JPS61273546A - 金属シリサイドフオトマスクの製造方法 - Google Patents
金属シリサイドフオトマスクの製造方法Info
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- JPS61273546A JPS61273546A JP60115864A JP11586485A JPS61273546A JP S61273546 A JPS61273546 A JP S61273546A JP 60115864 A JP60115864 A JP 60115864A JP 11586485 A JP11586485 A JP 11586485A JP S61273546 A JPS61273546 A JP S61273546A
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- metal silicide
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- resist
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造に用いる金属シリサイド
フォトマスクの製造方法に関するものである。
フォトマスクの製造方法に関するものである。
従来、半導体装置の製造に用いる金属シリサイドフォト
マスクの製造方法として、第２図に示すものがあった６
図において、１は石英等の透明ガラス基板である。２は
スパッタ法等で約１０００人程度形成したＴｉ、Ｍｏ、
Ｗ等の金属をシリサイド化した金属シリサイド膜である
。３は上記基板上に塗布された電子ビーム（ＥＢ）用又
は光用レジストである。
マスクの製造方法として、第２図に示すものがあった６
図において、１は石英等の透明ガラス基板である。２は
スパッタ法等で約１０００人程度形成したＴｉ、Ｍｏ、
Ｗ等の金属をシリサイド化した金属シリサイド膜である
。３は上記基板上に塗布された電子ビーム（ＥＢ）用又
は光用レジストである。
次に従来の製造方法について説明する。第２図（ａ）に
示すように、まず石英等の透明ガラス基板１上にスパッ
タ法等で約１０００人程度形成したＴｉ。
示すように、まず石英等の透明ガラス基板１上にスパッ
タ法等で約１０００人程度形成したＴｉ。
Ｍｏ、Ｗ等の金属をシリサイド化して金属シリサイドフ
ォトマスク２を形成する。次に第２図中）に示すように
、上記基板上に電子ビーム（ＥＢ）又は光用レジスト３
を塗布し、所望のパターンを形成する０次に第２図（Ｃ
）に示すように、例えば・モリブデンシリサイド（Ｍｏ
Ｓｉ２）の場合、ＣＦ４＋０２（２％〜２０％）の混合
ガスプラズマ４テ０．２ Ｔｏｒｒ、 ３００ Ｗ（
７）条件で約５ｏｏ〜１ｏｏｏ人／分のエツチング速度
でエツチングする。次に、第２図（ｄ）に示すように、
エツチングが完了した後、０２プラズマでレジスト除去
を行ない、このようにして半導体製造に用いられるフォ
トマスクを製造する。
ォトマスク２を形成する。次に第２図中）に示すように
、上記基板上に電子ビーム（ＥＢ）又は光用レジスト３
を塗布し、所望のパターンを形成する０次に第２図（Ｃ
）に示すように、例えば・モリブデンシリサイド（Ｍｏ
Ｓｉ２）の場合、ＣＦ４＋０２（２％〜２０％）の混合
ガスプラズマ４テ０．２ Ｔｏｒｒ、 ３００ Ｗ（
７）条件で約５ｏｏ〜１ｏｏｏ人／分のエツチング速度
でエツチングする。次に、第２図（ｄ）に示すように、
エツチングが完了した後、０２プラズマでレジスト除去
を行ない、このようにして半導体製造に用いられるフォ
トマスクを製造する。
しかるに、この従来の方法では、微細化に伴うドライエ
ツチングに対して、耐ドライエツチング性の高いレジス
トしか使用できなく、レジスト膜厚も十分厚いものでな
ければならず、超微細化パターンには限界があり、また
、シリサイド表面が酸化した場合には、エツチング速度
が遅く、エツチングがしきれないなどの問題点があった
。
ツチングに対して、耐ドライエツチング性の高いレジス
トしか使用できなく、レジスト膜厚も十分厚いものでな
ければならず、超微細化パターンには限界があり、また
、シリサイド表面が酸化した場合には、エツチング速度
が遅く、エツチングがしきれないなどの問題点があった
。
本発明は、上記の様な従来の欠点を除去するためになさ
れたもので、より超微細なパターンを解像でき、かつ工
程の簡略化を図ることのできる金属シリサイドフォトマ
スクの製造方法を得ることを目的とする。
れたもので、より超微細なパターンを解像でき、かつ工
程の簡略化を図ることのできる金属シリサイドフォトマ
スクの製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る金属シリサイドフォトマスクの製造方法
は透明ガラス基板上に金属シリサイド膜を形成する工程
、前記金属シリサイド膜上にレジストを塗布する工程、
光または電子ビームによりより前記金属シリサイド膜と
レジストを一度にエツチングする工程を含むものである
。
は透明ガラス基板上に金属シリサイド膜を形成する工程
、前記金属シリサイド膜上にレジストを塗布する工程、
光または電子ビームによりより前記金属シリサイド膜と
レジストを一度にエツチングする工程を含むものである
。
この発明においては、スカム除去の際に、金属シリサイ
ド膜の露出している表面に、ｏ２を含むプラズマによっ
て酸化膜が形成されるから、金属シリサイドのエツチン
グにおいては、この酸化膜をマスクとしてレジストと金
属シリサイド膜とを同時にエツチングでき、これにより
工程を簡略化できるとともに、レジスト膜厚は薄（て済
み、精度の良い微細パターンのものが得られる。
ド膜の露出している表面に、ｏ２を含むプラズマによっ
て酸化膜が形成されるから、金属シリサイドのエツチン
グにおいては、この酸化膜をマスクとしてレジストと金
属シリサイド膜とを同時にエツチングでき、これにより
工程を簡略化できるとともに、レジスト膜厚は薄（て済
み、精度の良い微細パターンのものが得られる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、１は石英等の透明基板である。
２はスパッタ法等で約１０００人程度形成したＴｉ。
Ｍｏ、Ｗ等の金属をシリサイド化した金属シリサイド膜
である。３は上記基板上に塗布した電子ビーム（ＥＢ）
用又は光用レジスト、６はｏ２プラズマ又はウェット空
気プラズマで、５はこれにより酸化された酸化膜である
。４は金属シリサイド２及びレジスト３をエツチングす
るエツチングプラズマである。
である。３は上記基板上に塗布した電子ビーム（ＥＢ）
用又は光用レジスト、６はｏ２プラズマ又はウェット空
気プラズマで、５はこれにより酸化された酸化膜である
。４は金属シリサイド２及びレジスト３をエツチングす
るエツチングプラズマである。
次に本実施例の方法について説明する。第１図（ａ）に
示すように、石英等の透明ガラス基板１上にスパッタ法
等で約１０００人程度形成した” ’ ＋ Ｍ ｏ 。
示すように、石英等の透明ガラス基板１上にスパッタ法
等で約１０００人程度形成した” ’ ＋ Ｍ ｏ 。
Ｗ等の金属をシリサイド化して金属シリサイドフォトマ
スクを形成する。次に第１図世）に示すように、上記基
板上に電子ビーム（ＥＢ）用又は光用レジスト３を塗布
し、所望のパターンを形成し、スカム除去の際に、バレ
ル型プラズマ装置では０２又はウェット空気のプラズマ
により５〜７分間、平行平板型プラズマ装置では０２プ
ラズマにより１〜２分間分間カスカム除去なうことによ
り、金属シリサイドの露出表面を酸化し、耐エツチング
性にすぐれた酸化膜５を形成する０次に第１図（Ｃ）に
示すように、酸化膜５をマスクにして、レジスト及び金
属シリサイドの反転エツチングを行ない、ＭｏＳｉ２の
場合、ＣＦ４ ＋０２ （２〜２０％）の混合ガスプ
ラズマで、０．２ Ｔｏｒｒ、 ３００ Ｗの条件で
は、約５００〜１０００人／分のエツチング速度が得ら
れる。
スクを形成する。次に第１図世）に示すように、上記基
板上に電子ビーム（ＥＢ）用又は光用レジスト３を塗布
し、所望のパターンを形成し、スカム除去の際に、バレ
ル型プラズマ装置では０２又はウェット空気のプラズマ
により５〜７分間、平行平板型プラズマ装置では０２プ
ラズマにより１〜２分間分間カスカム除去なうことによ
り、金属シリサイドの露出表面を酸化し、耐エツチング
性にすぐれた酸化膜５を形成する０次に第１図（Ｃ）に
示すように、酸化膜５をマスクにして、レジスト及び金
属シリサイドの反転エツチングを行ない、ＭｏＳｉ２の
場合、ＣＦ４ ＋０２ （２〜２０％）の混合ガスプ
ラズマで、０．２ Ｔｏｒｒ、 ３００ Ｗの条件で
は、約５００〜１０００人／分のエツチング速度が得ら
れる。
このような本実施例方法では、Ｍ ｏ Ｓ ｉ ２のエ
ツチングにおいては、レジストをエツチングする時間の
みかかるだけで、全体的に見れば、レジスト除去する工
程が省略されるので、スループット時間は大きく改善さ
れることになる。又本実施例では、レジストも耐ドライ
エツチ性がなくとも良く、膜厚も薄くて済むので、精度
の良い、解像もより良い微細パターンのものが得られる
。
ツチングにおいては、レジストをエツチングする時間の
みかかるだけで、全体的に見れば、レジスト除去する工
程が省略されるので、スループット時間は大きく改善さ
れることになる。又本実施例では、レジストも耐ドライ
エツチ性がなくとも良く、膜厚も薄くて済むので、精度
の良い、解像もより良い微細パターンのものが得られる
。
以上のように、この発明に係る金属シリサイドフォトマ
スクの製造方法によれば、スカム除去の際に、金属シリ
サイドの露出表面に酸化膜を形成し、エツチング時にレ
ジストと金属シリサイド膜ヲエッチングする様にしたの
で、レジスト除去の工程が省略でき、かつレジストも耐
ドライエツチ性がなくとも良く、膜厚も薄くて済むので
、精度の良い解像もよりよい微細パターンのものが得ら
れる効果がある。
スクの製造方法によれば、スカム除去の際に、金属シリ
サイドの露出表面に酸化膜を形成し、エツチング時にレ
ジストと金属シリサイド膜ヲエッチングする様にしたの
で、レジスト除去の工程が省略でき、かつレジストも耐
ドライエツチ性がなくとも良く、膜厚も薄くて済むので
、精度の良い解像もよりよい微細パターンのものが得ら
れる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるモリブデンシリサイ
ドフォトマスクの製造方法を示す断面側面図、第２図は
従来のモリブデンシリサイドフォトマスクの製造方法を
示す断面側面図である。 １は石英基板、２はＭｏＳｉ２膜、３はレジスト、４は
ＣＦ４ ＋０２プラズマ、５はＭ ＯＳ ｉ ２の酸化
膜、６はｏ２プラズマである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第１図 １：Ｊダ
ドフォトマスクの製造方法を示す断面側面図、第２図は
従来のモリブデンシリサイドフォトマスクの製造方法を
示す断面側面図である。 １は石英基板、２はＭｏＳｉ２膜、３はレジスト、４は
ＣＦ４ ＋０２プラズマ、５はＭ ＯＳ ｉ ２の酸化
膜、６はｏ２プラズマである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第１図 １：Ｊダ
Claims (3)
- （１）透明ガラス基板上に金属シリサイド膜を形成する
工程、前記金属シリサイド膜上にレジストを塗布する工
程、光または電子ビームによりマスクパターンを描画し
た後現像処理する工程、スカム除去をＯ＿２を含むプラ
ズマを用いて行なう工程、ドライエッチング法により前
記金属シリサイド膜とレジストを一度にエッチングする
工程を含むことを特徴とする金属シリサイドフォトマス
クの製造方法。 - （２）上記スカム除去はバレル型プラズマ装置でＯ＿２
又はウェット空気のプラズマにより５〜７分間行なうこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の金属シリサ
イドフォトマスクの製造方法。 - （３）上記スカム除去は平行平板型プラズマ装置でＯ＿
２プラズマにより１〜２分間行なうことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の金属シリサイドフォトマスク
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60115864A JPS61273546A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 金属シリサイドフオトマスクの製造方法 |
| US06/846,518 US4661426A (en) | 1985-05-29 | 1986-03-31 | Process for manufacturing metal silicide photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60115864A JPS61273546A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 金属シリサイドフオトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61273546A true JPS61273546A (ja) | 1986-12-03 |
| JPH0466345B2 JPH0466345B2 (ja) | 1992-10-22 |
Family
ID=14673036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60115864A Granted JPS61273546A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 金属シリサイドフオトマスクの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4661426A (ja) |
| JP (1) | JPS61273546A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6195356A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクブランク |
| JPS61273545A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク |
| JPS6252550A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
| US5020083A (en) * | 1989-04-21 | 1991-05-28 | Lepton Inc. | X-ray masks, their fabrication and use |
| US5674647A (en) * | 1992-11-21 | 1997-10-07 | Ulvac Coating Corporation | Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask |
| JP3064769B2 (ja) * | 1992-11-21 | 2000-07-12 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法 |
| JP3453435B2 (ja) * | 1993-10-08 | 2003-10-06 | 大日本印刷株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
| JP3397933B2 (ja) * | 1995-03-24 | 2003-04-21 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトフォトマスクブランクス、位相シフトフォトマスク、及びそれらの製造方法。 |
| KR100634387B1 (ko) * | 2004-07-22 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 위상 쉬프트 마스크의 수리 방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0048291B1 (de) * | 1980-09-19 | 1985-07-03 | Ibm Deutschland Gmbh | Struktur mit einem eine durchgehende Öffnung aufweisenden Siliciumkörper und Verfahren zu ihrer Herstellung |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP60115864A patent/JPS61273546A/ja active Granted
-
1986
- 1986-03-31 US US06/846,518 patent/US4661426A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0466345B2 (ja) | 1992-10-22 |
| US4661426A (en) | 1987-04-28 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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