JPS62149132A - Ｘ線ホトリソグラフイに使用するマスクの製造方法及びその結果得られる構成体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路を製造する為のホトリソグラフィプロ
セスに使用されるマスクに関するものであって、更に詳
細には、Ｘ線ホトリソグラフィプロセスに使用されるマ
スクの製造方法に関するものである。

集積回路の製造プロセスの過程中にマスクを使用するこ
とを従来公知である。集積回路の製造中に取られる典型
的なステップは、例えば、シリコンウェハをホトレジス
ト層でコーティングし、該ホトレジストの一部を選択的
に露光し、該露光した部分を除去することを包含してい
る。その後に。

その他の多数のステップを取ることが可能であり。

例えばシリコンの露出部分を不純物でドープしたり又は
露出部分上にメタルを付着させること等がある。通常、
ホトレジストを露光するプロセスでは可視光を使用する
。然し乍ら、可視光部分のスプクトルの波長を持った光
で得ることの可能な分解能には限界がある。より微細な
分解能は回路設計者がより少ないシリコン表面積を使用
して集積回路を設計することを可能とさせるので、集積
回路を製造する場合に、非常に細かい分解能を得ること
が望ましいことが従来知られている。このことが所望さ
れる理由は、集積回路を製造する為にシリコンをプロセ
ス即ち処理することは高価であり、且つ集積回路を小型
化すればする程、それだけ一層廉価になる。

微細な分解能を得る為の１方法はＸ線照射を使用するこ
とである。Ｘ線ホトリソグラフィを使用して集積回路を
製造するシステムの例は、Ｓ■１ｔｈａｔ　ａｌ、の米
国特許第３，７４３，８４２号に記載されている。Ｘ線
ホトリソグラフィプロセスにおいて使用されるマスクは
、典型的に、Ｘ線透明膜上に形成されており選択的にＸ
線をブロックするコーティングを持っている。マスクは
サブミクロン寸法の幾何学的形状を再現性を持って発生
することが可能でなければならないので、マスクは機械
的に強く且つ非常に厳しい機械的公差で形成されねばな
らない。そのマスクの幾何学的形状は。

サブミクロンの公差で、ウェハ上の別の組のパターンと
整合されることが可能でなければならない。

本発明は以上の点に鑑みなされたものであって、上述し
た如き従来技術の欠点を解消し、非常に微細な解像度を
有すると共に、構成が簡単で十分な機械的強度を与える
ことの可能なＸ線ホトリソグラフィに使用するマスク及
びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明に拠れば、Ｘ線ホトリソグラフィプロセスにおい
て使用するマスクを製造する方法が提供される。該マス
クはシリコンリングにボンド即ち接着されたパイレック
ス（ｐｙｒｅｘ）リングを有している。シリコンリング
の内部開口を横断して、窒化ボロン層が設けられており
、該層はＸ線に対して透明即ち透過性である。窒化ボロ
ン層上には。

例えば金等のＸ線不透明物質からなる層が付着形成され
ている。

本発明の１実施例においては、シリコンウェハは両側の
表面を研磨し、該研磨した表面を窒化ボロン層でコーテ
ィングする。窒化ボロンをコーティングしたシリコンウ
ェハの第１表面を、ダイナグリップ（Ｄｙｎａｇｒｉｐ
）ディスク等のマスク物質で被覆する。該シリコンウェ
ハの第２表面上の窒化ボロンをエツチング除去する。該
ダイナグリップディスクは、下側に存在する該第１表面
上の窒化ボロンをエツチングからマスクし保護する。ウ
ェハの第２表面から窒化ボロンが除去された後に、ダイ
ナグリップディスクを除去する。窒化ボロンを除去した
ウェハの表面を、フィールドアシスト型熱接着（ｆｉｅ
ｌｄ　ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｔｈｅｒｍａｌ　ｂｏｎｄｉ
ｎｇ、又ＦＡＴボンディングとも略称される）を使用し
てパイレックス（ｐｙｒｅｘ）リングへボンド即ち接着
させる。ＦＡＴボンドは何等エポキシ又は接着剤を必要
とせず、シリコンがパイレックスリングへ直接的にシー
ル即ち封止されるボンドである。このボンドは、通常エ
ポキシの場合に発生する問題、例えば経時的弱体化、悪
条件下の熱又は化学的条件での弱体化等の問題は何等持
っていない、１実施例においては、ウェハをパイレック
スリングに当接させ、リングとウェハの温度を約１９０
乃至５００へ加熱し、且つシリコンとパイレックスとの
界面を横断して５００と１，５００Ｖとの間の電圧を与
えることによって、このＦＡＴボンドを形成する。

ウェハをパイレックスリングへ接着させた後、ウェハ内
のシリコンの円形部分をエツチング除去して、パイレッ
クスリングに接着されているシリコンリング上に形成さ
れた窒化ボロン膜を残す。

該ウェハ上ヘスバッタさせたジルコニウム層は、ＦＡＴ
ボンド近傍のシリコンのエツチングを防止するマスクと
して機能する。その後に、窒化ボロン膜をアニールして
該膜内に所望の張力を得る。

（従来公知の如く、アニールは窒化ボロン内の引張応力
を増加させ、且つ該層を加熱することによって達成され
る。） 次いで、ポリイミド層（これは該層に付加的な強度を与
える）及びＸ線不透明物質層を窒化ボロン膜上しこ付着
形成させる。次いで、所望のパターンに従ってＸ線不透
明物質をエツチングしてマスクを形成する。次いで、該
マスクを使用して集積回路内に所望の構成、典型的には
サブミクロンの寸法で、を形成する。

本発明の別の実施例に拠れば、シリコンウェハの第１側
をパイレックスリングへＦＡＴボンドさせ、次いでウェ
ハ及びリングを窒化ボロンで完全に被覆する。ウェハの
第１側上の窒化ボロンをエツチングして、その際に下側
に存在するシリコンの一部を露出させる。次いで、露出
されたシリコを除去し、パイレックスリングにボンドさ
れたシリコンリングに固着されたＸ線透明窒化ボロン膜
を残す。次いで、この窒化ボロンをアニールし。

且つポリイミド及び上述した如くＸ線不透明物質のパタ
ーン化した層でコーティングする。

本発明の別の実施例においては、ガラスウェハの第１側
を、パイレックスリングにＦＡＴボンドされている金属
リングへＦＡＴボンドさせる。その結果得られる構成体
を次いで窒化ボロンで完全に被覆させる。該ウェハの第
１側上の窒化ボロンの一部を除去し、その際に下側に存
在するガラスの一部を露出させる。次いで、露出したガ
ラスを除去し、中間金属リングを介してパイレックスリ
ング支持構成体ヘボンドされているガラスリングへ固着
されたＸ線透明窒化ボロン膜を残す。次いで、窒化ボロ
ンをアニールし且つポリイミド及びＸ線不透明物質のパ
ターン化した層でコーティングする。

更に別の実施例においては、窒化ボロンをコーティング
したシリコンウェハの第１側上に金属リングをスパッタ
させる。該金属リングはパイレックスリングへＦＡＴボ
ンドさせる。該ウェハの第２側上の窒化ボロンを除去し
、従ってその下側に存在するシリコンを露出させる。次
いで、該シリコンを除去し、パイレックスリングに接着
されている金属リングに固定されたＸ線透明窒化ボロン
膜を残す。次いで、窒化ボロンをアニールし且つ前述し
た如くポリイミド及びＸ線不透明物質のパターン化した
λ・１で被覆する。

本発明の別の実施例に拠れば、シリコンウェハの両側を
窒化ボロン層でコーティングする。次いで、該ウェハの
第１側を、インジウム酸化錫（工Ｔ○）の如きＸ線透明
で導電性の物質でコーティングする。このＩＴＯはパイ
レックスリングへＦＡＴボンドされ、該ウェハの第２側
部上の窒化ボロンを除去し、その下側に存在するシリコ
ンを露出させる。次いで、このシリコンを除去し、ＩＴ
Ｏと窒化ボロン層で構成される膜をパイレックスリング
に固着させて残す。次いで、窒化ボロンをアニールし且
つポリイミド及びＸ線不透明物質からなるパターン化し
た層で被覆する。

本発明の別の実施例においては、シリコンウェハの両側
を２導電性となるべくドープされた窒化ボロン層でコー
ティングする。該ウェハの第１側部上の導電性窒化ボロ
ン層はパイレックスリングへ直接的にＦＡＴボンドされ
る。該ウェハの第２側部上の窒化ボロンは除去し、その
下側に存在するシリコンを露出させる。次いで、該シリ
コンを除去し、Ｘ線透明窒化ボロン膜をパイレックスリ
ング支持構成体へ固着させて残す。次いで、該窒化ボロ
ンをアニールし且つポリイミド及びＸ線不透明物質のパ
ターン化した層で被覆する。

以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態様
に付いて詳細に説明する。

本発明のプロセス即ち方法に拠れば、ウェハ（１実施例
においてシリコン）の両側表面を、窒化ボロン等のＸ線
透明物質からなる層でコーティングする。該ウェハの第
１側部上の窒化ボロン層は、以後に明らかとなる如く、
Ｘ線不透明物質からなるパターン化した層を支持する為
に爾後に使用される。該ウェハの第１側部上の窒化ボロ
ンはエッチストップ層で被覆する。尚、このエッチスト
ップは、１実施例においては、ダイナグリップ（Ｄｙｎ
ａｇｒｉｐ）ディスクである。次いで、該ウェハの第２
側部上の窒化ボロンを除去し、該ウェハの第２側部上の
シリコンを露出させる。次いで、エッチストップ層を除
去し、該露出したシリコンをフィールドアシスト型熱（
ＦＡＴ）ボンディングプロセスによって支持構成体（１
実施例においては、パイレックスリング）ヘボンドさせ
る。このことは、露出したシリコンをパイレックスリン
グに当接させ、該ウェハ及びパイレックスリングを加熱
し、且つシリコン−パイレックス界面を横断して電圧を
印加することによって行われる。

その後に、爾後に形成されるべきマスクをエッチストッ
プの第２層（典型的には、ジルコニウム）でコーティン
グする。該ウェハの第２側部上のエッチストップの第２
層の円形部分を除去し、その下側に存在するシリコンの
一部を露出させる６次いで、該露出されたシリコンを除
去する。１実施例においては、半非等方性エッチャント
を使用して露出されたシリコンを除去する。（半非等方
性エッチャントは、結晶格子の他の方向におけるよりも
成る方向に沿って一層迅速にエッチするが。

エッチ速度におけるこの差異は非等方性エッチャントに
よって示されるものよりも少ないエッチャントのことで
ある。）次いで、エッチストップの第２層を除去する。

この時点において、該爾後に形成されるべきマスクは窒
化ボロン膜で被覆されているシリコンリングに接着され
ているパイレックスリングから構成されている。次いで
、該マスクは物質（典型的には、ポリイミド）の層でコ
ーティングされて。

該窒化ボロン膜に対するエキストラな機械的支持を与え
ている。次いで、そのポリイミド層を、金及びポリイミ
ドに接着する物質（典型的には、タンタル）の層でコー
ティングする。次いで、そのタンタル層を金層（Ｘ線に
対して不透明）でコーティングする。次いで、その金層
及びタンタル層を従来技術を使用してパターン化させる
。

本発明の１実施例に基づくプロセス即ち方法を第１図゛
にフローチャートで示しである０本プロセスは、シリコ
ンウェハ１０の両側を研磨するステップで開始する（第
２図）。１実施例においては、ウェハ１０は１２５■の
直径と、６２５±２５ミクロンの厚さと、（１００）結
晶方位とを持っている。ウェハ１０はドープされていな
いか又は軽度にドープされている。ＱＡ検査（第１図中
のステップＡ）の後、該ウェハの両表面を典型的には５
ミクロンの厚さに窒化ボロン層１２（ステップＢ）でコ
ーティングする。（以後、ウェハという用語はシリコン
ウェハ及びその上に直接的に又は間接的に付着させた全
ての物質のことを意味する為に使用し、又基板という用
語は単に下側に存在するシリコン１１のことを意味する
。）本発明の１実施例においては、窒化ボロン層１２が
低圧化学蒸着（ＬＰＧＶＤ）プロセスでジボラン及びア
ンモニアの流れから３４０℃で付着させる。

ウェハ１０の他側部上の窒化ボロンをすこしもエツチン
グすること無しにウェハ１０の１側部上の窒化ボロンを
除去することが望ましい。ウェハ１０の１側部上の窒化
ボロン１２をエッチストップ層で被覆し、ウェハ１０の
他側部上の被覆されていない窒化ボロンを該エッチスト
ップによって被覆されている窒化ボロンを損傷すること
無しに除去することあ可能であることが従来公知である
。

従来技術においては、このことは典型的には、エッチス
トップの膜をウェハ上にスピンオンさせることによって
なされる。エッチストップが窒化ボロン層を完全にコー
ティングしない場合、エツチングプロセスの過程中にコ
ーティングした窒化ボロン内にピンホールが発生するこ
とがある。このピンホールは致命的な欠陥となり、マス
クを使用不能のものとすることがある。従って、５イン
チ（１２，７ｃｍ）の直径をもっておりウェハ１０の１
側部上に配置された（第１図のステップＣ）ダイナグリ
ップ（Ｄｙｎａｇｒｉｐ）ディスク１４（第３図）は、
エッチストップとして作用し、ピンホールが発生するこ
とを防止する。このディスクは米国カリフォルニア州、
レッドウッドシティ−のダイナチック（Ｄｙｎａｔｅｋ
）社によって製造されているパーツ番号７１４，５２５
のものである。このダイナグリップディスクは、ワック
スでコーティングされた約０．００５インチ（０，Ｏ１
２７ｃｍ）の厚さのポリエチレン層を有している。ウェ
ハ１０を約１２０’Ｃに加熱した後に、ウェハ１０の１
側部上の窒化ボロン１２ヘダイナグリツプデイスク１４
を付与する。ダイナチックソフトブルーオーバーレイ（
Ｄｙｎａｔｅｋ　５ｏｆｔ　Ｂｌｕｅ　０ｖｅｒｌａｙ
）接着剤の如きワックスを付与して、ダイナグリップデ
ィスク１４と窒化ボロン１２との間の端部１５を封止す
る。

次に、窒化ボロン１２の露出部分を、１２．５乃至１４
．５％の次亜塩素酸ナトリウムと残りが水からなる２０
乃至４０℃の温度を持った溶液中にウェハ１０を浸漬さ
せることによって、エツチング除去する（第１図のステ
ップＤ）。ウェハ１０はこの溶液中に、窒化ボロン１２
の露出された部分が除去されるまでとどまる。ダイナグ
リップディスク１４はこのプロセス中にエッチストップ
として機能する。

露出した窒化ボロン１２をウェハ１０の１側部から除去
した後に、ウェハを約１２０℃へ加熱し且つディスクを
リフトオフさせることによってダイナグリップディスク
１４を除去する（第１図のステップＥ）。残りのワック
スは、例えば、室温におけるトリクロロエチレン又はキ
シレン溶液中で溶解する。

次に、ＦＡＴボンディング即ち接着を使用してウェハ１
０をパイレックスリング１６へ固定させる（第１図のス
テップＦ）。第４図はパイレックスリング１６に接着し
たウェハ１０を示している。パイレックスリング１６は
、シリコン基板１１のものと略整合する熱膨張係数を持
っている。

従って、パイレックスリング１６は、米国ニューヨーク
州、コーニングのコーニングガラス社から入手可能なモ
デル番号７７４ｏパイレツクスの様なタイプのパイレッ
クスから作られる。基板１１とパイレックスリング１６
との間のボンド即ち接着には何等接着剤を必要とせず、
且つシリコン基板１１とパイレックスリング１６とをそ
れらが互いに押圧する様に配置させ、ウェハ１０及びパ
イレックスリング１６を１９０乃至５００℃の温度へ加
熱し、且つ以下に説明する態様でシリコン−パイレック
ス界面を横断して数百ボルトを印加させることによって
形成される。１実施例においては、このプロセス中に１
，３００Ｖの電圧を印加し且つ３４０乃至３５０’Ｃの
炉温度を使用する。

約８０分間電圧を印加した状態でパイレックスリング１
６とウェハ１０とは炉内にとどまり１次いで炉から取り
出される。ＦＡＴボンディングプロセスの前に、基板１
１ヘボンドされるべきパイレックスリングはポリッシュ
され清浄であることが重要である。

第５図はこのＦＡＴボンドを形成する為に使用される装
置を示している。第５図を参照すると。

炉内にある間、パイレックスリング１６は角部領域２０
で金属スパイダ１８に接続されていることが分かる。金
属スパイダ１８を介して負電圧がパイレックスリング１
６へ印加され、一方正電圧が端子１９を介して基板１１
へ印加される。６００にΩの抵抗が金属スパイダ１８と
直列して位置される。スパイダ１８がパイレックスリン
グ１６と接触する点は、このＦＡＴボンディングプロセ
ス中にビットが通常形成される。従って、表面上の問題
を最小とする為に、ボンディングに影響を与えること無
しにこの接触面積を可及的に小さくすることが望ましい
。

又、第５図を参照すると、第２のパイレックスリング２
２が窒化ボロン層１２に当接して位置されている。リン
グ２２は窒化ボロン層１２を、このＦＡＴボンディング
プロセス中に、炉の底部と接触することにより機械的又
は電気的な損傷を受けることから保護する。

ＦＡＴボンディングは、より一般的なエポキシボンドか
らは得られない幾つかの利点を提供する。

例えば、ＦＡＴボンドはアルカリ及び酸エッチに対して
の耐性を持っている。更に、ＦＡＴボンドはエポキシボ
ンドに重大な影響を与える経時的な問題を何等示すこと
が無く、又ＦＡＴボンドは高温度環境において問題を示
すことはない。ウェハ１０がパイレックスリング１６に
ボンド即ち接着されると、その結果得られる構成体は、
今だ完成されたわけではないが、マスク１００を有して
いる（第４図）。

第６図を参照すると、ＦＡＴボンドプロセスの後に、ジ
ルコニウム層２４をマスク１００の全表面上にスパッタ
させる（第１図中のステップＧ）。

１実施例においては、ジルコニウム層２４は８００乃至
１，０００人の厚さであり、且つ爾後のに○Ｈシリコン
エッチの間にエッチストップとして使用される。ＫＯＨ
エッチは、以下に説明する如く、シリコン基板１１の一
部を除去する為に使用される。

ジルコニウム層２４を形成した後、第６図に示した如く
、ジルコニウム層２４上にマスク層２６を付着させる（
第１図のステップＨ）、１実施例においては、マスク層
２６はダイナグリップリングであり、それは単にダイナ
グリップディスク１４（第３図）と同一の物質から形成
したリングである。

ダイナグリップリング２６をマスク１００へ付与した後
、１％ＨＦ溶液を約１５秒間マスク１００の空洞２８へ
付与して（第１図のステップエ）。

第６図に示した如く、ジルコニウム層２４の一部２４ａ
を除去する。ジルコニウム層２４の一部２４ａを除去し
た後、空洞２８内の残存するＨＦ溶液は希釈したＫＯＨ
溶液で中和され、従ってそれがこぼれてもジルコニウム
層２４の未保護部分を損傷することはない（第１図のス
テップＪ）。その後、全ての中和させたＨＦ溶液を空洞
２８から除去し、且つダイナグリップリング２６もマス
ク１００を約１３０℃へ加熱することによって除去する
。次いで、空洞２８をキシレンでリンスする。

第７図を参照すると、次いで、シリコン基板１１がパイ
レックスリング１６に接着される個所の近傍の空洞２８
内の領域を７ストラワツクス２３（Ａｓｔｒａｖａｘ　
２３）の如きマスク物質３０で被覆させる（第１図のス
テップＫ）。このアストラワックス２３は、デュラケム
（Ｄｕｒａｃｈｅｍ）コーポレーションから入手可能な
ワックスである。アストラワックス２３は、ＦＡＴボン
ドの角部を効果的にマスクする為に使用する。マスク１
００上にジルコニウム２４をスパッタさせる場合、シリ
コンがパイレックスと合流する個所でフレバス３２を被
覆することは困難である。従って、該ワックスを使用し
てフレバス３２を被覆する。このことがなされる理由は
、以下に説明する爾後のシリコンエッチプロセスの期間
中に、ＦＡＴボンド近傍のシリコンは機械的な応力下に
あるので、ＦＡＴボンド近傍のシリコンをエツチングす
ることを回避することが望ましいからである。従って、
アストラワックス２３層３ｏは、シリコンエツチングの
期間中に、付加的なマスクとして作用する。

適宜のマスク物質をマスク１００へ付与した後に、基板
１１の部分１１ａをエツチング除去する。

本発明の好適な実施例においては、このことは。

爾後に形成すべきマスク１００を半非等方性エッチャン
ト内に浸漬させることによってなされる（第１図のステ
ップＬ）。

従来公知の如く、シリコンをエッチするのに使用するこ
との可能な、非等方性エッチャント及び等方性エッチャ
トがある。非等方性エッチャントの例はＫＯＨである。

非等方性エッチャントは、結晶格子における優先方向に
沿っては成る速度でエッチを行う一方、該結晶格子内の
その他の方向に沿っては一層遅い速度でエツチングを行
う。この優先方向に沿ってのエッチ速度は、非優先方向
に沿ってのエッチ速度の高々１００倍となることが可能
である。このことは幾つかの問題を発生することがあり
、例えばシリコンをエツチングする場合のピラミッドの
形成（Ｅｒｄ＋＊ａｎ　ｅｔ　ａｌ、に発行された米国
特許第３，７３８，８８１号参照）やピラミッド形状を
したエッチピットの形成を発生させることがある。更に
、基板１１内に約１００１１Ｉ欝の直径を持った円形の
孔をエツチング形成することが望ましい。非等方性エチ
ャントの方向に関する優先性の為に１円形孔をエッチす
る為に非等方性エッチャントを使用する場合、ステップ
パターン、例えば第８図に示したステップパターン２９
、が発生される。明らかに、円形孔が所望される場合に
は、ステップパターン２９は好ましくない。（従来公知
の如く、優先する軸に沿ってエッチすることのない等方
性エッチャントがあるが、これらの等方性エッチャント
は、制御が困難である。）これらの問題を解消する為に
、酸化剤をに○Ｈエッチャント内に使用し、それは非等
方的なＫＯＨエッチャントが通常より低速でエッチする
方向（結晶格子における（１１０）方向）にエッチ速度
を増加させる。このことは、第８図の平面図に示したス
テップパターンの形成を防止する。

その為に、滑らかな外形がシリコン内にエツチング形成
される。好適実施例において、この酸化剤としてクロム
酸カリウムを使用する。クロム酸カリウムは０．０１モ
ル濃度でＫＯＨエッチャント内に混合される。ＫＯＨ−
クロム酸カリウム溶液は、矢印２７ａで示した方向にお
けるよりも矢印２７ｂで示した方向に一層ゆっくりとエ
ッチするが、この高価はステップパターン効果よりもよ
りすくなめである。

本発明の１実施例において、矢印２７ｂの方向に沿って
のシリコンのエツチングより低速であることを補償する
為に、ジルコニウム層２４を歪曲した円形形状にエツチ
ングさせることが可能である。この様な実施例において
、ジルコニウム層２４の除去した部分２４ａは、第１０
図に示した如き形状を持っている。本発明の別の実施例
において、３Ｍコーポレーションによって製造されてい
るモデル番号ＦＣｌ２９の如き化合物を混合したＫＯＨ
溶液を有する非等方性エッチャントを使用する。ＦＣｌ
２９は表面活性剤であり、それはエツチングプロセスの
期間中に形成する水素泡をシリコンの表面から離して除
去し、従ってフレッシュなエッチャントが該シリコンと
接触することが可能である。

以前のシリコンエッチプロセスの期間中に、所望の孔が
完全にシリコン基板１１内にエツチング軽易される前に
マスク１００がＫＯＨ溶液から除去される。従って、マ
スク１００は次いで遅いシリコンエッチに露呈されて、
シリコン基板１１の不所望個所を除去する。特に、エツ
チングプロセスのスタート中、シリコン基板１１は約２
４．６ミルの厚さである。最初のＫＯＨエツチングプロ
セスの期間中、シリコン基板１１の２４．６ミルの２２
が除去される。次いで、マスク１００を遅いＫＯＨエッ
チに露呈させ、それにより残存する２、６ミルが除去さ
れる。このことが行われる理由は、高速のエッチプロセ
スの期間中には、シリコン表面上に気泡が経営され、且
つガスが空洞２８内に蓄積される。シリコンの残存する
２、６ミルをエツチングする場合、より遅い速度でエッ
チすることが所望され、従って気泡及びガス圧は窒化ボ
ロン層１２に対して押圧することはない、このことは、
典型的に、ＫＯＨ溶液の温度を低下させることによって
行われる。（高速シリコンエッチの期間中、ＫＯＨ溶液
は９５℃であり、且つ低速エッチの期間中、約８０℃で
ある。）シリコン基板１１の部分１１ａを除去した後、
アストラワックス２３層３ｏがキシレン等の溶媒で剥離
される。次いで、残存するジルコニウム層２４がＨＦエ
ッチで除去される。このエッチは、マスク１００を１０
乃至１５秒の間ＨＦ溶液内に浸漬させることによって達
成され、その時間はパイレックスリング１６を損傷する
こと無しにジルコニウム層２４を除去するのに十分な時
間である。

低速シリコンエッチの後、窒化ボロン膜１２内の張力を
以下に説明する態様で測定する。窒化ボロン膜１２は爾
後に、サブミクロンの公差で整合せねばならないＸ線不
透明物質からなるパターン化した層を支持する為に使用
されるので、［１２が張力下にありそれがマスク１００
の残りの部分に関して移動することが出来ないものであ
ることが必要である。

膜１２内の引張応力が不適切なものである場合、マスク
１００を加熱することによってアニールする（それによ
り張力が増加される）。従って、低速のシリコンエッチ
の後、窒化ボロン膜１２内の張力が測定されて所要のア
ニール量が決定される。

このことは、第１１図に示した装置を使用することによ
って行われる。

第１１図を参照すると、後に形成すべきマスク１００を
プラットフォーム１０２上に載置する。

パイレックス−プラットフォーム界面は気密封止を形成
する。プラットフォーム１０２の中央に焼結させたブロ
ンズのプラグ１０４があり、それはパイプ１０６に接続
されている。パイプ１０６には圧力計１例えば差動容量
マノメータ１０８、が取り付けられておりパイプ１０６
内の空気の圧力を測定する。空気がパイプ１０６内に強
制的に導入され、プラットフォーム１０２と窒化ボロン
膜１２との間の空洞に侵入する。窒化ボロン膜１２の両
側における空気圧力差の為に、その膜の高さが変化する
。この高さ変化を多数の技術の何れかで測定することが
可能である。例えば、レーザ干渉計を使用して、窒化ボ
ロン膜１２の中心での高さ変化を測定することが可能で
ある。

別の実施例においては、顕微鏡を使用して窒化ボロン膜
１２における高さの差を測定することが可能である。こ
のことは、例えば、（１）パイプ１０６内に増加させた
空気圧力無しで窒化ボロン膜１２上に顕微鏡を合焦させ
、（２）パイプ１６内の圧力を増加させ、（３）該顕微
鏡を再度合焦させることによって行うことが可能である
。顕微鏡を膜１２と合焦させる為に接眼レンズが取らね
ばならない位置に対する膜１２の高さの測定を与える顕
微鏡をキャリプレート即ち較正することによって、高さ
変位が測定される。膜１２の変位を測定する為にその他
の技術を使用することも可能である。

膜１２における高さ変位を測定すると、張力を以下の式
によって計算することが可能である。

ΔＰ　＝　４ｔ　ｃｒ　ｈ／ｒ”÷（８ｔ／３ｒ’）（
（Ｅｈ３）／（１−ｖ））尚、ΔＰ＝圧力差 ｒ＝膜１２の半径 ｈ＝高さの差 ｔ＝膜厚さ σ＝引張応力 Ｅ＝ギヤング 率＝ポアソン比 膜１２における引張応力が６　Ｘ　１０’ダイン／ｄと
１０　Ｘ　１０”ダイン／ｄとの間であることが望まし
い。

上述した引張測定の後、窒化ボロン層１２をアニールす
る（第１図のステップＰ）。このことは典型的に、窒化
ボロンが所望の範囲内の張力を持つ迄、マスク１００を
窒化ボロン層１２を付着した温度（１実施例においては
、３８０℃）よりも約４０℃高い温度へ加熱させること
によって行われる。

アニーリングの後、ポリイミド層３２（第９図）を窒化
ボロン膜１２上に形成して、該層に付加的な機械的強度
を与え且つタンタル層３３への接着を容易とする。次い
で、タンタル層３３（それはポリイミドと金の両方へ接
着する）及び金層３４（それはＸ線不透明である）をポ
リイミド層３２上に付着させる。次いで、金層及びタン
タル層３３．３４を公知の方法、例えばＡｌｅｘ　Ｒ，
ＳｈｉｍｋｕｎａＳ著のｒＸ線マスク技術における進歩
（Ａｄｖａｎｃｅｓ　ｉｎ　Ｘ−ｒａｙ　Ｍａｓｋ　Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）Ｊ　、ソリッドステートテクノロ
ジイ、１９８４年９月、１９２乃至１９９頁、に記載さ
れている様な方法で、パターン化させる。この様に、マ
スク１００が形成され、それはシリコンリング１１に接
着されたパイレックス支持体１６を包含している。シリ
コンリング１１は、Ｘ線透明窒化ボロン膜１２及びポリ
イミド層３２で被覆されている。ポリイミド３２はパタ
ーン化された金層３４で被覆されている。同様にパター
ン化された接着性タンタル層３３が金層３４とポリイミ
ド層３２との間に設けられている。

次いで、マスク１００を集積回路の製造に使用すること
が可能である。

第１２図乃至第１５図を参照して、本発明の第２実施例
に基づくプロセスを説明する。第１２図を参照すると、
シリコン基板１１０をその上に窒化ボロンを付着させる
前にパイレックスリング１１６へ接着させる。基板１１
０及びパイレックスリング１１６は前の実施例における
ものと同一のタイプであり、上述したＦＡＴボンディン
グ技術を使用して接着される。その後、第１２図の構成
体を第１３図に示した如く、窒化ボロン層１１２で完全
にコーティングする。窒化ボロン１１２は３乃至５ミク
ロンの厚さであり且つ上述した窒化ボロン層１２と同一
の態様で付着される。前の実施例における如く、窒化ボ
ロン層１１２は後に付着しパターン化したＸ線不透明物
質からなる層を支持する。

その後に、窒化ボロン層１１２の一部１１２ａを多数の
技術の何れか、例えば上述した化学的エッチ又はプラズ
マエッチ、によって除去する。更に、本発明の１実施例
においては、重炭酸ナトリラムビードブラストエッチプ
ロセスを使用している。この実施例に拠れば、機械的治
具１１８（第１４図）を図示した如くマスクの一部の上
方に位置させ、且つ重炭酸ナトリウムビードを窒化ボロ
ン層１１２の部分１１２ａへ向かって推進させる。

このことは、例えば、米国ニューシャーシー州、ビス力
タウエイの、ニスニスホワイトインダストリアルプロダ
クツ社から入手可能のモデル番号６゜５００の如き装置
を使用して行われる。重炭酸ナトリウムビードもニスニ
スホワイトインダストリアルプロダクツ社から入手可能
のモデル番号３５４、−１６２０　Ｙである。（勿論の
ことであるが。

重炭酸ナトリウムは水溶性であり、従って残存する重炭
酸ナトリウムをマスクから水で除去することが可能であ
る。） その後、シリコン基板１１０の一部１１０ａ（窒化ボロ
ン層１１２の一部１１２ａの除去によって露出されてい
る）を、爾後に形成すべきマスクをＨＮ　Ａ又はＫＯＨ
溶液中に浸漬させることによって除去する。窒化ボロン
層１１２はマスクとして機能し、シリコンエッチ期間中
にパイレックスリングを保護する。その結果得られる構
成体を第１５図に示しである。その後は、本プロセスは
本発明の前の実施例における如く進行する。即ち、窒化
ボロン１１２をアニールし、ポリイミドとタンタルと金
とでコーティングする（不図示）。タンタル及び金の層
を次いでパターン化させる。

本発明の別の実施例に拠れば、シリコン基板１１０で開
始する代りに、例えばボロシリケート即ち硼珪酸ガラス
の基板１５０等のガラスウェハで開始する（第１６図）
。ボロシリケート基板１５０は典型的に約１２５＋ａｍ
の直径及び約６２５±２５ミクロンの厚さを持っている
が、その他の直径及び厚さとすることも可能である。本
実施例のプロセスに拠れば、ボロシリケート基板１５０
と金属リング１５２との間にＦＡＴボンドが形成され、
且つ同時的にＦＡＴボンドが金属リング１５２とパイレ
ックスリング１５４との間にも形成される。

１実施例においては、金属リング１５２はチタンである
が、その他の物質、例えばアルミニウム、ジルコニウム
、タンタル、又はニオブを使用することも可能である。

このＦＡＴボンドは、ボロシリケート基板１５０とチタ
ンリング１５２とパイレックスリング１５４とを互いに
押圧させ、チタン−ボロシリケート界面及びチタン−パ
イレックス界面とを横断して約１．３００Ｖの電圧を与
え、且つボロシリケート基板１５０とチタンリング１５
２とパイレックスリング１５４を３４０乃至３５０℃へ
加熱することによって形成される。

次いで、その結果得られる構成体をＬＰＧＶＤプロセス
によって窒化ボロン層１５６でコーティングする（第１
７図）。窒化ボロン層１５６は典型的に３乃至５ミクロ
ンの厚さである。その後、窒化ボロン層１５６の一部１
５６ａを前の実施例における如く除去して、ボロシリケ
ート基板１５０の円形部分１０５ａを露出させる（第１
８図）。

次いで、ボロシリケート基板１５０の露出部分１５０ａ
を、爾後に形成すべきマスク１５８を７０℃の温度で１
００％の濃度を持ったＨＦ溶液中に浸漬させることによ
って除去する。（１００％ＨＦ溶液は１重量で４９％Ｈ
Ｆである溶液として定義され、即ち標準のＨＦ試薬濃度
である。）このプロセスの期間中、窒化ボロン層の残存
部分はパイレックスリング１５４を保護する。その結果
得られる構成体を第１９図に示しである。その後、窒化
ボロン膜１５６をアニールし、ポリイミドとタンタルと
金の層でコーティングし、且つ金及びタンタルの層を上
述した如くパターン化する。

本発明の更に別の実施例に拠れば、シリコンウェハ２０
０　（第２０図）の両側部を上述したＬＰＧＶＤプロセ
スを使用して窒化ボロン層２０２でコーティングする。

次いで、チタン等の金属の層２０４をウェハ２００の１
側部上に、例えばスパッタリング又は蒸着によって、１
，０００人の厚さに形成する。次いで、金属［２０４を
ホトレジスト層（不図示）で被覆し、その層を従来の態
様でパターン化して、その際に金＠Ｎ２Ｏ４の中央に位
置した円形部分を露出させる。次いで、金属層２０４の
露出部分を除去し、窒化ボロン層２０２の表面上に金属
リング２０４を残存させる。次いで、ホトレジスト層を
除去する。次いで、金属リング２０４を、上述したＦＡ
Ｔボンディングプロセスを使用してパイレックスリング
２０８へ接着させる。

第２１図を参照すると、基板２０１上の窒化ボロンを、
例えばプラズマ、ビードブラストエツチング技術、又は
化学エッチャントを使用して、エツチングする。このプ
ロセスの期間中、ウェハ２００の底部（即ち、パイレッ
クスリング２０８に対面する側部）上の窒化ボロンは機
械的マスク治具によって保護されている。その後、シリ
コン基板２０１全体を、第２１図の構成体をＫＯＨ溶液
又はＨＮＡ　（弗化水素酸−硝酸−酢酸溶液）内に浸漬
させることによって除去し、一方バイレックスリング２
０８をホトレジスト又は機械的マスク治具で保護する。

その結果得られる構成体は、第２２図に示される如く、
金属２０４に固定されている窒化ボロン膜２０２を有し
ており、該金属２０４はパイレックスリング２０８へ固
定されている。次いで、上述した如く、窒化ボロンをア
ニールし、且つポリイミド、タンタル、金で被覆する。

重要なことであるが、ポリイミド、タンタル、金で被覆
されている膜２０２の表面はヒロックが無い。何故なら
ば、除去した基板２０１の形状を模写するものだからで
ある。従って、膜２０２の表面は従来技術のマスクより
も一層滑らかである。

本発明の更に別の実施例に拠れば、窒化ボロンでコーテ
ィングした基板２００の１側部をチタン層２０６で被覆
する代りに、インジウム酸化錫（ＩＴＯ）層２１２を該
ウェハの１側部上に５゜０人の厚さに付着させる（第２
３図）。ＩＴＯ層２１２はスパッタ又は蒸着の何れかに
よって窒化ボロン層２０２上に付着される。ＩＴＯ層２
１２は導電性であるから、ＦＡＴボンドをＩＴＯ層２１
２及びパイレックスリング２０８の間に前の実施例にお
いて使用したのと同じ温度、時間、電圧を使用して形成
することが可能である。

その後に、シリコン基板２００上の窒化ボロン２０２を
上述した如く除去して、第２４図に示した構成体とさせ
る（爾後に形成すべきマスク２１４）　、　ソ（７）後
、マスク２１４をＫＯＨ又はＨＮＡ溶液中に浸漬して、
シリコン基板２００を除去し、第２５図の構成体とさせ
る。重要なことであるが、ＩＴＯ層２１２は薄いく、従
ってＸ線及び可視光に対して透明であるから、それをエ
ツチング等によって除去することは必要ではない。従っ
て１次いで窒化ボロン層２０２をアニールし且つポリイ
ミド、タンタル、金でコーティングする０次いで、上述
した如く、タンタル及び金をパターンイＬする。

別の実施例においては、パイレックスリング２０８にボ
ンドされていないＩＴＯ層２１２の部分を標準的なマス
キング及びエツチング技術を使用して除去する。

本発明の更に別の実施例に拠れば、シリコン基板２５０
の両側を、第２６図に示した如く窒化ボロン層２５２で
コーティングする。本発明のこの実施例に拠れば、窒化
ボロン層２５２をチタンでドープする。このことは、典
型的に、ＬＰＧＶＤプロセス中に処理ガスに有機チタン
反応物を添加することによって行われる。この様なプロ
セスは２５乃至３０ＳＣＣＭのアンモニア、６０乃至７
０ＳＣＣＭのジボラン、５４０乃至６００ＳＣＣＭのＮ
３を使用する。（ＩＳＯＣＭは１大気圧において毎分当
りの１立方ｃｍに等しい。）このプロセスは３４０℃で
行われる０本発明の１実施例においては、２乃至５ＳＣ
ＣＭのＴｉＦ、又はテトラメチルチタンをプロセスガス
混合物へ添加させる。別の実施例においては、２５乃至
ｓｏｓｃＣＭのＮ２及び２乃至５ＳＣＣＭのチタンプロ
ポキシド（ｔｉｔａｎｉｕｍ　１ｓｏｐｒｏｐｏｘｉｄ
ｅ）又はテトラエトキシチタン（ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘ
ｙ　ｔｉｔａｎｉｕｍ）の何れか・をプロセスガス混合
物に添加する。水素を添加して窒化ボロン内に酸素を回
避する。ドープされた窒化ボロン層は典型的に３乃至５
ミクロンの厚さである。本発明のこの実施例に拠れば、
チタンをドープした窒化ボロン層２５２とパイレックス
リング２５４との間にＦＡＴボンドを形成する。このこ
とは、パイレックスリング２５４を窒化ボロン層２５２
に当接させ、約１，３００Ｖの電圧を窒化ボロンとパイ
レックスとの界面を横断して供給し、且つ窒化ボロンを
コーティングした基板２５０及びパイレックス２５４を
３４０乃至２５０℃の温度へ加熱することによってなさ
れる。その後に、基板２５０の１側部上の窒化ボロン２
５２を上述した如く除去し、基板２５０を露出させる。

次いで、基板２５０を除去し、チタンをドープした窒化
ボロン膜２５２をパイレックスリング２５４ヘボンドさ
せたままとさせる。次いで、上述した如く、窒化ボロン
をアニールし、ポリイミド、タンタル、金で被覆し、タ
ンタル及び金の層を上述した如くパターン化させる。

以上、本発明の具体的実施の態様に付いて詳細に説明し
たが、本発明はこれら具体例にのみ限定されるべきもの
では無く１本発明の技術的範囲を逸脱すること無しに種
々の変形が可能であることは勿論である。例えば、シリ
コン基板を使用する代りに、ボロシリケート（ｂｏｒｏ
ｓｉｌｉｃａｔｅ）　、アルミノボロシリケート（ａｌ
ｕｍｉｎｏｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）　、溶融させた
シリカ、又はその他の形態のガラスを代用させることが
可能である。ボロシリケートはシリコンに対してＦＡＴ
ボンドさせるのに最も簡単であり、アルミノボロシリケ
ート及び溶融シリカは中間金属層を必要とする。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の１実施例に基づくマスクを製造するの
に使用されるプロセスのフローチャート図、第２図は両
側表面上を窒化ボロン層１２でコーティングしたシリコ
ンウェハ１０の断面を示した概略図、第３図は１表面が
ダイナグリップディスク１４によって被覆されている第
２図のウェハ１０の断面を示した概略図、第４図は１表
面が窒化ボロン１２でコーティングされており且つ地表
面がパイレックスリング１６ヘボンドされているウェハ
の断面を示した概略図、第５図はパイレックスリング１
６をウェハ１０ヘボンドするのに使用される装置の断面
を示した概略図、第６図はジルコニウム層２４で被覆さ
れた第４図の構成体（マスク１００）の断面を示した概
略図、第７図はＨＦエッチによってジルコニウムの一部
が除去された後のマスク１００を断面で示した概略図、
第８図は結晶物質内に円形パターンをエッチする為に非
等方性エッチャントを使用することによって発生される
ステップパターンの平面を示した概略図、第９図は本発
明に基づくプロセスによって提供されるマスクを断面で
示した概略図、第１０図はシリコンエッチプロセスの間
円形孔を与える為に使用されるジルコニウムマスク内の
窓の平面を示した概略図、第１１図は窒化ボロン膜内の
応力を測定する為に使用される装置を示した概略図、第
１２図乃至第１５図は窒化ボロンでコーティングされる
前にパイレックスリングにウェハがボンドされる本発明
の別の実施例に基づく製造プロセスの間のマスクの断面
の各概略図、第１６図乃至第１９図はガラス基板と金属
リングとパイレックス支持構成体がＦＡＴボンドで一体
化される本発明の別の実施例に基づく製造プロセスの間
のマスクの断面を示した各概略図、第２０図乃至第２２
図はパイレックスリングにＦＡＴボンドされる窒化ボロ
ンをコーティングしたウェハ上に金属リング構成体を形
成する本発明の別の実施例に基づく製造プロセスの間の
マスクの断面を示した各概略図、第２３図乃至第２５図
は窒化ボロンをコーティングしたウェハ上にＩＴＯ層を
形成する本発明の別の実施例に基づく製造プロセスの間
のマスクの断面を示した各概略図、第２６図はウェハを
チタンをドープした窒化ボロンからなる導電性の層でコ
ーティングする本発明の別の実施例に基づく製造プロセ
スの間のマスクの断面を示した概略図、である。 （符号の説明） １０：シリコンウェハ １２：窒化ボロン層 １４：ダイナグリップディスク １６：パイレックスリング １８：金属スパイダ ２４：ジルコニウム層 １００：マスク １１０：基板 図面の浄＝（内容に変更なし） ど１０ ＦＩＧ−８ＦＩＧ、−心 戸−−２００ 手続補正書Ｃ１５幻 昭和６２年１月８日 特許庁長官　　黒　１）明　雄　殿 １、事件の表示　　　昭和６１年　特　許　願　第１８
０２２９号３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 名称　　　　　マイクロニクス　コーポレーション４、
代理人 ５、補正命令の日付

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ホトリソグラフィに使用するマスクの製造方法にお
   いて、ウェハの両表面を窒化ボロン層でコーティングし
   、該窒化ボロンをコーティングしたウェハの１表面をエ
   ッチストップで被覆し、該窒化ボロンの一部を次亜塩素
   酸ナトリウム溶液で除去する、上記各ステップを有する
   ことを特徴とする方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記窒化ボロン層
   を付着させるステップは、低圧化学蒸着プロセスを使用
   して行われることを特徴とする方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、前記エッチストッ
   プはダイナグリップ（Ｄｙｎａｇｒｉｐ）ディスクを有
   していることを特徴とする方法。 ４、特許請求の範囲第３項において、前記窒化ボロン部
   分を除去した後に前記ダイナグリップディスクを除去す
   ることを特徴とする方法。 ５、特許請求の範囲第１項において、前記エッチストッ
   プはワックスをコーティングしたマイラーシートを有し
   ていることを特徴とする方法。 ６、ホトリソグラフィプロセスに使用するマスクの製造
   方法において、ウェハの両表面を窒化ボロン層で被覆し
   、該窒化ボロンをコーティングしたウェハの１側をダイ
   ナグリップ（Ｄｙｎａｇｒｉｐ）ディスクで被覆し、前
   記ダイナグリップディスクはエッチストップとして機能
   し、該ウェハの他側上の窒化ボロンは露出されたままで
   あり、該露出された窒化ボロンをエッチングする、上記
   各ステップを有することを特徴とする方法。 ７、ホトリソグラフィプロセスに使用するマスクの製造
   方法において、ガラスリングをシリコン基板へ接着させ
   るステップを有しており、前記接着はフィールドアシス
   ト型の熱接着プロセスで行われることを特徴とする方法
   。 ８、ホトリソグラフィプロセスに使用するマスクの製造
   方法において、パイレックスリングをシリコン基板へ接
   着させるステップを有しており、前記プロセスはフィー
   ルドアシスト型の熱接着プロセスで行われることを特徴
   とする方法。 ９、特許請求の範囲第８項において、前記シリコン基板
   は１側上に窒化ボロン層を持っていることを特徴とする
   方法。 １０、特許請求の範囲第８項において、前記フィールド
   アシスト型熱接着プロセスは、前記シリコン基板と前記
   パイレックスリングとの間に電圧を与えることによって
   行われることを特徴とする方法。 １１、特許請求の範囲第１０項において、前記フィール
   ドアシスト型熱接着プロセスは３４０℃乃至３５０℃の
   間の温度で行われることを特徴とする方法。 １２、特許請求の範囲第１１項において、前記シリコン
   基板と前記パイレックスリングとの間に約１，３００Ｖ
   の電圧を印加させることを特徴とする方法。 １３、特許請求の範囲第１２項において、前記パイレッ
   クスリング及び前記シリコン基板は約８０分の間３４０
   ℃と２５０℃との間の温度にとどまることを特徴とする
   方法。 １４、特許請求の範囲第１２項において、前記電圧は前
   記パイレックスリングの中心に印加されることを特徴と
   する方法。 １５、ホトリソグラフィプロセスに使用するマスクの製
   造方法において、１側を窒化ボロン層でコーティングし
   たシリコンウェハを用意し、前記ウェハ及び窒化ボロン
   層の表面の一部をジルコニウム層でコーティングし、前
   記ジルコニウム層は開口を持っておりそれを介して前記
   シリコンの一部が露出されており、前記シリコンの前記
   露出部分をエッチングし、前記ジルコニウム層はエッチ
   ストップとして機能することを特徴とする方法。 １６、特許請求の範囲第１５項において、前記シリコン
   はＫＯＨ溶液でエッチングされることを特徴とする方法
   。 １７、特許請求の範囲第１５項において、前記シリコン
   ウェハは１側を窒化ボロン層でコーティングしており、
   ガラスリングへ接着されていることを特徴とする方法。 １８、特許請求の範囲第１７項において、前記シリコン
   はフィールドアシスト型熱接着プロセスを使用してガラ
   スリングへ接着されることを特徴とする方法。 １９、特許請求の範囲第１８項において、前記ジルコニ
   ウム層の第１部分上に第２マスク物質を付着させ、前記
   第２マスク物質はエッチストップとして機能し、前記ジ
   ルコニウム層の第２部分は露出されたままであり、前記
   第２部分を除去することを特徴とする方法。 ２０、特許請求の範囲第１９項において、前記第２マス
   ク物質はダイナグリップ（Ｄｙｎａｇｒｉｐ）リングで
   あることを特徴とする方法。 ２１、特許請求の範囲第２０項において、前記ジルコニ
   ウム層の一部及び前記ガラスリングを第３マスク物質で
   コーティングすることを特徴とする方法。 ２２、特許請求の範囲第２１項において、前記第３マス
   ク物質はアストラワックス２３（Ａｓｔｒａｗａｘ２３
   ）であり、前記第３マスク物質は前記シリコンの前記露
   出部分をエッチングする過程中前記シリコンの一部を保
   護することを特徴とする方法。 ２３、特許請求の範囲第１５項において、前記シリコン
   ウェハはガラスリングへ接着されており、前記エッチン
   グするステップが前記シリコンの前記露出部分へＫＯＨ
   溶液を付与するステップを有しており、前記ジルコニウ
   ム層は前記エッチングステップの過程中前記ガラスリン
   グを保護することを特徴とする方法。 ２４、ホトリソグラフィプロセスに使用するマスクの製
   造方法において、１側上に窒化ボロン層をコーティング
   したシリコンウェハを用意し、前記シリコンウェハの一
   部をエッチストップで被覆し、前記ウェハを半非等方性
   エッチャントに露呈させる、上記各ステップを有するこ
   とを特徴とする方法。 ２５、特許請求の範囲第２４項において、前記エッチャ
   ントはＫＯＨ及び酸化剤を有していることを特徴とする
   方法。 ２６、特許請求の範囲第２５項において、前記酸化剤は
   クロム酸カリウムであることを特徴とする方法。 ２７、特許請求の範囲第２６項において、前記クロム酸
   カリウムは約０．０１モル濃度であることを特徴とする
   方法。 ２８、ホトリソグラフィに使用するマスクにおいて、シ
   リコンリング、前記シリコンリングによって支持されて
   いるＸ線透明物質層、前記シリコンリングに接着された
   ガラスリング、とを有しており、前記接着はフィールド
   アシスト型熱接着プロセスによって与えられていること
   を特徴とするマスク。 ２９、マスクの製造方法において、フィールドアシスト
   型熱ボンドで基板を支持構成体へ接着し、前記基板を物
   質層でコーティングし、前記基板の一部を除去し、その
   際に前記基板の残存部分に固着された前記物質の膜を残
   し、前記残存部分は前記支持構成体へ接着されているこ
   とを特徴とする方法。 ３０、特許請求の範囲第２９項において、前記基板はシ
   リコンウェハであり、前記支持構成体はパイレックスで
   あり、前記物質は窒化ボロンであることを特徴とする方
   法。 ３１、特許請求の範囲第３０項において、前記膜上にＸ
   線不透明物質からなるパターン化した層を形成すること
   を特徴とする方法。 ３２、マスクの製造方法において、フィールドアシスト
   型熱ボンドで基板を導電性部材へ接着させ、前記部材は
   その中に中央に位置させた孔を持っており、フィールド
   アシスト型熱ボンドで前記導電性部材を支持構成体へ接
   着させ、前記基板の少なくとも１側をＸ線透明物質層で
   コーティングし、前記基板の一部を除去し、その際に前
   記Ｘ線透明物質の膜を前記基板の残存部分へ固着させた
   ままとし、前記基板の前記残存部分は前記導電性部材へ
   接着されており、前記導電性部材は前記支持構成体に接
   着されていることを特徴とする方法。 ３３、特許請求の範囲第３２項において、前記導電性部
   材は金属リングであり、前記支持構成体はパイレックス
   リングであり、前記基板はガラスウェハであることを特
   徴とする方法。 ３４、ガラスリング、フィールドアシスト型熱ボンドで
   前記ガラスリングへ接着された金属リング、前記ガラス
   リングへ固着されたＸ線透明膜、フィールドアシスト型
   熱ボンドで前記金属リングへ接着した支持構成体を有す
   ることを特徴とするマスク。 ３５、特許請求の範囲第３４項において、前記支持構成
   体はパイレックスリングであり、前記Ｘ線透明膜上にＸ
   線不透明物質からなるパターン化した層が形成されてい
   ることを特徴とするマスク。 ３６、マスクの製造方法において、Ｘ線透明物質層で基
   板をコーティングし、前記基板の１側上で前記Ｘ線透明
   物質層上に導電性リングを形成し、フィールドアシスト
   型熱ボンドで前記導電性リングを支持構成体へ接着させ
   、前記基板を除去する、上記各ステップを有することを
   特徴とする方法。 ３７、特許請求の範囲第３６項において、前記導電性リ
   ングは前記Ｘ線透明物質層上に金属スパッタしたもので
   あることを特徴とする方法。 ３８、特許請求の範囲第３６項において、前記導電性リ
   ングは前記Ｘ線透明物質層上に金属蒸着させたものであ
   ることを特徴とする方法。 ３９、特許請求の範囲第３６項において、前記基板はウ
   ェハであり、前記支持構成体はパイレックスリングであ
   ることを特徴とする方法。 ４０、マスクの製造方法において、第１物質のウェハを
   第２物質の層でコーティングし、前記第２物質はＸ線に
   対して透明であり、前記ウェハの少なくとも１側を導電
   性物質の層でコーティングし、前記導電性物質はＸ線に
   対して透明であり、前記導電性物質の層をフィールドア
   シスト型熱接着により支持構成体へ接着させ、前記ウェ
   ハ内の前記第１物質の一部を除去する、上記各ステップ
   を有することを特徴とする方法。 ４１、特許請求の範囲第４０項において、前記支持構成
   体はパイレックスリングであることを特徴とする方法。 ４２、特許請求の範囲第４０項において、前記導電性物
   質はインジウム酸化錫即ちＩＴＯを有することを特徴と
   する方法。 ４３、マスクの製造方法において、基板をＸ線透明で導
   電性の物質からなる層でコーティングし、前記Ｘ線透明
   導電性物質と支持構成体との間にフィールドアシスト型
   熱ボンドを形成し、前記基板の少なくとも一部を除去す
   る、上記各ステップを有することを特徴とする方法。 ４４、特許請求の範囲第４３項において、前記Ｘ線透明
   導電性物質はドープした窒化ボロンであることを特徴と
   する方法。 ４５、特許請求の範囲第４４項において、前記窒化ボロ
   ンはチタンでドープされていることを特徴とする方法。 ４６、Ｘ線透明で導電性の膜、フィールドアシスト型熱
   ボンドで前記膜に接着されている支持構成体を有するこ
   とを特徴とするマスク。 ４７、特許請求の範囲第４６項において、前記膜はイン
   ジウム酸化錫即ちＩＴＯを有することを特徴とするマス
   ク。 ４８、特許請求の範囲第４７項において、前記インジウ
   ム酸化錫の層は窒化ボロン層へ固着されていることを特
   徴とするマスク。 ４９、特許請求の範囲第４６項において、前記マクはド
   ープした窒化ボロンを有していることを特徴とするマス
   ク。 ５０、マスクの製造方法において、基板上にＸ線透明層
   を形成し、前記基板をエッチング除去してその際にＸ線
   透明膜を残存させ、以前に前記基板と接触していた前記
   膜の表面上にＸ線不透明のパターン化した層を形成する
   、上記各ステップを有することを特徴とする方法。 ５１、特許請求の範囲第５０項において、前記基板の除
   去の前に、前記Ｘ線透明層を支持構成体へ固着させるこ
   とを特徴とする方法。 ５２、特許請求の範囲第５０項において、前記Ｘ線不透
   明のパターン化した層と前記膜との間に少なくとも１つ
   の中間層を形成し、前記中間層は前記Ｘ線不透明層の前
   記膜への接着を容易化させることを特徴とする方法。 ５３、特許請求の範囲第５０項において、前記Ｘ線不透
   明のパターン化した層と前記膜との間に少なくとも１つ
   の中間層を形成し、前記中間層は前記膜に対して機械的
   な強度を与えていることを特徴とする方法。 ５４、マスクの製造方法において、基板の両側上にＸ線
   透明層を形成し、ビードブラストエッチプロセスで前記
   基板の１側上の前記Ｘ線透明層の一部をエッチングして
   その際に前記基板の一部を露出させ、前記基板の前記露
   出部分を除去する、上記各ステップを有することを特徴
   とする方法。 ５５、特許請求の範囲第５４項において、前記基板を支
   持構成体へ接着させることを特徴とする方法。 ５６、特許請求の範囲第５４項において、前記Ｘ線透明
   層をエッチする為に重炭酸ナトリウムのビードを使用す
   ることを特徴とする方法。 ５７、特許請求の範囲第５４項において、前記Ｘ線透明
   層は窒化ボロンを有していることを特徴とする方法。