CN1725427A

CN1725427A - 图像形成装置

Info

Publication number: CN1725427A
Application number: CNA2005100809074A
Authority: CN
Inventors: 安藤洋一
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2004-06-29
Filing date: 2005-06-28
Publication date: 2006-01-25
Anticipated expiration: 2025-06-28
Also published as: JP2006012706A; US20050285503A1; JP3927972B2; CN100565768C; KR100699164B1; US7548017B2; KR20060048599A

Abstract

提供一种使用通过用高电阻膜包覆而防止带电的间隔物时，防止从与间隔物相邻的电子发射元件发射的电子束轨道的偏移，能够进行良好的图像显示的图像形成装置。通过在配置间隔物3的行方向布线5的表面形成微粒膜，控制表面形状，从间隔物3和行方向布线5的非接触区域16的接触区域15a、15b附近的电子发射区域14a、14b进行电子发射，向间隔物3的非接触区域16照射电子使电位下降，形成良好的等电位线17。

Description

图像形成装置

技术领域

本发明是关于例如用作显示板的图像形成装置，具体说是关于如下的图像形成装置：在具有多个电子发射元件以及用于驱动该电子发射元件的布线的第1基板、和与该第1基板对置且具有被规定为高于上述布线的电位的电极的第2基板之间，沿上述布线夹有间隔物。

背景技术

通常，在将电子源侧的第1基板和显示面侧的第2基板间隔开地对置的图像形成装置中，为了对抗大气压，在第1基板和第2基板之间夹有由绝缘材料构成的间隔物。但是，会产生由于该间隔物带电而影响间隔物附近的电子轨道、从而发生发光位置偏移的问题。这成为例如间隔物附近像素的发光亮度下降或渗色等图像劣化的原因。

已知过去为了防止上述间隔物带电，采用用高电阻膜包覆的间隔物。

已知具体有以下方式：

沿着第1基板的布线，以使高电阻膜与该布线和第2基板的电极电连接的方式夹入用高电阻膜包覆的间隔物；或者

在该用高电阻膜包覆的间隔物的上下设置间隔物电极，以使高电阻膜通过该间隔物电极与布线和电极电连接的方式夹入(例如，参照专利文件1)。

另外，也有人建议：在用高电阻膜包覆的间隔物的第1基板侧和第2基板侧的侧面分别设置导电性的中间层(间隔物电极)，利用该中间层(间隔物电极)来控制电子束轨道。

但是，本发明的发明人在进行研究时发现：在不经过间隔物电极地把高电阻膜与第1基板的布线和第2基板的电极电连接的专利文件1所述的图像形成装置中，不能沟充分消除间隔物的带电，间隔物表面的电位分布有时会呈现不期望的分布状态。

产生上述现象的原因，主要与显示装置的制造工序有关，不能一概而言，例如已知有以下原因：

由于在第1基板的布线和第2基板的电极产生没有预料的变形等、或者在其上存在异物、或者在布线或电极产生没有预料的毛刺等而使得间隔物的高电阻膜和布线或电极的抵接变得不连续，局部产生没有接触的部位，从而不能进行充分的电连接。

特别是在用廉价的制造方法制作的布线中，有时表面形状局部不同，容易产生上述电连接不良。

在上述的情况下，不仅没有充分解决间隔物的带电，还产生间隔物表面的电位分布发生不规则的变化、从而使电子束轨道偏离设计的问题。而且，由于从第1基板向第2基板加速电子束，所以其由于偏转力而产生的轨道变化，在第1基板侧要比在第2基板侧更明显。

对于在第1基板侧的由于间隔物表面的电位分布而导致的电子束的偏转，利用图10进一步具体地进行说明。

图10A是表示沿第1基板的布线5夹入用高电阻膜包覆的薄板状的间隔物3时，高电阻膜和布线5成为不期望的局部接触的情况下间隔物3表面的电位分布，图10B是图10A的等效电路图。而且，图10A中的11是第2基板的电极，17是等电位线。

如图10A、10B所示，设C点和A点间的电阻为R1时，在非接触点B点处，对应的D点和B点间的电阻为R1，与A点相比电位上升由接触部A点和B点之间的电阻R2而产生的电压下降部分。由此，从B点附近的电子发射元件发射的电子束的轨道，显示出与从A点附近的电子发射元件发射的电子的轨道不同的动作，结果，A点和B点处的图像也变得不同(失真)。

另一方面，在也是在专利文件1或专利文件2中所述的、在用高电阻膜包覆的间隔物的上下设置间隔物电极、通过该间隔物电极把高电阻膜与第1基板的布线和第2基板的电极电连接的图像形成装置中，通过使间隔物电极露出间隔物的侧面，在该露出部附近产生电场分布。该电场分布，在间隔物的长度方向(与布线相平行的方向)上基本均匀，但与间隔物电极不露出的情况相比显现得更强，所以由于设置间隔物时的对准的偏移，从相邻的电子发射元件发射的电子束的到达位置容易大乱。而且，已知由间隔物电极露出间隔物的侧面也成为放电的原因，容易使图像的品质大幅地降低。为了防止这种情况，必须使间隔物电极不露出间隔物的侧面，或者必须精度良好地设置间隔物，这些都成为成本提高的原因。

发明内容

本发明是鉴于上述过去的问题点而进行的，期望在利用用高电阻膜包覆以实现防止带电的板状的间隔物时，防止从与该间隔物相邻的电子发射元件发射的电子束的不规则的偏移。另外，其目的在于即使间隔物的设置位置有些偏移，也能够抑制从相邻的电子发射元件发射的电子束的到达位置的位置偏移。而且，其目的也在于能够把同一结构的间隔物适用于各种装置形态。

本发明的图像形成装置包括：

面板，具有利用电子的照射而发光的发光部件、以及规定为第一电位的电极；

背板，具有向所述发光部件照射电子的多个电子发射元件、以及与该电子发射元件连接且被规定为与所述第一电位不同的第二电位的多个布线；以及

间隔物，在所述布线和所述电极间与该布线局部接触地配置、与该布线以及该电极电连接、其面向所述背板的端面具有电阻性，

其特征在于：在所述布线的与所述间隔物的接触部周边，具有向与该间隔物的该布线的非接触部照射电子的电子发射区域。

附图说明

图1是表示本发明的图像形成装置的优选的实施方式的显示板的结构的立体图。

图2A、2B是表示图1的显示板的局部放大模式图，以及行方向布线和间隔物的抵接面的模式图。

图3A、3B以及3C是表示关于本发明的间隔物和行方向布线的电接触的说明图。

图4A、4B是表示关于本发明的间隔物和行方向布线的电接触的说明图。

图5A、5B是表示本发明的图像形成装置的进一步优选的实施方式的显示板的结构的模式图。

图6A、6B是表示在图5A、5B的显示板中，一定地形成元件电极的方向时的结构的模式图。

图7A、7B是表示在图5A、5B的显示板中，不形成间隔物时的结构的模式图。

图8是在图5A、5B的显示板中利用初速度矢量的不同来修正照射位置的说明图。

图9A、9B是表示在本发明中采用的、间隔物和行方向布线的接触状态的其他的实施方式的图。

图10A、10B是表示在过去的图像形成装置中的由间隔物表面的电位分布产生的电子束的偏转的说明图。

具体实施方式

下面参照附图具体说明本发明。

图1是表示本发明的图像形成装置的优选的实施方式的显示板的结构的立体图，是切下一部分结构而表示的图。另外，图2A表示图1的显示板的局部放大模式图，图2B表示图2A中的间隔物3的与行方向布线的抵接面的模式图。

如图1所示，本例的显示板，是把作为第1基板的背板1和作为第2基板的面板2间隔开地对置，在两者间夹入板状的间隔物3，并且用侧壁4密封周围，使内部成为真空气氛。

在背板1上，固定有形成了行方向布线5、列方向布线6、层间绝缘层7(参照图2A)以及电子放射元件8的电子源基板9。

图示的电子发射元件8，是连接有在一对元件电极间具有电子发射部的导电性薄膜的表面传导型电子发射元件。在本例中，具有配置N×M个该表面传导型的电子发射元件8、以分别等间隔形成的M条行方向布线5和N条列方向布线6进行矩阵布线的多电子束源。而且，在本例中，行方向布线5隔着层间绝缘层7位于列方向布线6上方，并且通过引出端子Dx1～Dxm向行方向布线5施加扫描信号，通过引出端子Dy1～Dyn向列方向布线6施加调制信号(图像信号)。

行方向布线5以及列方向布线6，可以通过网板印刷法涂布银浆而形成。而且，也可以利用例如光刻法来形成。

作为行方向布线5以及列方向布线6的构成材料，除了上述的银浆，可以适用各种导电材料。例如，在利用网板印刷法形成行方向布线5以及列方向布线6时，可以使用把金属和玻璃浆相混合的涂布材料；在通过使用电镀法形析出金属来形成行方向布线5以及列方向布线6时，可以适用电镀浴材料。

面板2的下面(与背面1的对置面)上，形成有荧光膜10。由于本例的显示板是彩色显示，所以荧光膜10被分别涂有红(R)、绿(G)、蓝(B)3原色的荧光体。各色的荧光体，被分别涂成例如条状，在各色荧光体的条间设置有黑色的导电体(黑条)。设置黑色导电体的目的在于，即使电子束的照射位置有些偏移，在显示色中也不产生偏移；防止外部光的反射，从而防止显示对比度的下降；防止由电子束导致的荧光膜的充电，等等。作为黑色的导电体，可以利用以黑铅为主要成分的材料，当然只要适合上述目的也可以利用此外的其他材料。而且，3原色的荧光体的分涂方法，不仅可以是上述条状，也可以是例如三角形状配列或者其他的配列。

在上述荧光膜10的表面，设有作为导电性部件的金属敷层(加速电极)11。该金属敷层11是用于加速提升从电子发射元件8发射的电子的，从高压端子Hv施加高电压，与所述行方向布线5相比被规定为高电位。在使用如本例的表面传导型电子发射元件的显示板的情况下，通常在行方向布线5和金属敷层11间形成5～20Kv左右的电位差。

在行方向布线5上，与行方向布线5平行地安装有板状的间隔物3。该间隔物3，在位于行方向布线5上的状态下，两端被安装在间隔物固定块12上并被支持。通过利用间隔物固定块12固定间隔物3，可以使电子的运动能变小，电子轨道容易受电场影响的电子发射元件8附近的电场的混乱可以变小。

为了使显示板带有耐大气压性，通常等间隔地设置多个间隔物3，并且该间隔物3被夹在具有设有电子发射元件8以及用于驱动该电子发射元件8的行方向布线5及列方向布线6的电子源基板9的背板1、和设有荧光膜10及金属敷层11的面板2之间，其上下面分别压接在金属敷层11和行方向布线5上。另外，在背板1和面板2的周边部，夹有侧壁4，背板1和侧壁4的接合部以及面板2和侧壁4的接合部，分别由烧制玻璃密封。

进一步对间隔物3进行说明，间隔物3具有耐受施加在背板1侧的行方向布线5以及列方向布线6和面板2侧的金属敷层11间的高电压的绝缘性，并且具有防止向间隔物3的表面带电的程度的导电性。在本发明中，间隔物3至少在面向背板1的端面具有电阻性，优选如图5A、5B那样、由以绝缘材料构成的基体51和包覆其表面的高电阻膜52构成。

作为间隔物3的基体51的构成材料，可以列举例如石英玻璃、减少了Na等的杂质含量的玻璃、钠钙玻璃、氧化铝等的陶瓷等。该基体51的构成材料，优选其热膨胀率与电子源基板9、背板1、面板2等的构成材料相同或者接近的材料。

包覆间隔物3表面的高电阻膜52中，流有用施加到成为高电位侧的金属敷层11的加速电压Va除以高电阻膜52的电阻值而得到的电流，由此防止间隔物3表面的带电。因此，高电阻膜52的电阻值，从带电以及消耗电力的角度，被设定在其优选范围内。高电阻膜52的薄膜电阻，从防止带电的观点，优选小于等于10¹⁴Ω/□，更优选小于等于10¹²Ω/□，最优选小于等于10¹¹Ω/□。高电阻膜52的薄膜电阻的下限，由间隔物3的形状和施加在间隔物3的电压(行方向布线5和金属敷层11的电位差)所决定，为了控制消耗电力，优选大于等于10⁵Ω/□，更优选大于等于10⁷Ω/□。

虽然根据构成高电阻膜52的材料的表面能级以及与基体51的密合性或基体51的温度而不同，但通常小于等于10nm的薄膜被形成为岛状，因电阻不稳定而缺乏再现性。另一方面，膜厚大于等于1μm时，膜应力变大、膜剥落的危险性增高，而且由于成膜时间变长而生产性较差。因此，在基体51上形成的高电阻膜52的厚度优选为10nm～1μm的范围。更优选膜厚为50～500nm。薄膜电阻为ρ/t(ρ：电阻率、t：膜厚)，从所述薄膜电阻和膜厚的优选范围，可得高电阻膜52的电阻率ρ优选为0.1～10⁸Ωcm。进一步为了实现薄膜电阻和膜厚的更优选的范围，优选电阻率ρ为10²～10⁶Ωcm。

作为高电阻膜52的构成材料，可以使用例如金属氧化物。金属氧化物中，优选铬、镍、铜的氧化物。其理由在于，这些氧化物二次电子发射效率比较小，从电子发射元件8发射的电子即便碰到间隔物3也不容易带电。这些金属氧化物之外，碳的二次电子发射效率小，是优选的材料。特别是由于非晶碳是高电阻，所以容易得到适当的间隔物3的表面电阻。

作为高电阻膜52的其他的构成材料，铝和过渡性金属的氮化物是合适的材料。因为通过调整过渡性金属的组成，能够在从良导电体到绝缘体的宽范围控制电阻值，同时显示板的制造工序中的电阻值的变化少、比较稳定。作为过渡性金属元素，可以列举Ti、Cr、Ta等。

上述氮化物膜可以通过利用氮气气氛的溅射、电子束蒸镀、离子镀、离子辅助蒸镀法等薄膜形成方法而形成。所述金属氧化物膜，可以通过利用氧气气氛的薄膜形成方法而形成。此外，也可以通过CVD法、烃氧基金属涂布法来形成氧化金属膜。碳膜可以通过蒸镀法、溅射法、CVD法、等离子CVD法制作，特别是，非晶体碳膜可以通过使成膜中的气氛中含有氢、或者在成膜气体中适用碳化氢气体来获得。

间隔物3，如上述所述，被夹在背板1和面板2之间，包覆其表面的高电阻膜52压接在背板1侧的布线(在本例中为行方向布线5)和面板2侧的导电性部件(在本例中为金属敷层11)上，并分别地电连接。特别是如图2A所示，由于行方向布线5的与列方向布线6的交叉部与其他部分相比向面板2侧突起列方向布线6的厚度部分，所以与行方向布线5的电连接，是通过该部分与高电阻膜52相接触而进行的。即，如图2B所示，行方向布线5的与列方向布线6的交叉部为接触部15a、15b，其余的部分成为非接触部16，高电阻膜52和行方向布线5的电连接，以该交叉部分的间隔进行。

从如图2A所示的等电位线17以及图2B可知，由于间隔物3上的非接触部16上也存在高电阻膜52，所以在接触部15a、15b附近间隔物3的电位上升。这是由于如前通过图10A、10B所说明的，从金属敷层11向接触部15a、15b流动的电流的路径中，通过非接触部16的电流路径的电阻值比不通过非接触部16的电流路径(例如，从接触部15a、15b的正上部分的电流路径)的电阻值大，所以电位上升由于该增加电阻值导致的电压下降部分。

而且本发明者发现：在某种条件下，非接触部16的接触部15a、15b附近，电子从行方向布线5向间隔物3照射。即，通过控制行方向布线的表面形状，可以使行方向布线5的一部分具有电子发射特性。

具体是，控制表面的粗糙度，使其具有适当的电场倍增系数β。β越大电子发射越容易，但为了防止在不期望的部分(间隔物3的配置部位以外)的电子发射，有必要控制在一定程度以下。β的控制，可以采用改变在用印刷法形成行方向布线5之际的烧制温度，改变浆的材料，使浆中的微粒分散，在形成行方向布线5后涂布微粒膜等方法。

其中，涂布把碳材料或氧化锡、氧化铬等为主要成分的导电性超微粒分散于有机溶剂中的材料的方法，由于能够得到稳定的表面形状和β值，所以比较合适。

最合适的β是由加速电压、间隔物3的形状、间隔物3和行方向布线5的物理性接触长度、间隔物3和行方向布线5的间隙、行方向布线5的表面状态等决定的“稳态电场(后述)”来决定。即，选择在间隔物3附近的期望位置稳定地发射电子而在其他位置不发射电子的值。

如此，决定最合适的β关系到很多参数，不能一概而论，一般为100～1000左右比较合适。

如此，在非接触部16的接触部15a、15b附近，通过从行方向布线5向间隔物3照射电子，能够在比物理的接触面积广的范围得到“电接触”。

利用图3A、3B、3C来说明其情况。

图3A是表示初期状态，即在非接触部16中从行方向布线5向间隔物3照射电子以前的电位分布的图，图中17是等电位线。接着如图3B所示，在接触部15a、15b附近开始照射电子，被照射电子的部分由于电子的能量十分小，所以引起负带电，电位下降。

图3C中电子发射变为稳定状态，保持着电子发射所需的极限的电场(稳态电场)。

从以上所说明可知，与不进行电子发射的图3A相比，电子发射后变为稳定状态的图3C中电位下降了，好像接触面积变大了似的。

关于本发明的间隔物3表面的背板1附近的等电位线17，在图2A中模式地以虚线表示。图2B是表示行方向布线5的与间隔物3的接触状态的模式图，物理的接触部15a比15b还小。另外，14a、14b模式地表示电子发射区域，可知虽然物理的接触面积15a和15b存在差距，但电子照射区域14a和14b基本相等。

实际地观察电子发射状态比较困难，但经过研究后发现：通过间隔物被照射面的事后观察，可以推定电子发射区域。具体是，在物理的接触部有压痕，其附近可以辨认到变色区域。另外，由于用电子枪照射间隔物也显示同样的变色，故可以认为上述物理的接触部附近的变色是由电子照射而导致的。

进一步详细地观察接触部，结果发现以下特征。

图4A是上述物理的抵接面积大的情况的模式图，图4B是上述物理的抵接面积小的情况的模式图。图中41是物理的接触长度(压痕区域)，42是电接触长度(变色区域)，43是变色区域的最外部的间隔物3和行方向布线5的间隙长度。比较图4A、4B可知，尽管物理的接触长度41具有差距，但是电接触长度42、间隙长度43都基本一致。而且，实际的电子束的到达位置也没有差异，与假定该电接触长度42为电位规定接触部而进行电子束模拟的结果相一致。

作为比较试验，使用没有涂布微粒膜的行方向布线，观察电子束到达位置处存在差距的部分时，确认到电接触长度42具有差异，分别与假定该电接触长度42为电位规定接触部而计算的电子束到达结果相一致。

即，通过微粒膜的涂布，在非接触部16的接触部15a、15b附近，控制了从行方向布线5向间隔物3的电子发射，控制了束位置。换言之，虽然间隔物3和行方向布线5的物理的接触状态不同，但两者间的电连接状态能够成为基本同等的状态，所以缓和了间隔物3和行方向布线5的物理接触状态的控制。

由上可知，在各接触点，通过使电接触长度42一致，可以进行良好的电子束控制。

虽然电接触长度42被认为是由加速电压、间隔物形状、物理性接触长度41、间隙长度43、行方向布线5的表面状态等决定的稳态电场来决定，但是仍有很多不明之处，在现阶段不能达到以理论计算进行设计。但是，能够如上述地边观察变色区域边试验地决定各参数。

在本发明中，在如图9A所示、从图1的x方向看到的间隔物3和行方向布线5的抵接状态中、行方向布线5在间隔物3的厚度的内侧、急剧地陡立的形态，或者如图9B所示、间隔物3的底面为不平坦的形态中，通过适用本发明，可以实现比物理性连接偏差还少的“电连接”。

另外，如图1以及图2A、2B所示，由于列方向布线6是等间隔的，故上述接触部15a、15b和非接触部16等间隔地形成。而且，从图1可知，电子发射元件8位于行方向布线5和列方向布线6之间，故与间隔物3相邻的电子发射元件8全部位于非接触部16。由此，从该电子发射元件8发射的电子束，全部同等地接受与非接触部16相对应的间隔物3的表面电位的影响。

如图5B所模式地表示的，本例中的电子发射元件8的元件电极，除了与间隔物3相邻的(54b和55b、以及54c和55c)，一对的元件电极54a和55a、以及54d和55d的间隙长度方向被设置为与列方向布线6平行。与间隔物3相邻的电子发射元件的元件电极54b和55b、以及54c和55c，以使元件电极间隙的长度方向与列方向布线6仅成θ角度的方式设置。而且，如图5A中虚线所示的电子束轨道18，从电子发射元件发射的电子，在电子发射部以从间隔物3远离的方式飞翔，从与间隔物3的底面附近对应的位置相反地以靠近间隔物3的方式飞翔，最终到达期望的规定照射位置19。另外，图5A相当于5B中5A-5A剖面。下面对其理由进行详细说明。

(电子发射部附近)

如图5B模式地表示的，电子从负电位的元件电极55a～55d向正电位的元件电极54a～54d以初速度57a～57d被发射。另外，与间隔物3相邻的电子发射元件的元件电极54b和55b、54c和55c，以使各元件电极间隙的长度方向与列方向布线6仅成θ角的方式设置。由此，从与间隔物3相邻的电子发射元件发射的电子，由于以带有从间隔物远离的分量(Y方向成分)的初速度矢量57b、57c被发射，所以在电子发射部附近采取从间隔物3远离的轨道。另一方面，从与间隔物3不相邻的电子发射元件发射的电子的初速度矢量57a、57d，由于不带有从间隔物3远离的分量，所以采取与间隔物3平行的轨道。

图6A、6B中表示在不设有θ来构成与间隔物3相邻的电子发射元件的元件电极54b和55b、54c和55c时(即发射电子初速度矢量57b、57c与57a、57d相等时)的电子束轨道18以及初速度矢量57a～57d。图6A相当于6B中的6A-6A剖面。

如图6B所示，电子初速度矢量57a～57d相等，但如图6A所示，由于间隔物3造成的电位分布20的作用，使得电子束的最终到达位置向间隔物3靠近ΔS。

另外，图7A、7B表示与图5A、5B的元件电极结构相同，但去除间隔物3的情况下的电子束轨道18以及初速度矢量57a～57d。图7A相当于7B中的7A-7A剖面。

如图7B所示，电子初速度矢量57a、57d与57b、57c不同，所以如图7A所示，以初速度矢量57b和57c被发射的电子束的最终到达位置，从原本的规定照射位置53远离ΔY。

利用图8对ΔY进行详细说明。

图8是表示电子的发射点与到达点的模式图，箭头57a、57b的起点是发射点，终点表示到达点。恰好相当于从面板2上方透过面板2看到的图。

L称为曲进量，依存于初速度矢量57a、57b的大小，如初速度矢量57a、57b的大小相等则基本相等。即，元件间的施加电压如果相等则基本相等。因此，图8的箭头57a、57b的长度相同。此时，

ΔY＝L×sinθ。

另外，X方向也存在位移量，为

ΔX＝L×(1-cosθ)。

如果θ足够小，则对于ΔY，ΔX足够小，例如θ＝10°时，

ΔX/ΔY小于等于0.09。

(间隔物3的底面附近对应位置)

如图2A、2B所说明的，间隔物3的高电阻膜52，在每个与列方向布线6的交叉部与行方向布线5进行“电接触”，结果图2B所示的非接触部16的电位上升，如图5A所示，在对应于间隔物3的底面附近的地方产生突起的等电位线20，电子束18以向间隔物3附近靠近的方式飞翔。

如以上所说明的，本例的束轨道设计，思路在于通过θ以ΔY补偿由间隔物3产生的ΔS。

在实际的设计中，例如从静电场计算和电子束轨道模拟，确定到达规定照射位置53的θ与接触状态。而且，也能够根据实际数据确定条件。

(实施方式1)

关于本例中说明的显示板，作为间隔物3的基体51，采用旭玻璃(株)生产的PD200，在氮气氛中同时对钨靶和锗靶进行溅射，形成氮化钨/氮化锗化合物(WeN)，并以此作为高电阻膜52。此时通过边旋转间隔物3的基体51边成膜，在整个表面形成了膜厚为200nm、薄膜电阻为2.5×10¹²Ω/□的薄膜。间隔物3的厚度为300μm，高度(Z方向长度)为2.4mm。

在洗净的碱石灰玻璃的表面，利用溅射法形成厚度0.5μm的SiO₂层，作为背板1。在该背板1上利用溅射成膜法和光刻版法形成表面传导型电子发射元件的元件电极。其材质是用5nm的Ti、100nm的Ni叠层而成的。而且，元件电极间隔为2μm，与间隔物3相邻的元件电极角度θ为6.1°。

接着，通过印刷规定形状的Ag浆并在480℃下烧制，形成列方向布线6。该列方向布线6延长到电子源形成区域的外部，成为图1中的电子源驱动用布线Dy1～Dyn。该列方向布线6的宽是100μm，厚度是约10μm，间隔是300μm。

接着，采用以PbO为主要成分、混合了玻璃胶合剂的浆，同样利用印刷法来形成层间绝缘层7。该层是为了对上述列方向布线6和后述的行方向布线5进行绝缘，形成了约20μm的厚度。

接着，在上述绝缘层7上采用与列方向布线6时相同的方法，形成宽300μm、厚约10μm、间隔920μm的行方向布线5。该行方向布线5延长到电子源形成区域的外部，成为图1中的电子源驱动用布线Dx1～Dxm。

接着，在形成了元件电极54a～54d、55a～55d的背板1上，利用溅射法形成Cr膜，利用光刻法在与导电性薄膜56a～56d的形状对应的开口部形成Cr膜。接着，涂布有机Pd化合物的溶液(ccp-4230：奥野制药(株)生产)，在300℃的大气中、进行12分钟的烧制，形成PdO微粒膜后，利用湿法蚀刻去除上述Cr膜，利用剥离法形成规定形状的导电性薄膜56a～56d。

最后在行方向布线5上形成微粒膜。该微粒膜，兼作带电防止膜，形成在背板1的整个面上。

该微粒膜，采用的是把氧化锡中掺杂了氧化锑的氧化物微粒分散到乙醇和异丙醇的1∶1混合液中的物质。固形物的质量浓度为约0.1质量％。微粒的直径为5～15nm。

作为涂布方法使用喷射法。利用喷射装置，在液压0.025Mpa、气压1.5Kg/cm²、基板-头间距50mm、头移动速度0.8m/sec的条件下，进行涂布。涂布后，以380℃进行10分钟的烧制。该微粒膜的厚度为30nm，薄膜电阻为10¹⁰Ω/□。

另外，在本发明中导电性微粒的成分，不限于氧化锡，也适用碳材料、氧化铬等。

在如上所制作的显示板中，在向金属敷层11的施加电压为15kV、行方向布线5和列方向布线6间的施加电压为14V的条件下，进行图像显示时，X方向的束偏移(ΔX)在检测界限以下，能够进行良好的图像显示。

而且，在事后观察间隔物3时，物理的接触长度41虽有0～100μm的偏差，但从变色区域推定的电接触长度42为约110μm，该110μm的最外部的间隙43为约3μm。

根据本发明，通过从布线上的电子发射区域的电子发射而实现该布线和间隔物的“电接触状态”，能够缓和该布线和间隔物的物理接触状态的偏差，抑制电子束的到达位置的位置偏移、维持良好的显示图像，并且能够扩大布线和间隔物的组装容限。由此，能够提供高成品率、高品质的图像显示的图像形成装置。

Claims

1.一种图像形成装置，包括：

2.根据权利要求1所述的图像形成装置，其中，所述电子发射区域是位于所述布线上的导电性微粒。

3.根据权利要求2所述的图像形成装置，其中，所述导电性微粒的直径为5～15nm。

4.根据权利要求2所述的图像形成装置，其中，所述布线的主要成分是银，所述导电性微粒是向氧化锡掺杂氧化锑而形成的氧化物微粒。

5.根据权利要求1所述的图像形成装置，其中，所述布线与间隔物的接触部沿与该布线平行的方向等间隔地设置。

6.根据权利要求5所述的图像形成装置，其中，与所述间隔物相邻的电子发射元件，配置在与等间隔地设置的所述接触部间的非接触部相对应的位置上，以不同于不与间隔物相邻的电子发射元件的初速度矢量发射电子。