JP2003282700A - ホール形成方法 - Google Patents
ホール形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 露光装置の解像度による限界を超えてさらに
微小なコンタクトホールを形成する。 【解決手段】 基板２に、被加工対象膜８を形成し、被
加工対象膜の表面に、多結晶シリコン膜１０を形成し、
多結晶シリコン膜の表面に、マスク用の絶縁膜１２を形
成し、マスク用の絶縁膜の表面に、レジスト膜１４を形
成する。さらに、レジスト膜に、ホール１６を形成し、
このホールの形成されたレジスト膜をマスクとして、マ
スク用の絶縁膜を、側壁部に斜度を設けたホール１８が
形成されるようにエッチングし、このエッチングされた
マスク用の絶縁膜をマスクとして、前記多結晶シリコン
膜をエッチングし、このエッチングされた多結晶シリコ
ン膜をマスクとして、被加工対象膜にコンタクトホール
２２を形成する。
微小なコンタクトホールを形成する。 【解決手段】 基板２に、被加工対象膜８を形成し、被
加工対象膜の表面に、多結晶シリコン膜１０を形成し、
多結晶シリコン膜の表面に、マスク用の絶縁膜１２を形
成し、マスク用の絶縁膜の表面に、レジスト膜１４を形
成する。さらに、レジスト膜に、ホール１６を形成し、
このホールの形成されたレジスト膜をマスクとして、マ
スク用の絶縁膜を、側壁部に斜度を設けたホール１８が
形成されるようにエッチングし、このエッチングされた
マスク用の絶縁膜をマスクとして、前記多結晶シリコン
膜をエッチングし、このエッチングされた多結晶シリコ
ン膜をマスクとして、被加工対象膜にコンタクトホール
２２を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ホール形成方法
に関する。さらに具体的には、基板に形成された絶縁膜
にエッチングにより、微細なコンタクトホールを形成す
る方法に関するものである。
に関する。さらに具体的には、基板に形成された絶縁膜
にエッチングにより、微細なコンタクトホールを形成す
る方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化、微細化に
伴い、半導体装置の製造工程において形成されるコンタ
クトホール等のホールについても微細化が要求されてい
る。
伴い、半導体装置の製造工程において形成されるコンタ
クトホール等のホールについても微細化が要求されてい
る。
【０００３】図９（ａ）〜（ｃ）は、従来のコンタクト
ホール形成方法の各工程を説明するための断面模式図で
あり、図１０は、従来のコンタクトホール形成方法を説
明するためのフロー図である。以下、図９及び図１０を
用いて、従来のコンタクトホールの形成方法について説
明する。
ホール形成方法の各工程を説明するための断面模式図で
あり、図１０は、従来のコンタクトホール形成方法を説
明するためのフロー図である。以下、図９及び図１０を
用いて、従来のコンタクトホールの形成方法について説
明する。
【０００４】まず、図９（ａ）に示すように、拡散層４
を有する基板２に形成された酸化膜８の表面に、レジス
ト膜１４を形成する（ステップＳ４０）。その後、図９
（ｂ）に示すように、レジスト膜１４に、露光、現像処
理を行い、ホール１６を形成する（ステップＳ４２）。
を有する基板２に形成された酸化膜８の表面に、レジス
ト膜１４を形成する（ステップＳ４０）。その後、図９
（ｂ）に示すように、レジスト膜１４に、露光、現像処
理を行い、ホール１６を形成する（ステップＳ４２）。
【０００５】次に、図９（ｃ）に示すように、ホール１
６の形成されたレジスト膜１４をマスクとして、酸化膜
８にエッチングを施す（ステップＳ４４）。その後、レ
ジスト膜１４を除去する（ステップＳ４６）。このよう
にして、酸化膜８にコンタクトホール３０を形成するこ
とができる。
６の形成されたレジスト膜１４をマスクとして、酸化膜
８にエッチングを施す（ステップＳ４４）。その後、レ
ジスト膜１４を除去する（ステップＳ４６）。このよう
にして、酸化膜８にコンタクトホール３０を形成するこ
とができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、コンタ
クトホール３０は、エッチングにより形成されるが、こ
こで、マスクとして用いられるのは、ホール１６の形成
されたレジスト膜１４である。従って、コンタクトホー
ル３０の大きさは、レジスト膜１４に形成されるホール
１６の大きさによって左右されるため、コンタクトホー
ル３０は、ホール１６より小さくすることができない。
このため、上述のような方法により、微細なコンタクト
ホール２６を形成するためには、要求されるコンタクト
ホールより微細なホールをレジスト膜に形成しなければ
ならない。
クトホール３０は、エッチングにより形成されるが、こ
こで、マスクとして用いられるのは、ホール１６の形成
されたレジスト膜１４である。従って、コンタクトホー
ル３０の大きさは、レジスト膜１４に形成されるホール
１６の大きさによって左右されるため、コンタクトホー
ル３０は、ホール１６より小さくすることができない。
このため、上述のような方法により、微細なコンタクト
ホール２６を形成するためには、要求されるコンタクト
ホールより微細なホールをレジスト膜に形成しなければ
ならない。
【０００７】また、ホール１６の寸法の制限は、レジス
ト膜１４にレジストパターン１６を形成する際に用いる
露光装置の解像度Ｒによって決定される。従って、微細
なレジストパターンを形成するためには、露光装置の解
像度Ｒを高くする必要がある。
ト膜１４にレジストパターン１６を形成する際に用いる
露光装置の解像度Ｒによって決定される。従って、微細
なレジストパターンを形成するためには、露光装置の解
像度Ｒを高くする必要がある。
【０００８】また、露光装置の解像度Ｒは、一般に、Ｒ
＝ｋ・λ／ＮＡと表され、使用されるレジストや、光
源、レンズの開口数により決定される。なお、ここで、
ｋは、レジストにより決定される係数、λは、光源の波
長、ＮＡはレンズの開口数を示す。従って、解像度Ｒを
高くするには、レジストや、光源、レンズの開口数を変
化させる必要がある。しかし、レジストや光源の波長や
レンズの開口数の変化により解像度Ｒを高くするには限
界があるため、必ずしも、微細化するコンタクトホール
の形成に対応できる微細なホールをレジスト膜に形成で
きない場合がある。
＝ｋ・λ／ＮＡと表され、使用されるレジストや、光
源、レンズの開口数により決定される。なお、ここで、
ｋは、レジストにより決定される係数、λは、光源の波
長、ＮＡはレンズの開口数を示す。従って、解像度Ｒを
高くするには、レジストや、光源、レンズの開口数を変
化させる必要がある。しかし、レジストや光源の波長や
レンズの開口数の変化により解像度Ｒを高くするには限
界があるため、必ずしも、微細化するコンタクトホール
の形成に対応できる微細なホールをレジスト膜に形成で
きない場合がある。
【０００９】従って、この発明は、露光装置の解像度の
制限による、コンタクトホールの微細化の制限を越え
て、より微細なコンタクトホールを形成することを目的
として、改良したコンタクトホールの形成方法を提案す
るものである。
制限による、コンタクトホールの微細化の制限を越え
て、より微細なコンタクトホールを形成することを目的
として、改良したコンタクトホールの形成方法を提案す
るものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明におけるホール
形成方法は、基板に、被加工対象膜を形成する被加工対
象膜形成工程と、前記被加工対象膜の表面に、多結晶シ
リコン膜を形成する多結晶シリコン膜形成工程と、前記
多結晶シリコン膜の表面に、マスク用の絶縁膜を形成す
る絶縁膜形成工程と、前記マスク用の絶縁膜の表面に、
レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジ
スト膜に、ホールを形成するホール形成工程と、前記ホ
ール形成工程においてホールの形成された前記レジスト
膜をマスクとして、前記マスク用の絶縁膜を、側壁部に
斜度を設けたホールが形成されるようにエッチングする
絶縁膜エッチング工程と、前記絶縁膜エッチング工程に
おいてエッチングされた前記マスク用の絶縁膜をマスク
として、前記多結晶シリコン膜をエッチングする多結晶
シリコン膜エッチング工程と、前記多結晶シリコン膜エ
ッチング工程において、エッチングされた前記多結晶シ
リコン膜をマスクとして、前記被加工対象膜にコンタク
トホールを形成するコンタクトホール形成工程と、を備
えるものである。
形成方法は、基板に、被加工対象膜を形成する被加工対
象膜形成工程と、前記被加工対象膜の表面に、多結晶シ
リコン膜を形成する多結晶シリコン膜形成工程と、前記
多結晶シリコン膜の表面に、マスク用の絶縁膜を形成す
る絶縁膜形成工程と、前記マスク用の絶縁膜の表面に、
レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジ
スト膜に、ホールを形成するホール形成工程と、前記ホ
ール形成工程においてホールの形成された前記レジスト
膜をマスクとして、前記マスク用の絶縁膜を、側壁部に
斜度を設けたホールが形成されるようにエッチングする
絶縁膜エッチング工程と、前記絶縁膜エッチング工程に
おいてエッチングされた前記マスク用の絶縁膜をマスク
として、前記多結晶シリコン膜をエッチングする多結晶
シリコン膜エッチング工程と、前記多結晶シリコン膜エ
ッチング工程において、エッチングされた前記多結晶シ
リコン膜をマスクとして、前記被加工対象膜にコンタク
トホールを形成するコンタクトホール形成工程と、を備
えるものである。
【００１１】また、この発明におけるホール形成方法
は、前記被加工膜形成工程の前に、前記基板に保護用の
絶縁膜を形成する保護用絶縁膜形成工程と、前記コンタ
クトホール形成工程の後、前記コンタクトホールの底部
に露出する前記保護用の絶縁膜をエッチングにより除去
する保護用絶縁膜除去工程と、を備えるものである。
は、前記被加工膜形成工程の前に、前記基板に保護用の
絶縁膜を形成する保護用絶縁膜形成工程と、前記コンタ
クトホール形成工程の後、前記コンタクトホールの底部
に露出する前記保護用の絶縁膜をエッチングにより除去
する保護用絶縁膜除去工程と、を備えるものである。
【００１２】また、この発明におけるホール形成方法
は、前記マスク用の絶縁膜が、窒化膜であるものであ
る。
は、前記マスク用の絶縁膜が、窒化膜であるものであ
る。
【００１３】また、この発明におけるホール形成方法
は、前記多結晶シリコン膜形成工程と、前記絶縁膜形成
工程との間に、前記多結晶シリコン膜の表面に酸化膜を
形成する酸化膜形成工程を備え、前記絶縁膜エッチング
工程と、多結晶シリコン膜エッチング工程との間に、前
記酸化膜のエッチングを行う酸化膜エッチング工程を備
えるものである。
は、前記多結晶シリコン膜形成工程と、前記絶縁膜形成
工程との間に、前記多結晶シリコン膜の表面に酸化膜を
形成する酸化膜形成工程を備え、前記絶縁膜エッチング
工程と、多結晶シリコン膜エッチング工程との間に、前
記酸化膜のエッチングを行う酸化膜エッチング工程を備
えるものである。
【００１４】また、この発明におけるホール形成方法
は、前記被加工対象膜が、酸化膜であるものである。
は、前記被加工対象膜が、酸化膜であるものである。
【００１５】また、この発明におけるホール形成方法
は、前記保護用の絶縁膜が、窒化膜であるものである。
は、前記保護用の絶縁膜が、窒化膜であるものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、この発明の
実施の形態について説明する。なお、各図において、同
一または相当する部分には同一符号を付してその説明を
省略ないし簡略化する。
実施の形態について説明する。なお、各図において、同
一または相当する部分には同一符号を付してその説明を
省略ないし簡略化する。
【００１７】実施の形態１．図１は、この発明の実施の
形態１におけるホール形成前の積層状態を示す断面模式
図である。
形態１におけるホール形成前の積層状態を示す断面模式
図である。
【００１８】図１において、拡散層４が形成されたＳｉ
基板２の表面には、窒化膜６が形成されている。窒化膜
６は、後に説明する多結晶シリコン膜１０の除去の際、
Ｓｉ基板２に形成された拡散層４を保護するための保護
膜である。また、窒化膜６の表面には、酸化膜８が形成
されている。酸化膜８は、実施の形態１において、コン
タクトホールを形成する対象となる被加工膜である。
基板２の表面には、窒化膜６が形成されている。窒化膜
６は、後に説明する多結晶シリコン膜１０の除去の際、
Ｓｉ基板２に形成された拡散層４を保護するための保護
膜である。また、窒化膜６の表面には、酸化膜８が形成
されている。酸化膜８は、実施の形態１において、コン
タクトホールを形成する対象となる被加工膜である。
【００１９】酸化膜８の表面には、多結晶シリコン膜１
０が形成されている。多結晶シリコン膜１０の厚さは約
３００ｎｍである。また、多結晶シリコン膜１０の表面
には、窒化膜１２が形成されている。窒化膜１２の厚さ
は、約１００ｎｍ〜２００ｎｍである。さらに、窒化膜
１２の表面には、レジスト膜１４が形成されている。
０が形成されている。多結晶シリコン膜１０の厚さは約
３００ｎｍである。また、多結晶シリコン膜１０の表面
には、窒化膜１２が形成されている。窒化膜１２の厚さ
は、約１００ｎｍ〜２００ｎｍである。さらに、窒化膜
１２の表面には、レジスト膜１４が形成されている。
【００２０】このようにして、被加工膜である酸化膜８
の表面に形成された、多結晶シリコン膜１０、窒化膜１
２及びレジスト膜１４が、実施の形態１において、酸化
膜８にコンタクトホールを形成する際のマスクとしての
役割を果たす。
の表面に形成された、多結晶シリコン膜１０、窒化膜１
２及びレジスト膜１４が、実施の形態１において、酸化
膜８にコンタクトホールを形成する際のマスクとしての
役割を果たす。
【００２１】図２は、この発明の実施の形態１における
酸化膜８にコンタクトホール２２が形成された状態を示
す断面模式図である。但し、図２においては、コンタク
トホール２２を形成する際、マスクとして用いられ、コ
ンタクトホール２２の形成後は、実際には除去されてい
る膜をも表している。さらに、図２においては、各膜の
エッチングの際、マスクとして用いられる膜のホール部
分が、左右方向にもエッチングされて後退することによ
る、ホールの大きさの広がりについては、無視して表さ
れている。
酸化膜８にコンタクトホール２２が形成された状態を示
す断面模式図である。但し、図２においては、コンタク
トホール２２を形成する際、マスクとして用いられ、コ
ンタクトホール２２の形成後は、実際には除去されてい
る膜をも表している。さらに、図２においては、各膜の
エッチングの際、マスクとして用いられる膜のホール部
分が、左右方向にもエッチングされて後退することによ
る、ホールの大きさの広がりについては、無視して表さ
れている。
【００２２】図２において、レジスト膜１４には、ホー
ル１６が形成されている。ホール１６は、実際に要求さ
れるコンタクトホール２２よりも大きく形成されてい
る。なお、ホール１６の形成されたレジスト膜１４は、
その下層の窒化膜１２をエッチングする際に、マスクと
して用いられた後、除去される膜である。
ル１６が形成されている。ホール１６は、実際に要求さ
れるコンタクトホール２２よりも大きく形成されてい
る。なお、ホール１６の形成されたレジスト膜１４は、
その下層の窒化膜１２をエッチングする際に、マスクと
して用いられた後、除去される膜である。
【００２３】窒化膜１２には、ホール１６の形成された
レジスト膜１４をマスクとして形成されたホール１８が
設けられている。ホール１８は、側壁に斜度を設けたテ
ーパー形状のホールである。即ち、ホール１８は、窒化
膜１２がレジスト膜１４に接する部分においては、コン
タクトホール２２よりも大きなレジスト膜１４のホール
１６と同じ大きさに開口している。一方、多結晶シリコ
ン膜１０に接する部分においては、実際に酸化膜に形成
されるコンタクトホール２２の大きさと、後に続くエッ
チングの際、ホール部分が左右方向にエッチングされる
量とを考慮して、要求されるコンタクトホール２２より
小さく開口している。なお、窒化膜１２は、多結晶シリ
コン膜１０のエッチングの際、マスクとして用いられた
後、除去される膜である。
レジスト膜１４をマスクとして形成されたホール１８が
設けられている。ホール１８は、側壁に斜度を設けたテ
ーパー形状のホールである。即ち、ホール１８は、窒化
膜１２がレジスト膜１４に接する部分においては、コン
タクトホール２２よりも大きなレジスト膜１４のホール
１６と同じ大きさに開口している。一方、多結晶シリコ
ン膜１０に接する部分においては、実際に酸化膜に形成
されるコンタクトホール２２の大きさと、後に続くエッ
チングの際、ホール部分が左右方向にエッチングされる
量とを考慮して、要求されるコンタクトホール２２より
小さく開口している。なお、窒化膜１２は、多結晶シリ
コン膜１０のエッチングの際、マスクとして用いられた
後、除去される膜である。
【００２４】多結晶シリコン膜１０には、窒化膜１２を
マスクとして形成されたホール２０が形成されている。
ホール２０は、エッチングの際に左右方向にエッチング
される量を考慮して、実際のコンタクトホール２２の大
きさより小さく開口されている。また、ホール２０は、
Ｓｉ基板２表面に対して、側壁の垂直な通常のホール形
状を有する。なお、多結晶シリコン膜１０は、酸化膜８
のエッチングの際、マスクとして用いられた後、除去さ
れる膜である。
マスクとして形成されたホール２０が形成されている。
ホール２０は、エッチングの際に左右方向にエッチング
される量を考慮して、実際のコンタクトホール２２の大
きさより小さく開口されている。また、ホール２０は、
Ｓｉ基板２表面に対して、側壁の垂直な通常のホール形
状を有する。なお、多結晶シリコン膜１０は、酸化膜８
のエッチングの際、マスクとして用いられた後、除去さ
れる膜である。
【００２５】酸化膜８及び窒化膜６には、レジスト膜１
４に形成されたホール２４より微細なコンタクトホール
２２及び２４が形成されている。
４に形成されたホール２４より微細なコンタクトホール
２２及び２４が形成されている。
【００２６】図３（ａ）〜（ｅ）、図４（ａ）〜（ｄ）
は、この発明の実施の形態１におけるパターン形成の各
工程を示す断面模式図であり、図３（ａ）〜（ｅ）は、
ホール形成のため、各膜を積層する工程を示し、図４
（ａ）〜（ｄ）は、各膜に、パターニングを行う工程を
示す。また、図５は、実施の形態１により、コンタクト
ホール２２の形成された酸化膜８を含む基板を示す断面
模式図であり、図６は、コンタクトホール形成方法を説
明するためのフロー図である。以下、図３〜図６を用い
て、この発明の実施の形態１におけるホール形成方法に
ついて説明する。
は、この発明の実施の形態１におけるパターン形成の各
工程を示す断面模式図であり、図３（ａ）〜（ｅ）は、
ホール形成のため、各膜を積層する工程を示し、図４
（ａ）〜（ｄ）は、各膜に、パターニングを行う工程を
示す。また、図５は、実施の形態１により、コンタクト
ホール２２の形成された酸化膜８を含む基板を示す断面
模式図であり、図６は、コンタクトホール形成方法を説
明するためのフロー図である。以下、図３〜図６を用い
て、この発明の実施の形態１におけるホール形成方法に
ついて説明する。
【００２７】まず、図３（ａ）に示すように、拡散層４
の形成されたＳｉ基板２の表面に、ＣＶＤ法により、窒
化膜６を形成する（ステップＳ２）。この窒化膜６は、
多結晶シリコン膜１０の除去の際、拡散層４を保護する
保護膜となる。
の形成されたＳｉ基板２の表面に、ＣＶＤ法により、窒
化膜６を形成する（ステップＳ２）。この窒化膜６は、
多結晶シリコン膜１０の除去の際、拡散層４を保護する
保護膜となる。
【００２８】次に、図３（ｂ）に示すように、窒化膜６
の表面に、ＣＶＤ法により、酸化膜８を形成する（ステ
ップＳ４）。この酸化膜８は、コンタクトホールを形成
する被加工膜となる。
の表面に、ＣＶＤ法により、酸化膜８を形成する（ステ
ップＳ４）。この酸化膜８は、コンタクトホールを形成
する被加工膜となる。
【００２９】次に、図３（ｃ）に示すように、酸化膜８
の表面に、多結晶シリコン膜１０を形成する（ステップ
Ｓ６）。多結晶シリコン膜１０は、３００ｎｍ厚さに、
ＣＶＤ法を用いて形成される。
の表面に、多結晶シリコン膜１０を形成する（ステップ
Ｓ６）。多結晶シリコン膜１０は、３００ｎｍ厚さに、
ＣＶＤ法を用いて形成される。
【００３０】次に、図３（ｄ）に示すように、多結晶ポ
リシリコン膜１０の表面に、窒化膜１２を形成する（ス
テップＳ８）。窒化膜１２は、約１００ｎｍ〜２００ｎ
ｍの厚さに、ＣＶＤ法を用いて形成される。
リシリコン膜１０の表面に、窒化膜１２を形成する（ス
テップＳ８）。窒化膜１２は、約１００ｎｍ〜２００ｎ
ｍの厚さに、ＣＶＤ法を用いて形成される。
【００３１】次に、図３（ｅ）に示すように、窒化膜１
２の表面に、レジスト膜１４を形成する（ステップＳ１
０）。レジスト膜１４は、塗布機（コーター）により窒
化膜１２の表面に塗布される。
２の表面に、レジスト膜１４を形成する（ステップＳ１
０）。レジスト膜１４は、塗布機（コーター）により窒
化膜１２の表面に塗布される。
【００３２】続いて、図４（ａ）に示すように、ホール
１６を形成する（ステップＳ１２）。ここでは、縮小投
影露光装置を用いてレジスト膜１４を露光し、これを現
像処理することにより、レジスト膜１４にマスクパター
ンを転写し、ホール１６を形成する。ここで形成するホ
ール１６の径は、実際に要求されるコンタクトホール２
２の径より大きくなっている。
１６を形成する（ステップＳ１２）。ここでは、縮小投
影露光装置を用いてレジスト膜１４を露光し、これを現
像処理することにより、レジスト膜１４にマスクパター
ンを転写し、ホール１６を形成する。ここで形成するホ
ール１６の径は、実際に要求されるコンタクトホール２
２の径より大きくなっている。
【００３３】次に、図４（ｂ）に示すように、ホール１
６の形成されたレジスト膜１４をマスクとして、窒化膜
１２のエッチングを行う（ステップＳ１４）。これによ
り、側壁に斜度の設けられたテーパー形状のホール１８
が形成される。即ち、窒化膜１２は、レジスト膜１４と
接する上側部分においては、ホール１６と同じ大きさに
開口され、一方、多結晶シリコン膜１０と接する下側部
分においては、実際に要求されるコンタクトホール２２
より小さく開口される。ホール１８の下側部分を、実際
に形成するコンタクトホール２２の大きさより小さく開
口するのは、続くエッチングにより、窒化膜１２が、ホ
ール１８部分から、左右方向にエッチングされ、ホール
が広がる量を考慮したためである。なお、ここでは、エ
ッチングガスとして、ＣＨＦ３、ＣＦ４を用いる。ま
た、レジスト膜１４のホール１６の大きさと、コンタク
トホール２２の大きさ等を考慮して、エッチング中の電
力や気圧等のエッチング条件を調整する。
６の形成されたレジスト膜１４をマスクとして、窒化膜
１２のエッチングを行う（ステップＳ１４）。これによ
り、側壁に斜度の設けられたテーパー形状のホール１８
が形成される。即ち、窒化膜１２は、レジスト膜１４と
接する上側部分においては、ホール１６と同じ大きさに
開口され、一方、多結晶シリコン膜１０と接する下側部
分においては、実際に要求されるコンタクトホール２２
より小さく開口される。ホール１８の下側部分を、実際
に形成するコンタクトホール２２の大きさより小さく開
口するのは、続くエッチングにより、窒化膜１２が、ホ
ール１８部分から、左右方向にエッチングされ、ホール
が広がる量を考慮したためである。なお、ここでは、エ
ッチングガスとして、ＣＨＦ３、ＣＦ４を用いる。ま
た、レジスト膜１４のホール１６の大きさと、コンタク
トホール２２の大きさ等を考慮して、エッチング中の電
力や気圧等のエッチング条件を調整する。
【００３４】次に、図４（ｃ）に示すように、窒化膜１
２にホール１８を形成した後、レジスト膜１４を除去す
る（ステップＳ１６）。その後、テーパー形状のホール
１８の形成された窒化膜１２をマスクとして、多結晶シ
リコン膜１０のエッチングを行う（ステップ１８）。こ
れにより、多結晶シリコン膜１０には、窒化膜１２に形
成されたテーパー形状のホール２０の、先端の細くなっ
ている部分と同じ大きさのホール２０が形成される。な
お、ここでは、エッチングガスとして、ＨＢｒ、Ｃｌ２
を用いる。また、窒化膜２０とのエッチング選択比は、
１０である。
２にホール１８を形成した後、レジスト膜１４を除去す
る（ステップＳ１６）。その後、テーパー形状のホール
１８の形成された窒化膜１２をマスクとして、多結晶シ
リコン膜１０のエッチングを行う（ステップ１８）。こ
れにより、多結晶シリコン膜１０には、窒化膜１２に形
成されたテーパー形状のホール２０の、先端の細くなっ
ている部分と同じ大きさのホール２０が形成される。な
お、ここでは、エッチングガスとして、ＨＢｒ、Ｃｌ２
を用いる。また、窒化膜２０とのエッチング選択比は、
１０である。
【００３５】次に、図４（ｄ）に示すように、多結晶シ
リコン膜１０にホール２０を形成した後、窒化膜１２を
除去する（ステップＳ２０）。ここでは、エッチングガ
スとして、高温のリン酸液あるいはＣＦ４、Ｎ２、Ｏ２
ガスを用いたケミカルドライエッチング装置により、窒
化膜１２のみを選択的に除去する。その後、酸化膜８の
エッチングを行う（ステップ２２）。これにより、酸化
膜８にコンタクトホール２２が形成される。ここでは、
ホール２０の形成された多結晶シリコン膜１０をマスク
として、酸化膜８のエッチングを行う。エッチングガス
としては、Ｃ５Ｆ８、Ｏ２ガスを用いる。また、多結晶
シリコンとの選択比は、１５〜２０である。
リコン膜１０にホール２０を形成した後、窒化膜１２を
除去する（ステップＳ２０）。ここでは、エッチングガ
スとして、高温のリン酸液あるいはＣＦ４、Ｎ２、Ｏ２
ガスを用いたケミカルドライエッチング装置により、窒
化膜１２のみを選択的に除去する。その後、酸化膜８の
エッチングを行う（ステップ２２）。これにより、酸化
膜８にコンタクトホール２２が形成される。ここでは、
ホール２０の形成された多結晶シリコン膜１０をマスク
として、酸化膜８のエッチングを行う。エッチングガス
としては、Ｃ５Ｆ８、Ｏ２ガスを用いる。また、多結晶
シリコンとの選択比は、１５〜２０である。
【００３６】次に、図５に示すように、多結晶シリコン
膜１０を除去する（ステップＳ２４）。ここでは、ＨＢ
ｒ、Ｃｌ２をエッチングガスとして、コンタクトホール
２２の底の窒化膜６とのエッチング選択比を１０とし
て、エッチングを行って、多結晶シリコン膜を除去す
る。なお、多結晶シリコン膜１０の除去の際、窒化膜６
により、拡散層４を傷つけるのを防ぐことができる。続
いて、酸化膜８に形成されたパターン１２の開口部の底
にある窒化膜６をエッチングする（ステップ２６）。こ
れによって、窒化膜６に、ホール２４が形成される。
膜１０を除去する（ステップＳ２４）。ここでは、ＨＢ
ｒ、Ｃｌ２をエッチングガスとして、コンタクトホール
２２の底の窒化膜６とのエッチング選択比を１０とし
て、エッチングを行って、多結晶シリコン膜を除去す
る。なお、多結晶シリコン膜１０の除去の際、窒化膜６
により、拡散層４を傷つけるのを防ぐことができる。続
いて、酸化膜８に形成されたパターン１２の開口部の底
にある窒化膜６をエッチングする（ステップ２６）。こ
れによって、窒化膜６に、ホール２４が形成される。
【００３７】以上のようにして、コンタクトホール２２
を形成することができる。このように、酸化膜８とレジ
スト膜１４との間に形成された窒化膜１２を、テーパー
形状にパターニングすれば、露光装置の解像度Ｒによっ
て決まるホールの寸法の限界よりも、さらに微細なコン
タクトホールを形成することができる。
を形成することができる。このように、酸化膜８とレジ
スト膜１４との間に形成された窒化膜１２を、テーパー
形状にパターニングすれば、露光装置の解像度Ｒによっ
て決まるホールの寸法の限界よりも、さらに微細なコン
タクトホールを形成することができる。
【００３８】また、多結晶シリコン膜１０を直接テーパ
ー形状にパターニングして、これをマスクとして酸化膜
８をエッチングすると、テーパー形状の下側部分である
酸化膜８と接する部分の厚さは薄くなっているため、エ
ッチングの際、後退してしまう。このため、多結晶シリ
コン膜１０を直接マスクとして、酸化膜８をエッチング
すると、酸化膜８に形成されるコンタクトホール２２の
大きさが大きくなってしまうことが考えられる。しか
し、上述した方法によれば、多結晶シリコン膜１０の上
に、さらに、窒化膜１２を設けて、窒化膜１２をテーパ
ー形状にパターニングし、これをマスクに多結晶シリコ
ン膜１０に、側壁が基板に対して垂直な、通常の形状の
ホール２０を形成する。さらに、この多結晶シリコン膜
１０をマスクとして、酸化膜８にコンタクトホール２２
を形成する。従って、多結晶シリコン膜１０のホール２
０部分からの左右方向への大きな後退を抑え、微細なコ
ンタクトホールを形成することができる。
ー形状にパターニングして、これをマスクとして酸化膜
８をエッチングすると、テーパー形状の下側部分である
酸化膜８と接する部分の厚さは薄くなっているため、エ
ッチングの際、後退してしまう。このため、多結晶シリ
コン膜１０を直接マスクとして、酸化膜８をエッチング
すると、酸化膜８に形成されるコンタクトホール２２の
大きさが大きくなってしまうことが考えられる。しか
し、上述した方法によれば、多結晶シリコン膜１０の上
に、さらに、窒化膜１２を設けて、窒化膜１２をテーパ
ー形状にパターニングし、これをマスクに多結晶シリコ
ン膜１０に、側壁が基板に対して垂直な、通常の形状の
ホール２０を形成する。さらに、この多結晶シリコン膜
１０をマスクとして、酸化膜８にコンタクトホール２２
を形成する。従って、多結晶シリコン膜１０のホール２
０部分からの左右方向への大きな後退を抑え、微細なコ
ンタクトホールを形成することができる。
【００３９】なお、実施の形態１においては、窒化膜１
２のエッチング後、レジスト膜を除去し、多結晶シリコ
ン膜１０のエッチング後、窒化膜１２を除去する場合に
ついて説明した。しかし、例えば、多結晶シリコン膜１
０のエッチングの後、レジスト膜１４及び窒化膜１２を
除去する等、マスクとして用いた膜の除去のタイミング
は、実施の形態１において説明したものに限るものでは
ない。
２のエッチング後、レジスト膜を除去し、多結晶シリコ
ン膜１０のエッチング後、窒化膜１２を除去する場合に
ついて説明した。しかし、例えば、多結晶シリコン膜１
０のエッチングの後、レジスト膜１４及び窒化膜１２を
除去する等、マスクとして用いた膜の除去のタイミング
は、実施の形態１において説明したものに限るものでは
ない。
【００４０】また、実施の形態１において、拡散層４を
保護するための保護膜として、窒化膜６を用いたが、多
結晶シリコン１０との選択比を考慮し、多結晶シリコン
膜１０の除去の際拡散層４を保護できるものであれば、
窒化膜に限るものではない。また、窒化膜６を形成しな
いものであってもよい。
保護するための保護膜として、窒化膜６を用いたが、多
結晶シリコン１０との選択比を考慮し、多結晶シリコン
膜１０の除去の際拡散層４を保護できるものであれば、
窒化膜に限るものではない。また、窒化膜６を形成しな
いものであってもよい。
【００４１】また、コンタクトホール２２を形成する被
加工対象膜として、酸化膜８を用いて説明したが、被加
工対象膜は、酸化膜に限るものではない。また、テーパ
ー形状のホール１８を形成するマスク用の膜として、窒
化膜を用いて説明したが、この膜は、窒化膜に限らず、
他の絶縁膜であってもよい。
加工対象膜として、酸化膜８を用いて説明したが、被加
工対象膜は、酸化膜に限るものではない。また、テーパ
ー形状のホール１８を形成するマスク用の膜として、窒
化膜を用いて説明したが、この膜は、窒化膜に限らず、
他の絶縁膜であってもよい。
【００４２】また、ここでは、窒化膜１２は、約１００
〜２００ｎｍ、多結晶シリコン膜１０は、３００ｎｍの
厚さを備える。窒化膜１２の厚さＸは、多結晶シリコン
膜の厚さＹと以下の式（１）の関係にあることが望まし
いと考えられる。 Ｘ＞Ｙ／Ｓ ・・・・（１） なお、ここで、Ｓは、選択比、即ち、多結晶シリコンの
エッチレートを窒化膜のエッチレートで割った値であ
る。しかし、必ずしもこの数値にかぎるものではなく、
レジスト膜１４のホール１６の大きさや、窒化膜１２に
形成すべきテーパー形状等を考慮して厚さを決定するも
のであればよい。
〜２００ｎｍ、多結晶シリコン膜１０は、３００ｎｍの
厚さを備える。窒化膜１２の厚さＸは、多結晶シリコン
膜の厚さＹと以下の式（１）の関係にあることが望まし
いと考えられる。 Ｘ＞Ｙ／Ｓ ・・・・（１） なお、ここで、Ｓは、選択比、即ち、多結晶シリコンの
エッチレートを窒化膜のエッチレートで割った値であ
る。しかし、必ずしもこの数値にかぎるものではなく、
レジスト膜１４のホール１６の大きさや、窒化膜１２に
形成すべきテーパー形状等を考慮して厚さを決定するも
のであればよい。
【００４３】また、実施の形態１においては、窒化膜
６、１２、酸化膜８、多結晶シリコン膜１０を全てＣＶ
Ｄ法により形成した。しかし、これらの形成方法に限る
ものでなく、正確に各膜を形成するものであれば、例え
ば多結晶シリコン膜を、スパッタ法で形成するなど、他
の方法により形成するものであってもよい。
６、１２、酸化膜８、多結晶シリコン膜１０を全てＣＶ
Ｄ法により形成した。しかし、これらの形成方法に限る
ものでなく、正確に各膜を形成するものであれば、例え
ば多結晶シリコン膜を、スパッタ法で形成するなど、他
の方法により形成するものであってもよい。
【００４４】また、実施の形態１において、各エッチン
グの条件について説明したが、ホールを形成できるもの
であれば、エッチングの条件は、実施の形態１において
説明したものに限るものではない。
グの条件について説明したが、ホールを形成できるもの
であれば、エッチングの条件は、実施の形態１において
説明したものに限るものではない。
【００４５】実施の形態２．図７は、この発明の実施の
形態２における酸化膜８にコンタクトホール２２が形成
された状態を示す断面模式図である。但し、図７におい
ては、コンタクトホール２２を形成する際、マスクとし
て用いられ、コンタクトホール２２の形成後は、実際に
は除去されている膜をも表している。さらに、図７にお
いては、各膜のエッチングの際、マスクとして用いられ
る膜がホール部分から、左右方向にエッチングされて後
退することによる、ホールの大きさの広がりについて
は、無視して表されている。
形態２における酸化膜８にコンタクトホール２２が形成
された状態を示す断面模式図である。但し、図７におい
ては、コンタクトホール２２を形成する際、マスクとし
て用いられ、コンタクトホール２２の形成後は、実際に
は除去されている膜をも表している。さらに、図７にお
いては、各膜のエッチングの際、マスクとして用いられ
る膜がホール部分から、左右方向にエッチングされて後
退することによる、ホールの大きさの広がりについて
は、無視して表されている。
【００４６】実施の形態２における、コンタクトホール
２２の形成方法は、実施の形態１において説明したもの
と類似している。ただし、図７に示すように、この実施
の形態においては、多結晶シリコン膜１０と窒化膜１４
との間に、酸化膜２６を形成する。この酸化膜２６も、
被加工膜である酸化膜８にコンタクトホール２２を形成
するためのマスクとして用いられる。
２２の形成方法は、実施の形態１において説明したもの
と類似している。ただし、図７に示すように、この実施
の形態においては、多結晶シリコン膜１０と窒化膜１４
との間に、酸化膜２６を形成する。この酸化膜２６も、
被加工膜である酸化膜８にコンタクトホール２２を形成
するためのマスクとして用いられる。
【００４７】図８は、この発明の実施の形態２における
コンタクトホール２２の形成方法を説明するためのフロ
ー図である。以下、図８を用いて、実施の形態２におけ
るコンタクトホールの形成方法を説明する。
コンタクトホール２２の形成方法を説明するためのフロ
ー図である。以下、図８を用いて、実施の形態２におけ
るコンタクトホールの形成方法を説明する。
【００４８】まず、実施の形態１と同様に、Ｓｉ基板２
に形成された拡散層４の上に、窒化膜６、酸化膜８、多
結晶シリコン膜１０を形成する（ステップＳ２〜Ｓ
６）。
に形成された拡散層４の上に、窒化膜６、酸化膜８、多
結晶シリコン膜１０を形成する（ステップＳ２〜Ｓ
６）。
【００４９】次に、実施の形態２においては、多結晶シ
リコン膜１０の表面に、まず、酸化膜２６を形成する
（ステップＳ２８）。酸化膜２６は、約５０ｎｍの厚さ
に、ＣＶＤ法により形成される。
リコン膜１０の表面に、まず、酸化膜２６を形成する
（ステップＳ２８）。酸化膜２６は、約５０ｎｍの厚さ
に、ＣＶＤ法により形成される。
【００５０】次に、酸化膜２６の上に、実施の形態１と
同様に、窒化膜１２、レジスト膜１４を形成する（ステ
ップＳ８〜Ｓ１０）。続けて、レジスト膜１４にホール
１６を形成し（ステップＳ１２）、レジスト膜１４をマ
スクに窒化膜１２をエッチングして、テーパー形状のホ
ール１８を形成する(ステップ１４)。
同様に、窒化膜１２、レジスト膜１４を形成する（ステ
ップＳ８〜Ｓ１０）。続けて、レジスト膜１４にホール
１６を形成し（ステップＳ１２）、レジスト膜１４をマ
スクに窒化膜１２をエッチングして、テーパー形状のホ
ール１８を形成する(ステップ１４)。
【００５１】次に、実施の形態２においては、窒化膜１
２をマスクとして、酸化膜２６のエッチングを行う（ス
テップＳ３０）。これによって、酸化膜２６には、コン
タクトホール２２の大きさと、エッチングの際左右方向
にエッチングされる量とを考慮して、実際に形成するコ
ンタクトホール２２より小さなホール２８が形成され
る。なお、ここでは、Ｃ５Ｆ８とＯ２の雰囲気中、選択
比１０〜２０の条件下でエッチングを行う。
２をマスクとして、酸化膜２６のエッチングを行う（ス
テップＳ３０）。これによって、酸化膜２６には、コン
タクトホール２２の大きさと、エッチングの際左右方向
にエッチングされる量とを考慮して、実際に形成するコ
ンタクトホール２２より小さなホール２８が形成され
る。なお、ここでは、Ｃ５Ｆ８とＯ２の雰囲気中、選択
比１０〜２０の条件下でエッチングを行う。
【００５２】次に、実施の形態１と同様に、レジスト膜
１４を除去し（ステップＳ１６）、窒化膜１２及び酸化
膜２６をマスクとして、多結晶シリコン膜１０のエッチ
ングを行う（ステップＳ１８）。その後、窒化膜１２を
除去する（ステップＳ２０）。
１４を除去し（ステップＳ１６）、窒化膜１２及び酸化
膜２６をマスクとして、多結晶シリコン膜１０のエッチ
ングを行う（ステップＳ１８）。その後、窒化膜１２を
除去する（ステップＳ２０）。
【００５３】次に、実施の形態２においては、酸化膜２
６の除去を行う（ステップＳ３２）。
６の除去を行う（ステップＳ３２）。
【００５４】さらに、実施の形態１と同様に、多結晶シ
リコン膜１０をマスクとして、酸化膜８のエッチング
（ステップＳ２２）、多結晶シリコン膜１０の除去（ス
テップＳ２４）、窒化膜６のエッチング（ステップＳ２
６）を行い、実施の形態２におけるコンタクトホール形
成方法によるコンタクトホール２２が形成される。
リコン膜１０をマスクとして、酸化膜８のエッチング
（ステップＳ２２）、多結晶シリコン膜１０の除去（ス
テップＳ２４）、窒化膜６のエッチング（ステップＳ２
６）を行い、実施の形態２におけるコンタクトホール形
成方法によるコンタクトホール２２が形成される。
【００５５】以上のように、酸化膜８とレジスト膜１４
との間に形成された窒化膜１２を、テーパー形状にパタ
ーニングすれば、露光装置の解像度Ｒによって決まるホ
ールの寸法の限界よりも、さらに微細なコンタクトホー
ル２２を形成することができる。
との間に形成された窒化膜１２を、テーパー形状にパタ
ーニングすれば、露光装置の解像度Ｒによって決まるホ
ールの寸法の限界よりも、さらに微細なコンタクトホー
ル２２を形成することができる。
【００５６】また、実施の形態２によれば、窒化膜１２
と多結晶シリコン膜１０との間に酸化膜２６を設ける。
これにより、多結晶シリコン膜１０をエッチングする
際、酸化膜２６はほとんどエッチングされないため、エ
ッチングのプラズマ方式や条件によっては、多結晶シリ
コン膜１０のエッチングの際、１００以上の選択比をと
ることができる。
と多結晶シリコン膜１０との間に酸化膜２６を設ける。
これにより、多結晶シリコン膜１０をエッチングする
際、酸化膜２６はほとんどエッチングされないため、エ
ッチングのプラズマ方式や条件によっては、多結晶シリ
コン膜１０のエッチングの際、１００以上の選択比をと
ることができる。
【００５７】なお、酸化膜２６の形成方法や、エッチン
グ条件は、実施の形態２において説明したものに限るも
のではない。例えば、エッチングは、Ｃ４Ｆ８とＯ２ガ
スの雰囲気中や、ＣＨＦ３とＣＦ４とＯ２ガスの雰囲気
中で行うもの等であってもよい。
グ条件は、実施の形態２において説明したものに限るも
のではない。例えば、エッチングは、Ｃ４Ｆ８とＯ２ガ
スの雰囲気中や、ＣＨＦ３とＣＦ４とＯ２ガスの雰囲気
中で行うもの等であってもよい。
【００５８】なお、この発明において、基板には、例え
ば、実施の形態１、２におけるＳｉ基板２が該当し、被
加工対象膜には、例えば、酸化膜８が該当し、保護用の
絶縁膜には、例えば、窒化膜６が該当する。また、この
発明において、マスク用の絶縁膜には、例えば、実施の
形態１、２における窒化膜１２が該当する。
ば、実施の形態１、２におけるＳｉ基板２が該当し、被
加工対象膜には、例えば、酸化膜８が該当し、保護用の
絶縁膜には、例えば、窒化膜６が該当する。また、この
発明において、マスク用の絶縁膜には、例えば、実施の
形態１、２における窒化膜１２が該当する。
【００５９】また、例えば、実施の形態１、２において
ステップＳ４を実施することにより、この発明における
被加工対象膜形成工程が実施され、例えば、ステップＳ
６を実施することにより、多結晶シリコン膜形成工程が
実施される。また、例えば、実施の形態１においてステ
ップＳ８、あるいは、実施の形態２においてステップＳ
２８及びステップＳ８を実施することにより、この発明
における絶縁膜形成工程が実施される。また、例えば、
実施の形態１、２においてステップＳ１０を実施するこ
とにより、この発明におけるレジスト膜形成工程が実施
される。
ステップＳ４を実施することにより、この発明における
被加工対象膜形成工程が実施され、例えば、ステップＳ
６を実施することにより、多結晶シリコン膜形成工程が
実施される。また、例えば、実施の形態１においてステ
ップＳ８、あるいは、実施の形態２においてステップＳ
２８及びステップＳ８を実施することにより、この発明
における絶縁膜形成工程が実施される。また、例えば、
実施の形態１、２においてステップＳ１０を実施するこ
とにより、この発明におけるレジスト膜形成工程が実施
される。
【００６０】また、例えば、実施の形態１、２におい
て、ステップＳ１２を実施することにより、この発明に
おけるホール形成工程が実施され、例えば、ステップＳ
１４を実施することにより、絶縁膜エッチング工程が実
施され、例えば、ステップＳ１８を実施することによ
り、多結晶シリコン膜エッチング工程が実施される。ま
た、例えば実施の形態１、２においてステップＳ２２を
実施することにより、この発明におけるコンタクトホー
ル形成工程が実施される。
て、ステップＳ１２を実施することにより、この発明に
おけるホール形成工程が実施され、例えば、ステップＳ
１４を実施することにより、絶縁膜エッチング工程が実
施され、例えば、ステップＳ１８を実施することによ
り、多結晶シリコン膜エッチング工程が実施される。ま
た、例えば実施の形態１、２においてステップＳ２２を
実施することにより、この発明におけるコンタクトホー
ル形成工程が実施される。
【００６１】また、例えば、この実施の形態１、２にお
いてステップＳ２を実施することにより、この発明にお
ける保護用絶縁膜形成工程が実施され、例えば、ステッ
プＳ２６を実施することにより、保護用絶縁膜除去工程
が実施される。
いてステップＳ２を実施することにより、この発明にお
ける保護用絶縁膜形成工程が実施され、例えば、ステッ
プＳ２６を実施することにより、保護用絶縁膜除去工程
が実施される。
【００６２】また、例えば、この実施の形態２において
ステップＳ２８を実施することにより、この発明におけ
る酸化膜形成工程が実施され、例えば、ステップＳ３０
を実施することにより、酸化膜エッチング工程が実施さ
れる。
ステップＳ２８を実施することにより、この発明におけ
る酸化膜形成工程が実施され、例えば、ステップＳ３０
を実施することにより、酸化膜エッチング工程が実施さ
れる。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、レジスト膜と被加工対象膜との間にマスク用の絶縁
膜を形成し、この絶縁膜に、側壁部に斜度を設けたホー
ルを形成し、これを基に、被加工対象膜にコンタクトホ
ールを形成する。従って、露光装置の解像度によって決
定される、ホールの微細化の限界を超えて、さらに微小
なコンタクトホールを形成することができる。
ば、レジスト膜と被加工対象膜との間にマスク用の絶縁
膜を形成し、この絶縁膜に、側壁部に斜度を設けたホー
ルを形成し、これを基に、被加工対象膜にコンタクトホ
ールを形成する。従って、露光装置の解像度によって決
定される、ホールの微細化の限界を超えて、さらに微小
なコンタクトホールを形成することができる。
【００６４】また、この発明によれば、多結晶シリコン
膜の上に、さらに、マスク用の絶縁膜を設けて、絶縁膜
に、側壁部に斜度を設けたホールを形成するようにエッ
チングし、この絶縁膜をマスクとして多結晶シリコン膜
に、側壁が基板に対して垂直な、通常の形状のホールを
形成する。さらに、この多結晶シリコン膜をマスクとし
て、被加工対象膜にコンタクトホールを形成する。従っ
て、多結晶シリコン膜のホール部分からの左右方向への
大きな後退を抑え、より微細なコンタクトホールを形成
することができる。
膜の上に、さらに、マスク用の絶縁膜を設けて、絶縁膜
に、側壁部に斜度を設けたホールを形成するようにエッ
チングし、この絶縁膜をマスクとして多結晶シリコン膜
に、側壁が基板に対して垂直な、通常の形状のホールを
形成する。さらに、この多結晶シリコン膜をマスクとし
て、被加工対象膜にコンタクトホールを形成する。従っ
て、多結晶シリコン膜のホール部分からの左右方向への
大きな後退を抑え、より微細なコンタクトホールを形成
することができる。
【００６５】また、この発明において、マスク用の絶縁
膜としての窒化膜と、多結晶シリコン膜との間に酸化膜
を設けるものについては、多結晶シリコン膜のエッチン
グの際、１００以上の選択比を取ることができる。従っ
て、より微細なコンタクトホールを形成することができ
る。
膜としての窒化膜と、多結晶シリコン膜との間に酸化膜
を設けるものについては、多結晶シリコン膜のエッチン
グの際、１００以上の選択比を取ることができる。従っ
て、より微細なコンタクトホールを形成することができ
る。
【図１】 この発明の実施の形態１におけるホール形成
前の積層状態を示す断面模式図である。
前の積層状態を示す断面模式図である。
【図２】 この発明の実施の形態１において、酸化膜に
コンタクトホールが形成された状態を示す断面模式図で
ある。
コンタクトホールが形成された状態を示す断面模式図で
ある。
【図３】 この発明の実施の形態１におけるホール形成
の各工程を示す断面模式図である。
の各工程を示す断面模式図である。
【図４】 この発明の実施の形態１におけるホール形成
の各工程を示す断面模式図である。
の各工程を示す断面模式図である。
【図５】 この発明の実施の形態１において、コンタク
トホールの形成された酸化膜を含む基板を示す断面模式
図である。
トホールの形成された酸化膜を含む基板を示す断面模式
図である。
【図６】 この発明の実施の形態１におけるコンタクト
ホールの形成方法を説明するためのフロー図である。
ホールの形成方法を説明するためのフロー図である。
【図７】 この発明の実施の形態２において、酸化膜に
コンタクトホールが形成された状態を示す断面模式図で
ある。
コンタクトホールが形成された状態を示す断面模式図で
ある。
【図８】 この発明の実施の形態２におけるコンタクト
ホールの形成方法を説明するためのフロー図である。
ホールの形成方法を説明するためのフロー図である。
【図９】 従来のコンタクトホール形成方法の各工程を
説明するための断面模式図である。
説明するための断面模式図である。
【図１０】 従来のコンタクトホール形成方法を説明す
るためのフロー図である。
るためのフロー図である。
２ 基板
４ 拡散層
６ 保護用の窒化膜
８ 酸化膜
１０ 多結晶シリコン膜
１２ 窒化膜
１４ レジスト膜
１６〜２０ ホール
２２ コンタクトホール
２４ ホール
２６ 酸化膜
２８ ホール
３０ コンタクトホール
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F004 DA00 DA01 DA04 DA16 DA25
DA26 DB02 DB03 DB07 EA03
EA07 EA08 EB01 EB03
5F033 HH04 PP06 PP15 QQ08 QQ09
QQ10 QQ11 QQ19 QQ27 QQ28
QQ34 QQ35 QQ37 RR04 RR06
SS11 TT02 XX03
Claims (6)
- 【請求項１】 基板に、被加工対象膜を形成する被加工
対象膜形成工程と、 前記被加工対象膜の表面に、多結晶シリコン膜を形成す
る多結晶シリコン膜形成工程と、 前記多結晶シリコン膜の表面に、マスク用の絶縁膜を形
成する絶縁膜形成工程と、 前記マスク用の絶縁膜の表面に、レジスト膜を形成する
レジスト膜形成工程と、 前記レジスト膜に、ホールを形成するホール形成工程
と、 前記ホール形成工程においてホールの形成された前記レ
ジスト膜をマスクとして、前記マスク用の絶縁膜を、側
壁部に斜度を設けたホールが形成されるようにエッチン
グする絶縁膜エッチング工程と、 前記絶縁膜エッチング工程においてエッチングされた前
記マスク用の絶縁膜をマスクとして、前記多結晶シリコ
ン膜をエッチングする多結晶シリコン膜エッチング工程
と、 前記多結晶シリコン膜エッチング工程において、エッチ
ングされた前記多結晶シリコン膜をマスクとして、前記
被加工対象膜にコンタクトホールを形成するコンタクト
ホール形成工程と、 を備えることを特徴とするホール形成方法。 - 【請求項２】 前記被加工膜形成工程の前に、前記基板
に保護用の絶縁膜を形成する保護用絶縁膜形成工程と、 前記コンタクトホール形成工程の後、前記コンタクトホ
ールの底部に露出する前記保護用の絶縁膜をエッチング
により除去する保護用絶縁膜除去工程と、 を備えることを特徴とする請求項１に記載のホール形成
方法。 - 【請求項３】 前記マスク用の絶縁膜は、窒化膜である
ことを特徴とする請求項１または２に記載のホール形成
方法。 - 【請求項４】 前記多結晶シリコン膜形成工程と、前記
絶縁膜形成工程との間に、前記多結晶シリコン膜の表面
に酸化膜を形成する酸化膜形成工程を備え、 前記絶縁膜エッチング工程と、多結晶シリコン膜エッチ
ング工程との間に、前記酸化膜のエッチングを行う酸化
膜エッチング工程を備えることを特徴とする請求項３に
記載のホール形成方法。 - 【請求項５】 前記被加工対象膜は、酸化膜であること
を特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のホール
形成方法。 - 【請求項６】 前記保護用の絶縁膜は、窒化膜であるこ
とを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のホー
ル形成方法。
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