JPS5863149A - 光導体装置の電極製造方法 - Google Patents
光導体装置の電極製造方法Info
- Publication number
- JPS5863149A JPS5863149A JP16093581A JP16093581A JPS5863149A JP S5863149 A JPS5863149 A JP S5863149A JP 16093581 A JP16093581 A JP 16093581A JP 16093581 A JP16093581 A JP 16093581A JP S5863149 A JPS5863149 A JP S5863149A
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- Japan
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- molybdenum
- silicon
- electrode
- oxide film
- silicon oxide
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置用電極の製造方法に関するものであ
り、特に弗酸に対して耐性を有する金塊たとえばモリブ
デンをマスクにしたリフトオフ法を用いることによシ、
シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜の窓の部分
に対して段差の全くない同一平面上に電極を形成する方
法に関するものである。
り、特に弗酸に対して耐性を有する金塊たとえばモリブ
デンをマスクにしたリフトオフ法を用いることによシ、
シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜の窓の部分
に対して段差の全くない同一平面上に電極を形成する方
法に関するものである。
従来は、シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜に
対する窓あけおよびその窓部分への電極形成技術として
は、ホトレジスト（たとえばＡＺ−１３５０、Ｔ）を用
いていた。この場合、ホトレジストのみを用いると、ホ
トレジストをマスクにシテシリコン酸化膜の窓あけを行
うに際し、レジストパターン形成時にプリベーク（約６
０°Ｃ）だけでは、弗酸に対する耐性が得られないため
ボストベーク（１７０〜２００°Ｃ）が必要である。し
かしこの場合、シリコン酸化膜をエツチングし、電極金
属を蒸着した後リフトオフ法によシリコン基板上の電極
金塊をホトレジストと共に除去するとき、ボストベーク
を経ているのでレジスト剥離が非常に困難であル、シリ
コン酸化膜上のホトレジストが完全に取シきれないとい
う問題があった。また他の問題としてシリコン酸化膜の
窓あけ後に、ホトレジストを剥離し、直接基板シリコン
およびシリコン酸化膜上へ電極金属を付着させるときに
は、ホトレシスｌＩＩｍ法としてアルカリ系の専用リム
ーバを使う方法あるいはプラズマ酸化（アッシャ）また
は硫酸と過酸化水素水の混合液（ピラニア）を使う方法
がある。前者は窓の基板シリコンがエツチングされてし
まうという欠点があり、後者もシリコン表面が若干酸化
されてしまうので後で、弗酸でエツチングしなければな
らないという欠点があった。いずれも実際のデバイス製
造時には、拡散層がエツチングされることになるので重
大な障害となっていた。
対する窓あけおよびその窓部分への電極形成技術として
は、ホトレジスト（たとえばＡＺ−１３５０、Ｔ）を用
いていた。この場合、ホトレジストのみを用いると、ホ
トレジストをマスクにシテシリコン酸化膜の窓あけを行
うに際し、レジストパターン形成時にプリベーク（約６
０°Ｃ）だけでは、弗酸に対する耐性が得られないため
ボストベーク（１７０〜２００°Ｃ）が必要である。し
かしこの場合、シリコン酸化膜をエツチングし、電極金
属を蒸着した後リフトオフ法によシリコン基板上の電極
金塊をホトレジストと共に除去するとき、ボストベーク
を経ているのでレジスト剥離が非常に困難であル、シリ
コン酸化膜上のホトレジストが完全に取シきれないとい
う問題があった。また他の問題としてシリコン酸化膜の
窓あけ後に、ホトレジストを剥離し、直接基板シリコン
およびシリコン酸化膜上へ電極金属を付着させるときに
は、ホトレシスｌＩＩｍ法としてアルカリ系の専用リム
ーバを使う方法あるいはプラズマ酸化（アッシャ）また
は硫酸と過酸化水素水の混合液（ピラニア）を使う方法
がある。前者は窓の基板シリコンがエツチングされてし
まうという欠点があり、後者もシリコン表面が若干酸化
されてしまうので後で、弗酸でエツチングしなければな
らないという欠点があった。いずれも実際のデバイス製
造時には、拡散層がエツチングされることになるので重
大な障害となっていた。
本発明はこれらの問題を解決するためにホトレジストを
使って弗酸に耐性のある金塊たとえばモリブデンのマス
クパターンを形成し、このモリブデンをマスクにしてシ
リコン酸化膜の窓あけを行い、電極゛金属の蒸着後、モ
リブデンを除去することに上シミ極金鵬をリフトオフす
ることを特徴とし、その目的は基板シリコンがエツチン
グされずに同一平面上にシリコン酸化膜層と段差のない
電極を形成することを目的とする。
使って弗酸に耐性のある金塊たとえばモリブデンのマス
クパターンを形成し、このモリブデンをマスクにしてシ
リコン酸化膜の窓あけを行い、電極゛金属の蒸着後、モ
リブデンを除去することに上シミ極金鵬をリフトオフす
ることを特徴とし、その目的は基板シリコンがエツチン
グされずに同一平面上にシリコン酸化膜層と段差のない
電極を形成することを目的とする。
本発明の実施例として図を用いて電極形成の工程を説明
する。まず、第１図ではシリコン基板１上のシリコン酸
化膜２の上に弗酸に対して耐性を有する金属たとえばモ
リブデン３を電子ビーム蒸着により０．２μｍ程度付着
させたものである。なお、モリブデンのピンホール等を
軽減する目的で必要ならば蒸着前にウェハのアセトンボ
イルを行い、かつモリブデン蒸着時に約３００°Ｃに基
板加熱しながら行う。第２図ではホトレジスト４（たと
えばＡＺ −１３５０，７）を使ったホトエツチング法
によりモリブデンのマスクパターンを形成した状態であ
′シ、その後ホトレジストをアルカリ系専用リムーバを
使って剥離し、第３図に示すようにモリブデンをマスク
にして緩衝弗酸によシリコン酸化膜をエツチングする。
する。まず、第１図ではシリコン基板１上のシリコン酸
化膜２の上に弗酸に対して耐性を有する金属たとえばモ
リブデン３を電子ビーム蒸着により０．２μｍ程度付着
させたものである。なお、モリブデンのピンホール等を
軽減する目的で必要ならば蒸着前にウェハのアセトンボ
イルを行い、かつモリブデン蒸着時に約３００°Ｃに基
板加熱しながら行う。第２図ではホトレジスト４（たと
えばＡＺ −１３５０，７）を使ったホトエツチング法
によりモリブデンのマスクパターンを形成した状態であ
′シ、その後ホトレジストをアルカリ系専用リムーバを
使って剥離し、第３図に示すようにモリブデンをマスク
にして緩衝弗酸によシリコン酸化膜をエツチングする。
このとき、緩衝弗酸によってはモリブデンはエッチされ
ないし、シリコン酸化膜とシリコン表面の段差が生ずる
恐れもない。第４図は電極金属５（たとえばアルミニウ
ム）を電子ビーム蒸着法によ、力付着させたものであり
、第５図はモリブデンを過酸化水素水等によってエツチ
ングすることによシ、シリコン酸化膜上の電極金属をリ
フトオンした状態である。
ないし、シリコン酸化膜とシリコン表面の段差が生ずる
恐れもない。第４図は電極金属５（たとえばアルミニウ
ム）を電子ビーム蒸着法によ、力付着させたものであり
、第５図はモリブデンを過酸化水素水等によってエツチ
ングすることによシ、シリコン酸化膜上の電極金属をリ
フトオンした状態である。
以上説明した様に、本発明の方法を用いれば弗酸に対し
て耐性のある金属たとえばモリブデンをマスクとして使
用するのであるから、基板シリコンがエツチングされず
にシリコン酸化膜の窓あけを行うことが可能であシ、か
つ窓あけに続いて電極金属を付着させた後もモリブデン
をエツチングすることによシ、容易にシリコン酸化膜上
の電極金属をリフトオフすることができ、同一シリコン
平面上にシリコン酸化膜層および電極金属を段差なく形
成することができるという利点がある。またこの方法は
、実用デバイスに適用した場合、拡散層がエツチングさ
れずに済むために、歩留シが著しく改善されるという大
きな効果をもたらす。
て耐性のある金属たとえばモリブデンをマスクとして使
用するのであるから、基板シリコンがエツチングされず
にシリコン酸化膜の窓あけを行うことが可能であシ、か
つ窓あけに続いて電極金属を付着させた後もモリブデン
をエツチングすることによシ、容易にシリコン酸化膜上
の電極金属をリフトオフすることができ、同一シリコン
平面上にシリコン酸化膜層および電極金属を段差なく形
成することができるという利点がある。またこの方法は
、実用デバイスに適用した場合、拡散層がエツチングさ
れずに済むために、歩留シが著しく改善されるという大
きな効果をもたらす。
第１図はシリコン酸化膜上にモリブデンを蒸着した状態
、第２図はモリブデン上にレジスト（ＡＺ−１３５０，
７）を塗布し、ホトエツチングによシレジストパターン
を形成し、レジストをマスクにしてモリブデンをエツチ
ングした状態、第３図はレジストを剥離後モリブデンを
マスクにしてシリコン（５） 酸化膜をエツチングした状態、第４図はアルミニウムを
蒸着した状態、第５図はモリブデンをエツチングするこ
とによシアルミニウムをリフトオンした状態を示す。 １・・・シリコン基板、２・・・シリコン酸化膜、３・
・・モリブデン、４・・・レジスト、５・・・アルミニ
ウム特許出願人 （６）
、第２図はモリブデン上にレジスト（ＡＺ−１３５０，
７）を塗布し、ホトエツチングによシレジストパターン
を形成し、レジストをマスクにしてモリブデンをエツチ
ングした状態、第３図はレジストを剥離後モリブデンを
マスクにしてシリコン（５） 酸化膜をエツチングした状態、第４図はアルミニウムを
蒸着した状態、第５図はモリブデンをエツチングするこ
とによシアルミニウムをリフトオンした状態を示す。 １・・・シリコン基板、２・・・シリコン酸化膜、３・
・・モリブデン、４・・・レジスト、５・・・アルミニ
ウム特許出願人 （６）
Claims (1)
- シリコン上に形成されたシリコン酸化膜上に、弗酸に対
して耐性をもち、かつ当該金塊のエツチング液が電極金
塊に対して耐性をもつ金属を付着させ、これをパターニ
ングしたのち、当該金属をマスクにしてシリコン酸化膜
をエツチングし、続いて電極金属を形成したのち当該金
属をエツチング除去することによシ、シリコン酸化膜上
の電極金塊をリフトオフによシ除去することを特徴とす
る半導体装置の電極製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16093581A JPS5863149A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 光導体装置の電極製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16093581A JPS5863149A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 光導体装置の電極製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5863149A true JPS5863149A (ja) | 1983-04-14 |
Family
ID=15725414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16093581A Pending JPS5863149A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 光導体装置の電極製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5863149A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100364831B1 (ko) * | 2000-03-20 | 2002-12-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 몰리브덴 금속막용 에칭 용액 |
-
1981
- 1981-10-12 JP JP16093581A patent/JPS5863149A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100364831B1 (ko) * | 2000-03-20 | 2002-12-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 몰리브덴 금속막용 에칭 용액 |
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