JPH07176500A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
- Publication number
- JPH07176500A JPH07176500A JP31758393A JP31758393A JPH07176500A JP H07176500 A JPH07176500 A JP H07176500A JP 31758393 A JP31758393 A JP 31758393A JP 31758393 A JP31758393 A JP 31758393A JP H07176500 A JPH07176500 A JP H07176500A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- aluminum
- ammonium fluoride
- resist
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明はフォトリソグラフィ法を用いたアルミ
ニウムないしアルミニウム合金（以下、アルミニウムと
略称する）のエッチング工程において、エッチング面が
アルミニウム表面に対して９０度以下の角度を有して、
簡単かつ再現性よくエッチングしうる方法を提供するこ
とにある。 【構成】基板１上にアルミニウム層２を成膜し、アルミ
ニウム表面にマスクとしてレジスト３を被着させ、アル
ミニウム層２をリン酸、酢酸、硝酸及び１０％以下のフ
ッ化アンモニウム溶液を含むエッチング液でエッチング
させ、レジスト３を除去する。この工程により、アルミ
ニウム層のステップ１１が平滑でかつ角度θも９０°以
下となるようなエッチング面を得ることができる。
ニウムないしアルミニウム合金（以下、アルミニウムと
略称する）のエッチング工程において、エッチング面が
アルミニウム表面に対して９０度以下の角度を有して、
簡単かつ再現性よくエッチングしうる方法を提供するこ
とにある。 【構成】基板１上にアルミニウム層２を成膜し、アルミ
ニウム表面にマスクとしてレジスト３を被着させ、アル
ミニウム層２をリン酸、酢酸、硝酸及び１０％以下のフ
ッ化アンモニウム溶液を含むエッチング液でエッチング
させ、レジスト３を除去する。この工程により、アルミ
ニウム層のステップ１１が平滑でかつ角度θも９０°以
下となるようなエッチング面を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置及びサーマ
ルヘッドのアルミニウム電極のパターニングに関し、特
にステップ部のエッチング面を９０°以下に形成するエ
ッチング方法に関する。
ルヘッドのアルミニウム電極のパターニングに関し、特
にステップ部のエッチング面を９０°以下に形成するエ
ッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来のエッチング方法により厚
さｄのアルミニウム膜のエッチング工程を示した図で
（ａ）〜（ｃ）はそれぞれウエハ断面図である。図３
（ａ）に示すように、基板１の上に形成されたアルミニ
ウム膜２の表面にマスクとしてレジスト３を被着させ、
図３（ｂ）の用に所定の厚さｄだけアルミニウム膜２を
リン酸、酢酸、硝酸を含むエッチング液によってエッチ
ングを行ない、最後に図３（ｃ）の用にレジスト３を除
去する。
さｄのアルミニウム膜のエッチング工程を示した図で
（ａ）〜（ｃ）はそれぞれウエハ断面図である。図３
（ａ）に示すように、基板１の上に形成されたアルミニ
ウム膜２の表面にマスクとしてレジスト３を被着させ、
図３（ｂ）の用に所定の厚さｄだけアルミニウム膜２を
リン酸、酢酸、硝酸を含むエッチング液によってエッチ
ングを行ない、最後に図３（ｃ）の用にレジスト３を除
去する。
【０００３】この工程は、ウエットエッチングであるた
め、エッチングが等方的に進行し、その結果エッチング
端は図３（ｃ）に示す点Ｏを中心とした円弧ＰＱとな
る。従って、アルミニウム表面とエッチングされた面と
なす角が大きく、特にエッチングの終端部分Ｑでは、エ
ッチング端とアルミニウム表面とのなす角度ｅはほぼ９
０°となる。従来より半導体集積回路やサーマルヘッド
等の金属配線としてアルミニウム層、絶縁膜として二酸
化硅素や窒化硅素等のシリコン化合物が用いられること
が多い。この際、アルミニウム電極のステップ部が表面
に対して垂直に近い状態では、絶縁膜がこのステップ部
を完全に被覆することが困難で、クラックの発生を引き
起こし、また絶縁膜上に金属膜を成膜するとショートを
発生させる原因にもなる。
め、エッチングが等方的に進行し、その結果エッチング
端は図３（ｃ）に示す点Ｏを中心とした円弧ＰＱとな
る。従って、アルミニウム表面とエッチングされた面と
なす角が大きく、特にエッチングの終端部分Ｑでは、エ
ッチング端とアルミニウム表面とのなす角度ｅはほぼ９
０°となる。従来より半導体集積回路やサーマルヘッド
等の金属配線としてアルミニウム層、絶縁膜として二酸
化硅素や窒化硅素等のシリコン化合物が用いられること
が多い。この際、アルミニウム電極のステップ部が表面
に対して垂直に近い状態では、絶縁膜がこのステップ部
を完全に被覆することが困難で、クラックの発生を引き
起こし、また絶縁膜上に金属膜を成膜するとショートを
発生させる原因にもなる。
【０００４】従来、アルミニウム膜のエッチング後のク
ラック発生防止を行うため、エッチングした面を斜めに
するという考えがある。エッチング面を斜めにする技術
として、絶縁膜となる二酸化珪素膜をフッ化水素酸・フ
ッ化アンモニウム混合液でエッチングすることが特開昭
６０−８６８２５号公報によって知られている。二酸化
珪素膜の場合、フォトレジストとの密着性が低くフッ化
水素・フッ化アンモニウム混合液でエッチング面を斜め
にすることができるが、アルミニウム膜の場合、フォト
レジストとの密着性が強いので、同じ混合液でエッチン
グするという考えは当業者にとって想像つかないことで
あり、実際、その二酸化珪素膜をエッチングする同じ技
術をアルミニウム膜のエッチングに適用するという考え
はなかった。このため従来、アルミニウム膜のエッチン
グ面を斜めにするため、アルミニウム膜を陽極酸化して
いた。これは図３（ａ）のウエハ又は基板をショウ酸を
含んだ電解液に浸け、アルミニウム膜を陽極にして表面
酸化してエッチングする方法である。
ラック発生防止を行うため、エッチングした面を斜めに
するという考えがある。エッチング面を斜めにする技術
として、絶縁膜となる二酸化珪素膜をフッ化水素酸・フ
ッ化アンモニウム混合液でエッチングすることが特開昭
６０−８６８２５号公報によって知られている。二酸化
珪素膜の場合、フォトレジストとの密着性が低くフッ化
水素・フッ化アンモニウム混合液でエッチング面を斜め
にすることができるが、アルミニウム膜の場合、フォト
レジストとの密着性が強いので、同じ混合液でエッチン
グするという考えは当業者にとって想像つかないことで
あり、実際、その二酸化珪素膜をエッチングする同じ技
術をアルミニウム膜のエッチングに適用するという考え
はなかった。このため従来、アルミニウム膜のエッチン
グ面を斜めにするため、アルミニウム膜を陽極酸化して
いた。これは図３（ａ）のウエハ又は基板をショウ酸を
含んだ電解液に浸け、アルミニウム膜を陽極にして表面
酸化してエッチングする方法である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のアルミ
ニウム膜のエッチング方法は、エッチング面を斜め、す
なわち、表面に対して９０度以下にすることができる
が、エッチング後工程としてアルミニウムの酸化膜の除
去が必要となり、めんどうであった。
ニウム膜のエッチング方法は、エッチング面を斜め、す
なわち、表面に対して９０度以下にすることができる
が、エッチング後工程としてアルミニウムの酸化膜の除
去が必要となり、めんどうであった。
【０００６】本発明は、上記したような問題点を解消す
るもので、フォトリソグラフィ法を用いたアルミニウム
及びアルミニウム合金のエッチング工程において、エッ
チング面が表面に対して９０度以下の角度を有して簡単
かつ再現性よくエッチングしうる方法を提供することに
ある。
るもので、フォトリソグラフィ法を用いたアルミニウム
及びアルミニウム合金のエッチング工程において、エッ
チング面が表面に対して９０度以下の角度を有して簡単
かつ再現性よくエッチングしうる方法を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体表面に
アルミニウム又はアルミニウム合金を形成し、該アルミ
ニウム又はアルミニウム合金層上にフォトレジストを被
着させ所定パターンを形成した後、該パターンをマスク
としてアルミニウム及びアルミニウム合金をエッチング
する場合、フッ化アンモニウム溶液混合エッチング液に
よってエッチングすることを特徴とするものである。
アルミニウム又はアルミニウム合金を形成し、該アルミ
ニウム又はアルミニウム合金層上にフォトレジストを被
着させ所定パターンを形成した後、該パターンをマスク
としてアルミニウム及びアルミニウム合金をエッチング
する場合、フッ化アンモニウム溶液混合エッチング液に
よってエッチングすることを特徴とするものである。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。ここで、アルミニウムないしアルミニウム合金を
総称してアルミニウムと略称するものとする。
する。ここで、アルミニウムないしアルミニウム合金を
総称してアルミニウムと略称するものとする。
【０００９】図２は、本発明の実施例を示し、（ａ）〜
（ｄ）はエッチング工程を示すウエハ断面図である。図
２（ａ）に示すように、基板１の上に形成したアルミニ
ウム膜２の表面にマスクとしてレジスト３を被着させ
る。ここで、アルミニウムエッチング液に対して２〜５
％のフッ化アンモニウム溶液を加えてエッチングを行な
うと図２（ｂ）の様にレジスト３がエッチング端Ａから
剥離してレジスト３とアルミニウム膜２の表面との間に
エッチング液が侵入する。その時、ＡＢ間でのエッチン
グ速度は、エッチング液の攪拌性より、Ａ部で大きくＢ
部で小さくなり、エッチング液はＣの方向へ侵入してい
く。その後、図２（ｃ）に示す通り、厚さｄまでエッチ
ングを行い、レジストを除去すると図２（ｄ）の様にス
テップ１１が平滑でかつ角度θも９０度以上となるよう
な斜めのエッチング面を得ることができる。
（ｄ）はエッチング工程を示すウエハ断面図である。図
２（ａ）に示すように、基板１の上に形成したアルミニ
ウム膜２の表面にマスクとしてレジスト３を被着させ
る。ここで、アルミニウムエッチング液に対して２〜５
％のフッ化アンモニウム溶液を加えてエッチングを行な
うと図２（ｂ）の様にレジスト３がエッチング端Ａから
剥離してレジスト３とアルミニウム膜２の表面との間に
エッチング液が侵入する。その時、ＡＢ間でのエッチン
グ速度は、エッチング液の攪拌性より、Ａ部で大きくＢ
部で小さくなり、エッチング液はＣの方向へ侵入してい
く。その後、図２（ｃ）に示す通り、厚さｄまでエッチ
ングを行い、レジストを除去すると図２（ｄ）の様にス
テップ１１が平滑でかつ角度θも９０度以上となるよう
な斜めのエッチング面を得ることができる。
【００１０】図２は、アルミニウムエッチング液のフッ
化アンモニウム溶液の量に対するエッチング面の角度θ
を示したもので、フッ化アンモニウム溶液の量を多くす
ると、エッチング面の角度θが小さくなることがわか
る。このことから、フッ化アンモニウム溶液の量を多く
するほど、アルミニウム膜とレジストとの付着力を低下
させ、剥離作用を大きくさせるといえる。ただし、フッ
化アンモニウム溶液を１０％以上加えると剥離作用が大
きくなり過ぎて、レジストがマスクとしての機能を損な
う。
化アンモニウム溶液の量に対するエッチング面の角度θ
を示したもので、フッ化アンモニウム溶液の量を多くす
ると、エッチング面の角度θが小さくなることがわか
る。このことから、フッ化アンモニウム溶液の量を多く
するほど、アルミニウム膜とレジストとの付着力を低下
させ、剥離作用を大きくさせるといえる。ただし、フッ
化アンモニウム溶液を１０％以上加えると剥離作用が大
きくなり過ぎて、レジストがマスクとしての機能を損な
う。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ア
ルミニウム電極のエッチング面を９０度以下にすること
ができ、該アルミニウム層上に成膜した絶縁膜のクラッ
クの発生やそれに伴うショートの発生を防止することが
可能となり、半導体集積回路やサーマルヘッドの信頼性
向上に寄与できる。また、エッチングによって酸化膜を
形成しないので、酸化膜除去などの工程が不要となる。
ルミニウム電極のエッチング面を９０度以下にすること
ができ、該アルミニウム層上に成膜した絶縁膜のクラッ
クの発生やそれに伴うショートの発生を防止することが
可能となり、半導体集積回路やサーマルヘッドの信頼性
向上に寄与できる。また、エッチングによって酸化膜を
形成しないので、酸化膜除去などの工程が不要となる。
【図１】図１は本発明の実施例のエッチング方法を示
し、（ａ），（ｂ），（ｃ）及び（ｄ）はそれぞれ断面
図である。
し、（ａ），（ｂ），（ｃ）及び（ｄ）はそれぞれ断面
図である。
【図２】図２はアルミニウムエッチング液のフッ化アン
モニウム液量に対するエッチング面の角度θの関係を示
す図である。
モニウム液量に対するエッチング面の角度θの関係を示
す図である。
【図３】図３は従来のアルミニウム層のエッチング工程
を示し、（ａ），（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ断面図で
ある。
を示し、（ａ），（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ断面図で
ある。
１ 基板 ２ アリミニウム及びアルミニウム電極 ３ レジスト １１ ステップ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3213
Claims (3)
- 【請求項１】 基板の表面にアルミニウムないしアルミ
ニウム合金を形成し、該アルミニウムないしアルミニウ
ム合金層上にフォトレジストを被着させ所定パターンを
形成した後、該パターンをマスクとして前記アルミニウ
ムないしアルミニウム合金をエッチングする方法におい
て、フッ化アンモニウム溶液混合エッチング液によって
エッチングすることを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項２】 前記フッ化アンモニウム溶液混合エッチ
ング液は１０％以下のフッ化アンモニウム溶液を含むこ
とを特徴とする請求項１に記載されたエッチング方法。 - 【請求項３】 前記フッ化アンモニウム溶液混合エッチ
ング液は２〜５％のフッ化アンモニウム溶液を含むこと
を特徴とする請求項１に記載されたエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31758393A JPH07176500A (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31758393A JPH07176500A (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176500A true JPH07176500A (ja) | 1995-07-14 |
Family
ID=18089860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31758393A Pending JPH07176500A (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07176500A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007025703A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Samsung Electronics Co Ltd | アレイ基板及びその製造方法並びに表示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924082A (ja) * | 1972-06-26 | 1974-03-04 | ||
| JPS62125633A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-06 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-12-17 JP JP31758393A patent/JPH07176500A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4924082A (ja) * | 1972-06-26 | 1974-03-04 | ||
| JPS62125633A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-06 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007025703A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Samsung Electronics Co Ltd | アレイ基板及びその製造方法並びに表示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970708 |