JP2778127B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2778127B2 JP2778127B2 JP1169496A JP16949689A JP2778127B2 JP 2778127 B2 JP2778127 B2 JP 2778127B2 JP 1169496 A JP1169496 A JP 1169496A JP 16949689 A JP16949689 A JP 16949689A JP 2778127 B2 JP2778127 B2 JP 2778127B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- refractory metal
- aluminum
- metal film
- titanium tungsten
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にバリアメ
タルを有する配線の形成方法に関する。
タルを有する配線の形成方法に関する。
バリアメタルを有するアルミニウム配線の形成方法と
して、ドライエッチングによる２段階エッチング法が広
く採用されている。
して、ドライエッチングによる２段階エッチング法が広
く採用されている。
はじめに第２図（ａ）に示すようにシリコン基板１の
表面に、絶縁膜２とバリアメタルとして高融点金属であ
るチタンタングステン膜３とアルミニウム膜４を、順次
堆積してからフォトレジスト膜５に配線パターンを形成
する。
表面に、絶縁膜２とバリアメタルとして高融点金属であ
るチタンタングステン膜３とアルミニウム膜４を、順次
堆積してからフォトレジスト膜５に配線パターンを形成
する。
つぎに第２図（ｂ）に示すように、塩素系のガスを用
いた反応性イオンエッチングにより、アルミニウム膜４
をエッチングしてアルミニウム配線4Aを形成する。
いた反応性イオンエッチングにより、アルミニウム膜４
をエッチングしてアルミニウム配線4Aを形成する。
つぎに第２図（ｃ）に示すように、ふっ素系または塩
素系のガスを用いた反応性イオンエッチングによりチタ
ンタングステン膜３をエッチングしてアルミニウム配線
4Aの形成を完了する。
素系のガスを用いた反応性イオンエッチングによりチタ
ンタングステン膜３をエッチングしてアルミニウム配線
4Aの形成を完了する。
前項に述べた従来の製造方法では、第２図（ｃ）に示
すように高融点金属膜３のサイドエッチング７が発生す
ることがある。
すように高融点金属膜３のサイドエッチング７が発生す
ることがある。
また反応性イオンエッチングの場合、リーク電流の増
大などの原因となる残渣８が残り易く、残渣８を除去す
るためにはオーバーエッチングが必要で下地の絶縁膜２
の膜減り量が大きくなる。
大などの原因となる残渣８が残り易く、残渣８を除去す
るためにはオーバーエッチングが必要で下地の絶縁膜２
の膜減り量が大きくなる。
本発明の目的は、高融点金属膜のサイドエッチングや
残渣を解消し、下地の絶縁膜の膜減り量を軽減すること
にある。
残渣を解消し、下地の絶縁膜の膜減り量を軽減すること
にある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板表面に
絶縁膜と第１の高融点金属を順次堆積したのち、アルミ
ニウム膜またはアルミニウム合金膜を堆積してから、配
線パターンのフォトレジスト膜をマスクにして、前記ア
ルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を反応性イオン
エッチングしてから前記フォトレジスト膜を除去し、さ
らに前記第１の高融点金属膜と同一材質からなる第２の
高融点金属膜を前記第１の高融点金属膜より厚く堆積
し、再度反応性イオンエッチングにより前記第２の高融
点金属膜の平坦部をエッチングすることにより、前記第
１の高融点金属膜および既にパターニングされている前
記アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜からなる配
線の側壁に残った前記第２の高融点金属膜を等方性エッ
チングすることから構成されている。
絶縁膜と第１の高融点金属を順次堆積したのち、アルミ
ニウム膜またはアルミニウム合金膜を堆積してから、配
線パターンのフォトレジスト膜をマスクにして、前記ア
ルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を反応性イオン
エッチングしてから前記フォトレジスト膜を除去し、さ
らに前記第１の高融点金属膜と同一材質からなる第２の
高融点金属膜を前記第１の高融点金属膜より厚く堆積
し、再度反応性イオンエッチングにより前記第２の高融
点金属膜の平坦部をエッチングすることにより、前記第
１の高融点金属膜および既にパターニングされている前
記アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜からなる配
線の側壁に残った前記第２の高融点金属膜を等方性エッ
チングすることから構成されている。
つぎに本発明について、図面を参照して説明する。
はじめに第１図（ａ）に示すように、シリコン基板１
の表面に絶縁膜２、バリアメタルとして高融点金属であ
る第１のチタンタングステン膜３（厚さ0.1μｍ）およ
びアルミニウム膜４（厚さ0.8μｍ）を順次堆積し、フ
ォトレジスト膜５に配線パターンを形成する。
の表面に絶縁膜２、バリアメタルとして高融点金属であ
る第１のチタンタングステン膜３（厚さ0.1μｍ）およ
びアルミニウム膜４（厚さ0.8μｍ）を順次堆積し、フ
ォトレジスト膜５に配線パターンを形成する。
つぎに第１図（ｂ）に示すように、塩素系のガス（例
えばBCl3またはCCl4）を用いた反応性イオンエッチング
により、アルミニウム膜４をエッチングしてアルミニウ
ム配線4Aを形成する。
えばBCl3またはCCl4）を用いた反応性イオンエッチング
により、アルミニウム膜４をエッチングしてアルミニウ
ム配線4Aを形成する。
つぎに第１図（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜
５を除去したのち、再び第２のチタンタングステン膜６
（厚さ0.2μｍ）を堆積する。第２のチタンタングステ
ン膜６は、第１のチタンタングステン膜３よりも厚くし
なければならない。
５を除去したのち、再び第２のチタンタングステン膜６
（厚さ0.2μｍ）を堆積する。第２のチタンタングステ
ン膜６は、第１のチタンタングステン膜３よりも厚くし
なければならない。
つぎに第１図（ｄ）に示すように、ふっ素系ガス（例
えばCF4またはSF6）を用いた反応性イオンエッチングに
より、平坦部の第２のチタンタングステン膜６がなくな
るまでエッチングする。このときアルミニウム配線4Aの
側壁には第２のチタンタングステン膜6Aが残る。
えばCF4またはSF6）を用いた反応性イオンエッチングに
より、平坦部の第２のチタンタングステン膜６がなくな
るまでエッチングする。このときアルミニウム配線4Aの
側壁には第２のチタンタングステン膜6Aが残る。
このとき第１のチタンタングステン膜3Aが残っていな
ければならないことから、第２のチタンタングステン膜
６は第１のチタンタングステン膜3Aよりも厚くなければ
ならないということがわかる。
ければならないことから、第２のチタンタングステン膜
６は第１のチタンタングステン膜3Aよりも厚くなければ
ならないということがわかる。
つぎに第１図（ｅ）に示すように、等方性エッチング
（例えばH2O2を用いたウェットエッチング、またはCF4
＋O2ガスを用いたプラズマエッチング）により第１のチ
タンタングステン膜３とアルミニウム配線4Aの側壁の第
２のチタンタングステン膜6Aをエッチングする。
（例えばH2O2を用いたウェットエッチング、またはCF4
＋O2ガスを用いたプラズマエッチング）により第１のチ
タンタングステン膜３とアルミニウム配線4Aの側壁の第
２のチタンタングステン膜6Aをエッチングする。
高融点金属膜３および６としては、チタンタングステ
ン膜の替りにチタン膜または窒化チタン膜で置き代える
ことも可能である。
ン膜の替りにチタン膜または窒化チタン膜で置き代える
ことも可能である。
上述の実施例で用いたアルミニウム膜の代りに、アル
ミニウム合金膜で置き代えることも可能である。
ミニウム合金膜で置き代えることも可能である。
以上説明したように本発明は、アルミニウム配線4Aの
側壁の第２のチタンタングステン膜6Aを等方性エッチン
グで除去することにより、サイドエッチング７や残渣８
がなく、また下地の絶縁膜２の膜減り量も少なくできる
効果がある。
側壁の第２のチタンタングステン膜6Aを等方性エッチン
グで除去することにより、サイドエッチング７や残渣８
がなく、また下地の絶縁膜２の膜減り量も少なくできる
効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例を工程順に示す
断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は従来の技術を工程順に
示す断面図である。 １……シリコン基板、２……絶縁膜、３……チタンタン
グステン膜、3A……第１のチタンタングステン膜、４…
…アルミニウム膜、4A……アルミニウム配線、５……フ
ォトレジスト膜、６……第２のチタンタングステン膜、
6A……側壁の第２のチタンタングステン膜、７……サイ
ドエッチング、８……残渣。
断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は従来の技術を工程順に
示す断面図である。 １……シリコン基板、２……絶縁膜、３……チタンタン
グステン膜、3A……第１のチタンタングステン膜、４…
…アルミニウム膜、4A……アルミニウム配線、５……フ
ォトレジスト膜、６……第２のチタンタングステン膜、
6A……側壁の第２のチタンタングステン膜、７……サイ
ドエッチング、８……残渣。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板表面に絶縁膜と第１の高融点金
属を順次堆積したのち、アルミニウム膜またはアルミニ
ウム合金膜を堆積してから、配線パターンのフォトレジ
スト膜をマスクにして、前記アルミニウム膜またはアル
ミニウム合金膜を反応性イオンエッチングしてから前記
フォトレジスト膜を除去し、さらに前記第１の高融点金
属膜と同一材質からなる第２の高融点金属膜を前記第１
の高融点金属膜より厚く堆積し、再度反応性イオンエッ
チングにより前記第２の高融点金属膜の平坦部がなくな
るまでエッチングし、さらに露出している前記第１の高
融点金属膜および既にパターニングされている前記アル
ミニウム膜またはアルミニウム合金膜からなる配線の側
壁に残った前記第２の高融点金属膜を等方性エッチング
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169496A JP2778127B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169496A JP2778127B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334319A JPH0334319A (ja) | 1991-02-14 |
| JP2778127B2 true JP2778127B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=15887601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1169496A Expired - Lifetime JP2778127B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2778127B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1187262A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7244671B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-07-17 | Unitive International Limited | Methods of forming conductive structures including titanium-tungsten base layers and related structures |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP1169496A patent/JP2778127B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0334319A (ja) | 1991-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09129622A (ja) | 炭化ケイ素のエッチング方法 | |
| TW417165B (en) | Manufacturing method for reducing the critical dimension of the wire and gap | |
| US5915198A (en) | Contact process using taper contact etching and polycide step | |
| JP2778127B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1064910A (ja) | 基板上に金属パターンを形成する方法 | |
| JP2003151954A5 (ja) | ||
| JP3941629B2 (ja) | 金属配線のエッチング方法 | |
| JPH1041389A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2629721B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2003282700A (ja) | ホール形成方法 | |
| JPH0653334A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2998164B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7205243B2 (en) | Process for producing a mask on a substrate | |
| JPH03248429A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07263406A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07135198A (ja) | エッチング方法 | |
| KR100568098B1 (ko) | 금속 패턴 형성 방법 | |
| JP2001230255A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20030091452A (ko) | 피팅 현상을 방지하는 패턴 형성 방법 | |
| JPS6119132A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0154931B1 (ko) | 메탈층 패턴 형성 방법 | |
| JP2002246393A (ja) | メタル配線形成方法 | |
| KR0174945B1 (ko) | 메탈층 패턴 형성 방법 | |
| JPH06125010A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6386453A (ja) | 半導体装置の製造方法 |