JPH05190528A - シリコンウェハのエッチング方法 - Google Patents
シリコンウェハのエッチング方法Info
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- JPH05190528A JPH05190528A JP511892A JP511892A JPH05190528A JP H05190528 A JPH05190528 A JP H05190528A JP 511892 A JP511892 A JP 511892A JP 511892 A JP511892 A JP 511892A JP H05190528 A JPH05190528 A JP H05190528A
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- Japan
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- silicon wafer
- pattern
- electrodes
- borosilicate glass
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属電極等が配線されているシリコンウェハ
をエッチングする。 【構成】 金属電極等が配線されているパターン面を保
護するために、パターン面にホウケイ酸ガラスを陽極接
合し、しかも接合されたホウケイ酸ガラスがパターン等
と接触しないように、あらかじめパターン部となるとこ
ろのシリコンウェハをエッチングし、段差を形成してお
く。
をエッチングする。 【構成】 金属電極等が配線されているパターン面を保
護するために、パターン面にホウケイ酸ガラスを陽極接
合し、しかも接合されたホウケイ酸ガラスがパターン等
と接触しないように、あらかじめパターン部となるとこ
ろのシリコンウェハをエッチングし、段差を形成してお
く。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体圧力センサなど
の製造におけるシリコンウェハのエッチング方法に関す
るものである。
の製造におけるシリコンウェハのエッチング方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のシリコンウェハのエッチング方法
は、ＣＶＤ法等で成膜した窒化膜等をマスク材としてエ
ッチングしていた。窒化膜をマスク材としてシリコンウ
ェハをエッチングする場合の加工順を図５に沿って説明
する。まず、シリコンウェハの両面にＣＶＤ等で窒化膜
を約１０００Å成膜し、さらに、シリコン酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2 ）を両面に約１５００Å成膜する。続いて、エッチ
ングしようとする形状にパターニングするためにフォト
レジストを両面に塗布し、露光、現像を行うことによっ
てフォトレジストのパターニングを行う。このとき、エ
ッチングしない面にレジストが残るようにする。フォト
レジストのパターニング終了後、ＳｉＯ2 のパターニン
グをするため、バッファフッ酸液（フッ酸：フッ化アン
モニウム水溶液＝１：１０）に約１０分間浸す。ＳｉＯ
2 のパターニング終了後、レジストを剥離し、窒化膜を
パターニングするために約１５０℃に加熱した燐酸に浸
す。窒化膜のパターニング終了後、約９０℃に加熱した
水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ）に浸し、シリコンウェ
ハのエッチングを行う。シリコンウェハのエッチング終
了後、バッファフッ酸液、燐酸に浸してエッチングしな
い面を保護しているＳｉＯ2 膜、および窒化膜を除去す
ることによってシリコンウェハのエッチングを行ってい
た。
は、ＣＶＤ法等で成膜した窒化膜等をマスク材としてエ
ッチングしていた。窒化膜をマスク材としてシリコンウ
ェハをエッチングする場合の加工順を図５に沿って説明
する。まず、シリコンウェハの両面にＣＶＤ等で窒化膜
を約１０００Å成膜し、さらに、シリコン酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2 ）を両面に約１５００Å成膜する。続いて、エッチ
ングしようとする形状にパターニングするためにフォト
レジストを両面に塗布し、露光、現像を行うことによっ
てフォトレジストのパターニングを行う。このとき、エ
ッチングしない面にレジストが残るようにする。フォト
レジストのパターニング終了後、ＳｉＯ2 のパターニン
グをするため、バッファフッ酸液（フッ酸：フッ化アン
モニウム水溶液＝１：１０）に約１０分間浸す。ＳｉＯ
2 のパターニング終了後、レジストを剥離し、窒化膜を
パターニングするために約１５０℃に加熱した燐酸に浸
す。窒化膜のパターニング終了後、約９０℃に加熱した
水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ）に浸し、シリコンウェ
ハのエッチングを行う。シリコンウェハのエッチング終
了後、バッファフッ酸液、燐酸に浸してエッチングしな
い面を保護しているＳｉＯ2 膜、および窒化膜を除去す
ることによってシリコンウェハのエッチングを行ってい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法によってシ
リコンウェハのエッチングを行う場合、窒化膜やＳｉＯ
2 膜を除去するためのバッファフッ酸や燐酸にエッチン
グされないパターンの場合はエッチングが可能であるも
のの、Ａｌ電極等の配線がされているシリコンウェハの
エッチングの場合は、エッチング終了後に窒化膜やＳｉ
Ｏ2 を除去するためにバッファフッ酸や燐酸に浸すとＡ
ｌ電極等のパターンが侵されてしまうという課題があっ
た。
リコンウェハのエッチングを行う場合、窒化膜やＳｉＯ
2 膜を除去するためのバッファフッ酸や燐酸にエッチン
グされないパターンの場合はエッチングが可能であるも
のの、Ａｌ電極等の配線がされているシリコンウェハの
エッチングの場合は、エッチング終了後に窒化膜やＳｉ
Ｏ2 を除去するためにバッファフッ酸や燐酸に浸すとＡ
ｌ電極等のパターンが侵されてしまうという課題があっ
た。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記のような
課題を解決するため、シリコンウェハ上の金属電極等が
配線されるパターン部を保護するために、パターン面に
ホウケイ酸ガラスを陽極接合しエッチングを行うことに
より、電極パターン等が侵されずシリコンウェハのエッ
チングが可能となる。また、電極等のパターンの形成前
にあらかじめパターン部となるところのシリコンウェハ
をエッチングして、ホウケイ酸ガラスが接合することに
よって電極等のパターン面と接触し、接合されないよう
にする。
課題を解決するため、シリコンウェハ上の金属電極等が
配線されるパターン部を保護するために、パターン面に
ホウケイ酸ガラスを陽極接合しエッチングを行うことに
より、電極パターン等が侵されずシリコンウェハのエッ
チングが可能となる。また、電極等のパターンの形成前
にあらかじめパターン部となるところのシリコンウェハ
をエッチングして、ホウケイ酸ガラスが接合することに
よって電極等のパターン面と接触し、接合されないよう
にする。
【０００５】
【作用】上記の方法は、窒化膜やＳｉＯ2 の除去が必要
でないため、Ａｌ電極等のパターンが侵されずシリコン
ウェハのエッチングが可能となる。
でないため、Ａｌ電極等のパターンが侵されずシリコン
ウェハのエッチングが可能となる。
【０００６】
【実施例】本発明に係るシリコンウェハのエッチング方
法の加工順を、図１に沿って説明する。まず、厚み５２
５μｍで（１００）面のシリコンウェハ１上にＣＶＤ装
置によって約１０００Åの窒化膜２を形成し、その上か
らＳｉＯ2 ３を約１５００Å成膜する。フォトレジスト
４を両面に塗布し、電極等の配線部となるところのレジ
ストが除去されるように露光、現像をし、ＳｉＯ2 ３の
パターニングを行うためにバッファフッ酸に約１０分浸
す。ＳｉＯ2 ３のパターニング終了後、レジスト４を剥
離し、窒化膜２をパターニングするため約１５０℃の燐
酸に浸す。続いて、約９０℃のＫＯＨに５０分間浸し、
電極が形成される面のシリコンウェハー１を約９０℃の
ＫＯＨに５分間浸しエッチングすることによって、約１
０μｍの段差５ができる。シリコンウェハのエッチング
終了後、ホウケイ酸ガラス６を陽極接合しないエッチン
グ面のパターニングをするために片面にレジスト４を塗
布し、上記と同様な露光、現像およびＳｉＯ2 ３、窒化
膜２のパターニングを行う。このとき同時に、電極側の
窒化膜２およびＳｉＯ2 ３は除去される。
法の加工順を、図１に沿って説明する。まず、厚み５２
５μｍで（１００）面のシリコンウェハ１上にＣＶＤ装
置によって約１０００Åの窒化膜２を形成し、その上か
らＳｉＯ2 ３を約１５００Å成膜する。フォトレジスト
４を両面に塗布し、電極等の配線部となるところのレジ
ストが除去されるように露光、現像をし、ＳｉＯ2 ３の
パターニングを行うためにバッファフッ酸に約１０分浸
す。ＳｉＯ2 ３のパターニング終了後、レジスト４を剥
離し、窒化膜２をパターニングするため約１５０℃の燐
酸に浸す。続いて、約９０℃のＫＯＨに５０分間浸し、
電極が形成される面のシリコンウェハー１を約９０℃の
ＫＯＨに５分間浸しエッチングすることによって、約１
０μｍの段差５ができる。シリコンウェハのエッチング
終了後、ホウケイ酸ガラス６を陽極接合しないエッチン
グ面のパターニングをするために片面にレジスト４を塗
布し、上記と同様な露光、現像およびＳｉＯ2 ３、窒化
膜２のパターニングを行う。このとき同時に、電極側の
窒化膜２およびＳｉＯ2 ３は除去される。
【０００７】次に、電極を形成するためにＡｌ電極７を
スパッタリングにて５０００Å成膜し、電極のパターニ
ングを行うためにフォトレジスト４を塗布し、露光、現
像をしてレジスト４のパターニングをする。レジスト４
のパターニング終了後、Ａｌのエッチング液に浸し、Ａ
ｌ電極７のパターニングをしてレジスト４を剥離する。
Ａｌ電極７のパターニングが終了したときのシリコンウ
ェハ１の状態を図２に示す。
スパッタリングにて５０００Å成膜し、電極のパターニ
ングを行うためにフォトレジスト４を塗布し、露光、現
像をしてレジスト４のパターニングをする。レジスト４
のパターニング終了後、Ａｌのエッチング液に浸し、Ａ
ｌ電極７のパターニングをしてレジスト４を剥離する。
Ａｌ電極７のパターニングが終了したときのシリコンウ
ェハ１の状態を図２に示す。
【０００８】続いて、Ａｌ電極７のパターンを形成した
面を上側にしてシリコンウェハ１をヒーター８にのせ、
ホウケイ酸ガラス６をシリコンウェハ１に密着させる。
ヒーター８を約４００℃に加熱し、シリコンウェハ１と
ホウケイ酸ガラス６との間に約６００Ｖ印加することに
よって、シリコンウェハ１とホウケイ酸ガラス６が段差
５以外の部分のみが陽極接合される（図３）。この陽極
接合されたウェハを９０℃に加熱したＫＯＨに約３時間
３０分浸すことによって、窒化膜２でマスクされない部
分が約５００μｍエッチングすることができた（図
４）。
面を上側にしてシリコンウェハ１をヒーター８にのせ、
ホウケイ酸ガラス６をシリコンウェハ１に密着させる。
ヒーター８を約４００℃に加熱し、シリコンウェハ１と
ホウケイ酸ガラス６との間に約６００Ｖ印加することに
よって、シリコンウェハ１とホウケイ酸ガラス６が段差
５以外の部分のみが陽極接合される（図３）。この陽極
接合されたウェハを９０℃に加熱したＫＯＨに約３時間
３０分浸すことによって、窒化膜２でマスクされない部
分が約５００μｍエッチングすることができた（図
４）。
【０００９】そして、接合したホウケイ酸ガラス６を取
り除くためにダイシングで切断することによって、Ａｌ
電極７がＫＯＨに侵されることなくシリコンウェハ１の
エッチングができた。また、Ａｌ電極７パターン以外の
シリコンウェハ１表面もＫＯＨによって侵されることは
なかった。
り除くためにダイシングで切断することによって、Ａｌ
電極７がＫＯＨに侵されることなくシリコンウェハ１の
エッチングができた。また、Ａｌ電極７パターン以外の
シリコンウェハ１表面もＫＯＨによって侵されることは
なかった。
【００１０】
【発明の効果】この発明は、金属電極等の配線パターン
の保護として窒化膜やＳｉＯ2 を用いていないため、そ
れを除去するためのバッファフッ酸や燐酸に浸す必要が
ないのでＡｌ電極等のパターンが侵されずにシリコンウ
ェハのエッチングが可能となった。
の保護として窒化膜やＳｉＯ2 を用いていないため、そ
れを除去するためのバッファフッ酸や燐酸に浸す必要が
ないのでＡｌ電極等のパターンが侵されずにシリコンウ
ェハのエッチングが可能となった。
【図１】本発明のシリコンウェハのエッチング方法の加
工順を示す説明図である。
工順を示す説明図である。
【図２】本発明のＡｌ電極のパターニングが終了したと
きのシリコンウェハの状態を示す説明図である。
きのシリコンウェハの状態を示す説明図である。
【図３】本発明のシリコンウェハとホウケイ酸ガラスを
陽極接合の状態を示す説明図である。
陽極接合の状態を示す説明図である。
【図４】本発明のシリコンウェハを５００μｍエッチン
グした状態を示す説明図である。
グした状態を示す説明図である。
【図５】本発明の接合したホウケイ酸ガラスをダイシン
グで切断した状態を示す説明図である。
グで切断した状態を示す説明図である。
【図６】従来の窒化膜をマスク材としてシリコンウェハ
をエッチングする場合の説明図である。
をエッチングする場合の説明図である。
１ シリコンウェハ ２ 窒化膜 ３ ＳｉＯ2 ５ 段差 ６ ホウケイ酸ガラス
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコンウェハ上の金属電極等が配線さ
れているパターン面に、ホウケイ酸ガラスを陽極接合
し、シリコンウェハ上のパターン面を保護することを特
徴とするシリコンウェハのエッチング方法。 - 【請求項２】 金属電極等が配線されているパターン部
がホウケイ酸ガラスと接触し接合されないようするた
め、電極等パターンの形成前にあらかじめ前記パターン
部となるところのシリコンウェハをエッチングしておく
ことを特徴とするシリコンウェハのエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP511892A JPH05190528A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | シリコンウェハのエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP511892A JPH05190528A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | シリコンウェハのエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190528A true JPH05190528A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11602413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP511892A Pending JPH05190528A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | シリコンウェハのエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190528A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794464A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-07 | Nec Corp | シリコンウエハに形成された回路パターンの保護方法と エッチング方法 |
| WO2001082374A1 (en) * | 2000-04-21 | 2001-11-01 | Teraconnect, Inc. | Precision grid standoff for optical components on opto-electronic devices |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP511892A patent/JPH05190528A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794464A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-07 | Nec Corp | シリコンウエハに形成された回路パターンの保護方法と エッチング方法 |
| WO2001082374A1 (en) * | 2000-04-21 | 2001-11-01 | Teraconnect, Inc. | Precision grid standoff for optical components on opto-electronic devices |
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