JPS59202638A - 微細パタ−ンのエツチング方法 - Google Patents
微細パタ−ンのエツチング方法Info
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- JPS59202638A JPS59202638A JP7744083A JP7744083A JPS59202638A JP S59202638 A JPS59202638 A JP S59202638A JP 7744083 A JP7744083 A JP 7744083A JP 7744083 A JP7744083 A JP 7744083A JP S59202638 A JPS59202638 A JP S59202638A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、光を用いたリングラフィでも１μｍ以下のコ
ンタクト穴、配線などが容易に形成りきる微細パターン
のエツチング方法を提供するものであり、超高周波トラ
ンジスタ、大規模集積回路に適用できる。
ンタクト穴、配線などが容易に形成りきる微細パターン
のエツチング方法を提供するものであり、超高周波トラ
ンジスタ、大規模集積回路に適用できる。
微細パターンは一般に短波長の光を用いたり、Ｘ線、電
子線を用いて形成されている。
子線を用いて形成されている。
本発明の目的は、光リングラフィでも１μｍ以下のコン
タクト穴、配線が容易に形成できる方法を提供すること
である。
タクト穴、配線が容易に形成できる方法を提供すること
である。
上記目的を達成するために、本発明の構成は、被エツチ
ング物上に多結晶Ｓｉを堆積し、該多結晶Ｓｉを金属シ
リサイドに変換するようにしたものである。この変換工
程において金属シリサイドは体積増加するため、この現
象を利用すれば１μｍ以下のパターンが容易に形成され
る。また、金属クリサイドはフッ酸、四フッ化炭素ガス
でエツチングされないため、Ｓ ｊＣｈ 、Ｓ ｊａＮ
４のマスクとして適する。
ング物上に多結晶Ｓｉを堆積し、該多結晶Ｓｉを金属シ
リサイドに変換するようにしたものである。この変換工
程において金属シリサイドは体積増加するため、この現
象を利用すれば１μｍ以下のパターンが容易に形成され
る。また、金属クリサイドはフッ酸、四フッ化炭素ガス
でエツチングされないため、Ｓ ｊＣｈ 、Ｓ ｊａＮ
４のマスクとして適する。
以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。第１
図に示すように、表面に絶縁膜２を形成したＳｉ基板１
上に多結晶８ｉ３を堆積した後、通常のホトエツチング
法により多結晶の一部を除去する。このときのコンタク
トの大きさをｔｌ とする。次に、第２図に示すように
、パラジウム、白金、ニッケルなどの金属４を堆積する
。次に、２５０〜５００Ｃで熱処理すると上記金属と多
結晶Ｓｉの間で反応が起こり、金属シリサイド５が形成
される。上記金属のみをエツチングし、金属シリサイド
をエツチングしない液（パラジウムの場合はＮＨ＜
Ｉ Ｉ２又はＫＩＩ２溶液、白金の場合は王水）を用
いて未反応の金属をエツチング除去すると第３図のよう
になる。多結晶Ｓｉがすべて金属シリサイドに変換する
と膜厚が約２倍になるためｔ２は１．よりも多結晶Ｓｌ
の膜厚の２倍分だけ減少する。従って、ｔｌ 二１μｍ
とし、多結晶Ｓ１の膜厚を０．２５μｍとして、多結晶
Ｓ１を金属シリサイドに変えるとｔ２＝０．５μｍとな
る。次に、第４図に示すように、絶縁膜２をエツチング
除去後、拡散層６を形成する。金属シリサイド５の一部
はこのまま残して低抵抗配緋として利用してもよいし、
拡散層形成後、王水でエツチング除去してもよい。
図に示すように、表面に絶縁膜２を形成したＳｉ基板１
上に多結晶８ｉ３を堆積した後、通常のホトエツチング
法により多結晶の一部を除去する。このときのコンタク
トの大きさをｔｌ とする。次に、第２図に示すように
、パラジウム、白金、ニッケルなどの金属４を堆積する
。次に、２５０〜５００Ｃで熱処理すると上記金属と多
結晶Ｓｉの間で反応が起こり、金属シリサイド５が形成
される。上記金属のみをエツチングし、金属シリサイド
をエツチングしない液（パラジウムの場合はＮＨ＜
Ｉ Ｉ２又はＫＩＩ２溶液、白金の場合は王水）を用
いて未反応の金属をエツチング除去すると第３図のよう
になる。多結晶Ｓｉがすべて金属シリサイドに変換する
と膜厚が約２倍になるためｔ２は１．よりも多結晶Ｓｌ
の膜厚の２倍分だけ減少する。従って、ｔｌ 二１μｍ
とし、多結晶Ｓ１の膜厚を０．２５μｍとして、多結晶
Ｓ１を金属シリサイドに変えるとｔ２＝０．５μｍとな
る。次に、第４図に示すように、絶縁膜２をエツチング
除去後、拡散層６を形成する。金属シリサイド５の一部
はこのまま残して低抵抗配緋として利用してもよいし、
拡散層形成後、王水でエツチング除去してもよい。
以上詳述したように、本発明によれば、最初、多結晶Ｓ
１に１μｍ程度のコンタクト穴を開けておけば、金属シ
リサイドの膜厚を制御することによす、０．５μｍ程度
のコンタクト穴が容易に得られる。本発明で述べた絶縁
膜としては酸化膜、窒化膜、アルミナ膜、酸化タンタル
膜などがある。
１に１μｍ程度のコンタクト穴を開けておけば、金属シ
リサイドの膜厚を制御することによす、０．５μｍ程度
のコンタクト穴が容易に得られる。本発明で述べた絶縁
膜としては酸化膜、窒化膜、アルミナ膜、酸化タンタル
膜などがある。
また、本発明は絶縁膜の代シに配線用金属膜を月」いれ
ば０．５μｍ程匿０配線も形成可能である。
ば０．５μｍ程匿０配線も形成可能である。
第１図乃至第４図はそれぞれ本発明の一実施例を示す素
子の断面図門口である。 １・・・３ｉ基板、２・・・絶縁膜、３・・・多結晶シ
リコン、４・・・遷移金属、５・・・金属シリサイド、
６・・・拡散＋ｍ。−代理人 弁理士 高橋明夫６′） 第 １ γン 第５
子の断面図門口である。 １・・・３ｉ基板、２・・・絶縁膜、３・・・多結晶シ
リコン、４・・・遷移金属、５・・・金属シリサイド、
６・・・拡散＋ｍ。−代理人 弁理士 高橋明夫６′） 第 １ γン 第５
Claims (1)
- １、半導体基板上に形成された絶縁膜および金属膜をホ
トエツチングするにあだシ、該絶縁膜および該金属膜上
に多結晶シリコンを堆積する工程、該多結晶シリコンを
ホトエツチング法によりエツチング除去する工程、前記
半導体基板上にパラジウム、白金、ニッケルなどの金属
を堆積後、熱処理して前記多結晶シリコンの全部または
一部を７リサイドに変換する工程、該シリサイド上に残
った未反応の金属のみを選択的にエツチング除去する工
程、前記絶縁膜または金属膜をシリサイドをマスクにし
てエツチング除去する工程を含んでなることを特徴とす
る微細パターンのエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7744083A JPS59202638A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | 微細パタ−ンのエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7744083A JPS59202638A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | 微細パタ−ンのエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59202638A true JPS59202638A (ja) | 1984-11-16 |
Family
ID=13634081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7744083A Pending JPS59202638A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | 微細パタ−ンのエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59202638A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7265040B2 (en) * | 2002-12-05 | 2007-09-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning solution and method for selectively removing layer in a silicidation process |
-
1983
- 1983-05-04 JP JP7744083A patent/JPS59202638A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7265040B2 (en) * | 2002-12-05 | 2007-09-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning solution and method for selectively removing layer in a silicidation process |
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