JP2634714B2 - Ｘ線マスク構造体の製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスク構造体の製造方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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-
- G—PHYSICS
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- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線マスク構造体、特
には反りや歪みがなく、高精度なリソグラフィ−が可能
になるＸ線リソグラフィ−用マスク構造体に関するもの
である。
には反りや歪みがなく、高精度なリソグラフィ−が可能
になるＸ線リソグラフィ−用マスク構造体に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスにおけるリソグラフィ−
技術についてはパタ−ン形成の微細化に伴なってＸ線リ
ソグラフィ−技術が有望視されている。このＸ線リソグ
ラフィ−に用いられるマスクは通常図１に示した、Ｘ線
透過膜の保持枠１とＸ線透過膜２、このＸ線透過膜上に
所望のパタ−ン形状に形成されているＸ線吸収体３およ
び保持枠１を補強するための補強体４とからなるものが
使用されている。
技術についてはパタ−ン形成の微細化に伴なってＸ線リ
ソグラフィ−技術が有望視されている。このＸ線リソグ
ラフィ−に用いられるマスクは通常図１に示した、Ｘ線
透過膜の保持枠１とＸ線透過膜２、このＸ線透過膜上に
所望のパタ−ン形状に形成されているＸ線吸収体３およ
び保持枠１を補強するための補強体４とからなるものが
使用されている。
【０００３】このＸ線透過膜２は一般的には窒化ほう素
（BN) 、窒化けい素(Si3N4)、炭化けい素(SiC) などのよ
うにＸ線吸収係数の小さい軽金属よりなる無機物の10μ
m 以下の薄状物とされ、Ｘ線吸収体３は金(Au)、タング
ステン(W) 、タンタル(Ta)などのようにＸ線吸収体係数
の大きい重金属の無機物からなるものとされており、こ
のＸ線透過膜２については薄膜状の形態を維持するため
に５×108 〜５×109ダイン／cm2 の引張応力を有する
ものとすることが必須要件とされているが、このＸ線透
過膜２はＸ線吸収体３を支持することからＸ線吸収体支
持膜あるいはＸ線透過用メンブレンとも呼ばれている。
（BN) 、窒化けい素(Si3N4)、炭化けい素(SiC) などのよ
うにＸ線吸収係数の小さい軽金属よりなる無機物の10μ
m 以下の薄状物とされ、Ｘ線吸収体３は金(Au)、タング
ステン(W) 、タンタル(Ta)などのようにＸ線吸収体係数
の大きい重金属の無機物からなるものとされており、こ
のＸ線透過膜２については薄膜状の形態を維持するため
に５×108 〜５×109ダイン／cm2 の引張応力を有する
ものとすることが必須要件とされているが、このＸ線透
過膜２はＸ線吸収体３を支持することからＸ線吸収体支
持膜あるいはＸ線透過用メンブレンとも呼ばれている。
【０００４】また、このＸ線透過膜保持枠１は表面が平
坦で、しかも鏡面であり、アルカリ液による異方性エッ
チングが可能なものとすることから通常はシリコンウエ
ハ−が用いられており、これには直径が２インチ〜４イ
ンチで厚さが300 〜2,000 μm のものが用いられてい
る。このＸ線リソグラフィ−用マスクはこのシリコンウ
エハ−の鏡面にＸ線透過膜２を成膜し、その膜上にＸ線
吸収体３を形成したのち、シリコンウエハ−の反対面か
らアルカリエッチングを行なってＸ線透過膜をメンブレ
ン状態とすることによって作られ、この場合、メンブレ
ンの周囲に相当する未エッチング領域がＸ線透過膜保持
枠となる。Ｘ線吸収体の形成はＸ線透過膜のメンブレン
形成後に行なってもよい。
坦で、しかも鏡面であり、アルカリ液による異方性エッ
チングが可能なものとすることから通常はシリコンウエ
ハ−が用いられており、これには直径が２インチ〜４イ
ンチで厚さが300 〜2,000 μm のものが用いられてい
る。このＸ線リソグラフィ−用マスクはこのシリコンウ
エハ−の鏡面にＸ線透過膜２を成膜し、その膜上にＸ線
吸収体３を形成したのち、シリコンウエハ−の反対面か
らアルカリエッチングを行なってＸ線透過膜をメンブレ
ン状態とすることによって作られ、この場合、メンブレ
ンの周囲に相当する未エッチング領域がＸ線透過膜保持
枠となる。Ｘ線吸収体の形成はＸ線透過膜のメンブレン
形成後に行なってもよい。
【０００５】しかし、このＸ線透過膜の保持枠としての
シリコンウエハ−は割れ易く、強度も不充分であること
から、この保持枠はその周囲を補強体で補強する必要が
あり、この補強体としてはシリコンウエハ−と比較的熱
膨張係数が等しい、ほうけい酸ガラス（商品名パイレッ
クスガラス）が用いられるのであるが、この保持枠と補
強体は通常接着剤を用いて固定する方法で結合されてい
る。
シリコンウエハ−は割れ易く、強度も不充分であること
から、この保持枠はその周囲を補強体で補強する必要が
あり、この補強体としてはシリコンウエハ−と比較的熱
膨張係数が等しい、ほうけい酸ガラス（商品名パイレッ
クスガラス）が用いられるのであるが、この保持枠と補
強体は通常接着剤を用いて固定する方法で結合されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、保持枠と補強
体を接着剤を介して接着する場合には、保持枠と補強体
とを剥離を起さない程度の接着強度で接着するには接着
強度の大きいエポキシ系の接着剤を用いても接着剤層の
厚みを30〜100 μm とする必要がある。その結果、接着
後の保持枠と補強体との平行度をＸ線マスクとして要求
されるマスクの平行度である数μm 以下とすることがで
きないという不利がある。また、保持枠材料としてのシ
リコンウエハ−と補強体としてのほうけい酸ガラスは熱
膨張率が異なり、シリコンウエハ−が2.4 ×106 である
のに対しほうけい酸ガラスは3.5 ×106 であるために、
温度変化によって歪みが発生し易いという不利がある。
体を接着剤を介して接着する場合には、保持枠と補強体
とを剥離を起さない程度の接着強度で接着するには接着
強度の大きいエポキシ系の接着剤を用いても接着剤層の
厚みを30〜100 μm とする必要がある。その結果、接着
後の保持枠と補強体との平行度をＸ線マスクとして要求
されるマスクの平行度である数μm 以下とすることがで
きないという不利がある。また、保持枠材料としてのシ
リコンウエハ−と補強体としてのほうけい酸ガラスは熱
膨張率が異なり、シリコンウエハ−が2.4 ×106 である
のに対しほうけい酸ガラスは3.5 ×106 であるために、
温度変化によって歪みが発生し易いという不利がある。
【０００７】そのため、これについては補強体としての
ほうけい酸ガラスを保持枠と同じ材料であるシリコン単
結晶板とし、保持枠としてのシリコンウエハ−補強体と
してのシリコン単結晶を高温下での熱処理で直接接合す
るという方法が提案されている（特開平２−162714号公
報参照）が、この場合には実用に耐える接着強度を得る
ためには900 ℃以上、好ましくは1,000℃以上の高温度
で30分以上、好ましくは１時間以上熱処理を行なう必要
があるために、Ｘ線透過膜およびその表面に形成してい
るＸ線吸収体の内部応力が変化し、パタ−ンの歪みや破
損だけでなく、Ｘ線透過膜の破壊が引き起されるという
不利がある。
ほうけい酸ガラスを保持枠と同じ材料であるシリコン単
結晶板とし、保持枠としてのシリコンウエハ−補強体と
してのシリコン単結晶を高温下での熱処理で直接接合す
るという方法が提案されている（特開平２−162714号公
報参照）が、この場合には実用に耐える接着強度を得る
ためには900 ℃以上、好ましくは1,000℃以上の高温度
で30分以上、好ましくは１時間以上熱処理を行なう必要
があるために、Ｘ線透過膜およびその表面に形成してい
るＸ線吸収体の内部応力が変化し、パタ−ンの歪みや破
損だけでなく、Ｘ線透過膜の破壊が引き起されるという
不利がある。
【０００８】また、この場合には保持枠としてのシリコ
ンウエハ−と補強体となる中央部をくり抜いたシリコン
単結晶板を、予じめ熱処理により接合したのちにＸ線透
過膜およびＸ線吸収体を接合する方法も考えられるけれ
ども、それでも高温下での長時間の熱処理を行なうと接
合体に反りが発生し易く、シリコンウエハ−の表面が荒
れ易いという不利があり、これにはまた高温下での熱処
理のための装置が必要とされるという欠点もある。
ンウエハ−と補強体となる中央部をくり抜いたシリコン
単結晶板を、予じめ熱処理により接合したのちにＸ線透
過膜およびＸ線吸収体を接合する方法も考えられるけれ
ども、それでも高温下での長時間の熱処理を行なうと接
合体に反りが発生し易く、シリコンウエハ−の表面が荒
れ易いという不利があり、これにはまた高温下での熱処
理のための装置が必要とされるという欠点もある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、欠点を解決したＸ線マスク構造体の製造方法に関す
るもので、これはシリコン単結晶製のＸ線透過膜保持枠
とＸ線透過膜、Ｘ線吸収体および保持枠を補強するシリ
コン単結晶製の補強体とからなるＸ線マスク構造体にお
いて、前記Ｘ線透過膜保持枠を酸素雰囲気下に加熱処理
してこれに酸化シリコン膜層を設け、ついで前記保持枠
と前記補強体とを付き合わせ、200 〜800℃で１〜20時
間加熱して、これらを酸化シリコン膜を介して接合する
ことを特徴とするものである。
利、欠点を解決したＸ線マスク構造体の製造方法に関す
るもので、これはシリコン単結晶製のＸ線透過膜保持枠
とＸ線透過膜、Ｘ線吸収体および保持枠を補強するシリ
コン単結晶製の補強体とからなるＸ線マスク構造体にお
いて、前記Ｘ線透過膜保持枠を酸素雰囲気下に加熱処理
してこれに酸化シリコン膜層を設け、ついで前記保持枠
と前記補強体とを付き合わせ、200 〜800℃で１〜20時
間加熱して、これらを酸化シリコン膜を介して接合する
ことを特徴とするものである。
【００１０】すなわち、本発明者らはＸ線マスク構造体
におけるシリコン単結晶製のＸ線透過膜保持枠とシリコ
ン単結晶製の補強体とを比較的低い温度で接合する方法
について種々検討した結果、これについてはＸ線透過膜
保持枠としてのシリコンウエハ−と補強体としてのシリ
コン単結晶とを酸化シリコン膜を介して接合すれば両者
を 200〜800 ℃、好ましくは 300〜600 ℃で接合するこ
とができることを見出すと共に、この場合における酸化
シリコン膜の厚さは10〜10,000Å、好ましくは100〜5,0
00 Åでよいので、Ｘ線マスクの平行度を数μm 以下と
することができるということを確認して本発明を完成さ
せた。以下にこれをさらに詳述する。
におけるシリコン単結晶製のＸ線透過膜保持枠とシリコ
ン単結晶製の補強体とを比較的低い温度で接合する方法
について種々検討した結果、これについてはＸ線透過膜
保持枠としてのシリコンウエハ−と補強体としてのシリ
コン単結晶とを酸化シリコン膜を介して接合すれば両者
を 200〜800 ℃、好ましくは 300〜600 ℃で接合するこ
とができることを見出すと共に、この場合における酸化
シリコン膜の厚さは10〜10,000Å、好ましくは100〜5,0
00 Åでよいので、Ｘ線マスクの平行度を数μm 以下と
することができるということを確認して本発明を完成さ
せた。以下にこれをさらに詳述する。
【００１１】
【作用】本発明はＸ線マスク構造体の製造方法に関する
ものであり、これはシリコン単結晶製のＸ線透過膜保持
枠としてのシリコンウエハ−、Ｘ線透過膜、Ｘ線吸収体
および保持枠を補強するためのシリコン単結晶製の補強
体とからなるＸ線マスク構造体における保持枠としての
シリコンウエハ−を酸素雰囲気下に加熱処理してこれに
酸化シリコン膜層を設け、ついで前記保持枠と前記補強
体とを付き合わせ、200 〜800 ℃で１〜20時間加熱し
て、これらを酸化シリコン膜を介して接合することを要
旨とするものである。
ものであり、これはシリコン単結晶製のＸ線透過膜保持
枠としてのシリコンウエハ−、Ｘ線透過膜、Ｘ線吸収体
および保持枠を補強するためのシリコン単結晶製の補強
体とからなるＸ線マスク構造体における保持枠としての
シリコンウエハ−を酸素雰囲気下に加熱処理してこれに
酸化シリコン膜層を設け、ついで前記保持枠と前記補強
体とを付き合わせ、200 〜800 ℃で１〜20時間加熱し
て、これらを酸化シリコン膜を介して接合することを要
旨とするものである。
【００１２】本発明のＸ線マスク構造体を構成するＸ線
透過膜保持枠はシリコン単結晶からなるシリコンウエハ
−からなるものとされる。このものはその大きさや厚み
に特に制限はないが、一般的に直径が２〜４インチのも
のとされ、この厚みはそれが2,000 μm 以上となると後
工程でのバックエッチング時に長時間を要するので300
〜2,000 μm のものとすることがよいが、これはアルカ
リエッチングを行なうことから結晶方位が(100) のもの
とすることがよい。
透過膜保持枠はシリコン単結晶からなるシリコンウエハ
−からなるものとされる。このものはその大きさや厚み
に特に制限はないが、一般的に直径が２〜４インチのも
のとされ、この厚みはそれが2,000 μm 以上となると後
工程でのバックエッチング時に長時間を要するので300
〜2,000 μm のものとすることがよいが、これはアルカ
リエッチングを行なうことから結晶方位が(100) のもの
とすることがよい。
【００１３】また、このものはその表面にＸ線透過膜を
形成するものであるし、このＸ線透過膜は平滑で膜厚の
均一なものとすることが必要とされるので、鏡面である
ものとすることが必要とされるが、この反対面もこの面
に後述する酸化シリコン膜を薄く均一に形成するという
ことからは鏡面としておくことが望ましい。
形成するものであるし、このＸ線透過膜は平滑で膜厚の
均一なものとすることが必要とされるので、鏡面である
ものとすることが必要とされるが、この反対面もこの面
に後述する酸化シリコン膜を薄く均一に形成するという
ことからは鏡面としておくことが望ましい。
【００１４】また、本発明のＸ線マスク構造体を構成す
る保持枠補強体はシリコン単結晶板からなるものとされ
るが、このものは前記した保持枠よりもサイズの大きい
ものとすることが必要とされることから一般には５〜８
インチの丸状または四角形状のものとされ、厚みは３〜
10mm好ましくは５〜７mmのものとされる。なお、この補
強体としてのシリコン単結晶の表面はそれが荒れている
と後述する酸化シリコン膜を厚くする必要が生じ、その
結果歪みが発生し易くなるので、鏡面仕上げとすること
がよい。
る保持枠補強体はシリコン単結晶板からなるものとされ
るが、このものは前記した保持枠よりもサイズの大きい
ものとすることが必要とされることから一般には５〜８
インチの丸状または四角形状のものとされ、厚みは３〜
10mm好ましくは５〜７mmのものとされる。なお、この補
強体としてのシリコン単結晶の表面はそれが荒れている
と後述する酸化シリコン膜を厚くする必要が生じ、その
結果歪みが発生し易くなるので、鏡面仕上げとすること
がよい。
【００１５】なお、この補強体はＸ線透過膜のメンブレ
ンが形成される領域より広い領域を予じめくり抜いてお
く必要があり、このくり抜く領域の形状は丸状でも四角
状でもよいが、一般にＸ線透過膜のメンブレンサイズが
直径20〜30mmの円形または１辺が20〜30mmの四角状であ
ることから、これらのサイズより大きくものとする必要
があり、したがってこれは例えば直径40mmの円状か、１
辺が40mmの四角状のものとすればよい。
ンが形成される領域より広い領域を予じめくり抜いてお
く必要があり、このくり抜く領域の形状は丸状でも四角
状でもよいが、一般にＸ線透過膜のメンブレンサイズが
直径20〜30mmの円形または１辺が20〜30mmの四角状であ
ることから、これらのサイズより大きくものとする必要
があり、したがってこれは例えば直径40mmの円状か、１
辺が40mmの四角状のものとすればよい。
【００１６】本発明のＸ線マスク構造体はこのＸ線透過
膜保持枠としてのシリコンウエハ−と補強体としてのシ
リコン単結晶を酸化シリコン膜を介して接合したもので
あるが、ここに使用する酸化シリコン膜は厚みが10〜1
0,000Å、 好ましくは 100〜5,000 Åのものとすればよ
い。なお、この酸化シリコン膜は保持枠としてのシリコ
ンウエハ−に設けられるが、この酸化シリコン膜の成形
はシリコン単結晶を酸素の存在下で800 ℃以上の温度で
酸化する方法で形成させればよい。
膜保持枠としてのシリコンウエハ−と補強体としてのシ
リコン単結晶を酸化シリコン膜を介して接合したもので
あるが、ここに使用する酸化シリコン膜は厚みが10〜1
0,000Å、 好ましくは 100〜5,000 Åのものとすればよ
い。なお、この酸化シリコン膜は保持枠としてのシリコ
ンウエハ−に設けられるが、この酸化シリコン膜の成形
はシリコン単結晶を酸素の存在下で800 ℃以上の温度で
酸化する方法で形成させればよい。
【００１７】この保持枠用シリコンウエハ−と補強体と
してのシリコン単結晶とを酸化シリコン膜を介して接合
するには、酸化シリコン膜を保持枠用シリコンウエハ−
および／または補強体としてのシリコン単結晶上に形成
させたのち、これらを所定の位置に重ね合させ、ずれな
いように固定してから200 〜 800℃、好ましくは300〜6
00 ℃で１時間〜20時間、好ましくは３時間〜８時間、
真空下で加熱処理すればよく、これによれば保持枠用と
してのシリコンウエハ−と補強体としてのシリコン単結
晶を容易に、かつ確実に接合することができる。
してのシリコン単結晶とを酸化シリコン膜を介して接合
するには、酸化シリコン膜を保持枠用シリコンウエハ−
および／または補強体としてのシリコン単結晶上に形成
させたのち、これらを所定の位置に重ね合させ、ずれな
いように固定してから200 〜 800℃、好ましくは300〜6
00 ℃で１時間〜20時間、好ましくは３時間〜８時間、
真空下で加熱処理すればよく、これによれば保持枠用と
してのシリコンウエハ−と補強体としてのシリコン単結
晶を容易に、かつ確実に接合することができる。
【００１８】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげるが、
得られた接合体の接着性および平行度の目安としての接
合体のそり量の測定方法およびその結果の判定基準を以
下に示す。 （接着性）引張試験機で保持枠用シリコンウエハ−と補
強体としてのシリコン単結晶の間に10kgの引張り強度を
与え、剥離しない場合を「良好」とし、剥離した場合を
「不良」とした。 （そり量）フラットネステスタ−を用いて接合体におけ
る補強体のそリ量を測定したが、Ｘ線マスク構造体とし
て許容されるそり量が10μm 以下、好ましくは５μm 以
下であることから、10μm 以上のものは「不良」とし
た。
得られた接合体の接着性および平行度の目安としての接
合体のそり量の測定方法およびその結果の判定基準を以
下に示す。 （接着性）引張試験機で保持枠用シリコンウエハ−と補
強体としてのシリコン単結晶の間に10kgの引張り強度を
与え、剥離しない場合を「良好」とし、剥離した場合を
「不良」とした。 （そり量）フラットネステスタ−を用いて接合体におけ
る補強体のそリ量を測定したが、Ｘ線マスク構造体とし
て許容されるそり量が10μm 以下、好ましくは５μm 以
下であることから、10μm 以上のものは「不良」とし
た。
【００１９】実施例１〜９ 本実施例はＸ線マスク構造体の製造方法に関するもので
あるが、これについては図２にその製造フロ−シ−トを
示したので、これにもとづいて説明する。Ｘ線透過膜保
持枠となる直径３インチ、厚みが600 μm で結晶方位が
(100) である両面研磨したシリコンウエハ−を準備する
（工程１）と共に、補強体となる結晶方位が(100) で、
一辺が100mm の正方形で厚みが５mmである片面研磨した
四角形のシリコン単結晶の中央部に直径55mmの穴を設け
たものを作成した（工程２）。ついで、この補強体を１
気圧の酸素雰囲気において950 ℃で１〜48時間酸化処理
してその研磨面に酸化シリコン膜を 200〜10,000Åの厚
さに形成した（工程３）。
あるが、これについては図２にその製造フロ−シ−トを
示したので、これにもとづいて説明する。Ｘ線透過膜保
持枠となる直径３インチ、厚みが600 μm で結晶方位が
(100) である両面研磨したシリコンウエハ−を準備する
（工程１）と共に、補強体となる結晶方位が(100) で、
一辺が100mm の正方形で厚みが５mmである片面研磨した
四角形のシリコン単結晶の中央部に直径55mmの穴を設け
たものを作成した（工程２）。ついで、この補強体を１
気圧の酸素雰囲気において950 ℃で１〜48時間酸化処理
してその研磨面に酸化シリコン膜を 200〜10,000Åの厚
さに形成した（工程３）。
【００２０】上記したＸ線透過膜保持枠としてのシリコ
ンウエハ−と上記により酸化シリコン膜を設けた補強体
としてのシリコン単結晶とを、シリコンウエハ−の研磨
面と補強体の酸化シリコン膜とが重なるように重ね合わ
せ、真空下に 300〜800 ℃で３時間圧着処理してシリコ
ンウエハ−と補強体としてのシリコン単結晶との接合体
を得た（工程４）。つぎにこのシリコンウエハ−の外側
面にＸ線透過膜としてＲＦマグネトロンスパッタ−法を
用いて厚さが1.5 μm のＳｉＣ膜を形成した（工程
５）。
ンウエハ−と上記により酸化シリコン膜を設けた補強体
としてのシリコン単結晶とを、シリコンウエハ−の研磨
面と補強体の酸化シリコン膜とが重なるように重ね合わ
せ、真空下に 300〜800 ℃で３時間圧着処理してシリコ
ンウエハ−と補強体としてのシリコン単結晶との接合体
を得た（工程４）。つぎにこのシリコンウエハ−の外側
面にＸ線透過膜としてＲＦマグネトロンスパッタ−法を
用いて厚さが1.5 μm のＳｉＣ膜を形成した（工程
５）。
【００２１】ついで、反対面ヘアルカリエッチング液の
保護膜として、プラズマＣＶＤ法を用いて厚さが0.5 μ
m のＢＮ膜を形成し（工程６）、このＢＮ膜を形成した
面の中央部に、25mm×25mmの正方形の領域をＣＦ4 ガス
を用いてドライエッチングしてシリコン面を露出させ
（工程７）、シリコンの露出領域を20％の水酸化カリウ
ム水溶液を用いて90℃で５時間ウエットエッチングして
ＳｉＣのメンブレンを得た（工程８）。
保護膜として、プラズマＣＶＤ法を用いて厚さが0.5 μ
m のＢＮ膜を形成し（工程６）、このＢＮ膜を形成した
面の中央部に、25mm×25mmの正方形の領域をＣＦ4 ガス
を用いてドライエッチングしてシリコン面を露出させ
（工程７）、シリコンの露出領域を20％の水酸化カリウ
ム水溶液を用いて90℃で５時間ウエットエッチングして
ＳｉＣのメンブレンを得た（工程８）。
【００２２】つぎにこのＳｉＣ面にＸ線吸収体としての
Ｔａをスパッタ−法にて2.0 μm の厚みに形成し（工程
９）、最後にＣＣｌ4 ／Ｃｌ2 混合ガスでＲＩＥ法を用
いてパタ−ン形成したところ、所望のＸ線リソグラフィ
−用マスク構造体が得られた（工程１０）。よって、こ
のようにして得たＸ線リソグラフィ−用マスク構造体の
接着性、そり量をしらべたところ、表１に示したとおり
の結果が得られた。
Ｔａをスパッタ−法にて2.0 μm の厚みに形成し（工程
９）、最後にＣＣｌ4 ／Ｃｌ2 混合ガスでＲＩＥ法を用
いてパタ−ン形成したところ、所望のＸ線リソグラフィ
−用マスク構造体が得られた（工程１０）。よって、こ
のようにして得たＸ線リソグラフィ−用マスク構造体の
接着性、そり量をしらべたところ、表１に示したとおり
の結果が得られた。
【００２３】
【表１】
【００２４】比較例１〜４ 上記した実施例で準備されたＸ線透過膜保持枠としての
シリコンウエハ−と補強体としての酸化シリコン膜を設
けていないシリコン単結晶とに、エポキシ樹脂系接着剤
・アルダイト［チバガイギ−社製商品名］を10〜100 μ
m の厚みに塗布してから両者を重ね合わせ、150 ℃で２
時間加熱処理して接合させ、実施例１〜９と同様の方法
でＸ線リソグラフィ−用マスク構造体を作成し、これに
ついての接着性とそり量をしらべたところ、表２に示し
たとおりの結果が得られた。
シリコンウエハ−と補強体としての酸化シリコン膜を設
けていないシリコン単結晶とに、エポキシ樹脂系接着剤
・アルダイト［チバガイギ−社製商品名］を10〜100 μ
m の厚みに塗布してから両者を重ね合わせ、150 ℃で２
時間加熱処理して接合させ、実施例１〜９と同様の方法
でＸ線リソグラフィ−用マスク構造体を作成し、これに
ついての接着性とそり量をしらべたところ、表２に示し
たとおりの結果が得られた。
【００２５】比較例５〜７ 上記した実施例で準備されたＸ線透過膜保持枠としての
シリコンウエハ−と補強体としての酸化シリコン膜を設
けていないシリコン単結晶とをそのまま重ね合わせ、真
空下に800 〜1,200 ℃で２時間加熱処理して両者を接合
させ、実施例１〜９と同様の方法でＸ線リソグラフィ−
用マスク構造体を作成し、これについてその接着性とそ
り量をしらべたところ、表２に示したとおりの結果が得
られた。
シリコンウエハ−と補強体としての酸化シリコン膜を設
けていないシリコン単結晶とをそのまま重ね合わせ、真
空下に800 〜1,200 ℃で２時間加熱処理して両者を接合
させ、実施例１〜９と同様の方法でＸ線リソグラフィ−
用マスク構造体を作成し、これについてその接着性とそ
り量をしらべたところ、表２に示したとおりの結果が得
られた。
【００２６】
【表２】
【００２７】
【発明の効果】本発明はＸ線マスク構造体の製造方法に
関するものであり、これは前記したようにシリコン単結
晶製のＸ線透過膜保持枠とＸ線透過膜、Ｘ線吸収体およ
び保持枠を補強するシリコン単結晶製の補強体とからな
るＸ線マスク構造体において、前記Ｘ線透過膜保持枠を
酸素雰囲気下に加熱処理してこれに酸化シリコン膜層を
設け、ついで前記保持枠と前記補強体とを付き合わせ、
200 〜800 ℃で1 〜20時間加熱して、これらを酸化シリ
コン膜を介して接合することを特徴とするものである
が、これによればＸ線透過膜保持枠としてのシリコンウ
エハ−と補強体としてのシリコン単結晶が酸化シリコン
膜を介して接合されるので、両者を強い接着力で接着さ
せることができるし、この接合は200 〜800 ℃、 好まし
くは300 〜600 ℃という比較的低い温度で行なわれるの
で、このものはそり量が少なく、また酸化シリコン膜の
厚さが10〜10,000μm であるのでその平行度を数μm 以
下、とすることができるという有利性が与えられる。
関するものであり、これは前記したようにシリコン単結
晶製のＸ線透過膜保持枠とＸ線透過膜、Ｘ線吸収体およ
び保持枠を補強するシリコン単結晶製の補強体とからな
るＸ線マスク構造体において、前記Ｘ線透過膜保持枠を
酸素雰囲気下に加熱処理してこれに酸化シリコン膜層を
設け、ついで前記保持枠と前記補強体とを付き合わせ、
200 〜800 ℃で1 〜20時間加熱して、これらを酸化シリ
コン膜を介して接合することを特徴とするものである
が、これによればＸ線透過膜保持枠としてのシリコンウ
エハ−と補強体としてのシリコン単結晶が酸化シリコン
膜を介して接合されるので、両者を強い接着力で接着さ
せることができるし、この接合は200 〜800 ℃、 好まし
くは300 〜600 ℃という比較的低い温度で行なわれるの
で、このものはそり量が少なく、また酸化シリコン膜の
厚さが10〜10,000μm であるのでその平行度を数μm 以
下、とすることができるという有利性が与えられる。
【図１】従来公知のＸ線リソグラフィ−に用いられるＸ
線マスク構造体の縦断面図を示したものである。
線マスク構造体の縦断面図を示したものである。
【図２】実施例１によるＸ線リソグラフィ−用マスク構
造体製造法の製造フロ−（工程１〜工程１０）を示した
ものである。
造体製造法の製造フロ−（工程１〜工程１０）を示した
ものである。
１・・・Ｘ線透過膜保持枠 ２・・・Ｘ線透過膜 ３・・・Ｘ線吸収体 ４・・・補強体 ５・・・酸化シリコン膜 ６・・・窒化ほう素製保護膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 樫田 周 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (72)発明者 久保田 芳宏 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (56)参考文献 特開 平４−137718（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】シリコン単結晶製のＸ線透過膜保持枠とＸ
線透過膜、Ｘ線吸収体および保持枠を補強するシリコン
単結晶製の補強体とからなるＸ線マスク構造体におい
て、前記Ｘ線透過膜保持枠を酸素雰囲気下に加熱処理し
てこれに酸化シリコン膜層を設け、ついで前記保持枠と
前記補強体とを付き合わせ、200 〜800 ℃で１〜20時間
加熱して、これらを酸化シリコン膜を介して接合するこ
とを特徴とするＸ線マスク構造体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21920791A JP2634714B2 (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | Ｘ線マスク構造体の製造方法 |
| US07/908,330 US5199055A (en) | 1991-08-05 | 1992-07-06 | X-ray lithographic mask blank with reinforcement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21920791A JP2634714B2 (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | Ｘ線マスク構造体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541347A JPH0541347A (ja) | 1993-02-19 |
| JP2634714B2 true JP2634714B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=16731887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21920791A Expired - Fee Related JP2634714B2 (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | Ｘ線マスク構造体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5199055A (ja) |
| JP (1) | JP2634714B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3133602B2 (ja) * | 1994-03-16 | 2001-02-13 | キヤノン株式会社 | Ｘ線マスク構造体とその製造方法、及び該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法、及びｘ線露光装置と該ｘ線マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP3775745B2 (ja) * | 1994-10-07 | 2006-05-17 | 株式会社渡辺商行 | レチクル |
| KR100223023B1 (ko) * | 1996-08-21 | 1999-10-01 | 정선종 | X-선 마스크 |
| US6013399A (en) * | 1998-12-04 | 2000-01-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reworkable EUV mask materials |
| US6048652A (en) * | 1998-12-04 | 2000-04-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Backside polish EUV mask and method of manufacture |
| US6228512B1 (en) | 1999-05-26 | 2001-05-08 | The Regents Of The University Of California | MoRu/Be multilayers for extreme ultraviolet applications |
| US6613241B1 (en) * | 1999-10-29 | 2003-09-02 | California Insitute Of Technology | MEMS elements with integrated porous membranes and method of making the same |
| JP2005042133A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Seiko Epson Corp | 蒸着マスク及びその製造方法、表示装置及びその製造方法、表示装置を備えた電子機器 |
| US7422634B2 (en) * | 2005-04-07 | 2008-09-09 | Cree, Inc. | Three inch silicon carbide wafer with low warp, bow, and TTV |
| US8675293B2 (en) * | 2010-01-25 | 2014-03-18 | Axsun Technologies, Inc. | SOI lens structure for medical probe |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5515256A (en) * | 1978-07-19 | 1980-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | X-ray mask |
| JP3032262B2 (ja) * | 1990-09-28 | 2000-04-10 | 株式会社東芝 | Ｘ線マスクの製造方法 |
-
1991
- 1991-08-05 JP JP21920791A patent/JP2634714B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-07-06 US US07/908,330 patent/US5199055A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0541347A (ja) | 1993-02-19 |
| US5199055A (en) | 1993-03-30 |
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