JPS58136029A - パタ−ン形成法 - Google Patents
パタ−ン形成法Info
- Publication number
- JPS58136029A JPS58136029A JP1766982A JP1766982A JPS58136029A JP S58136029 A JPS58136029 A JP S58136029A JP 1766982 A JP1766982 A JP 1766982A JP 1766982 A JP1766982 A JP 1766982A JP S58136029 A JPS58136029 A JP S58136029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- resist
- pattern
- intermediate layer
- chalcogenide glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の固体デバイスの製法におけるパターン形成法に関する
。特に、有機高分子材料層、中間層、有機高分子レジス
ト層の３つの層を積層したいわゆる３層レジストによる
パターン形成法に関する。
。特に、有機高分子材料層、中間層、有機高分子レジス
ト層の３つの層を積層したいわゆる３層レジストによる
パターン形成法に関する。
従来から提案されている３層レジストは、中間層として
酸化シリコン、窒化ボロン、窒化シリコンあるいは各種
の酸化物ガラスの薄膜を用いて構成されていた。そのた
め以下のような欠点を有するものでめった。すなわちこ
れらの薄膜を基板、この場合は第１層有機高分子材料層
上に均一に薄く、且つピンホール等の欠点を含まず形成
するＶＣは基板温度を一定温度以上に保つて形成する必
要があり、例えば酸化／リコン（ｓｉｏ２） の薄膜を
いわゆるプラズマＣＶ Ｄ法で形成する場合には、基板
温度は最低２００℃にする必要がある０、このことｄ：
中間層形成時の第１屑布機高分子利別層の熱変形や分解
を避けるために、中間層形成前に２（１０℃以上の温１
４’ｌ了３第１層有機高分子材料層を熱処理し７なＱア
ノ′１け／ｉ：Ｃつないことを意味し、第１屑布機高公
了）ｌ′Ａオ］層の材料選択の枠をぜばめると共に、パ
ターン形成ツ成の最終工程での第１屑布機高分子４３和
層の刷部処理を困難にするという問題があった１、光学
的にはこれらの従来の中間層材オ」の薄膜は例えば現在
ホトリンクラフイの工程で最も多用されている水銀ラン
プからの放射光である波長４３６ ｎｍあるいは４０５
１１１＋１の光に対して＋（１：はとＸ７と透明であり
、したがって被加工基板表面からの反射光の影響を軽減
できす、６層構成し１→ ンストの重要な利点の１つを発揮できないもので−９つ
／こ。、電気的にはこれらの中間層制別は絶縁体であり
、したがって電子線露光に適用した場合は帯電を生じ、
良好な電子線描画を行うにあたり問題となるものであっ
た。
酸化シリコン、窒化ボロン、窒化シリコンあるいは各種
の酸化物ガラスの薄膜を用いて構成されていた。そのた
め以下のような欠点を有するものでめった。すなわちこ
れらの薄膜を基板、この場合は第１層有機高分子材料層
上に均一に薄く、且つピンホール等の欠点を含まず形成
するＶＣは基板温度を一定温度以上に保つて形成する必
要があり、例えば酸化／リコン（ｓｉｏ２） の薄膜を
いわゆるプラズマＣＶ Ｄ法で形成する場合には、基板
温度は最低２００℃にする必要がある０、このことｄ：
中間層形成時の第１屑布機高分子利別層の熱変形や分解
を避けるために、中間層形成前に２（１０℃以上の温１
４’ｌ了３第１層有機高分子材料層を熱処理し７なＱア
ノ′１け／ｉ：Ｃつないことを意味し、第１屑布機高公
了）ｌ′Ａオ］層の材料選択の枠をぜばめると共に、パ
ターン形成ツ成の最終工程での第１屑布機高分子４３和
層の刷部処理を困難にするという問題があった１、光学
的にはこれらの従来の中間層材オ」の薄膜は例えば現在
ホトリンクラフイの工程で最も多用されている水銀ラン
プからの放射光である波長４３６ ｎｍあるいは４０５
１１１＋１の光に対して＋（１：はとＸ７と透明であり
、したがって被加工基板表面からの反射光の影響を軽減
できす、６層構成し１→ ンストの重要な利点の１つを発揮できないもので−９つ
／こ。、電気的にはこれらの中間層制別は絶縁体であり
、したがって電子線露光に適用した場合は帯電を生じ、
良好な電子線描画を行うにあたり問題となるものであっ
た。
捷だ、これらの中間層材料の薄膜の形成速度にＩＥ一般
に比較的低く、プロセスのスループット上の問題点を有
していた。更にはパターン形成した上部レゾスト層をエ
ツチングマスクとして中間層を反応性イオンエツチング
の手法で選択的にエツチングする際のエッチレートは比
較的低り、」二部レジスト層とのエツチング選択比も充
分でない場合が多く、このことは−Ｆ部レジスト層を充
分に薄くできないことにつながり、結局は充分な解像度
が得られ、ないという問題点かあつ／ζ。
に比較的低く、プロセスのスループット上の問題点を有
していた。更にはパターン形成した上部レゾスト層をエ
ツチングマスクとして中間層を反応性イオンエツチング
の手法で選択的にエツチングする際のエッチレートは比
較的低り、」二部レジスト層とのエツチング選択比も充
分でない場合が多く、このことは−Ｆ部レジスト層を充
分に薄くできないことにつながり、結局は充分な解像度
が得られ、ないという問題点かあつ／ζ。
本発明の１」的は、従来の６層レジストの構成における
中間層材料に起因するこれらの欠点を全面的に除去（−
だ中間層材料を提供し、それによってパターン形成法を
改良するにある。
中間層材料に起因するこれらの欠点を全面的に除去（−
だ中間層材料を提供し、それによってパターン形成法を
改良するにある。
すなわち本発明を概説すれば、本発明は、被加工基板の
主面」−に、有機高分子材料層、中間層、レジスト層の
６つの層を順次積層し、次に所望のパターンでの露光及
び現像処理により所望のパターンを該し／スト層に形成
し、次に上記パターン形成さり、た１／レジスト層をエ
ツチングマスクとして中間層を選択的にエツチング除去
することにより該中間層に所望のパタ一ンを形成し、次
に上記パターン形成さｈ７／也中間層をエツチングマス
クとして有機高分子材料層全選択的にエツチング除去す
る工程からなるパターン形成法１／ｃおいて、上記中間
層がカルコケナイドガラス材で゛あることを特徴とする
パターン形成法に関する。
主面」−に、有機高分子材料層、中間層、レジスト層の
６つの層を順次積層し、次に所望のパターンでの露光及
び現像処理により所望のパターンを該し／スト層に形成
し、次に上記パターン形成さり、た１／レジスト層をエ
ツチングマスクとして中間層を選択的にエツチング除去
することにより該中間層に所望のパタ一ンを形成し、次
に上記パターン形成さｈ７／也中間層をエツチングマス
クとして有機高分子材料層全選択的にエツチング除去す
る工程からなるパターン形成法１／ｃおいて、上記中間
層がカルコケナイドガラス材で゛あることを特徴とする
パターン形成法に関する。
以下、本発明を添伺図面に基づいて具体的Ｖこ説明する
７６ 添付図面（ａ）〜（ｆ）は、本発明パターン形成法の基
本的工程を工程順に示す断面概要図である１、まず（ａ
） ＶＣ示すように最終的に所望のパターンが形成され
るべき被加工基板１の主面上に有機高分子材料層２、カ
ルコケナイドガラス層３、有機高分子レジスト層４をこ
の順に積層形成する。
７６ 添付図面（ａ）〜（ｆ）は、本発明パターン形成法の基
本的工程を工程順に示す断面概要図である１、まず（ａ
） ＶＣ示すように最終的に所望のパターンが形成され
るべき被加工基板１の主面上に有機高分子材料層２、カ
ルコケナイドガラス層３、有機高分子レジスト層４をこ
の順に積層形成する。
次に（ｂ）に示すように公知の方法により有機高分子レ
ジスト層４に所望のパターンを形成する。
ジスト層４に所望のパターンを形成する。
すなわち近紫外光、紫外光、遠紫外光、電子線、Ｘ線、
イオン線等の露光源を用いて所望のパターンの露光を行
い、現像処理によりレジストパターンを形成する。した
がって本発明に適用される有機高分子レジスト材料は使
用する露光源に応じて適宜選択すればよい。次に（Ｃ）
に示すようにパターン形成された有機高分子レジスト層
をエツチングマスクとして、これにより覆わノ１でいな
い部分のカルコゲナイドガラス材でなる中間層をエツチ
ング除去する。これにより中間層としてのカルコゲナイ
ドガラス層に所望のパ゛ターンが転写さり、る。次に（
ｄ）に示すように、パターン形成された有機高分子レジ
スト層及びカルコゲナイドガラス層をエツチングマスク
としてこれにより覆わわていなり部分の有機高分子材料
層をエツチング除去する。この際のエツチング法は酸素
ガスの放電プラズマを用いた反応性イオンエツチングの
方法の適用がいわゆるアンダーカットを生ぜず、パター
ン変換差が無い点において好適である。なお有機高分子
−レシスト層もこのエツチング過程Ｉ／（おいて完全に
除去さ）９、有機高分イー利４」層のエツチングマスク
と（７ての機能は実質的にイ’４’ Ｌ、、 ｉｊい３
、次に（（う） ｌｌＣ小すようにパターン形成さノま
たン゛！ルコクナイＦ層と有機高分子利１」層の積層膜
をエツチングマスクとして公知の方法により液加］一基
板ろ一エソづ′ング加工］２、最後に（ｆ）に小ずよう
１にパターン形成されたカルコケナイドガラス層及び有
機高分子材料層を剥離除去ずわ２け被加圧基板は所望の
パターン状にエツチング過程され７、本発明の・々ター
ン形成下程が完了する４、なお、剥離処理に：カルコゲ
ナイドカラス層と有機高分子材ｉ−１層とに分けて順次
行うこともできる］〜、同時に行うこともできる１、ま
た液加］一基板のエツチング処理工程１のカルコケナイ
ドガラス層に起因する汚染を防止する目的−Ｃ１被加工
基板のエツチング工程の前１／（カルコゲナイドガラス
層のみを除去することもできる。
イオン線等の露光源を用いて所望のパターンの露光を行
い、現像処理によりレジストパターンを形成する。した
がって本発明に適用される有機高分子レジスト材料は使
用する露光源に応じて適宜選択すればよい。次に（Ｃ）
に示すようにパターン形成された有機高分子レジスト層
をエツチングマスクとして、これにより覆わノ１でいな
い部分のカルコゲナイドガラス材でなる中間層をエツチ
ング除去する。これにより中間層としてのカルコゲナイ
ドガラス層に所望のパ゛ターンが転写さり、る。次に（
ｄ）に示すように、パターン形成された有機高分子レジ
スト層及びカルコゲナイドガラス層をエツチングマスク
としてこれにより覆わわていなり部分の有機高分子材料
層をエツチング除去する。この際のエツチング法は酸素
ガスの放電プラズマを用いた反応性イオンエツチングの
方法の適用がいわゆるアンダーカットを生ぜず、パター
ン変換差が無い点において好適である。なお有機高分子
−レシスト層もこのエツチング過程Ｉ／（おいて完全に
除去さ）９、有機高分イー利４」層のエツチングマスク
と（７ての機能は実質的にイ’４’ Ｌ、、 ｉｊい３
、次に（（う） ｌｌＣ小すようにパターン形成さノま
たン゛！ルコクナイＦ層と有機高分子利１」層の積層膜
をエツチングマスクとして公知の方法により液加］一基
板ろ一エソづ′ング加工］２、最後に（ｆ）に小ずよう
１にパターン形成されたカルコケナイドガラス層及び有
機高分子材料層を剥離除去ずわ２け被加圧基板は所望の
パターン状にエツチング過程され７、本発明の・々ター
ン形成下程が完了する４、なお、剥離処理に：カルコゲ
ナイドカラス層と有機高分子材ｉ−１層とに分けて順次
行うこともできる］〜、同時に行うこともできる１、ま
た液加］一基板のエツチング処理工程１のカルコケナイ
ドガラス層に起因する汚染を防止する目的−Ｃ１被加工
基板のエツチング工程の前１／（カルコゲナイドガラス
層のみを除去することもできる。
次に上記各工程について更に詳細ｖ（］述′＼る、１本
発明の要点である中間層としてのカルコゲナイドガラス
層と（７ては、薄く、均質に、欠陥無く、旧つ有機高分
子材料層と接着性良く形成でき、更に良好な品質−（゛
エツチング゛が可能であり、し７かも酸素ガスイｒ・用
いた反応性イオンエツチングに対して強い削性を有すれ
ばすべて本発明に使用可能である２、例えばＳｅ、Ｓ、
Ｔｅ、Ｃｒｅ、Ａｓを主成分と１２で含有するカルコゲ
ナイドカラスはすべてこれらの要件を満たすものである
。特にＳｅ とＧｅ を主成分として含有するカルコ
ゲナイドガラスは」二記の要件を充分に満足すると共に
、熱的安定性、保存性も良好であり、取扱いも容易であ
るので、本発明に適用するのに好適であるＵ 、ｙＣの
例としては、Ｓｅ ９５〜７０原子係、（）ｅ 残部が
ある４、 かかるカルコゲナイドガラス層の形成は真空蒸着法又は
スパッタリンク法のいずれにおいても容易になされるが
、特に接着性が良好な点に；ｊ・・いてスパッタリング
法が本発明に適用するのに好適である。ツノルコケナイ
ドガラス中間層のエツチングはアルカリ性溶液を用い／
どウェットエツチング法でも容易になされるが、・２タ
ーン変換差を生じないという観点からはこの場合も反応
性イオンエツチングの方法により行うのが好適である。
発明の要点である中間層としてのカルコゲナイドガラス
層と（７ては、薄く、均質に、欠陥無く、旧つ有機高分
子材料層と接着性良く形成でき、更に良好な品質−（゛
エツチング゛が可能であり、し７かも酸素ガスイｒ・用
いた反応性イオンエツチングに対して強い削性を有すれ
ばすべて本発明に使用可能である２、例えばＳｅ、Ｓ、
Ｔｅ、Ｃｒｅ、Ａｓを主成分と１２で含有するカルコゲ
ナイドカラスはすべてこれらの要件を満たすものである
。特にＳｅ とＧｅ を主成分として含有するカルコ
ゲナイドガラスは」二記の要件を充分に満足すると共に
、熱的安定性、保存性も良好であり、取扱いも容易であ
るので、本発明に適用するのに好適であるＵ 、ｙＣの
例としては、Ｓｅ ９５〜７０原子係、（）ｅ 残部が
ある４、 かかるカルコゲナイドガラス層の形成は真空蒸着法又は
スパッタリンク法のいずれにおいても容易になされるが
、特に接着性が良好な点に；ｊ・・いてスパッタリング
法が本発明に適用するのに好適である。ツノルコケナイ
ドガラス中間層のエツチングはアルカリ性溶液を用い／
どウェットエツチング法でも容易になされるが、・２タ
ーン変換差を生じないという観点からはこの場合も反応
性イオンエツチングの方法により行うのが好適である。
本発明によるＳｅとＧｅを主成分として含むカルコゲナ
イドガラスの薄膜はフッ素系ガスの放電プラズマを用い
た反応性イランエツチングの方法によりアンダーカット
なく七つ高速にエツチングすることが可能であり、本発
明に適用するのに好適である１゜ 中間層としてカルコゲナイドガラス材の特性に由来した
以下に述べるような多くの利点がある。カルコクナイド
カラスの薄膜は基板温度を低く保ったまｉｆ、旧つ高速
の膜形成が可能１あり、これにより前述した従来の３層
構成レジストにおける中間層桐材に起因しプを欠点が除
去きれる３寸だカルコゲナイドガラス薄膜は組成を適当
に選択することにより近紫外光、紫外光に対する光吸収
を極めて大きくできる。例えばＳ０８゜（）Ｃ２０では
波長４３６ ｎｍの光に対して１０５ｃｍ−’以上の吸
収係数を有する１、シたがって、例えばＭのような光反
射率の大きい基板上でも基板からの反射光の影響を全く
除去することが可能で、高精度のパターン形成が容易で
ある。Ａ・たカルコケナイドガラス材別は一般に半導体
領域の電気伝導度を有し、電子線露光に適用しても帯電
の問題が全く生じない３、更にフッ素系ガスを用いプこ
反応性イオンエツチングの方法で高速且つパターン変換
差の無いエツチングが極めて容易なことも本発明の優れ
た利点である。
イドガラスの薄膜はフッ素系ガスの放電プラズマを用い
た反応性イランエツチングの方法によりアンダーカット
なく七つ高速にエツチングすることが可能であり、本発
明に適用するのに好適である１゜ 中間層としてカルコゲナイドガラス材の特性に由来した
以下に述べるような多くの利点がある。カルコクナイド
カラスの薄膜は基板温度を低く保ったまｉｆ、旧つ高速
の膜形成が可能１あり、これにより前述した従来の３層
構成レジストにおける中間層桐材に起因しプを欠点が除
去きれる３寸だカルコゲナイドガラス薄膜は組成を適当
に選択することにより近紫外光、紫外光に対する光吸収
を極めて大きくできる。例えばＳ０８゜（）Ｃ２０では
波長４３６ ｎｍの光に対して１０５ｃｍ−’以上の吸
収係数を有する１、シたがって、例えばＭのような光反
射率の大きい基板上でも基板からの反射光の影響を全く
除去することが可能で、高精度のパターン形成が容易で
ある。Ａ・たカルコケナイドガラス材別は一般に半導体
領域の電気伝導度を有し、電子線露光に適用しても帯電
の問題が全く生じない３、更にフッ素系ガスを用いプこ
反応性イオンエツチングの方法で高速且つパターン変換
差の無いエツチングが極めて容易なことも本発明の優れ
た利点である。
次に本発明を実施例により具体的に説明りるが、本発明
はこれに限定されない。
はこれに限定されない。
実施例 、１５．。
表面に熱酸化膜の層を有するシリコンウエノ・上に厚さ
０．８μｍのＡ、ｔ の層を形成した基板上に有機高分
子材料層として市販のＡＺ−１３７０レジストを２μｍ
の厚さにスピナーを用いて形成し、窒素雰囲気中１７０
℃の条件で３０分間熱処理しｔ（３３次に高周波スパッ
タリングの方法により５ｅｓｏ Ｇｅ２ｏ （／Ｍ子
％）の薄膜を０．２μｍの厚さに形成１〜な１．形成条
件は高周波電力９゜Ｗ１形成時間３分である。３この条
件での基板表面温度の一ヒ昇は高々１００℃であり、有
機高分子材料層の変形、変質は一切認められなかった６
゜次に市販００ド円ｔ−８００レジストを１１ｔｔ）Ｈ
の厚さに形成し７、縮小投影露光装置を用いた露光、公
知の方法による現像により１μｍのラインアンドスペー
スのパターンを０ＦＪ−’Ｒ−８００レジストに形成し
た４、次にＣＦ４ ガス５Ｐａ、 １ｏＯＷ、 １分間
、０２ガス ３Ｐａ、１００Ｗ’、６０分間及びＳｌ、
Ｃｔ４ガス８Ｐａ、 １００Ｗ、 １０分間の条件で
：ＥｅＢ６ （Ｊ−ｅ２゜有機高分子材料層、Ａｔ層の
反応性イオンエツチングを順次行い、最後に市販の、ｒ
−＋ｏｏレジスト剥離液を用ハ、残存する有機高分子イ
Ａ制層’（ｅ ５ｅａ００ｅ２０ の層と共に剥離１
．た。このようにしてＡｔの １μｍ１７ ラインア
ンドスペースパターンを形成し７だ。
０．８μｍのＡ、ｔ の層を形成した基板上に有機高分
子材料層として市販のＡＺ−１３７０レジストを２μｍ
の厚さにスピナーを用いて形成し、窒素雰囲気中１７０
℃の条件で３０分間熱処理しｔ（３３次に高周波スパッ
タリングの方法により５ｅｓｏ Ｇｅ２ｏ （／Ｍ子
％）の薄膜を０．２μｍの厚さに形成１〜な１．形成条
件は高周波電力９゜Ｗ１形成時間３分である。３この条
件での基板表面温度の一ヒ昇は高々１００℃であり、有
機高分子材料層の変形、変質は一切認められなかった６
゜次に市販００ド円ｔ−８００レジストを１１ｔｔ）Ｈ
の厚さに形成し７、縮小投影露光装置を用いた露光、公
知の方法による現像により１μｍのラインアンドスペー
スのパターンを０ＦＪ−’Ｒ−８００レジストに形成し
た４、次にＣＦ４ ガス５Ｐａ、 １ｏＯＷ、 １分間
、０２ガス ３Ｐａ、１００Ｗ’、６０分間及びＳｌ、
Ｃｔ４ガス８Ｐａ、 １００Ｗ、 １０分間の条件で
：ＥｅＢ６ （Ｊ−ｅ２゜有機高分子材料層、Ａｔ層の
反応性イオンエツチングを順次行い、最後に市販の、ｒ
−＋ｏｏレジスト剥離液を用ハ、残存する有機高分子イ
Ａ制層’（ｅ ５ｅａ００ｅ２０ の層と共に剥離１
．た。このようにしてＡｔの １μｍ１７ ラインア
ンドスペースパターンを形成し７だ。
以上詳細ｌ／ｃ説明し／ζように、本発明は中間層とし
でツノルコク°ナイドガラスの層を適用しｆｉ二ことを
特徴とする３層レジストパターンの形成法に関するもの
で、本発明により従来技術の欠点がすべて除去され、優
れたパターン形成を行うことができる１゜
でツノルコク°ナイドガラスの層を適用しｆｉ二ことを
特徴とする３層レジストパターンの形成法に関するもの
で、本発明により従来技術の欠点がすべて除去され、優
れたパターン形成を行うことができる１゜
添付図面（ａ）〜（ｆ）は本発明によるパターン形成法
の基本的工程を工程順に示す断面概要図である。、 １：被加工基板、２：有機高分子材料層、３：カルコゲ
ナイドガラス層、４：有機高分子レジスト層 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 中本 宏
の基本的工程を工程順に示す断面概要図である。、 １：被加工基板、２：有機高分子材料層、３：カルコゲ
ナイドガラス層、４：有機高分子レジスト層 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 中本 宏
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被加工基板の主面上に、有機高分子相別層、中間層
、レジスト層の３つの層を順次積層１〜、次に所望のパ
ターンでの露光及び現像処理により所望のパターンを該
レジスト層に形成１２、次に上記パターン形成されたレ
ジスト層をエツチングマスクとして中間層を選択的にエ
ツチング除去することにより該中間層に所望のパターン
を形成し、次に上記パターン形成された中間層をエツチ
ングマスクとして有機高分子材料層を選択的にエツチン
グ除去する工程からなるパターン形成法において、上記
中間層かカルコゲナイドガラス材であることを特徴とす
るパターン形成法３． ２、 該カルコゲナイドガラス月層がセレン（ＳＪとゲ
ルマニウム（Ｇｅ） とを主成分とするガラス材であ
る特許請求の範囲第１項記載のパターン形成法。 ３ カルコゲナイドガラス材なる中間層のエツチングを
フッ素を含むガス雰囲気中での放電により生じたプラズ
マにより行う特許請求の範囲第１項記載のパターン形成
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57017669A JPH0629968B2 (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57017669A JPH0629968B2 (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | パタ−ン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58136029A true JPS58136029A (ja) | 1983-08-12 |
| JPH0629968B2 JPH0629968B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=11950254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57017669A Expired - Lifetime JPH0629968B2 (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629968B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60111243A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 有機高分子膜のエツチング方法 |
| EP0315375A2 (en) * | 1987-10-31 | 1989-05-10 | Fujitsu Limited | Multilayer resist material and pattern forming method using the same |
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| JPH03111117U (ja) * | 1990-02-23 | 1991-11-14 | ||
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0629968B2 (ja) | 1994-04-20 |
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