JPH07135138A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
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- JPH07135138A JPH07135138A JP15390293A JP15390293A JPH07135138A JP H07135138 A JPH07135138 A JP H07135138A JP 15390293 A JP15390293 A JP 15390293A JP 15390293 A JP15390293 A JP 15390293A JP H07135138 A JPH07135138 A JP H07135138A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチングマスク膜とエッチングストッパ膜
とに同種類の膜を用い、かつ、エッチングマスクパター
ンのみを除去することができるＸ線マスクの製造方法を
提供すること。 【構成】 基板１０の主表面上に、メンブレン１２、エ
ッチングストッパ膜１６、吸収体膜１８、層間膜２４及
びエッチングマスク膜２０を順次に形成する。次に、エ
ッチングマスク膜２０及び層間膜２４に対してパターニ
ング処理を行って、それぞれエッチングマスクパターン
２０ａ及びその直下の層間膜パターン２４ａを形成す
る。次に、吸収体パターン１８ａ成形後、層間膜パター
ン２４ａをリフトオフすることによって、エッチングマ
スクパターン２０ａを除去する。
とに同種類の膜を用い、かつ、エッチングマスクパター
ンのみを除去することができるＸ線マスクの製造方法を
提供すること。 【構成】 基板１０の主表面上に、メンブレン１２、エ
ッチングストッパ膜１６、吸収体膜１８、層間膜２４及
びエッチングマスク膜２０を順次に形成する。次に、エ
ッチングマスク膜２０及び層間膜２４に対してパターニ
ング処理を行って、それぞれエッチングマスクパターン
２０ａ及びその直下の層間膜パターン２４ａを形成す
る。次に、吸収体パターン１８ａ成形後、層間膜パター
ン２４ａをリフトオフすることによって、エッチングマ
スクパターン２０ａを除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＳＯＲ（放射光）リ
ソグラフィに用いられるＸ線マスクの製造方法に関す
る。
ソグラフィに用いられるＸ線マスクの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線リソグラフィー技術の確立のために
は、高精度なＸ線マスクを製造することが必要不可欠で
ある。Ｘ線マスクの精度を左右する要因には主に、次の
２つが考えられる。
は、高精度なＸ線マスクを製造することが必要不可欠で
ある。Ｘ線マスクの精度を左右する要因には主に、次の
２つが考えられる。
【０００３】第１の要因は、メンブレン及び吸収体の内
部応力による位置歪みである。内部応力は、Ｘ線マスク
を形成する際のメンブレン及び吸収体の低応力制御を行
うことにより、実用上支障のない値にすることが可能で
ある。例えば、吸収体パターンのパターンサイズが０．
２μｍの場合、その位置歪みの大きさをパターンサイズ
の大きさの１０％（０．０２μｍ）以下にするために
は、吸収体パターンの内部応力を５×１０7 ｄｙｎ／ｃ
ｍ2 以下とし、メンブレン全面の内部応力を５×１０8
ｄｙｎ／ｃｍ2 以下とする必要がある。
部応力による位置歪みである。内部応力は、Ｘ線マスク
を形成する際のメンブレン及び吸収体の低応力制御を行
うことにより、実用上支障のない値にすることが可能で
ある。例えば、吸収体パターンのパターンサイズが０．
２μｍの場合、その位置歪みの大きさをパターンサイズ
の大きさの１０％（０．０２μｍ）以下にするために
は、吸収体パターンの内部応力を５×１０7 ｄｙｎ／ｃ
ｍ2 以下とし、メンブレン全面の内部応力を５×１０8
ｄｙｎ／ｃｍ2 以下とする必要がある。
【０００４】第２の要因は、吸収体パターンの加工精度
である。吸収体パターンの断面の加工形状は、パターン
の側壁が基板面に対して垂直である異方的な形状である
ことが望ましい。異方的な形状であると、吸収体膜エッ
チング前のエッチングマスクパターンの寸法と、エッチ
ング後の吸収体パターンの寸法の変動（寸法変換誤差）
は極力少なくすることができる。
である。吸収体パターンの断面の加工形状は、パターン
の側壁が基板面に対して垂直である異方的な形状である
ことが望ましい。異方的な形状であると、吸収体膜エッ
チング前のエッチングマスクパターンの寸法と、エッチ
ング後の吸収体パターンの寸法の変動（寸法変換誤差）
は極力少なくすることができる。
【０００５】上述の２つの要因を考慮したＸ線マスク製
造方法の一例が、文献：「信学技法、Ｖｏｌ．９２，Ｎ
ｏ．１８６）に開示されている。この文献には、Ｘ線マ
スクを精度良く形成するために、圧力、ＲＦパワー、基
板温度等の吸収体膜のエッチング条件の最適化を図った
Ｘ線マスクの製造方法が開示されている。また、この文
献ではＸ線マスクを製造するにあたり、吸収体膜とメン
ブレンとの間にエッチングストッパ膜を形成している。
このエッチングストッパ膜は、吸収体膜をエッチングす
る際にメンブレンの膜厚を変動させないために設けられ
ている。これは、Ｘ線マスクを透過するアライメント光
の透過率がメンブレンの膜厚によって大きく左右される
ためである。
造方法の一例が、文献：「信学技法、Ｖｏｌ．９２，Ｎ
ｏ．１８６）に開示されている。この文献には、Ｘ線マ
スクを精度良く形成するために、圧力、ＲＦパワー、基
板温度等の吸収体膜のエッチング条件の最適化を図った
Ｘ線マスクの製造方法が開示されている。また、この文
献ではＸ線マスクを製造するにあたり、吸収体膜とメン
ブレンとの間にエッチングストッパ膜を形成している。
このエッチングストッパ膜は、吸収体膜をエッチングす
る際にメンブレンの膜厚を変動させないために設けられ
ている。これは、Ｘ線マスクを透過するアライメント光
の透過率がメンブレンの膜厚によって大きく左右される
ためである。
【０００６】以下、図面を参照して、エッチングストッ
パ膜及びエッチングマスク膜に同種類の膜を用いたＸ線
マスクの製造方法の例について簡単に説明する。図５の
（Ａ）〜（Ｄ）は、従来のＸ線マスクの製造方法の説明
に供する前半の工程図である。また、図６の（Ａ）〜
（Ｃ）は、図５の（Ｄ）の後に続く、後半の工程図であ
る。
パ膜及びエッチングマスク膜に同種類の膜を用いたＸ線
マスクの製造方法の例について簡単に説明する。図５の
（Ａ）〜（Ｄ）は、従来のＸ線マスクの製造方法の説明
に供する前半の工程図である。また、図６の（Ａ）〜
（Ｃ）は、図５の（Ｄ）の後に続く、後半の工程図であ
る。
【０００７】従来例では、先ず、厚さ２ｍｍのシリコン
基板１０の主表面及びその裏面に、それぞれＳｉＮ膜１
２及び１４を形成する。主表面上のＳｉＮ膜１２はメン
ブレン１２となる（図５の（Ａ））。
基板１０の主表面及びその裏面に、それぞれＳｉＮ膜１
２及び１４を形成する。主表面上のＳｉＮ膜１２はメン
ブレン１２となる（図５の（Ａ））。
【０００８】次に、主表面上のＳｉＮ膜１２上に、エッ
チングストッパ膜１６としてＳｉＯ2 膜１６を形成する
（図５の（Ｂ））。
チングストッパ膜１６としてＳｉＯ2 膜１６を形成する
（図５の（Ｂ））。
【０００９】次に、エッチングストッパ膜１６上に、吸
収体膜１８としてＷ（タングステン）膜１８を形成する
（図５の（Ｃ））。
収体膜１８としてＷ（タングステン）膜１８を形成する
（図５の（Ｃ））。
【００１０】次に、吸収体膜１６上に、エッチングマス
ク膜２０としてＳｉＯ2 膜２０を形成する（図５の
（Ｄ））。
ク膜２０としてＳｉＯ2 膜２０を形成する（図５の
（Ｄ））。
【００１１】ＳｉＯ2 膜をエッチングストッパ膜１６及
びエッチングマスク膜２０として用いるのは、塩素（Ｃ
ｌ）系ガスを用いた場合のＳｉＯ2 とＷのエッチング選
択比が大きく、また、ＳｉＯ2 膜は、シリコンプロセス
として使い慣れており、容易に形成することが出来、そ
の上、ＳｉＯ2 膜の膜厚を制御することによってＳｉＯ
2 膜を反射防止膜として用いることができるため、ステ
ッパーを用いてＸ線マスクとして使用する際のアライメ
ント光の透過率を向上させることもできるからである。
びエッチングマスク膜２０として用いるのは、塩素（Ｃ
ｌ）系ガスを用いた場合のＳｉＯ2 とＷのエッチング選
択比が大きく、また、ＳｉＯ2 膜は、シリコンプロセス
として使い慣れており、容易に形成することが出来、そ
の上、ＳｉＯ2 膜の膜厚を制御することによってＳｉＯ
2 膜を反射防止膜として用いることができるため、ステ
ッパーを用いてＸ線マスクとして使用する際のアライメ
ント光の透過率を向上させることもできるからである。
【００１２】次に、エッチングマスク膜２０上に、レジ
ストパターン２２を形成する（図６の（Ａ））。
ストパターン２２を形成する（図６の（Ａ））。
【００１３】次に、このレジストパターン２２をエッチ
ングマスクとして、エッチングマスク膜２０に対してエ
ッチングを行って、エッチングマスクパターン２０ａを
形成する（図６の（Ｂ））。
ングマスクとして、エッチングマスク膜２０に対してエ
ッチングを行って、エッチングマスクパターン２０ａを
形成する（図６の（Ｂ））。
【００１４】次に、レジストパターン２２を除去した
後、エッチングマスクパターン２０ａをエッチングマス
クとして、吸収体膜１８に対してエッチングを行って、
吸収体パターン１８ａを形成する。このエッチングは、
エッチングストッパ膜１６で止まり、メンブレンとなる
ＳｉＮ膜１２の膜厚は変動しない（図６の（Ｃ））。
後、エッチングマスクパターン２０ａをエッチングマス
クとして、吸収体膜１８に対してエッチングを行って、
吸収体パターン１８ａを形成する。このエッチングは、
エッチングストッパ膜１６で止まり、メンブレンとなる
ＳｉＮ膜１２の膜厚は変動しない（図６の（Ｃ））。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のＸ線マスクの製造方法には、以下の問題点があ
る。従来のＸ線マスクの形成に当たっては、エッチング
マスク膜及びエッチングストッパ膜に、吸収体膜とのエ
ッチング選択比が大きな同種類の膜（例えばＳｉＯ
2 膜）を用いている。このため、エッチングマスクパタ
ーンを最終的に除去できないという問題がある。なぜな
ら、例えば、ＳｉＯ2 膜は通常フッ酸（ＨＦ）を用いた
ウエットエッチングで除去している。しかし、この除去
方法を用いると、エッチングマスクパターンだけでなく
エッチングストッパ膜も除去されてしまう。その結果、
吸収体パターンもメンブレンから剥離してしまう。例え
ば、上述した従来例で吸収体パターンを形成した後、エ
ッチングマスクパターンをフッ化水素水溶液で３０秒エ
ッチングしたところ、エッチングストッパ膜及び吸収体
パターンもメンブレンから剥離してしまった。
た従来のＸ線マスクの製造方法には、以下の問題点があ
る。従来のＸ線マスクの形成に当たっては、エッチング
マスク膜及びエッチングストッパ膜に、吸収体膜とのエ
ッチング選択比が大きな同種類の膜（例えばＳｉＯ
2 膜）を用いている。このため、エッチングマスクパタ
ーンを最終的に除去できないという問題がある。なぜな
ら、例えば、ＳｉＯ2 膜は通常フッ酸（ＨＦ）を用いた
ウエットエッチングで除去している。しかし、この除去
方法を用いると、エッチングマスクパターンだけでなく
エッチングストッパ膜も除去されてしまう。その結果、
吸収体パターンもメンブレンから剥離してしまう。例え
ば、上述した従来例で吸収体パターンを形成した後、エ
ッチングマスクパターンをフッ化水素水溶液で３０秒エ
ッチングしたところ、エッチングストッパ膜及び吸収体
パターンもメンブレンから剥離してしまった。
【００１６】一方、エッチングマスクパターンを残して
おくと、エッチングマスクパターンの内部応力によって
収体パターンの位置歪みが発生する。一般に、内部応力
は、膜面全面に存在する膜よりも部分的に存在する膜の
方が位置歪みにより大きく影響する。従って、エッチン
グストッパ膜の内部応力よりも、エッチングマスクパタ
ーンの内部応力が問題となる。
おくと、エッチングマスクパターンの内部応力によって
収体パターンの位置歪みが発生する。一般に、内部応力
は、膜面全面に存在する膜よりも部分的に存在する膜の
方が位置歪みにより大きく影響する。従って、エッチン
グストッパ膜の内部応力よりも、エッチングマスクパタ
ーンの内部応力が問題となる。
【００１７】従って、この発明の目的は、エッチングマ
スク膜とエッチングストッパ膜とに同種類の膜を用い、
かつ、エッチングマスクパターンのみを除去することが
できるＸ線マスクの製造方法を提供することにある。
スク膜とエッチングストッパ膜とに同種類の膜を用い、
かつ、エッチングマスクパターンのみを除去することが
できるＸ線マスクの製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明のＸ線マスクの製造方法によれば、エッチ
ングマスク膜及びエッチングストッパ膜に同種類の膜を
用いたＸ線マスクを製造するにあたり、基板の主表面上
に、メンブレン、エッチングストッパ膜、吸収体膜、層
間膜及びエッチングマスク膜を順次に形成する工程と、
エッチングマスク膜及び層間膜に対してパターニング処
理を行って、それぞれエッチングマスクパターン及びそ
の直下の層間膜パターンを形成する工程と、エッチング
マスクパターンをエッチングマスクとして用いてパター
ニング処理を行って、吸収体膜から吸収体パターンを成
形する工程と、吸収体パターン成形後、層間絶縁膜パタ
ーンをリフトオフすることによって、前記エッチングマ
スクパターンを除去する工程とを含むことを特徴とす
る。
め、この発明のＸ線マスクの製造方法によれば、エッチ
ングマスク膜及びエッチングストッパ膜に同種類の膜を
用いたＸ線マスクを製造するにあたり、基板の主表面上
に、メンブレン、エッチングストッパ膜、吸収体膜、層
間膜及びエッチングマスク膜を順次に形成する工程と、
エッチングマスク膜及び層間膜に対してパターニング処
理を行って、それぞれエッチングマスクパターン及びそ
の直下の層間膜パターンを形成する工程と、エッチング
マスクパターンをエッチングマスクとして用いてパター
ニング処理を行って、吸収体膜から吸収体パターンを成
形する工程と、吸収体パターン成形後、層間絶縁膜パタ
ーンをリフトオフすることによって、前記エッチングマ
スクパターンを除去する工程とを含むことを特徴とす
る。
【００１９】また、好ましくは、メンブレンをＳｉＮ膜
とし、吸収体膜をタングステン（Ｗ）膜とし、層間膜を
レジスト膜とし、エッチングマスク膜及びエッチングス
トッパ膜をＳｉＯ2 膜とすると良い。
とし、吸収体膜をタングステン（Ｗ）膜とし、層間膜を
レジスト膜とし、エッチングマスク膜及びエッチングス
トッパ膜をＳｉＯ2 膜とすると良い。
【００２０】また、好ましくは、メンブレンをＳｉＮ膜
とし、吸収体膜をタンタル（Ｔａ）膜とし、層間膜をレ
ジスト膜とし、エッチングマスク膜及びエッチングスト
ッパ膜をＳｉＯ2 膜とすると良い。
とし、吸収体膜をタンタル（Ｔａ）膜とし、層間膜をレ
ジスト膜とし、エッチングマスク膜及びエッチングスト
ッパ膜をＳｉＯ2 膜とすると良い。
【００２１】また、好ましくは、ＳｉＯ2 膜をスパッタ
法は用いて形成すると良い。
法は用いて形成すると良い。
【００２２】また、好ましくは、ＳｉＯ2 膜を（Ｓｐｉ
ｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜とすると良い。
ｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜とすると良い。
【００２３】
【作用】この発明のＸ線マスクの製造方法によれば、吸
収体膜とエッチングマスク膜との間に層間膜を介在させ
る。この層間膜から形成された層間膜パターンを除去す
ることにより、メンブレン、吸収体パターン及びエッチ
ングストッパ膜を除去することなく、エッチングマスク
パターンを除去することができる。例えば、レジストを
層間膜として用いた場合、吸収体パターンを形成した後
に、パターニング処理したこのレジストをリフトオフす
ることにより、エッチングストッパ膜等を除去すること
なくエッチングマスクパターンを除去することができ
る。
収体膜とエッチングマスク膜との間に層間膜を介在させ
る。この層間膜から形成された層間膜パターンを除去す
ることにより、メンブレン、吸収体パターン及びエッチ
ングストッパ膜を除去することなく、エッチングマスク
パターンを除去することができる。例えば、レジストを
層間膜として用いた場合、吸収体パターンを形成した後
に、パターニング処理したこのレジストをリフトオフす
ることにより、エッチングストッパ膜等を除去すること
なくエッチングマスクパターンを除去することができ
る。
【００２４】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明のＸ線マス
クの製造方法の実施例について説明する。尚、以下に参
照する図は、この発明が理解できる程度に各構成成分の
大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあるにす
ぎない。従って、この発明は、各図示例にのみ限定され
るものでないことは明らかである。また、各図は、主要
工程段階で得られる構造体の断面を示している。各図
は、断面を表すハッチング等を一部省略して示してあ
る。図１の（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明のＸ線マスクの
製造方法の実施例の説明に供する工程図である。図２の
（Ａ）〜（Ｃ）は、図１の（Ｄ）に続く工程図である。
図３の（Ａ）〜（Ｃ）は、図２の（Ｃ）に続く工程図で
ある。図４の（Ａ）〜（Ｃ）は、図３の（Ｃ）に続く工
程図である。
クの製造方法の実施例について説明する。尚、以下に参
照する図は、この発明が理解できる程度に各構成成分の
大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあるにす
ぎない。従って、この発明は、各図示例にのみ限定され
るものでないことは明らかである。また、各図は、主要
工程段階で得られる構造体の断面を示している。各図
は、断面を表すハッチング等を一部省略して示してあ
る。図１の（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明のＸ線マスクの
製造方法の実施例の説明に供する工程図である。図２の
（Ａ）〜（Ｃ）は、図１の（Ｄ）に続く工程図である。
図３の（Ａ）〜（Ｃ）は、図２の（Ｃ）に続く工程図で
ある。図４の（Ａ）〜（Ｃ）は、図３の（Ｃ）に続く工
程図である。
【００２５】この発明のＸ線マスクの製造方法において
は、エッチングマスク膜及びエッチングストッパ膜に同
種類の膜を用いたＸ線マスクを製造するにあたり、基板
１０の主表面上に、従来公知の技術を用いて、メンブレ
ン１２、エッチングストッパ膜１６、吸収体膜１８、層
間膜２４及びエッチングマスク膜２０を順次に形成す
る。この実施例では、先ず、厚さ２ｍｍの３インチシリ
コン基板１０の主表面上に、メンブレン１２として厚さ
１．２μｍのＳｉＮ膜１２を形成する。この時、基板１
０の主表面の裏面側にもＳｉＮ膜１４を形成する（図１
の（Ａ））。
は、エッチングマスク膜及びエッチングストッパ膜に同
種類の膜を用いたＸ線マスクを製造するにあたり、基板
１０の主表面上に、従来公知の技術を用いて、メンブレ
ン１２、エッチングストッパ膜１６、吸収体膜１８、層
間膜２４及びエッチングマスク膜２０を順次に形成す
る。この実施例では、先ず、厚さ２ｍｍの３インチシリ
コン基板１０の主表面上に、メンブレン１２として厚さ
１．２μｍのＳｉＮ膜１２を形成する。この時、基板１
０の主表面の裏面側にもＳｉＮ膜１４を形成する（図１
の（Ａ））。
【００２６】次に、主表面上のＳｉＮ膜１２上に、エッ
チングストッパ膜１６として厚さ０．１１μｍのＳｉＯ
2 膜１６を形成する。このＳｉＯ2 膜１６は、スパッタ
法を用いて、アルゴンガス圧力５ｍＴｏｒｒ、ＤＣパワ
ー２ｋＷの条件下で形成する（図１の（Ｂ））。
チングストッパ膜１６として厚さ０．１１μｍのＳｉＯ
2 膜１６を形成する。このＳｉＯ2 膜１６は、スパッタ
法を用いて、アルゴンガス圧力５ｍＴｏｒｒ、ＤＣパワ
ー２ｋＷの条件下で形成する（図１の（Ｂ））。
【００２７】次に、ＳｉＯ2 膜１６上に、吸収体膜１８
として厚さ０．７μｍのＷ（タングステン）膜１８を形
成する。このＷ膜１８は、スパッタ法を用いて、アルゴ
ンガス圧力１７ｍＴｏｒｒ、ＤＣパワー２ｋＷの条件下
で形成する（図１の（Ｃ））。
として厚さ０．７μｍのＷ（タングステン）膜１８を形
成する。このＷ膜１８は、スパッタ法を用いて、アルゴ
ンガス圧力１７ｍＴｏｒｒ、ＤＣパワー２ｋＷの条件下
で形成する（図１の（Ｃ））。
【００２８】次に、Ｗ膜１８上に、層間膜２４として厚
さ０．１μｍのレジスト２４をスピンコーティングして
形成する。このレジスト２４には、ＴＲＭＲ−Ｖ３（東
京応化工業社製（商品名））を用い、スピンコーティン
グ後、１６０℃に加熱したホットプレート上に真空吸着
して１分間ベークを行う（図１の（Ｄ））。
さ０．１μｍのレジスト２４をスピンコーティングして
形成する。このレジスト２４には、ＴＲＭＲ−Ｖ３（東
京応化工業社製（商品名））を用い、スピンコーティン
グ後、１６０℃に加熱したホットプレート上に真空吸着
して１分間ベークを行う（図１の（Ｄ））。
【００２９】次に、エッチングマスク膜２０及び層間膜
２４に対してパターニング処理を行って、それぞれエッ
チングマスクパターン２４ａ及びその直下の層間膜パタ
ーン２０ａを形成する。
２４に対してパターニング処理を行って、それぞれエッ
チングマスクパターン２４ａ及びその直下の層間膜パタ
ーン２０ａを形成する。
【００３０】この実施例では、先ず、レジスト２４上
に、エッチングマスク膜２０として、厚さ０．４μｍの
ＳｉＯ2 膜２０を形成する。このＳｉＯ2 膜２０は、エ
ッチングストッパ膜１６の形成条件と同一の条件下で形
成する（図２の（Ａ））。
に、エッチングマスク膜２０として、厚さ０．４μｍの
ＳｉＯ2 膜２０を形成する。このＳｉＯ2 膜２０は、エ
ッチングストッパ膜１６の形成条件と同一の条件下で形
成する（図２の（Ａ））。
【００３１】次に、ＳｉＯ2 膜２０上に、従来公知のリ
ソグラフィ技術を用いてレジストパターン２２ａを形成
する（図２の（Ｂ））。
ソグラフィ技術を用いてレジストパターン２２ａを形成
する（図２の（Ｂ））。
【００３２】次に、レジストパターン２２をエッチング
マスクとして用いてエッチングマスク膜２０に対してエ
ッチングを行ってエッチングマスクパターン２０ａ形成
する。このエッチングは、平行平板ドライエッチング装
置を用い、ＣＨＦ3 ガス９５ＳＣＣＭ、Ｏ2 ガス５ＳＣ
ＣＭ、圧力４０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー１００Ｗの条件
下で行う（図２の（Ｃ））。
マスクとして用いてエッチングマスク膜２０に対してエ
ッチングを行ってエッチングマスクパターン２０ａ形成
する。このエッチングは、平行平板ドライエッチング装
置を用い、ＣＨＦ3 ガス９５ＳＣＣＭ、Ｏ2 ガス５ＳＣ
ＣＭ、圧力４０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー１００Ｗの条件
下で行う（図２の（Ｃ））。
【００３３】次に、レジストパターン２２を除去した
後、エッチングマスクパターン２０ａをエッチングマス
クとして用いて、層間膜２４に対してエッチングを行
い、層間膜パターン２４ａを形成する。このエッチング
は、Ｏ2 ガス３０ＳＣＣＭ、圧力２０ｍＴｏｒｒ、ＲＦ
パワー１００Ｗの条件下で行う（図３の（Ａ））。
後、エッチングマスクパターン２０ａをエッチングマス
クとして用いて、層間膜２４に対してエッチングを行
い、層間膜パターン２４ａを形成する。このエッチング
は、Ｏ2 ガス３０ＳＣＣＭ、圧力２０ｍＴｏｒｒ、ＲＦ
パワー１００Ｗの条件下で行う（図３の（Ａ））。
【００３４】次に、ＳｉＯ2 のエッチングマスクパター
ン２０ａをエッチングマスクとして用いてパターニング
処理を行い、Ｗ（タングステン）の吸収体膜１８から吸
収体パターン１８ａを成形する。このパターニング処理
は、ドライエッチング装置を用い、Ｃｌ2 ガス１５ＳＣ
ＣＭ、Ｏ2 ガス１５ＳＣＣＭ、圧力２０ｍＴｏｒｒ、Ｒ
Ｆパワー２００Ｗの条件下でエッチングを行う。このエ
ッチング条件下でのＳｉＯ2 とＷとのエッチング選択比
は１０程度と高く、寸法変換差の小さく異方的な加工が
可能である。また、このエッチングはエッチングストッ
パ層１６で止まるので、メンブレン１２がエッチングさ
れることはない（図３の（Ｂ））。
ン２０ａをエッチングマスクとして用いてパターニング
処理を行い、Ｗ（タングステン）の吸収体膜１８から吸
収体パターン１８ａを成形する。このパターニング処理
は、ドライエッチング装置を用い、Ｃｌ2 ガス１５ＳＣ
ＣＭ、Ｏ2 ガス１５ＳＣＣＭ、圧力２０ｍＴｏｒｒ、Ｒ
Ｆパワー２００Ｗの条件下でエッチングを行う。このエ
ッチング条件下でのＳｉＯ2 とＷとのエッチング選択比
は１０程度と高く、寸法変換差の小さく異方的な加工が
可能である。また、このエッチングはエッチングストッ
パ層１６で止まるので、メンブレン１２がエッチングさ
れることはない（図３の（Ｂ））。
【００３５】次に、吸収体パターン１８ａ成形後、層間
膜パターン２４ａをリフトオフすることによって、エッ
チングマスクパターン２０ａを除去する。この実施例で
は、発煙硝酸（９８％）を用い、層間膜パターン２４ａ
のレジストパターン２４ａを５分間溶かすことにより、
レジストパターン２４ａとその上のエッチングマスクパ
ターン２０ａを同時に除去する。尚、メンブレン、吸収
体パターン及びエッチングストッパ膜をそれぞれ形成す
るＳｉＮ、Ｗ及びＳｉＯ2 は、発煙硝酸に対して不溶で
あり、リフトオフに際して何のダメージも受けない（図
３の（Ｃ））。
膜パターン２４ａをリフトオフすることによって、エッ
チングマスクパターン２０ａを除去する。この実施例で
は、発煙硝酸（９８％）を用い、層間膜パターン２４ａ
のレジストパターン２４ａを５分間溶かすことにより、
レジストパターン２４ａとその上のエッチングマスクパ
ターン２０ａを同時に除去する。尚、メンブレン、吸収
体パターン及びエッチングストッパ膜をそれぞれ形成す
るＳｉＮ、Ｗ及びＳｉＯ2 は、発煙硝酸に対して不溶で
あり、リフトオフに際して何のダメージも受けない（図
３の（Ｃ））。
【００３６】以下、基板１０の裏面側に対して通常のＸ
線マスク形成における加工を施す。
線マスク形成における加工を施す。
【００３７】先ず、通常のフォトリソグラフィ技術を用
いて、基板１０の裏面のＳｉＮ膜１４から基板１０のエ
ッチングパターン１４ａを形成する（図４の（Ａ））。
いて、基板１０の裏面のＳｉＮ膜１４から基板１０のエ
ッチングパターン１４ａを形成する（図４の（Ａ））。
【００３８】次に、このエッチングパターン１４ａをエ
ッチングマスクとして用いて、基板に対してバックサイ
ドエッチを行う。このエッチングには、水酸化カリウム
（ＫＯＨ）溶液を用いる（図４の（Ｂ））。
ッチングマスクとして用いて、基板に対してバックサイ
ドエッチを行う。このエッチングには、水酸化カリウム
（ＫＯＨ）溶液を用いる（図４の（Ｂ））。
【００３９】次に、ガラスフレーム２６上に、基板１０
を張りつけてＸ線マスクを完成させる（図４の
（Ｃ））。
を張りつけてＸ線マスクを完成させる（図４の
（Ｃ））。
【００４０】このようにして、エッチングマスクパター
ンによる内部応力を除去した結果、膜吸収体パターンの
位置歪みが小さい、高精度なＸ線マスクを形成すること
ができる。また、この実施例では、メンブレン、吸収体
パターン及びエッチングストッパ膜等にダメージを与え
ずに、エッチングマスクパターンを除去することができ
るため、設計通りの各膜厚を保つことによって、メンブ
レンのアライメント光に対する透過率制御をすることが
できる。その結果、透過率が良いＸ線マスクを製造する
ことができる。
ンによる内部応力を除去した結果、膜吸収体パターンの
位置歪みが小さい、高精度なＸ線マスクを形成すること
ができる。また、この実施例では、メンブレン、吸収体
パターン及びエッチングストッパ膜等にダメージを与え
ずに、エッチングマスクパターンを除去することができ
るため、設計通りの各膜厚を保つことによって、メンブ
レンのアライメント光に対する透過率制御をすることが
できる。その結果、透過率が良いＸ線マスクを製造する
ことができる。
【００４１】上述した実施例では、特定の材料を使用し
また特定の条件で製造したこの発明の例につき説明した
が、この発明は多くの変更及び変形を行うことができ
る。例えば、上述した実施例では、エッチングストッパ
膜及びエッチングマスク膜として、ＳｉＯ2 膜をスパッ
タ法により形成したが、この発明では、例えば、ＳｉＯ
2 膜の代わりに、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓ
ｓ）膜（ＯＣＤ−ｔｙｐｅ２（商品名）、東京応化工業
社製）を用いても良い。
また特定の条件で製造したこの発明の例につき説明した
が、この発明は多くの変更及び変形を行うことができ
る。例えば、上述した実施例では、エッチングストッパ
膜及びエッチングマスク膜として、ＳｉＯ2 膜をスパッ
タ法により形成したが、この発明では、例えば、ＳｉＯ
2 膜の代わりに、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓ
ｓ）膜（ＯＣＤ−ｔｙｐｅ２（商品名）、東京応化工業
社製）を用いても良い。
【００４２】また、上述した実施例では、吸収体膜とし
てＷ膜を形成したが、この発明では、例えば、Ｗ膜の代
わりにタンタル（Ｔａ）膜を形成しても良い。
てＷ膜を形成したが、この発明では、例えば、Ｗ膜の代
わりにタンタル（Ｔａ）膜を形成しても良い。
【００４３】また、エッチングストッパ膜及びエッチン
グマスク膜の材料として、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を用
いても良い。
グマスク膜の材料として、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）を用
いても良い。
【００４４】また、上述した実施例では、通常のフォト
リソグラフィ技術を用いてエッチングマスクパターンを
形成したが、この発明では、例えばイオンビームミーリ
ングを用いて、レジストパターンを形成せずにエッチン
グマスクパターンを形成しても良い。
リソグラフィ技術を用いてエッチングマスクパターンを
形成したが、この発明では、例えばイオンビームミーリ
ングを用いて、レジストパターンを形成せずにエッチン
グマスクパターンを形成しても良い。
【００４５】
【発明の効果】この発明のＸ線マスクの製造方法によれ
ば、吸収体膜とエッチングマスク膜との間に、層間膜を
介在させる。この層間膜から形成された層間膜パターン
を除去することにより、メンブレン、吸収体パターン及
びエッチングストッパ膜を除去することなく、エッチン
グマスクパターンを除去することができる。例えば、レ
ジストパターンを層間膜パターンとして用いた場合、吸
収体パターンを形成した後に、このレジストパターンを
リフトオフすることにより、エッチングストッパ膜等を
除去することなくエッチングマスクパターンを除去する
ことができる。従って、エッチングマスクパターンの内
部応力による位置歪みを無くすことができる。
ば、吸収体膜とエッチングマスク膜との間に、層間膜を
介在させる。この層間膜から形成された層間膜パターン
を除去することにより、メンブレン、吸収体パターン及
びエッチングストッパ膜を除去することなく、エッチン
グマスクパターンを除去することができる。例えば、レ
ジストパターンを層間膜パターンとして用いた場合、吸
収体パターンを形成した後に、このレジストパターンを
リフトオフすることにより、エッチングストッパ膜等を
除去することなくエッチングマスクパターンを除去する
ことができる。従って、エッチングマスクパターンの内
部応力による位置歪みを無くすことができる。
【００４６】また、この発明の方法によれば、メンブレ
ン、吸収体パターン及びエッチングストッパ膜等にダメ
ージを与えずに、エッチングマスクパターンを除去する
ことができる。このため、設計通りの各膜厚を保つこと
によって、メンブレンのアライメント光に対する透過率
制御をすることができる。その結果、透過率が良いＸ線
マスクを製造することができる。
ン、吸収体パターン及びエッチングストッパ膜等にダメ
ージを与えずに、エッチングマスクパターンを除去する
ことができる。このため、設計通りの各膜厚を保つこと
によって、メンブレンのアライメント光に対する透過率
制御をすることができる。その結果、透過率が良いＸ線
マスクを製造することができる。
【００４７】従って、この発明のＸ線マスクの製造方法
によれば、安定して高精度のＸ線マスクを形成すること
ができる。
によれば、安定して高精度のＸ線マスクを形成すること
ができる。
【００４８】また、例えば、ＳＯＧ膜を用いた場合に
は、エッチングストッパ膜及びエッチングマスク膜を容
易に平坦性良く形成することができる。
は、エッチングストッパ膜及びエッチングマスク膜を容
易に平坦性良く形成することができる。
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、実施例の説明に供する工程
図である。
図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、図１の（Ｄ）に続く工程図
である。
である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、図２の（Ｃ）に続く工程図
である。
である。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は、図３の（Ｃ）に続く工程図
である。
である。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）は、従来例の説明に供する前半
の工程図である。
の工程図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、図５の（Ｄ）に続く、後半
の工程図である。
の工程図である。
１０：基板（シリコン基板） １０ａ：残存基板 １２：メンブレン（ＳｉＮ膜） １４：ＳｉＮ膜 １４ａ：エッチングパターン １６：エッチングストッパ膜（ＳｉＯ2 膜） １８：吸収体膜（Ｗ膜） １８ａ：吸収体パターン ２０：エッチングマスク膜（ＳｉＯ2 膜） ２０ａ：エッチングマスクパターン ２２：レジストパターン ２４：層間膜（レジスト） ２４ａ：層間膜パターン ２６：ガラスフレーム
Claims (5)
- 【請求項１】 エッチングマスク膜及びエッチングスト
ッパ膜に同種類の膜を用いたＸ線マスクを製造するにあ
たり、 基板の主表面上に、メンブレン、エッチングストッパ
膜、吸収体膜、層間膜及びエッチングマスク膜を順次に
形成する工程と、 前記エッチングマスク膜及び前記層間膜に対してパター
ニング処理を行って、それぞれエッチングマスクパター
ン及びその直下の層間膜パターンを形成する工程と、 前記エッチングマスクパターンをエッチングマスクとし
て用いてパターニング処理を行って、吸収体膜から吸収
体パターンを成形する工程と、 吸収体パターン成形後、前記層間絶縁膜パターンをリフ
トオフすることによって、前記エッチングマスクパター
ンを除去する工程とを含むことを特徴とするＸ線マスク
の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＸ線マスクの製造方法
において、 前記メンブレンをＳｉＮ膜とし、前記吸収体膜をタング
ステン（Ｗ）膜とし、前記層間膜をレジスト膜とし、前
記エッチングマスク膜及び前記エッチングストッパ膜を
ＳｉＯ2 膜とすることを特徴とするＸ線マスクの製造方
法。 - 【請求項３】 請求項１に記載のＸ線マスクの製造方法
において、 前記メンブレンをＳｉＮ膜とし、前記吸収体膜をタンタ
ル（Ｔａ）膜とし、前記層間膜をレジスト膜とし、前記
エッチングマスク膜及び前記エッチングストッパ膜をＳ
ｉＯ2 膜とすることを特徴とするＸ線マスクの製造方
法。 - 【請求項４】 請求項２または３に記載のＸ線マスクの
製造方法において、 前記ＳｉＯ2 膜をスパッタ法を用いて形成することを特
徴とするＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項５】 請求項２または３に記載のＸ線マスクの
製造方法において、 前記ＳｉＯ2 膜をＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓ
ｓ）膜とすることを特徴とするＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15390293A JPH07135138A (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15390293A JPH07135138A (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07135138A true JPH07135138A (ja) | 1995-05-23 |
Family
ID=15572609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15390293A Withdrawn JPH07135138A (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07135138A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6294815B1 (en) | 1997-08-26 | 2001-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8703621B2 (en) | 2011-09-07 | 2014-04-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of magnetic recording medium |
-
1993
- 1993-06-24 JP JP15390293A patent/JPH07135138A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6294815B1 (en) | 1997-08-26 | 2001-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8703621B2 (en) | 2011-09-07 | 2014-04-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of magnetic recording medium |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |