CN1578563A - 蒸镀掩模及制法、显示装置及制法以及具有其的电子机器 - Google Patents

蒸镀掩模及制法、显示装置及制法以及具有其的电子机器 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种蒸镀掩模，其结构是将以1片或多片单晶硅基板形成的掩模薄片与掩模支持体接合的；掩模薄片是接合在掩模支持体的所定位置上，它的朝向是被接合成使单晶硅基板的结晶方向与所定的方向一致；掩模薄片是在单晶硅基板上形成开口部而构成的。

Description

蒸镀掩模及制法、显示装置及制法以及 具有其的电子机器
技术领域
本发明涉及一种蒸镀掩模及其制造方法、电致发光显示装置及其制造方法、具有电致发光显示装置的电子机器，该蒸镀掩模是在形成电致发光显示装置等的空穴输送层、发光层等薄膜时所使用的；更详细地说、本发明主要是与用于制造有机电致发光(下面，称为有机EL)显示装置的蒸镀掩模等有关的。
背景技术
以往的有机EL显示装置多是在电阻加热式真空蒸镀装置中、将有机材料进行真空蒸镀而作成的。特别是全色的有机EL显示装置，由于必需高精度地制造细微的RGB(红、绿、蓝)的发光元件，因而是用金属掩模等、将RGB等各个像素不同的有机物质，有选择地在要求的位置上形成薄膜的掩模蒸镀方法制造。而且、由于在制造高精细全色的有机EL显示装置时，必需使蒸镀掩模高精细，必需较薄、高精度地制造蒸镀掩模，因而用电铸法形成蒸镀掩模。
但是，随着有机EL显示装置向高精细进展，由于以往的由金属掩模与玻璃等构成的被蒸镀基板之间热膨胀系数相差较大，因而由热形成的偏差就不能忽视。特别是在想使用大型的被蒸镀基板、由此增加每1张被蒸镀基板的取出个数时，由热引起的偏差问题就显著地呈现出来。
为了解决上述的问题，以往的蒸镀掩模是由热膨胀系数比玻璃小的硅基板制造蒸镀掩模(例如、参照专利文献1)。
由于以往的蒸镀掩模是从大型的被蒸镀基板制造多个有机EL显示装置，因而具有这样的结构，即、将1个份的由硅基板作成的有机EL显示装置的多张第2基板(掩模薄片)粘贴在具有开口部的、由硼硅玻璃构成的第1基板(掩模支持体)上的结构(例如、参照专利文献2)。形成这样的结构是由于硅基板只能制成最大直径为300mm左右的圆盘状，因而不能只用硅基板制造大型的被蒸镀基板用的蒸镀掩模的原故。而且，由于用热膨胀系数与硅基板接近的硼硅玻璃作成第1基板，因而就降低了蒸镀掩模的挠曲。
【专利文献1】
特开2001-185350号公报(图1)
【专利文献2】
特开2003-100460号公报(图1、图4)
但是，在以往的蒸镀掩模(例如、参照专利文献2)制造过程中，在将由硅基板构成的第2基板与由硼硅玻璃构成的第1基板接合时，必需每接合1片第2基板、进行对准(位置对准)，有加工精度的要求，要花费较多的加工时间，因而存在使成本增高的问题。
另外，由于在第2基板上，预先形成与像素图案相对应的开口部，因而在将第2基板与第1基板接合时，一旦位置偏移，就会有像素图案偏移的问题。
发明内容
本发明是为了克服上述现有技术存在的问题而作出的，其目的是提供一种能对大型的被蒸镀基板进行蒸镀的高精度蒸镀掩模、和能容易而且低成本地制造该蒸镀掩模的制造方法。还提供一种具有用上述蒸镀掩模形成的空穴输送层等电致发光层的电致发光显示装置及其制造方法；提供一种具有电致发光显示装置的电子机器。
为了达到上述目的而作出的本发明蒸镀掩模，是将由1片或多片单晶硅基板形成的掩模薄片与掩模支持体接合而构成，其特征在于，上述掩模薄片是接合在上述掩模支持体的所定位置上、它的朝向是被接合成使上述单晶硅基板的结晶方向与所定的方向一致的；上述掩模薄片是在上述单晶硅基板上形成开口部而构成的。
由于将单晶硅基板与由硼硅玻璃等构成的掩模支持体接合、在其接合后的单晶硅基板上形成与像素图案相对应的开口部，因而在将单晶硅基板接合时不要求高的位置精度，能容易地制造蒸镀掩模。又因为在将单晶硅基板与掩模支持体接合之后形成开口部，所以具有高精度的像素图案的开口部。而且，由于在将多片单晶硅基板与掩模支持体接合的情况下、可以在大型的被蒸镀基板上进行蒸镀，因而能够1次制造多个电致发光显示装置。
本发明的蒸镀掩模，是在使上述单晶硅基板的结晶方向与所定的方向一致地、将该单晶硅基板接合在上述掩模支持体的所定位置上之前，将蚀刻掩模形成在上述单晶硅基板上的。
由于在将单晶硅基板与掩模支持体接合之前，在单晶硅基板上形成蚀刻掩模，因而可以防止由硼硅玻璃等构成的掩模支持体由热氧化等因素而引起的挠曲。
本发明的蒸镀掩模，其中的掩模支持体是由硼硅玻璃构成；是用阳极接合工艺、将单晶硅基板与掩模支持体接合的。
由于用阳极接合工艺将单晶硅基板与由硼硅玻璃构成的掩模支持体接合，因而不必使用粘接剂，而且可以消除使用粘接剂时产生的挠曲。
本发明的蒸镀掩模，上述掩模薄片是表面上具有由碳和氟元素构成的薄膜。
由于掩模薄片是表面上具有由碳和氟元素构成的薄膜，因而在蒸镀时就能容易地与被蒸镀基板接合或从其上卸下。
本发明的蒸镀掩模的制造方法，是将在1片或多片单晶硅基板形成的掩模薄片与掩模支持体接合而构成蒸镀掩模的，在进行使单晶硅基板的结晶方向与所定的方向一致地、将该单晶硅基板与上述掩模支持体的所定位置相接合的工序实施之后，实施在单晶硅基板上形成开口部而作成掩模薄片的工序。
由于先将单晶硅基板与由硼硅玻璃等构成的掩模支持体接合，在此工序之后，在单晶硅基板上形成与像素图案相对应的开口部，因而在将单晶硅基板接合时，不要求高的位置精度，可以容易地制造蒸镀掩模。另外，由于在将单晶硅基板与掩模支持体接合之后形成开口部，因而可以形成高精度的像素图案相对应的开口部。而且，在将多张单晶硅基板与掩模支持体接合时，可以得到可以在大型的被蒸镀基板上实施蒸镀的蒸镀掩模，就能够1次制造多个电致发光显示装置。
本发明的蒸镀掩模的制造方法，在使该单晶硅基板的结晶方向与所定的方向一致地、将单晶硅基板与上述掩模支持体的所定位置接合的工序中，用至少1边为直线状的基准构件使单晶硅基板的结晶方向与所定的方向一致。
在将单晶硅基板与掩模支持体接合的工序中，通过用至少1边为直线状的基准构件、使单晶硅基板的结晶方向一致，可以1次就能将排列成1列的单晶硅基板接合。另外，通过使用这个基准构件，可以高精度地使单晶硅基板的结晶方向一致。
本发明的蒸镀掩模制造方法，在实施使单晶硅基板的结晶方向与所定的方向一致地、将该单晶硅基板与掩模支持体的所定位置接合的工序之前，在单晶硅基板上形成蚀刻掩模。
由于在使单晶硅基板与掩模支持体接合之前，在单晶硅基板上形成蚀刻掩模，因而可以防止由硼硅玻璃等构成的掩模支持体由热氧化等因素而挠曲。
本发明的蒸镀掩模制造方法，在掩模支持体是硼硅玻璃的情况下，用阳极接合工艺、将单晶硅基板与掩模支持体接合。
通过阳极接合工艺将单晶硅基板与由硼硅玻璃构成的掩模支持体接合，就不必使用粘接剂，而且可以消除使用粘接剂时产生的挠曲。
本发明的蒸镀掩模的制造方法，用劈开工艺、从单晶硅晶片切断而形成单晶硅基板。
通过利用劈开工艺、从单晶硅晶片切出单晶硅基板，可以容易地得到结晶方向一致的单晶硅基板。
本发明的蒸镀掩模的制造方法，在碳和氟元素的混合气体的等离子体气氛中，在掩模薄片的表面上形成由碳和氟元素构成的薄膜。
由于在掩模薄片的薄膜上形成由碳和氟元素构成的薄膜，因而在用由这个蒸镀掩模的制造方法得到的蒸镀掩模进行蒸镀时，能容易地与被蒸镀基板接合或从其上卸下。
本发明的电致发光显示装置，具有用上述的任意一个蒸镀掩模而形成的空穴注入层、发光层和电子输送层。
由于上述蒸镀掩模是具有与高精度的像素图案相对应的开口部，因而使用这些蒸镀掩模而形成的空穴注入层、发光层和电致输送层等构成的电子发光层是高精度的，而且，具有这个电致发光层的电致发光显示装置也是高图像质量的。
本发明的电致发光显示装置，具有用上述的任意一个蒸镀掩模而形成的电子注入层、发光层和空穴输送层。
由于上述蒸镀掩模是具有与高精度的像素图案相对应的开口部，因而使用这些蒸镀掩模而形成的电子注入层、发光层和空穴输送层等构成的电致发光层是高精度的，而且，具有这个电致发光层的电致发光显示装置也是高图像质量的。
本发明电致发光显示装置的制造方法，将上述的任意一个蒸镀掩模配置在被蒸镀基板的所定位置上而形成空穴注入层、发光层和电子输送层。
用上述的蒸镀掩模就能1次制造多个电致发光显示装置，而且可以得到高图像质量的电致发光显示装置。
本发明电致发光显示装置的制造方法，将上述的任意一个蒸镀掩模配置在被蒸镀基板的所定位置上而形成电子注入层、发光层和空穴输送层。
用上述的蒸镀掩模就能1次制造多个电致发光显示装置，而且可以得到图像质量高的电致发光显示装置。
设有本发明电致发光显示装置的电子机器，具备电致发光显示装置，该电致发光显示装置是具有用上述任意一个蒸镀掩模而形成的空穴注入层、发光层等。
使用上述的蒸镀掩模而形成的空穴注入层、发光层等电致发光层是高精度的，并设有该电致发光层的电致发光显示装置是高图像质量的显示装置。
附图说明
图1(A)是表示本发明第1实施方式的蒸镀掩模的顶视图、图1(B)是该蒸镀掩模的横向截面图。
图2是表示图1所示的蒸镀掩模的掩模支持体的的图。
图3是表示图1所示的蒸镀掩模的掩模薄片的的图。
图4是表示用切出工艺形成单晶硅基板的工序的图。
图5表示将单晶硅基板与掩模支持体相接合的工序的图。
图6是表示形成蒸镀掩模的制造工序的截面放大图。
图7是表示实施方式2的蒸镀掩模的制造工序的截面放大图。
图8是电致发光显示装置的像素的纵向截面图。
图9是形成电致发光层时的局部截面图。
图10(A)(B)是表示本发明第4实施方式的电子机器的一例子的图。图中，
1：掩模支持体、2：掩模薄片、2a：单晶硅基板、3：开口部、4：开口部、5：对准标记、10：单晶硅晶片、11：取向平面、12：基准构件、14：紫外线固化粘接剂、15：氧化硅膜、21：图案、22：凹部、30玻璃基板、31：TFT配线、32平坦化绝缘膜、33：ITO层、34：氧化硅层、35：空穴输送层、36：发光层、37：电子注入层、38：ITO层、39：透明密封膜、40：蒸镀掩模、51：红色像素的电致发光层、52：绿色像素的电致发光层、53：蓝色像素的电致发光层。
具体实施方式
图1是表示本发明第1实施方式的蒸镀掩模的图。图1(A)是该蒸镀掩模的顶视图、图1(B)是该蒸镀掩模的横向截面图。本实施方式1的蒸镀掩模的结构是将多片由单晶硅基板构成的掩模薄片2与由硼硅玻璃构成的掩模支持体1的上面相接合(图1(A)中表示6片掩模薄片)。在掩模支持体1上设有多个开口部3，掩模薄片2以覆盖开口部3的状态接合着。在掩模薄片2上设置着多个与像素相对应的开口部4。该开口部4的一个的纵横尺寸是几十μm左右，在蒸镀到被蒸镀基板上时、是能一下子将一种颜色份的所有像素都蒸镀上。这种电致发光层的蒸镀方法在下面将详细说明。而且、还在掩模支持体1上形成有凸状的对准标记5，以用于在蒸镀时、与被蒸镀基板对准(位置方向对准)。该凸状的对准标记5也可以形成凹状或贯通的孔。
虽然在本实施方式1中，用硼硅玻璃作成掩模支持体1，但也可以用硅基板等作成掩模支持体1。而且，与掩模支持体1相接合的掩模薄片2也可以不是多片、而是1片。
图2是表示图1所示蒸镀掩模的掩模支持体1的图，图3是表示图1所示蒸镀掩模的掩模薄片2的图。如图2所示，在掩模支持体1上设有多个开口部3，在它的上表面设有对准标记5。该开口部3是譬如将微小的砂粒形成喷射的束流与硼硅玻璃基板相碰而形成。而对准标记5是在硼硅玻璃基板上、用阴极真空喷镀工艺将金·铬等形成膜、用照相平板印刷术形成图案，也可用蚀刻工艺形成。如图3所示，在掩模薄片2上设置着多个开口部4，将掩模支持体1与掩模薄片2进行接合时，接合成使开口部4位于开口部3的上方。
最好、掩模支持体1是用热膨胀系数与硅接近的或相等的材料作成。这是因为在蒸镀电致发光层时、就不会在掩模支持体1和掩模薄片2的接合部分产生由热应力而引起的变形。譬如，硼硅玻璃中的派热克斯(Pyrexglass注册商标)#7740(康宁公司制造)热膨胀系数是3.25×10-6/℃，由于该热膨胀系数与硅的热膨胀系数3.5×10-6/℃非常接近，因而上述的硼硅玻璃适于作成掩模支持体1。
图4是表示用切出工艺、作成由单晶硅晶片构成的掩模薄片2的单晶硅基板的工序的图。譬如，先准备表面的结晶方位是(100)、设有2个取向平面11的单晶硅晶片10。这里，单晶硅晶片10是(100)方位的，2个取向平面11是在(110)方位、沿着相互垂直的方向而形成。在单晶硅晶片10上，用预热氧化工艺、全面地形成作为蚀刻掩模的氧化硅薄膜。接着，沿着与这2个取向平面11平行的线、用切片锯将其切断，切出矩形的单晶硅基板2a。这时也可以不用切片锯切断的方法、利用劈开工艺、从单晶硅晶片10切断成单晶硅基板2a。在用劈开工艺、切断单晶硅晶片10时，最好、预先沿着切断的线形成细的槽沟。该单晶硅基板2a也可以不作成矩形的形状，只要将它各边中的至少1边作成直线状就可以。而且、也可以在切出单晶硅基板2a之后形成氧化硅薄膜，也可以用CVD(ChemicalVapor Deposition)装置形成氮化硅等薄膜。
图5是表示把由图4所示工序作成的单晶硅基板2a与掩模支持体1进行接合的工序的顶视图。另外，在将单晶硅基板2a与掩模支持体1接合的阶段，与各个像素相对应的开口部4还没有形成。在图5所示的工序中，将单晶硅基板2a与预先形成开口部3和对准标记5的掩模支持体1的上面相接合。这时，用至少1边为直线状的基准构件12使单晶硅基板2a的结晶方向一致。所谓使结晶方向一致是指与基准构件12与对准标记5的方向相比照，将图4所示工序中已切断的单晶硅基板2a的1边设定成沿着基准构件的程度就可以(参照图5)。这样，就能借助于基准构件12的1次对准(位置方向的比照)，如图5所示地可以将1列平行排列的单晶硅基板2a接合上。这里，基准构件12的对准是1列1列地进行的。在本实施方式1中，该单晶硅基板2a与掩模支持体1的接合是用紫外线固化粘接剂进行的。由于是在单晶硅基板2a与掩模支持体1接合之后、如下所示地进行与各个像素对应的开口部4的加工，因而单晶硅基板2a的位置精度没有什么高的要求。
图6是表示将图5所示工序中接合上单晶硅基板2a的掩模支持体1加工而作成蒸镀掩模的制造工序的放大截面图。图6是表示1片单晶硅基板2a和它的周边的掩模支持体1。先准备1片在图5所示工序将单晶硅基板2a接合上的掩模支持体1(图6(a))。其中，单晶硅基板2a的两面上都形成有氧化硅薄膜15，用紫外线固化粘接剂14将单晶硅基板2a与掩模支持体1接合。接着，将单晶硅基板2a下面的氧化硅薄膜20除去，在单晶硅基板2a上面的氧化硅薄膜15上、用照相平板印刷术形成与像素图案(开口部4)相对应形状的图案，用氟酸对这部分氧化硅薄膜进行一半蚀刻、形成图案21(图6(b))。这里，在进行照相印刷术之后，对单晶硅基板2a下面的氧化硅薄膜20、进行由CF3形成的干燥蚀刻而有选择地将其除去。
接着，将接合着单晶硅基板2a的掩模支持体1浸入到TMAH(四甲基氢氧化物)水溶液中，对单晶硅基板2a的下面侧进行各向异性蚀刻而形成凹部22。此后、将接合了单晶硅基板2a的掩模支持体1浸入到氟酸水溶液中，对单晶硅基板2a上面的氧化硅薄膜15进行全面的蚀刻，直到图案21部分的氧化硅薄膜消除为止(图6(c))。
接着，对应于图案部分21进行YAG激光照射，形成开口部4(图6(d))。这里，氧化硅薄膜15成为蚀刻掩模，只有硅被蚀刻、在单晶硅基板2a上形成开口部4。
此后，将接合了单晶硅基板2a的掩模支持体1浸入到氢氧化钾水溶液等液体中，进行各向异性蚀刻(图6(e))。由此，将单晶硅基板2a的开口部4周边的硅蚀刻成尖的状态。这样进行是为了在蒸镀时、能使蒸镀物从较大角度的开口部4进入。
最后，进行由CF3气体形成的干蚀刻，将单晶硅基板2a上面的氧化硅薄膜15除去，完成蒸镀掩模(图6(f))。
另外，在图6(f)的工序中，也可以用稀氟酸水溶液除去氧化硅薄膜15。
虽然在图6(f)的工序中大致完成了蒸镀掩模，但也可以在该蒸镀掩模上面再形成由碳和氟元素构成的薄膜。这是所谓的特弗隆(注册商标)膜，就能在蒸镀时、蒸镀掩模与被蒸镀基板之间容易蒸镀或卸下。为了形成由碳和氟元素构成的薄膜，也可以在碳和氟元素的混合气体的等离子体气氛中、在整个蒸镀掩模上形成薄膜。
由于在本实施方式1中，将单晶硅基板2a与硼硅玻璃构成的掩模支持体1接合，此后、在单晶硅基板2a上形成与像素相对应的开口部4，因而在将单晶硅基板2a接合时，不要求高的位置精度，可以容易地制造蒸镀掩模。还由于将单晶硅基板2a与掩模支持体1接合之后、形成开口部4，因而可以形成与高精度的像素图案相对应的开口部4。此外，由于将多张单晶硅基板2a与掩模支持体1接合，因而可以对大型的被蒸镀基板进行蒸镀；能够1次制造多个电致发光的显示装置。
而且，在将单晶硅基板2a与掩模支持体1相接合的工序中，通过用至少有1边是直线状的基准构件12、使单晶硅基板2a的结晶方向一致，因而1道工序就可以将排列成1列的单晶硅基板2a接合上。而且通过使用该基准构件12，因而可以使单晶硅基板2a的结晶方向高精度地一致。
实施方式2
图7是表示本实施方式2的蒸镀掩模的制造工序的放大截面图。
图7中表示1片单晶硅基板2b和它的周边的掩模支持体1。本实施方式2的蒸镀掩模、除了特别表示的部分以外，其余都是与图1所示的实施方式1的蒸镀掩模同样的，与实施方式1同样的构件使用相同的符号。
首先，在如图4所示的结晶方位是(100)方位的单晶硅晶片10的上面、用溅射工艺、形成金·铬薄膜15a。这时，最好先形成与硅有密接力的铬的薄膜，然后在其上形成具有优良耐药品性能的金的薄膜。接着，与实施方式1同样地切出单晶硅基板2b，用阳极接合工艺、将其与由硼硅玻璃构成的掩模支持体1接合(如图7(a))。该阳极接合可以如下所述地进行，即、使单晶硅基板2b与掩模支持体1的接合面彼此对准地配置，与实施方式1同样地使结晶方向一致，加热到300～500℃，在施加500V左右的电压下进行。
接着，在金·铬薄膜15a上、形成与像素图案(开口部4)相对应形状的图案，使用对金·铬起作用的蚀刻液体、进行一半蚀刻而形成图案21a(如图7(b))。
此后，用TMAH水溶液对单晶硅基板2b的下面进行各向异性的蚀刻、形成凹部22a，将接合了单晶硅基板2b的掩模支持体1浸入到金·铬起作用的蚀刻液体中，对整个金·铬薄膜15a进行全面蚀刻，直到残存在图案21a部分上的金·铬薄膜消除为止(如图7(c))。
接着，与实施方式1同样地照射YAG激光，在单晶硅基板2b上形成开口部4(如图7(d))。最后，用氢氧化钾等水溶液对接合有单晶硅基板2b的掩模支持体1进行蚀刻，将单晶硅基板2b的开口部4周边的硅蚀刻成尖的形状而完成蒸镀掩模(如图7(e))。
也可以在图7(e)所示的工序中，由蚀刻工艺将残存的金·铬薄膜消除。
在本实施方式2中，通过将单晶硅基板2b与硼硅玻璃构成的掩模支持体1进行阳极接合，因而不要粘接剂，而且可以不产生使用粘接剂时所发生的挠曲。而且，由于没有使用粘接剂，因而在蒸镀时不会发生气体，可以制造适于高真空蒸镀的蒸镀掩模。
实施方式3
图8是表示本实施方式3的电致发光显示装置的1个像素的纵向截面图。本实施方式3是将有机EL显示装置作为电致发光显示装置的一个例子而进行说明的。
图8所示的有机EL显示装置是在由无碱玻璃等构成的玻璃基板30上形成有TFT配线31、平坦化绝缘膜32和ITO层33。ITO(Indium Tin Oxide)的作用是用于使电流流向像素的阳极。氧化硅层34被堆积在像素周围的不发光部分上。作为电致发光层的空穴输送层35、发光层36和电子注入层37由有机EL材料构成、通过真空蒸镀等工艺形成。在其上、形成有构成阴极的ITO层38、透明密封膜39。实施方式1和实施方式2的蒸镀掩模主要是在形成电致发光层时被使用，此外、在用真空喷镀工艺形成ITO层33时、还可以用作喷溅掩模。电致发光层除了空穴输送层35、发光层36和电子注入层37以外，也可包含设置空穴注入层等情况。也可以替代空穴输送层35、发光层36和电子注入层37，将电子输送层、发光层和空穴注入层作成电致发光层。
图9是用实施方式1或实施方式2的蒸镀掩模形成电致发光层时的部分截面图。先将蒸镀掩模40(在图9中、只表示开口部4周边的部分)的开口部4和预先形成ITO层33等的玻璃基板30的红色像素的位置对准，用真空蒸镀工艺形成红色像素的电致发光层51(如图9(a))。接着，使蒸镀掩模40的位置偏移，与玻璃基板30的绿色像素的位置对准、形成绿色像素的电致发光层52(如图9(b))。同样，形成蓝色像素的电致发光层53(如图9(c))。
由于本实施方式3是使用实施方式1或实施方式2的蒸镀掩模而形成电致发光层，因而电致发光层是高精度的、而且可以得到高图像质量的电致发光显示装置。
实施方式4
图10是表示本发明实施方式4的电子机器的一个例子的图。图10(A)是将本发明的电致发光显示装置用作携带式电话的显示面板的情况，图10(B)是将本发明的电致发光显示装置用于个人计算机的显示屏的情况。此外，本发明的电致发光显示装置还可以用于游戏机或数码相机的显示屏。

Claims (15)

1.一种蒸镀掩模，是将以1片或多片单晶硅基板形成的掩模薄片与掩模支持体接合之结构的蒸镀掩模，其特征在于，
上述掩模薄片是接合在上述掩模支持体的所定位置上，
掩模薄片的朝向是被接合成使上述单晶硅基板的结晶方向与所定的方向一致，
上述掩模薄片是在上述单晶硅基板上形成开口部而构成的。
2.根据权利要求1所述的蒸镀掩模，其特征在于，在使上述单晶硅基板的结晶方向与所定的方向一致地、将该单晶硅基板接合在上述掩模支持体的所定位置上之前，将蚀刻掩模形成在上述单晶硅基板上。
3.根据权利要求1或2所述的蒸镀掩模，其特征在于，上述掩模支持体是由硼硅玻璃构成；是用阳极接合工艺、将上述单晶硅基板与上述掩模支持体进行接合的。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的蒸镀掩模，其特征在于，上述掩模薄片是表面上具有由碳和氟元素构成的薄膜。
5.一种蒸镀掩模的制造方法，是将以1片或多片单晶硅基板形成的掩模薄片与掩模支持体接合之结构的蒸镀掩模的制造方法，其特征在于，
在使上述单晶硅基板的结晶方向与所定的方向一致地、将该单晶硅基板与上述掩模支持体的所定位置相接合的工序实施之后，实施在上述单晶硅基板上形成开口部而作成上述掩模薄片的工序。
6.根据权利要求5所述的蒸镀掩模制造方法，其特征在于，在使上述单晶硅基板的结晶方向与所定的方向一致地、将该单晶硅基板与上述掩模支持体的所定位置接合的工序中，用至少1边为直线状的基准构件使上述单晶硅基板的结晶方向与所定的方向一致。
7.根据权利要求5或6所述的蒸镀掩模制造方法，其特征在于，在使上述单晶硅基板的结晶方向与所定的方向一致地、将该单晶硅基板与上述掩模支持体的所定位置接合的工序实施之前，在上述单晶硅基板上形成蚀刻掩模。
8.根据权利要求5～7中任意一项所述的蒸镀掩模制造方法，其特征在于，在上述掩模支持体是硼硅玻璃的情况下，用阳极接合工艺、将上述单晶硅基板与上述掩模支持体进行接合。
9.根据权利要求5～8中任意一项所述的蒸镀掩模制造方法，其特征在于，用劈开工艺、从单晶硅晶片切断而作成上述单晶硅基板。
10.根据权利要求5～9中任意一项所述的蒸镀掩模制造方法，其特征在于，在碳和氟元素的混合气体的等离子体气氛中，在上述掩模薄片的表面上形成由碳和氟元素构成的薄膜。
11.一种电致发光显示装置，其特征在于，具有使用权利要求1～4中任意一项所述的蒸镀掩模而形成的空穴注入层、发光层和电子输送层。
12.一种电致发光显示装置，其特征在于，具有使用权利要求1～4中任意一项所述的蒸镀掩模而形成的电子注入层、发光层和空穴输送层。
13.一种电致发光显示装置的制造方法，其特征在于，将权利要求1～4中任意一项所述的蒸镀掩模配置在被蒸镀基板的所定位置上而形成空穴注入层、发光层和电子输送层。
14.一种电致发光显示装置的制造方法，其特征在于，将权利要求1～4中任意一项所述的蒸镀掩模配置在被蒸镀基板的所定位置上而形成电子注入层、发光层和空穴输送层。
15.一种电子机器，其特征在于，具有权利要求11或12所述的电致发光显示装置。
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