JP2010021065A - 電子源及び画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 放電による電子放出素子の破壊を抑制し得る電子源を提供する。
【解決手段】 複数の電子放出素子と、前記複数の電子放出素子をマトリクス状に接続する複数の走査配線及び複数の変調配線と、前記電子放出素子と前記走査配線とを接続する走査配線接続電極と、前記電子放出素子と前記変調配線とを接続する変調配線接続電極と、前記走査配線及び前記変調配線と絶縁され、該走査配線又は該変調配線と平行に配置されたバイパス配線と、を有し、前記走査配線接続電極及び前記変調配線接続電極のうち前記バイパス配線に近い方に位置する接続電極は、該接続電極に一定以上の電流が流れるのを防止する過電流防止部を有することを特徴とする電子源。
【選択図】 図3
【解決手段】 複数の電子放出素子と、前記複数の電子放出素子をマトリクス状に接続する複数の走査配線及び複数の変調配線と、前記電子放出素子と前記走査配線とを接続する走査配線接続電極と、前記電子放出素子と前記変調配線とを接続する変調配線接続電極と、前記走査配線及び前記変調配線と絶縁され、該走査配線又は該変調配線と平行に配置されたバイパス配線と、を有し、前記走査配線接続電極及び前記変調配線接続電極のうち前記バイパス配線に近い方に位置する接続電極は、該接続電極に一定以上の電流が流れるのを防止する過電流防止部を有することを特徴とする電子源。
【選択図】 図3
Description
本発明は、電子源および電子源を有する画像表示装置に関する。
電子放出素子を有する画像表示装置は、電子放出素子から放出された電子が高電圧の印加されたアノード電極により加速され、蛍光体に衝突して蛍光体を発光させる。電子放出素子は、走査配線や変調配線によりマトリクス状に接続されており、複数の電子放出素子から電子を放出することにより、画像表示装置に画像を表示させている。
電子放出素子を有する画像表示装置の内部は、一般に、高い真空度に保たれている。また、上述したように、アノード電極には高電圧が印加されている。そのため、走査配線、信号配線などの配線や電子放出素子は、高電界にさらされることになる。したがって、電子放出素子や配線などに電界が集中しやすい3重点や異物などが存在すると、そこが電界集中点となり、画像表示装置内部の真空中で放電が発生することがある。
放電が発生すると、アノード電極に蓄積された電荷が電子放出素子や配線などに流れ込み、配線と接続された駆動回路にも電流が流れ込むことがある。その結果、駆動回路の破壊を引き起こすこともあり得る。
また、走査配線や信号配線などの配線に大きな電流が流れ込み、配線の電位が上昇すると、それらの配線に接続された電子放出素子に過剰な電圧が印加されることになる。その結果、一つの配線につながる複数の電子放出素子が破壊され、連続画素欠陥を引き起こすこともあり得る。
このような放電による過電流を抑制するために、過電流防止膜を設ける構成が提案されている(特許文献1参照)。
特開平9−298030号公報
本発明は、放電による電子放出素子の破壊を抑制し得る新規な電子源及び画像表示装置を提供することを目的とする。
本発明の電子源は、複数の電子放出素子と、前記複数の電子放出素子をマトリクス状に接続する複数の走査配線及び複数の変調配線と、前記電子放出素子と前記走査配線とを接続する走査配線接続電極と、前記電子放出素子と前記変調配線とを接続する変調配線接続電極と、前記走査配線及び前記変調配線と絶縁され、該走査配線又は該変調配線と平行に配置されたバイパス配線と、を有し、前記走査配線接続電極及び前記変調配線接続電極のうち前記バイパス配線に近い方に位置する接続電極は、該接続電極に一定以上の電流が流れるのを防止する過電流防止部を有することを特徴とする。
本発明によれば、放電による電子放出素子の破壊を抑制することができる。
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
<第1の実施形態>
(画像表示装置の構成)
本発明に係る電子放出素子を複数備える電子源を有する画像表示装置について、図1、図2を用いて説明する。
(画像表示装置の構成)
本発明に係る電子放出素子を複数備える電子源を有する画像表示装置について、図1、図2を用いて説明する。
図1は、本実施形態の画像表示装置の構造の一例を示す斜視図であり、その内部構造を示すために一部を切り欠いて示している。図中、1は基板、32は走査配線、33は変調配線、34は電子放出素子である。41は基板1を固定したリアプレート、46はガラス基板43の内面に蛍光体44とアノード電極としてのメタルバック45等が形成されたフェースプレートである。42は支持枠であり、この支持枠42にリアプレート41、フェースプレート46がフリットガラス等を介して取り付けられ、外囲器47を構成している。ここで、リアプレート41は主に基板1の強度を補強する目的で設けられるため、基板1自体で十分な強度を持つ場合には、別体のリアプレート41は不要である。また、フェースプレート46とリアプレート41との間に、スペーサーとよばれる不図示の支持体を設置することにより、大気圧に対して十分な強度を持たせた構成とすることもできる。
m本の走査配線32は、端子Dx1,Dx2,…Dxmと接続されている。n本の変調配線33は、端子Dy1,Dy2,…Dynと接続されている(m,nは、共に正の整数)。これらm本の走査配線32とn本の変調配線33との間には、不図示の層間絶縁層が設けられており、両者を電気的に分離している。
高圧端子はメタルバック45に接続され、例えば10[kV]の直流電圧が供給される。これは電子放出素子から放出される電子ビームに蛍光体を励起するのに十分なエネルギーを付与する為の加速電圧である。
図2は、本実施形態の電子源を示す模式図である。本実施形態の電子源は、走査配線32と変調配線33とによりマトリクス状に接続された複数の電子放出素子34を有している。
走査配線32には、X方向に配列した電子放出素子34の行を選択するための走査信号を印加する走査回路(不図示)が接続される。一方、変調配線33には、Y方向に配列した電子放出素子34の各列を入力信号に応じて変調するための、変調回路(不図示)が接続される。各電子放出素子に印加される駆動電圧は、電子放出素子に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給される。
電子放出素子34としては、表面伝導型電子放出素子、スピント型、MIM型、カーボンナノチューブ型、弾道電子面放出(BSD)型などの電子放出素子を用いることができる。以下、電子放出素子34として表面伝導型電子放出素子を用いた場合の電子源の構成について詳細に説明する。
(電子放出素子の構成)
図3は、本実施形態の電子放出素子の構成を示す図である。
図3は、本実施形態の電子放出素子の構成を示す図である。
走査配線32、変調配線33は、Ag、Cu、Al、Au、Ptなどの金属や、ITO、ATO、SnO2,ZnOなどの金属酸化物などが用いられる。これらの配線32、33は、フォトリソグラフィー法、導電ペーストを用いた印刷法などを用いて形成することができる。なお、走査配線の方向をX方向、変調配線の方向をY方向、基板1の法線方向をZ方向とした。
走査配線接続電極10は、電子放出素子34と走査配線32とを電気的に接続するものである。変調配線接続電極12は、電子放出素子34と変調配線33とを電気的に接続するものである。これらの接続電極10、12は、Ag、Cu、Al、Au、Ptなどの金属や、ITO、ATO、SnO2,ZnOなどの金属酸化物などが用いられる。接続電極10、12は、フォトリソグラフィー法、導電ペーストを用いた印刷法などを用いて形成することができる。特に、配線よりも微細なパターンが必要となるため、フォトリソグラフィー法で好適に形成することができる。
本実施形態では、バイパス配線36が走査配線32と平行に形成されている。バイパス配線36は接地することが好ましい。バイパス配線36は低抵抗な部材である必要があり、Ag、Cu、Al、Au、Ptなどの金属や、ITO、ATO、SnO2,ZnOなどの金属酸化物などが用いられる。バイパス配線36は、フォトリソグラフィー法、導電ペーストを用いた印刷法などを用いて形成することができる。画像表示装置内で放電が発生した場合、バイパス配線36を経由して放電電流を接地電位に流し込むことにより、放電電流による連続画素欠陥や駆動回路の破壊を抑制することができる。
バイパス配線36は、絶縁層30により、走査配線32および変調配線33と絶縁されている。絶縁層30は、ガラスフリットやアルミナなどのセラミックス、SiO2などを用いることができる。絶縁層30は、フォトリソグラフィー法、印刷法などを用いて形成することができる。
また、本実施形態では、走査配線接続電極10の一部に過電流防止部14が設けられている。ここで、過電流防止部14とバイパス配線36の関係を説明する前に、画像表示装置の内部で発生する放電の現象について、詳しく説明する。
電子源を有する画像表示装置の内部で発生する放電は、リアプレート41とフェースプレート46との間を瞬時に短絡するようなアーク放電となる。このアーク放電は、陰極側であるリアプレートの表面の電極材料を蒸発、プラズマ化し、放電が維持されると考えられている。すなわち、電極材料が蒸気になる領域の近傍に陰極点が発生すると考えられる。従って、電子放出素子や配線などに放電電流が流れ込んだ場合、放電電流が流れる経路に電極材料が蒸発しやすい領域を形成しておくことにより、陰極点を移動させることができる。
ここで、陰極点はある一点で固定するわけではなく、周囲の電位分布等の影響を受けて移動する。電極材料が蒸発しやすい領域の近傍に配線が存在する場合、配線に放電電流が流れ込むこととなる。
本実施形態では、走査配線接続電極10と変調配線接続電極12のうち、バイパス配線36に近い方に位置する接続電極である走査配線接続電極10に過電流防止部14を設けた。この過電流防止部14は、走査配線接続電極10に一定以上の電流が流れるのを防止するものである。
過電流防止部14は、放電時に溶融や蒸発することで熱断線しやすい構造とすることが好ましい。
過電流防止部14として溶融しやすい構成とするために、走査配線接続電極10に比べて融点の低い材料を過電流防止部材14として使用する構成とすることが出来る。例えば、走査配線接続電極10としてW、Mo、Cr、Pr、Ti、Cu、Au、Agなどを用い、過電流防止部14としてAl、Zn、Sn、Inなどを用いることができる。
また、過電流防止部14として発熱しやすい構成とするために、走査配線接続電極10に比べて過電流防止部材14の抵抗値が高くなる構成や、電流を集中させる構成とすることが出来る。例えば、過電流防止部材14の材料として抵抗値の高い材料を用いる構成とすることが出来る。抵抗の高い材料としては、金属酸化物が好適に用いられ、ITO、ATO、ZnO、SnO等を用いることができる。また、過電流防止部材14の形状として、電流が集中しやすい構成とすることが出来る。例えば、図4(a)のように、過電流防止部14の幅を走査配線接続電極10の幅よりも小さくしたり、図4(b)のように、過電流防止部14の厚さを走査配線接続電極10の厚さよりも小さくしたりする構成とすることが出来る。また、図4(c)のように、走査配線接続電極10の一部を電流が集中しやすい形状としてもよい。電流が集中することにより局所的に温度が上昇し、過電流防止部14が発熱しやすくなるためである。更に、図4(a)から図4(c)までの構成を併用した構成としてもよい。
本実施形態によれば、放電が発生し過電流防止部14に放電電流が流れ込むと、過電流防止部14の温度が上昇すると共に電位も上昇する。そして、過電流防止部14が溶融したり蒸発したりすることで、過電流防止部14の近傍に陰極点が発生する。陰極点は、過電流防止部14の近くに設けられているバイパス配線36に移動する。バイパス配線36は接地されており、アノード電極45に蓄積された電荷がバイパス配線36を介して流れ出ていき、放電が終了する。そのため、放電電流が走査配線32や変調配線33に流れ込み、一つの配線につながる複数の電子放出素子が破壊される連続画素欠陥を抑制することができる。また、放電電流が駆動回路に流れ込むことによる駆動回路の破壊を抑制することができる。
<第2の実施形態>
第1の実施形態では、バイパス配線36を走査配線32と平行に配置した。そして、走査配線接続電極10と変調配線接続電極12のうちバイパス配線36に近い方に位置する接続電極である走査配線接続電極10に過電流防止部14を設ける構成としたが、本発明はかかる構成に限定されるものではない。
第1の実施形態では、バイパス配線36を走査配線32と平行に配置した。そして、走査配線接続電極10と変調配線接続電極12のうちバイパス配線36に近い方に位置する接続電極である走査配線接続電極10に過電流防止部14を設ける構成としたが、本発明はかかる構成に限定されるものではない。
すなわち、バイパス配線を変調配線33と平行に配置し、走査配線接続電極10と変調配線接続電極12のうちバイパス配線36に近い方に位置する接続電極である変調配線接続電極12に過電流防止部を設ける構成とすることも可能である。
<第3の実施形態>
第1の実施形態では、バイパス配線36を走査配線と平行に配置した。この際、走査配線接続電極10と変調配線接続電極12のうち、走査配線接続電極10の方がバイパス配線36に近いとしたが、本発明はかかる構成に限定されるものではない。
第1の実施形態では、バイパス配線36を走査配線と平行に配置した。この際、走査配線接続電極10と変調配線接続電極12のうち、走査配線接続電極10の方がバイパス配線36に近いとしたが、本発明はかかる構成に限定されるものではない。
すなわち、バイパス配線36を走査配線と平行に配置した場合であっても、変調配線接続電極12の方が、図3のバイパス配線36に隣接するバイパス配線に近い場合があり得る。この場合は、変調配線接続電極12に過電流防止部を設ける構成とする。
<第4の実施形態>
上述した実施形態では、走査配線接続電極10と変調配線接続電極12の一方に過電流防止部を設ける構成としたが、本発明は、走査配線接続電極10と変調配線接続電極12の両方に過電流防止部を設ける構成を除外するものではない。
上述した実施形態では、走査配線接続電極10と変調配線接続電極12の一方に過電流防止部を設ける構成としたが、本発明は、走査配線接続電極10と変調配線接続電極12の両方に過電流防止部を設ける構成を除外するものではない。
また、走査配線接続電極10と変調配線接続電極12の両方に過電流防止部を設ける構成とした場合、走査配線と平行なバイパス配線だけでなく、変調配線と平行なバイパス配線も設ける構成としてもよい。
以下、具体的な例をあげて、本発明を詳しく説明する。
(実施例1)
本実施例の電子源の製造方法について、図5から図7を用いて説明する。
本実施例の電子源の製造方法について、図5から図7を用いて説明する。
(工程1:走査配線形成)
リアプレートの基板1として、PD200のガラス基板を用いた。
リアプレートの基板1として、PD200のガラス基板を用いた。
次に基板1に走査配線32を形成した(図5(a))。本実施例では、走査配線32をガラス基板1に埋め込んで形成した。まず、ガラス基板1にドライフィルムレジストをラミネートし、走査配線が形成される部分を露光、現像した後、弗酸にてエッチングし、基板1に溝を形成した。エッチングは深さ30μm、幅200μmとした。ドライフィルムレジストを剥離し、その後、スクリーン印刷法により、Ag粒子およびガラスフリットおよび樹脂バインダーで構成されたペーストを用いて、厚さ30μm、幅200μmの走査配線32を形成した。その後、450度で焼成した。
(工程2:素子電極および接続電極形成)
表面伝導型電子放出素子(SCE)の素子電極11、走査配線接続電極10、変調配線接続電極12をリフトオフ法により形成した。具体的には、ドライフィルムレジストをラミネートし、素子電極11、接続電極10、12のパターンを露光、現像し、スパッタにより厚さ200nmのPtを成膜した。成膜後にドライフィルムレジストを剥離し、素子電極11、接続電極10、12を形成した(図5(b))。形成したPt電極のシート抵抗値は10Ω/□以下であった。
表面伝導型電子放出素子(SCE)の素子電極11、走査配線接続電極10、変調配線接続電極12をリフトオフ法により形成した。具体的には、ドライフィルムレジストをラミネートし、素子電極11、接続電極10、12のパターンを露光、現像し、スパッタにより厚さ200nmのPtを成膜した。成膜後にドライフィルムレジストを剥離し、素子電極11、接続電極10、12を形成した(図5(b))。形成したPt電極のシート抵抗値は10Ω/□以下であった。
(工程3:過電流防止部形成)
走査配線接続電極10の一部に過電流防止部14を形成した。具体的には、ITOの微粒子を分散した液体を、インクジェット法にて所望の場所に形成した(図5(c))。形成したITO膜のシート抵抗値は、1000Ω/□程度であった。
走査配線接続電極10の一部に過電流防止部14を形成した。具体的には、ITOの微粒子を分散した液体を、インクジェット法にて所望の場所に形成した(図5(c))。形成したITO膜のシート抵抗値は、1000Ω/□程度であった。
(工程4:絶縁層形成)
走査配線32と後に形成する変調配線33を絶縁する必要があるため、少なくとも走査配線32と変調配線33とが交差する部分に絶縁層35を形成した(図6(d))。絶縁層35の材料としては、低融点ガラスフリットを用いた。ガラスフリットおよび樹脂バインダーで形成されたペーストをスクリーン印刷し、幅300μm、厚さ10μmの絶縁層35を形成した。その後、450度で焼成した。
走査配線32と後に形成する変調配線33を絶縁する必要があるため、少なくとも走査配線32と変調配線33とが交差する部分に絶縁層35を形成した(図6(d))。絶縁層35の材料としては、低融点ガラスフリットを用いた。ガラスフリットおよび樹脂バインダーで形成されたペーストをスクリーン印刷し、幅300μm、厚さ10μmの絶縁層35を形成した。その後、450度で焼成した。
なお、本実施例では、画像表示装置内部で走査配線32が露出する部分が存在しないように、走査配線32の全面を覆うように絶縁層35を形成した。このような構成とすることにより、放電電流が直接走査配線32に流れ込むことを抑制することができる。
(工程5:変調配線形成)
走査配線32と交差する変調配線33を形成した(図6(e))。スクリーン印刷法により、Ag粒子およびガラスフリットおよび樹脂バインダーで構成されたペーストを用いて、厚さ10μm、幅30μmの変調配線33を形成した。その後、450度で焼成した。
走査配線32と交差する変調配線33を形成した(図6(e))。スクリーン印刷法により、Ag粒子およびガラスフリットおよび樹脂バインダーで構成されたペーストを用いて、厚さ10μm、幅30μmの変調配線33を形成した。その後、450度で焼成した。
(工程6:絶縁層形成)
変調配線33と後に形成するバイパス配線36を絶縁必要があるため、少なくとも変調配線33とバイパス配線36とが交差する部分に絶縁層37を形成した(図6(f))。絶縁層37の材料としては、低融点ガラスフリットを用いた。ガラスフリットおよび樹脂バインダーで形成されたペーストをスクリーン印刷し、幅50μm、厚さ10μmの絶縁層37を形成した。その後、450度で焼成した。
変調配線33と後に形成するバイパス配線36を絶縁必要があるため、少なくとも変調配線33とバイパス配線36とが交差する部分に絶縁層37を形成した(図6(f))。絶縁層37の材料としては、低融点ガラスフリットを用いた。ガラスフリットおよび樹脂バインダーで形成されたペーストをスクリーン印刷し、幅50μm、厚さ10μmの絶縁層37を形成した。その後、450度で焼成した。
なお、本実施例では、画像表示装置内部で変調配線33が露出する部分が存在しないように、変調配線33の全面を覆うように絶縁層37を形成した。このような構成とすることにより、放電電流が直接変調配線33に流れ込むことを抑制することができる。
ここで、本実施例における絶縁層35、37を合わせたものが、前述した図3の絶縁層30に相当する。
(工程7:バイパス配線形成)
走査配線32と平行にバイパス配線36を形成した(図7(g))。スクリーン印刷法により、Ag粒子およびガラスフリットおよび樹脂バインダーで構成されたペーストを用いて、厚さ10μm、幅30μmのバイパス配線36を形成した。その後、450度で焼成した。
走査配線32と平行にバイパス配線36を形成した(図7(g))。スクリーン印刷法により、Ag粒子およびガラスフリットおよび樹脂バインダーで構成されたペーストを用いて、厚さ10μm、幅30μmのバイパス配線36を形成した。その後、450度で焼成した。
(工程8:素子膜形成)
PdOをインクジェット法で塗布することにより、素子膜50を形成した(図7(h))。
PdOをインクジェット法で塗布することにより、素子膜50を形成した(図7(h))。
その後、表面伝導型電子放出素子の製造方法として知られているフォーミング、活性化を行うことにより、電子放出部51を形成した(図7(i))。
以上の工程により作成したリアプレートと、別途作成したフェースプレートを用いて、図1のような画像表示装置を形成した。アノード電圧として10kVをメタルバック45に印加し、電子源を駆動することで、画像表示を行った。また、アノード電圧を上昇させたところ、15kVで放電が発生したが、その後、10kVで画像表示を行ったところ、欠陥はほとんど発生していなかった。
(実施例2)
本実施例は、過電流防止部14として図4(a)の構成とした点が実施例1と異なる。そのため、工程2及び工程3以外は実施例1と同様であるため、説明を省略する。
本実施例は、過電流防止部14として図4(a)の構成とした点が実施例1と異なる。そのため、工程2及び工程3以外は実施例1と同様であるため、説明を省略する。
(工程2:素子電極、接続電極及び過電流防止部形成)
表面伝導型電子放出素子(SCE)の素子電極11、走査配線接続電極10、変調配線接続電極12及び過電流防止部14をリフトオフ法により形成した。具体的には、ドライフィルムレジストをラミネートし、素子電極11、接続電極10、12、過電流防止部14のパターンを露光、現像し、スパッタによりPtを成膜した。接続電極10、12の幅は50μmとし、過電流防止部14の幅はこれより小さい25μmとした。成膜後にドライフィルムレジストを剥離し、素子電極11、接続電極10、12、過電流防止部14を形成した。
表面伝導型電子放出素子(SCE)の素子電極11、走査配線接続電極10、変調配線接続電極12及び過電流防止部14をリフトオフ法により形成した。具体的には、ドライフィルムレジストをラミネートし、素子電極11、接続電極10、12、過電流防止部14のパターンを露光、現像し、スパッタによりPtを成膜した。接続電極10、12の幅は50μmとし、過電流防止部14の幅はこれより小さい25μmとした。成膜後にドライフィルムレジストを剥離し、素子電極11、接続電極10、12、過電流防止部14を形成した。
本実施例においては、工程2において過電流防止部14も同時に形成するため、実施例1における工程3は不要となり、引き続き実施例1の工程4以降の工程を行う。
以上の工程により作成したリアプレートと、別途作成したフェースプレートを用いて、図1のような画像表示装置を形成した。アノード電圧として10kVをメタルバック45に印加し、電子源を駆動することで、画像表示を行った。また、アノード電圧を上昇させたところ、15kVで放電が発生したが、その後、10kVで画像表示を行ったところ、欠陥はほとんど発生していなかった。
(実施例3)
本実施例は、過電流防止部14として図4(b)の構成とした点が実施例1と異なる。そのため、工程3以外は実施例1と同様であるため、説明を省略する。
本実施例は、過電流防止部14として図4(b)の構成とした点が実施例1と異なる。そのため、工程3以外は実施例1と同様であるため、説明を省略する。
(工程3:過電流防止部形成)
走査配線接続電極10の一部に過電流防止部14を形成した。具体的には、ドライフィルムレジストをラミネートし、過電流防止部14のパターンを露光、現像し、スパッタにより厚さ70nmのPtを成膜した。成膜後にドライフィルムレジストを剥離し、過電流防止部14を形成した(図5(b))。
走査配線接続電極10の一部に過電流防止部14を形成した。具体的には、ドライフィルムレジストをラミネートし、過電流防止部14のパターンを露光、現像し、スパッタにより厚さ70nmのPtを成膜した。成膜後にドライフィルムレジストを剥離し、過電流防止部14を形成した(図5(b))。
以上の工程により作成したリアプレートと、別途作成したフェースプレートを用いて、図1のような画像表示装置を形成した。アノード電圧として10kVをメタルバック45に印加し、電子源を駆動することで、画像表示を行った。また、アノード電圧を上昇させたところ、15kVで放電が発生したが、その後、10kVで画像表示を行ったところ、欠陥はほとんど発生していなかった。
(実施例4)
本実施例は、過電流防止部14として図4(c)の構成とした点が実施例1と異なる。そのため、工程2及び工程3以外は実施例1と同様であるため、説明を省略する。
本実施例は、過電流防止部14として図4(c)の構成とした点が実施例1と異なる。そのため、工程2及び工程3以外は実施例1と同様であるため、説明を省略する。
(工程2:素子電極、接続電極及び過電流防止部形成)
表面伝導型電子放出素子(SCE)の素子電極11、走査配線接続電極10、変調配線接続電極12及び過電流防止部14をリフトオフ法により形成した。具体的には、ドライフィルムレジストをラミネートし、素子電極11、接続電極10、12、過電流防止部14のパターンを露光、現像し、スパッタによりPtを成膜した。走査配線接続電極10には、電流が集中しやすい形状となるように過電流防止部14を形成した。成膜後にドライフィルムレジストを剥離し、素子電極11、接続電極10、12、過電流防止部14を形成した。
表面伝導型電子放出素子(SCE)の素子電極11、走査配線接続電極10、変調配線接続電極12及び過電流防止部14をリフトオフ法により形成した。具体的には、ドライフィルムレジストをラミネートし、素子電極11、接続電極10、12、過電流防止部14のパターンを露光、現像し、スパッタによりPtを成膜した。走査配線接続電極10には、電流が集中しやすい形状となるように過電流防止部14を形成した。成膜後にドライフィルムレジストを剥離し、素子電極11、接続電極10、12、過電流防止部14を形成した。
本実施例においては、工程2において過電流防止部14も同時に形成するため、実施例1における工程3は不要となり、引き続き実施例1の工程4以降の工程を行う。
以上の工程により作成したリアプレートと、別途作成したフェースプレートを用いて、図1のような画像表示装置を形成した。アノード電圧として10kVをメタルバック45に印加し、電子源を駆動することで、画像表示を行った。また、アノード電圧を上昇させたところ、15kVで放電が発生したが、その後、10kVで画像表示を行ったところ、欠陥はほとんど発生していなかった。
10 走査配線接続電極
12 変調配線接続電極
14 過電流防止部
32 走査配線
33 変調配線
34 電子放出素子
36 バイパス配線
41 リアプレート
45 アノード電極
46 フェースプレート
12 変調配線接続電極
14 過電流防止部
32 走査配線
33 変調配線
34 電子放出素子
36 バイパス配線
41 リアプレート
45 アノード電極
46 フェースプレート
Claims (7)
- 複数の電子放出素子と、
前記複数の電子放出素子をマトリクス状に接続する複数の走査配線及び複数の変調配線と、
前記電子放出素子と前記走査配線とを接続する走査配線接続電極と、
前記電子放出素子と前記変調配線とを接続する変調配線接続電極と、
前記走査配線及び前記変調配線と絶縁され、該走査配線又は該変調配線と平行に配置されたバイパス配線と、を有し、
前記走査配線接続電極及び前記変調配線接続電極のうち前記バイパス配線に近い方に位置する接続電極は、該接続電極に一定以上の電流が流れるのを防止する過電流防止部を有すること
を特徴とする電子源。 - 前記バイパス配線は接地されていることを特徴とする請求項1に記載の電子源。
- 前記過電流防止部は、該過電流防止部を有する接続電極の中で、融点が低い領域であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子源。
- 前記過電流防止部は、該過電流防止部を有する接続電極の中で、抵抗が高い領域であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の電子源。
- 前記過電流防止部は、該過電流防止部を有する接続電極の中で、厚さが小さい領域であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の電子源。
- 前記過電流防止部は、該過電流防止部を有する接続電極の中で、幅が小さい領域であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の電子源。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の電子源を備えるリアプレートと、
前記電子源から放出された電子を加速するアノード電極を備えるフェースプレートと、
を有することを特徴とする画像表示装置。
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2009
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