孔7に連通しており、排気完了後前記排気管4は封止される。
参照符号8は映像信号配線で、この映像信号配線8は後述するような金属材料を用い、前記背面基板1の内面に一方向(Y方向)に延在し他方向(X方向)に並設されている。この映像信号配線8は前記空間6から枠体3と背面基板1との封止領域を気密に貫通し、背面基板1の端面まで延長している。この映像信号配線8は前記封止領域より外側先端部分を映像信号配線引出端子81としている。
参照符号9は走査信号配線で、この走査信号配線9は後述するような金属材料を用い、前記映像信号配線8上でこれと交差する前記他方向(X方向)に延在し前記一方向(Y方向)に並設されている。この走査信号配線9は前記空間6から枠体3と背面基板1との封止領域を気密に貫通し、背面基板1の端面近傍まで延長している。この走査信号配線9はその前記封止領域より外側先端部分を走査信号配線引出端子91としている。
参照符号10は例えば特許文献3に開示された電子源の一種のMIM型の電子源で、この電子源10は前記走査信号配線9と映像信号配線8の各交差部近傍に設けられている。又、この電子源10は前記走査信号配線9と接続電極11で接続されている。又、前記映像信号配線8と前記走査信号配線9間には層間絶縁膜INSが配置されている。
ここで、前記映像信号配線8は例えばAl(アルミニウム)膜、走査信号配線9は例えばCr/Al/Cr膜、Cr/Cu/Cr膜等が用いられる。又、前記配線引出端子81、91はそれぞれ信号配線の両端に設けられているが、何れか一端のみに設けても良い。
次に、参照符号12はスペーサであり、このスペーサ12はガラスやセラミックスなどの絶縁材あるいは幾分かの導電性を有する部材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。このスペーサ12は108〜109Ω・cm程度の比抵抗で、全体として抵抗値の偏在の少ない構成となっている。そして、スペーサ12は前記枠体3と略平行で走査信号配線9上に1本おきに直立配置され、接着部材13で両基板1、2と接着固定している。又、スペーサ12の基板との接着固定は一端側のみでも良く、更にその配置は通常、複数の画素毎に画素の動作を妨げない位置に設置される。更に又、走査信号配線9上に数本おきに配置することも可能である。
このスペーサ12の寸法は基板寸法、枠体の高さ、基板素材、スペーサの配置間隔、スペーサ素材等により設定されるが、一般的には高さは前述した枠体と略同一寸法、厚さは数十μm〜数mm以下である。スペーサの長さは20mm乃至1000mm程度、更にはそれ以上の長尺も可能であるが、好ましくは80mm乃至300mm程度が実用的な値となる。
このスペーサ12の一端側が固定された前面基板2の内面には、赤色、緑色、青色用の蛍光体層15が遮光用のBM(ブラックマトリクス)膜16で区画された窓部に配置され、これらを覆うように金属薄膜からなるメタルバック(加速電極)17が例えば蒸着方法で設けられて蛍光面を形成している。動作時この蛍光面には3kV〜20kV程度の陽極電圧が印加される。メタルバック17は前面基板2と反対側、つまり背面基板1側への発光を前面基板2側へ向け反射させ、発光の取り出し効率を上げる為の光反射膜であると共に蛍光体粒子の表面の帯電を防ぐ機能も合わせ持っている。
前記蛍光体としては、例えば赤色用としてY2O3:Eu、Y2O2S:Euを、又、緑色用としてZnS:Cu,Al、Y2SiO5:Tb、更に、青色用としてZnS:Ag,Cl、ZnS:Ag,Al等を用いることができる。この蛍光体層15は蛍光体粒子の平均粒径は例えば4μm〜9μm、膜厚は例えば10μm〜20μm程度となっている。
次に、参照符号18で示す高抵抗膜は、前記メタルバック17の周縁171の全周を覆い前記枠体3方向へ延在し、その終端181が前記枠体3と一定の間隔S1を隔てて非接触として配置されている。一方、この高抵抗膜18の始端182は前述のように前記メタルバック17の周縁171の全周と重畳してこれを覆って配置され、高圧電位緩和層として作用している。
この高抵抗膜18は、前記メタルバック17の周縁171を覆って前記枠体3方向へ延在しているが、前記メタルバック17の周縁171から前記高抵抗膜18の終端181までの長さL1は3mm〜10mm程度が必要で、この長さが3mm未満では高圧電位緩和効果が期待できず、又10mmを超えると表示領域が狭くなり、周辺領域が広くなる。好ましくは4mm〜8mm程度である。又、膜厚は3μm〜20μmが必要で、特に5μm〜10μmが好ましい。これが3μm未満では膜の消滅の可能性があり、20μmを超えると高圧電位緩和効果が期待できない。
この高抵抗膜18は、酸化鉄、酸化クロム等の絶縁性の高抵抗酸化物と水ガラス等の無機バインダで構成されている。酸化鉄としては陰極線管等で使用実績のある例えばFe2O3が、又、酸化クロムとしては例えばCr2O3が推奨される。この構成では前記酸化鉄、酸化クロム等は粒径が0.1μm〜10μmのものを用いる。特に、10μmを超えると電位緩和効果が小さい問題があり、好ましくは0.5μm〜3μm程度である。
この高抵抗膜18の無機バインダとして同じく陰極線管等で使用実績のある水ガラスを用いるケースでは、水ガラスは1重量%〜20重量%で、好ましくは3重量%〜10重量%程度である。又、水ガラスとFe2O3の組み合わせ、又は水ガラスとCr2O3の組み合わせでは、混合比は水ガラス:Fe2O3は1:4〜1:10、水ガラス:Cr2O3は同じく1:4〜1:10が好ましい。
高抵抗膜18の形成は、前記材料の混合溶液をスポンジ、刷毛、筆等公知の治具を用いて当該部位に塗布し、乾燥して完成させる。完成後の抵抗値は1010Ω/□〜1014Ω/□で、前記メタルバック17の形成された蛍光面の抵抗の1mΩ/□〜102Ω/□に比べ格段に異なる高抵抗膜となっている。
前記高抵抗膜18としては、前述した酸化鉄、酸化クロム等の絶縁性の高抵抗酸化物と水ガラス等の無機バインダの組み合わせの他に、導電性フリットガラス膜によるもの、遷移金属酸化物のスパッタ膜或は遷移金属と酸素の組合せによるスパッタ膜等で構成されるもの、更にはBM膜を延長して構成するもの等が可能である。
前記高抵抗膜18を導電性フリットガラス膜とする構成では、酸化バナジウムを主成分とするガラス粉末を含む導電性フリットガラスを用いる。膜形成はガラスペーストをスプレーコーティングにより吹き付け、焼成して形成する方法等を用いることが可能である。
この導電性フリットガラスとしては、前記酸化バナジウムに加え、酸化リン、酸化アンチモン、酸化バリウム等を含み、更にフィラーとして酸化ケイ素或は酸化アルミニウムを含む組成が好ましい。組成的には、酸化バナジウムが40wt%〜45wt%、酸化リンが15wt%〜25wt%、酸化アンチモンが5wt%〜20wt%、酸化バリウムが5wt%〜20wt%が好適である。一方、前記フィラーは、フィラーが抵抗値調整機能を持つことから、フィラー含有量を増やせば抵抗値が増大する。フィラーは前記ガラスペーストの10wt%〜20wt%が最適である。
この導電性フリットガラスを用いる構成では、膜表面の凹凸が平均粗さRaで0.1μm〜5μmが必要で、特に1μm〜3μmが好ましい。Raが0.1μm未満では高圧電位緩和効果が期待できない恐れが有り、又、5μmを超えると欠けによる異物発生の恐れがあり、前述した0.1μm〜5μmが望ましい。抵抗値はパネルの熱工程を経た後では1010Ω/□〜1014Ω/□で、前記メタルバック17の形成された蛍光面の抵抗の1mΩ/□〜102Ω/□に比べ格段に異なる高抵抗膜となっている。
一方、前記高抵抗膜18を遷移金属酸化物のスパッタ膜或は遷移金属と酸素の組合せによる反応性スパッタ膜とする構成では、例えば酸化鉄(Fe2O3)、酸化クロム(Cr2O3)等からなるターゲットを用い、スパッタリングにより成膜して前記高抵抗膜18を配置する。膜厚は20nm〜400nm程度とし、抵抗値はパネルの熱工程を経た後では1010Ω/□〜1014Ω/□で、前記メタルバック17の形成された蛍光面の抵抗の1mΩ/□〜102Ω/□に比べ格段に異なる高抵抗膜となっている。
更にBM膜の延長による構成では、BM膜を酸化クロムとクロムの積層構造とし、下側、すなわちパネル面側の酸化クロムの成膜範囲を上側のクロムの成膜範囲よりも例えば4mm〜8mm程度拡大し、露呈した酸化クロム膜領域を電界緩和層とする。膜厚の一例として、酸化クロム膜が40nm、クロム膜が200nm程度の構造が用いられる。抵抗値はパネルの熱工程を経た後では1010Ω/□〜1014Ω/□で、前記メタルバック17の形成された蛍光面の抵抗の1mΩ/□〜102Ω/□に比べ格段に異なる高抵抗膜となっている。
図5は、表示領域内の電界分布を等電位線で模式的に示した図で、上記実施例1では、前記高低抗膜18の配置により高圧電位緩和がなされ、前記メタルバック17の終端171付近の電界が実線の等電位線19で模式的に示すように滑らかとなり、その結果放電発生回数が激減し、表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を得ることができた。なお、図5の点線で示す等電位線20は高低抗膜18を配置しない構成時のものである。
図6は、本発明の画像表示装置の他の実施例を示す模式断面図で、前記図3に対応しており、かつ前述した図と同一部分には同一記号を付してある。
図6において、参照符号28は高抵抗膜で、この高抵抗膜28は枠体3の全周に亘ってその内側面31に両基板1、2と非接触の状態で配置されている。この高抵抗膜28は蛍光面側に配置された前記高抵抗膜18と同一組成のもので形成され完成後の抵抗値も同一とされている。膜厚も実施例1と同様な寸法内に設定される。
実施例2では、前記蛍光面側に配置された高低抗膜18に加え枠体3の全周に亘ってその内側面31に第2の高抵抗膜28を配置したことにより高圧電位緩和がなされ、図5で説明した前記メタルバック17の周縁171付近の等電位線19の傾斜が前記実施例1より更に滑らかとなり、その結果放電発生回数が激減し、表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を得ることができた。
図7は本発明による画像表示装置の更に他の実施例を説明する模式平面図で、前述した図と同一部分には同一記号を付してある。図7において、メタルバック17はコーナー部において枠体3付近まで延在し、突出部173が形成されている。このメタルバック17のコーナー部の突出部173で、陽極電圧導入端子21が電気的に接続されている。この陽極電圧導入端子21は金属で形成され、背面基板1側から延びて配置されている。陽極電圧は背面基板1側から陽極電圧導入端子21を介して前面基板2のメタルバック17に供給される。
このメタルバック17の突出部173は、前面基板2の高電圧供給部分であり陽極電流が集中する為、メタルバック17の外周付近の中でも特に突出部173の周辺では電位が急激に変化する。本実施例3では、高抵抗膜18はメタルバック17の突出部173の外側で、この突出部173の外周部分を部分的に覆うように形成されている。この実施例3の構成のように、高抵抗膜18とメタルバック17の周縁の一部との部分的なオーバーラップ構造によって、前面基板2の高電圧供給部分の近傍での急激な電位変化を抑制することができ、上記実施例1、2と同様の効果が得られる。
図8は、本発明による画像表示装置の更に他の実施例を説明する模式断面図で、前述した図と同一部分には同一記号を付してある。図8において、BM膜16は前面基板2のガラス面に接する下側に配置された酸化クロムからなる下層膜161と、その上側に配置されたクロム膜からなる上層膜162の積層構造で構成されている。
この構成で、前記酸化クロムからなる下層膜161は上側に配置されたクロム膜からなる上層膜162より外側で、前記メタルバック17の周縁171より更に枠体3側に突出して設けられており、前記周縁171から終端181までを高圧電位緩和領域とした構成である。各膜厚、突出寸法等は前述した通りである。この実施例4では高抵抗膜18がBM膜の形成工程で同時に形成でき、上記実施例と同様な効果に加え作業効率の向上が図れる。
以上の各実施例では、電子源にMIM型を用いた構造を例としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、前記した各種の電子源を用いた自発光型FPDに対しても同様に適用できるものである。
1・・・背面基板、2・・・前面基板、3・・・枠体、4・・・排気管、5・・・封着部材、6・・・空間、7・・・貫通孔、8・・・画像信号配線、81・・・画像信号配線引出端子、9・・・走査信号配線、91・・・走査信号配線引出端子、10・・・電子源、11・・・接続電極、12・・・スペーサ、13・・・接着部材、15・・・蛍光体層、16・・・BM膜、17・・・メタルバック(加速電極)、171・・・メタルバック周縁、173・・・メタルバック突出部、18、28・・・高抵抗膜、181・・・高抵抗膜の終端、182・・・高抵抗膜の始端、19、20・・・等電位線、21・・・陽極電圧導入端子、INS・・・絶縁膜(層間絶縁膜)。
Claims (15)
- 一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された複数の走査信号配線と、前記他方向に延在し前記走査信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の画像信号配線と、この画像信号配線と前記走査信号配線間に配置された層間絶縁膜と、前記走査信号配線と前記画像信号配線の各交差部近傍に設けられた電子源とを備えた背面基板と、
前記電子源に対応して設けられた蛍光体層及び前記電子源から放出される電子を前記蛍光体層に指向する如く加速するための加速電極を有し前記背面基板と所定の間隔をもって対向する前面基板と、
前記背面基板と前記前面基板との間で表示領域を周回して介挿され、前記所定の間隔を保持する枠体と、
前記枠体と前記前面基板及び背面基板とをそれぞれ封止領域で気密封着する封着部材とを備えた画像表示装置であって、
前記加速電極の周縁を覆って、前記枠体と所定の間隔を隔てて配置された高抵抗膜を備えたことを特徴とする画像表示装置。 - 前記高抵抗膜は前記加速電極の周縁の全周を覆って配置されてなることを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
- 前記高抵抗膜を前記枠体の内側面で前記背面基板及び前面基板からそれぞれ離隔した部位に更に配置したことを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
- 前記高抵抗膜は1010Ω/□〜1014Ω/□の抵抗値を有することを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
- 前記高抵抗膜の前記延在長さは前記加速電極の終端から3〜10mmであることを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
- 前記高抵抗膜は絶縁性の高抵抗酸化物を含むことを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
- 前記絶縁性の高抵抗酸化物はFe2O3、Cr2O3の何れかを主成分として含むことを特徴とする請求項6に記載の画像表示装置。
- 前記高抵抗膜は1〜20重量%の水ガラスを含むことを特徴とする請求項7に記載の画像表示装置。
- 前記高抵抗膜は水ガラスとFe2O3又は水ガラスとCr2O3の比が1:4〜1:10の範囲で混合してなることを特徴とする請求項8に記載の画像表示装置。
- 前記高抵抗膜は導電性フリットガラスから構成されてなることを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
- 前記高抵抗膜は酸化バナジウムを主成分とする導電性フリットガラスから構成されてなることを特徴とする請求項10に記載の画像表示装置。
- 前記高抵抗膜は酸化リン、酸化アンチモン、酸化バリウムを更に含む導電性フリットガラスから構成されてなることを特徴とする請求項11に記載の画像表示装置。
- 前記高抵抗膜は酸化ケイ素或いは酸化アルミニウムをフィラーとして含むことを特徴とする請求項10に記載の画像表示装置。
- 前記高抵抗膜は、表面の凹凸の平均粗さRaが0.1μm〜5μmであることを特徴とする請求項10に記載の画像表示装置。
- 一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された複数の走査信号配線と、前記他方向に延在し前記走査信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の画像信号配線と、この画像信号配線と前記走査信号配線間に配置された層間絶縁膜と、前記走査信号配線と前記画像信号配線の各交差部近傍に設けられた電子源とを備えた背面基板と、
前記電子源に対応して設けられた蛍光体層及び前記電子源から放出される電子を前記蛍光体層に指向する如く加速するための加速電極を有し前記背面基板と所定の間隔をもって対向する前面基板と、
前記背面基板と前記前面基板との間で表示領域を周回して介挿され、前記所定の間隔を保持する枠体と、
前記枠体と前記前面基板及び背面基板とをそれぞれ封止領域で気密封着する封着部材とを備えた画像表示装置の製造方法であって、
前記加速電極の周縁を通して前記枠体方向に延在し、前記枠体と所定の間隔を隔てて配置された高抵抗膜を、遷移金属酸化物を用いてスパッタリングにより形成することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
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