JPS62125633A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62125633A JPS62125633A JP26528885A JP26528885A JPS62125633A JP S62125633 A JPS62125633 A JP S62125633A JP 26528885 A JP26528885 A JP 26528885A JP 26528885 A JP26528885 A JP 26528885A JP S62125633 A JPS62125633 A JP S62125633A
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- Japan
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- etching
- acid
- silicon
- film
- ammonium fluoride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板上のアルミニウム・シリコン膜の
エツチングを確実に行なえる半導体装置の製造方法に関
するものである。
エツチングを確実に行なえる半導体装置の製造方法に関
するものである。
半導体基板上のアルミニウム・シリコン膜（以下へ！合
金膜と略記する。）を所定■マスクを用いてエツチング
処理を施すことにより、前記Ａ！会全金膜微細パターン
を形成する半導体装置の製造方法（お＾で、前記Ａ７合
金膜をリン酸・硝酸・酢酸および弗酸あるｌＡは弗化ア
ンモニウムで構成されるエツチング液ヲ用いてエツチン
グすることにより、シリコンの残渣物を皆無にしたもの
である。
金膜と略記する。）を所定■マスクを用いてエツチング
処理を施すことにより、前記Ａ！会全金膜微細パターン
を形成する半導体装置の製造方法（お＾で、前記Ａ７合
金膜をリン酸・硝酸・酢酸および弗酸あるｌＡは弗化ア
ンモニウムで構成されるエツチング液ヲ用いてエツチン
グすることにより、シリコンの残渣物を皆無にしたもの
である。
従来のＡ１合金膜のエツチングは、リン酸・硝酸および
酢酸の混合液（以下へ！エツチング液と略記する。）で
エツチングしていた。
酢酸の混合液（以下へ！エツチング液と略記する。）で
エツチングしていた。
しかし、前述の従来技術では、ＡＪ会全金膜エツチング
後にシリコンの残渣物が残ってしまい、配線間の電流リ
ークになる。これは、ＡＡエツチング液ではシリコンは
エツチングできない為シリコン粒が残渣物として基板表
面に残ってしまう為に発生する。
後にシリコンの残渣物が残ってしまい、配線間の電流リ
ークになる。これは、ＡＡエツチング液ではシリコンは
エツチングできない為シリコン粒が残渣物として基板表
面に残ってしまう為に発生する。
本発明は、この様な問題点を解決するもので、その目的
とするところＵ、Ａｆエツチング液の組暇を工夫するこ
とにより、シリコンの残渣物を皆無にできる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
とするところＵ、Ａｆエツチング液の組暇を工夫するこ
とにより、シリコンの残渣物を皆無にできる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
半導体基板上のＡ１合金膜を、所定のマスクを用いてエ
ツチング処理を施すことにより、前記Ａ１合金膜に微細
パターンを形成する半導体装置の製造方法において、前
記Ａ１合金膜をＡＩ／エツチング液に若干の弗酸あるい
は弗化アンモニウムを若干添加してエツチング除去する
ことを特徴とする。
ツチング処理を施すことにより、前記Ａ１合金膜に微細
パターンを形成する半導体装置の製造方法において、前
記Ａ１合金膜をＡＩ／エツチング液に若干の弗酸あるい
は弗化アンモニウムを若干添加してエツチング除去する
ことを特徴とする。
本発明の作用を述べれば、従来のＡ！エツチング液では
シリコンはエツチングできな１．／−ｈＯで、シリコン
が残り表面Ｋｍ出してくる。このシリコンはへ！エツチ
ング液中の硝酸により表面が酸化され、酸化シリコン膜
が生じている。この酸化シリコン＠け弗酸により容易に
エツチングされるので、へ！エツチング液に若干の弗酸
あるいけ弗化アンモニウムを混入することにより、硝酸
によるシリコン表面の酸化、弗酸による酸化シリコン膜
のエツチングが繰返し行なわれ、シリコンがエツチング
除去される。
シリコンはエツチングできな１．／−ｈＯで、シリコン
が残り表面Ｋｍ出してくる。このシリコンはへ！エツチ
ング液中の硝酸により表面が酸化され、酸化シリコン膜
が生じている。この酸化シリコン＠け弗酸により容易に
エツチングされるので、へ！エツチング液に若干の弗酸
あるいけ弗化アンモニウムを混入することにより、硝酸
によるシリコン表面の酸化、弗酸による酸化シリコン膜
のエツチングが繰返し行なわれ、シリコンがエツチング
除去される。
以下、本発明について、実施例に木づき杵細に説明する
。
。
＠１図は本発明の実施例を工程順に示す図である。まず
（α）図の如く、半導体集積回路金形改するための半導
体基板１上に厚い絶縁膜２を形□し、次ＫＡＡ合金膜３
を全面に形成する１次に配線パターン形成するためのレ
ジスト形成をしたものを（ｂ）図に示す。
（α）図の如く、半導体集積回路金形改するための半導
体基板１上に厚い絶縁膜２を形□し、次ＫＡＡ合金膜３
を全面に形成する１次に配線パターン形成するためのレ
ジスト形成をしたものを（ｂ）図に示す。
次に容積比で０．３％程度Ｏ弗酸を混入したへ！エツチ
ング液ヲ用い、Ａｉ合金膜のエツチングを行なったもの
を（Ｃ）図に示す。
ング液ヲ用い、Ａｉ合金膜のエツチングを行なったもの
を（Ｃ）図に示す。
この様に、若干の弗酸を混入したＡＡエツチング液によ
りＡ１合金膜をエツチングした場合、アルミニウムのエ
ツチング過程でへ！合金膜表面に露出するシリコンμ弗
酸の働きでエツチングされてしまい、Ａ７合金膜のエツ
チング終了的には、半導体基板表面には全く残らない。
りＡ１合金膜をエツチングした場合、アルミニウムのエ
ツチング過程でへ！合金膜表面に露出するシリコンμ弗
酸の働きでエツチングされてしまい、Ａ７合金膜のエツ
チング終了的には、半導体基板表面には全く残らない。
ここで混入する弗酸Ｖ）針は、ＡＡエツチング組□ある
いはＡノエッチング液の液温等の条件によって違いがあ
るが、およそ０．３チ程度混入すれば効果は十分である
。又、酸化シリコン膜のエツチング液として知られてい
る弗化アンモニウムあるいは弗化アンモニウムに２０％
程度の弗酸を混入した酸化シリコン嗅エツチング液を混
入しても同様の効果があることが確認されている。
いはＡノエッチング液の液温等の条件によって違いがあ
るが、およそ０．３チ程度混入すれば効果は十分である
。又、酸化シリコン膜のエツチング液として知られてい
る弗化アンモニウムあるいは弗化アンモニウムに２０％
程度の弗酸を混入した酸化シリコン嗅エツチング液を混
入しても同様の効果があることが確認されている。
以上述べたように％本発明は、弗酸あるいは弗化アンモ
ニウムを若干混入させＡＩ／エツチング液を用いてＡ！
合金＠をエツチング除去することにより、シリコンの残
渣物が皆無■半導体装置が製造可能である。この様にし
て製造した半導体集積回路は配線間のリークも問題にな
らないので増々微細比の進む半導体集積回路製造技術に
利用できるものである。
ニウムを若干混入させＡＩ／エツチング液を用いてＡ！
合金＠をエツチング除去することにより、シリコンの残
渣物が皆無■半導体装置が製造可能である。この様にし
て製造した半導体集積回路は配線間のリークも問題にな
らないので増々微細比の進む半導体集積回路製造技術に
利用できるものである。
＝５−
第１図（ａ） （ｂ） （ｃ）は、本発明による実施列
の半導体装置の工程図である。 第２図（ハ））（ｂ） （Ｃ）は、従来例の半導体装置
Ｏ工程図である。 １−１１は半導体基板 ２・１２は絶縁膜 ３・１３はＡ１合金膜 ４−１４はレジスト膜 ５は弗酸を混入したＡノエッチング液 １５はＡ！エツチング液 １６はシリコン■残渣物 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 Ｊ： 務他１名箋
−ユｄ
−へペイ
の半導体装置の工程図である。 第２図（ハ））（ｂ） （Ｃ）は、従来例の半導体装置
Ｏ工程図である。 １−１１は半導体基板 ２・１２は絶縁膜 ３・１３はＡ１合金膜 ４−１４はレジスト膜 ５は弗酸を混入したＡノエッチング液 １５はＡ！エツチング液 １６はシリコン■残渣物 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 Ｊ： 務他１名箋
−ユｄ
−へペイ
Claims (1)
- 半導体基板上のアルミニウム・シリコン膜を、所定のマ
スクを用いてエッチング処理を施すことにより、前記ア
ルミニウム・シリコン膜に微細パターンを形成する半導
体装置の製造方法において、前記アルミニウム・シリコ
ン膜をリン酸・硝酸・酢酸および弗酸あるいは弗化アン
モニウムで構成されているエッチング液でエッチング除
去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26528885A JPS62125633A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26528885A JPS62125633A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62125633A true JPS62125633A (ja) | 1987-06-06 |
Family
ID=17415129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26528885A Pending JPS62125633A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62125633A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176500A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Nec Corp | エッチング方法 |
| US5580800A (en) * | 1993-03-22 | 1996-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of patterning aluminum containing group IIIb Element |
| US5830786A (en) * | 1993-02-22 | 1998-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for fabricating electronic circuits with anodically oxidized scandium doped aluminum wiring |
| US6136767A (en) * | 1997-03-03 | 2000-10-24 | Micron Technology, Inc. | Dilute composition cleaning method |
| US6313048B1 (en) | 1997-03-03 | 2001-11-06 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition and method for using same |
| US6486108B1 (en) | 2000-05-31 | 2002-11-26 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| JP2009253000A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 型半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-11-26 JP JP26528885A patent/JPS62125633A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5830786A (en) * | 1993-02-22 | 1998-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for fabricating electronic circuits with anodically oxidized scandium doped aluminum wiring |
| US5580800A (en) * | 1993-03-22 | 1996-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of patterning aluminum containing group IIIb Element |
| JPH07176500A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Nec Corp | エッチング方法 |
| US6841525B2 (en) | 1997-03-03 | 2005-01-11 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition and method for using same |
| US6313048B1 (en) | 1997-03-03 | 2001-11-06 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition and method for using same |
| US6384001B2 (en) | 1997-03-03 | 2002-05-07 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition |
| US6596647B2 (en) | 1997-03-03 | 2003-07-22 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition and method for using the same |
| US6136767A (en) * | 1997-03-03 | 2000-10-24 | Micron Technology, Inc. | Dilute composition cleaning method |
| US6486108B1 (en) | 2000-05-31 | 2002-11-26 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| US6831047B2 (en) | 2000-05-31 | 2004-12-14 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| US7067466B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| US7067465B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabricating |
| US7087561B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-08-08 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| US7135444B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-11-14 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| JP2009253000A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 型半導体装置の製造方法 |
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