JPH03271739A - マスクの製造方法 - Google Patents
マスクの製造方法Info
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- JPH03271739A JPH03271739A JP2071513A JP7151390A JPH03271739A JP H03271739 A JPH03271739 A JP H03271739A JP 2071513 A JP2071513 A JP 2071513A JP 7151390 A JP7151390 A JP 7151390A JP H03271739 A JPH03271739 A JP H03271739A
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- pva
- mask
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- resist pattern
- resist patterns
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- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガラス基板上に金属遮光膜をバターニング形
成されたハードマスク又はレチクルを製造する方法に関
する。
成されたハードマスク又はレチクルを製造する方法に関
する。
ガラス基板上にクロムや酸化鉄等の金属遮光膜をバター
ニング形成されたハードマスク又はレチクルはＩＣパタ
ーンを作成する際に用いられ、その製造に際しては、金
属遮光膜のバターニングに必要なレジストパターンを電
子ビームによる露光で作成し、このレジストパターンを
マスクにしてドライエツチング等で金属遮光膜をバター
ニングしてマスク又はレチクルを作成する。この場合、
近年の半導体装置の高集積化、微細化に伴ない、ますま
すパターンの高寸法精度化が要求されている。特に、電
子ビーム（ＥＢ）リソグラフィ技術は微細化、高寸法精
度化に対応した技術として従来より注目されているが、
様々な周辺技術の研究開発が十分でなく、その優位性を
生かし切れていないのが現状である。
ニング形成されたハードマスク又はレチクルはＩＣパタ
ーンを作成する際に用いられ、その製造に際しては、金
属遮光膜のバターニングに必要なレジストパターンを電
子ビームによる露光で作成し、このレジストパターンを
マスクにしてドライエツチング等で金属遮光膜をバター
ニングしてマスク又はレチクルを作成する。この場合、
近年の半導体装置の高集積化、微細化に伴ない、ますま
すパターンの高寸法精度化が要求されている。特に、電
子ビーム（ＥＢ）リソグラフィ技術は微細化、高寸法精
度化に対応した技術として従来より注目されているが、
様々な周辺技術の研究開発が十分でなく、その優位性を
生かし切れていないのが現状である。
ＥＢ感光材料の研究開発もその一つであり、高感度、高
解像度、高耐ドライエツチング性を有したレジストパタ
ーンの開発が望まれている。
解像度、高耐ドライエツチング性を有したレジストパタ
ーンの開発が望まれている。
第２図は従来の一例の製造工程図を示す。同図（Ａ）に
おいて、ガラス基板１上にクロム層２を形成し、クロム
層２上にポリビニルアルコール（ＰＶＡ）膜３を形成し
てプリベークし、電子ビーム描画装置にてマスク形成所
望領域に電子ビームを照射して該領域を高分子化する。
おいて、ガラス基板１上にクロム層２を形成し、クロム
層２上にポリビニルアルコール（ＰＶＡ）膜３を形成し
てプリベークし、電子ビーム描画装置にてマスク形成所
望領域に電子ビームを照射して該領域を高分子化する。
次に同図（Ｂ）に示す如く、純水等によって現像を行な
って未露光部分のＰＶＡ膜（破線部分）を除去してＰＶ
Ａ膜（破線部分）を除去してＰＶＡレジストパターン３
ａを形成する。次に真空中でプラズマを発生させてＰＶ
Ａレジストパターン３ａをマスクにしてドライエツチン
グを行ない、同図＜Ｃ）に示すようにクロム層（破線部
分）を除去する。
って未露光部分のＰＶＡ膜（破線部分）を除去してＰＶ
Ａ膜（破線部分）を除去してＰＶＡレジストパターン３
ａを形成する。次に真空中でプラズマを発生させてＰＶ
Ａレジストパターン３ａをマスクにしてドライエツチン
グを行ない、同図＜Ｃ）に示すようにクロム層（破線部
分）を除去する。
次にＰＶＡレジストパターン３ａを除去し、同図（Ｄ）
に示すようにクロム層のマスク２ａを形成する。
に示すようにクロム層のマスク２ａを形成する。
一般に、ＰＶＡは現像を純水で行なえるという利点があ
る反面、耐ドライエツチング性が低いために第２図・（
Ｃ）においてクロム層２を除去するに際してＰＶＡレジ
ストパターン３ａまでもがエツチングされてしまい、マ
スク２ａを形成するべき部分のクロム１２もエツチング
してしまう虞れがある問題点があった。そこで、この不
都合をなくすためにＰＶＡ膜３を厚く形成することが考
えられるが、ＰＶＡレジストパターン３ａのエツジは第
３図に示すように一般にテーバ状となるためにＰＶＡ膜
３を厚く形成する程これが破線のようにエツチングされ
るとその端部位置において大きなズレ之を生じ、マスク
２ａの解像度が低下する問題点がある。このような問題
点があるため、ＰＶＡはレジストパターンとして現在殆
ど使用されていない。
る反面、耐ドライエツチング性が低いために第２図・（
Ｃ）においてクロム層２を除去するに際してＰＶＡレジ
ストパターン３ａまでもがエツチングされてしまい、マ
スク２ａを形成するべき部分のクロム１２もエツチング
してしまう虞れがある問題点があった。そこで、この不
都合をなくすためにＰＶＡ膜３を厚く形成することが考
えられるが、ＰＶＡレジストパターン３ａのエツジは第
３図に示すように一般にテーバ状となるためにＰＶＡ膜
３を厚く形成する程これが破線のようにエツチングされ
るとその端部位置において大きなズレ之を生じ、マスク
２ａの解像度が低下する問題点がある。このような問題
点があるため、ＰＶＡはレジストパターンとして現在殆
ど使用されていない。
本発明は、金属遮光膜のバターニングに必要なＰＶＡレ
ジストパターンの耐ドライエツチング性を向上して高寸
法精度のマスクを製造できるマスクの製造方法を提供す
ることを目的とする。
ジストパターンの耐ドライエツチング性を向上して高寸
法精度のマスクを製造できるマスクの製造方法を提供す
ることを目的とする。
上記問題点は、レジストパターンの形成後、ドライエツ
チングの前に、フッ素を含むガス雰囲気中でプラズマ処
理を行なう工程を含むことを特徴とするマスクの製造方
法にて解決される。
チングの前に、フッ素を含むガス雰囲気中でプラズマ処
理を行なう工程を含むことを特徴とするマスクの製造方
法にて解決される。
フッ素を含むガス雰囲気中のプラズマ処理によってＰＶ
Ａレジストパターンの表面が改質し、これにより、金属
遮光膜のドライエツチングの際、ＰＶＡレジストパター
ンがダメージを受けることがなくなる。従って、従来例
のようにＰＶＡレジストパターンを厚く形成する必要が
なく、従来例に比して高解像度のマスクを形成できる。
Ａレジストパターンの表面が改質し、これにより、金属
遮光膜のドライエツチングの際、ＰＶＡレジストパター
ンがダメージを受けることがなくなる。従って、従来例
のようにＰＶＡレジストパターンを厚く形成する必要が
なく、従来例に比して高解像度のマスクを形成できる。
第１図は本発明の一実施例の製造工程図を示す。
同図（Ａ）において、ガラス基板１上にクロム層（金属
遮光膜〉２を５００Ａ〜１０００Ａ形成し、クロム層２
上に−ＰＶＡＩＩＩ ＜Ｌｉシスト材〉３を５０００２
：１−ティングしてプリベークし、マスク形成所望領
域に電子ビームを照射して該領域を高分子化する。
遮光膜〉２を５００Ａ〜１０００Ａ形成し、クロム層２
上に−ＰＶＡＩＩＩ ＜Ｌｉシスト材〉３を５０００２
：１−ティングしてプリベークし、マスク形成所望領
域に電子ビームを照射して該領域を高分子化する。
次に同図（Ｂ）に示す如く、純水スプレ又は純水デイツ
プによって現像を行なって未露光部分のＰＶＡＩＩ （
破線部分）を除去してＰＶＡレジストパターン３ａを形
成する。
プによって現像を行なって未露光部分のＰＶＡＩＩ （
破線部分）を除去してＰＶＡレジストパターン３ａを形
成する。
次に同図（Ｃ）に示す如く、四フッ化炭素（ＣＦ４ ）
のガス雰囲気中でプラズマ処理を行なう。この場合、平
行平板型対向電極を有するプラズマ処理装置を用い、真
空度０．５ｔＯｒｒ 〜ｉ、ｏｔｏｒｒ。
のガス雰囲気中でプラズマ処理を行なう。この場合、平
行平板型対向電極を有するプラズマ処理装置を用い、真
空度０．５ｔＯｒｒ 〜ｉ、ｏｔｏｒｒ。
ＣＦ４ガス流１１０５ＣＣ）ｌ〜２０５ＣＣＨ，パワー
２００Ｗ〜３００Ｗの条件で処理を行なう。このとき、
ＰＶＡレジスタパターン３ａの表面が四フッ化炭素（Ｃ
Ｆａ ）によって改質される。なお、クロム層２は上記
プラズマ処理によっては何ら変化しない。
２００Ｗ〜３００Ｗの条件で処理を行なう。このとき、
ＰＶＡレジスタパターン３ａの表面が四フッ化炭素（Ｃ
Ｆａ ）によって改質される。なお、クロム層２は上記
プラズマ処理によっては何ら変化しない。
次に同図（Ｄ）に示す如く、四塩化炭素（ＣＣ２＊ ）
及び酸素（０２）の混合ガスを用い、真空中でプラズマ
を発生させてＰＶＡレジストパターン３ａをマスクにし
てクロムｌｉ２をドライエツチングして除去（破線部分
）する。ここで、ＰＶＡレジストパターン３ａはその表
面がＣＦ４によって改質されているため、クロム層２の
ドライエツチングによってＰＶＡレジストパターン３ａ
は何ら影響を受けないことが実験によって確かめられた
。即ち、ＰＶＡレジストパターン３ａはプラズマ処理を
施すことによって耐ドライエツチング性が向上したこと
になり、選択比（クロム層のエツチングレート／ＰＶＡ
レジストのエツチングレート）は従来例では０°７であ
ったのに対し、本発明は２．０と従来例の約３倍になっ
た。
及び酸素（０２）の混合ガスを用い、真空中でプラズマ
を発生させてＰＶＡレジストパターン３ａをマスクにし
てクロムｌｉ２をドライエツチングして除去（破線部分
）する。ここで、ＰＶＡレジストパターン３ａはその表
面がＣＦ４によって改質されているため、クロム層２の
ドライエツチングによってＰＶＡレジストパターン３ａ
は何ら影響を受けないことが実験によって確かめられた
。即ち、ＰＶＡレジストパターン３ａはプラズマ処理を
施すことによって耐ドライエツチング性が向上したこと
になり、選択比（クロム層のエツチングレート／ＰＶＡ
レジストのエツチングレート）は従来例では０°７であ
ったのに対し、本発明は２．０と従来例の約３倍になっ
た。
次にＰＶＡレジストパターン３ａを０２プラズマを用い
てプラズマアッシングによって除去し、同図（Ｅ）に示
すクロム層のマスク２ａを作成する。このとき、上記プ
ラズマアッシングはクロム層２には作用しない。
てプラズマアッシングによって除去し、同図（Ｅ）に示
すクロム層のマスク２ａを作成する。このとき、上記プ
ラズマアッシングはクロム層２には作用しない。
以上説明した如く、本発明によれば、金属遮光膜のドラ
イエツチングの前処理としてフッ素を含むガス雰囲気中
でプラズマ処理を行なったため、ＰＶＡレジストパター
ンの表面がフッ素を含むガスによって改質されて高耐ド
ライエツチング性となり、従来例のようにＰＶＡレジス
トパターンを厚く形成する必要がないので従来例に比し
て高解像度のマスクを形成できる。
イエツチングの前処理としてフッ素を含むガス雰囲気中
でプラズマ処理を行なったため、ＰＶＡレジストパター
ンの表面がフッ素を含むガスによって改質されて高耐ド
ライエツチング性となり、従来例のようにＰＶＡレジス
トパターンを厚く形成する必要がないので従来例に比し
て高解像度のマスクを形成できる。
第１図は本発明の一実施例の製造工程図、第２図は従来
の一例の製造工程図、 第３図は解像度の低下を説明する図である。 図において、 １はガラス基板、 ２はクロム層（金属遮光膜〉、 ２ａはマスク、 ３はポリビニルアルコール（ＰＶＡ）（レジスト材）、 ３ａはＰＶＡレジストパターンを示す。 電子ビーム （Ａ） 〜１ （Ｂ） （Ｃ） 本発明の一実施例の製造工程図 第１図
の一例の製造工程図、 第３図は解像度の低下を説明する図である。 図において、 １はガラス基板、 ２はクロム層（金属遮光膜〉、 ２ａはマスク、 ３はポリビニルアルコール（ＰＶＡ）（レジスト材）、 ３ａはＰＶＡレジストパターンを示す。 電子ビーム （Ａ） 〜１ （Ｂ） （Ｃ） 本発明の一実施例の製造工程図 第１図
Claims (1)
- マスクとするべき金属遮光膜（２）上に形成されたポ
リビニルアルコール（ＰＶＡ）のレジスト材（３）を電
子ビームで露光し、未露光部分を現像によつて除去して
レジストパターン（３ａ）を形成し、該レジストパター
ン（３ａ）をマスクとして上記金属遮光膜（２）をドラ
イエッチングしてマスク（２ａ）を形成する方法におい
て、上記レジストパターン（３ａ）の形成後、上記ドラ
イエッチングの前に、フッ素を含むガス雰囲気中でプラ
ズマ処理を行なう工程を含むことを特徴とするマスクの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2071513A JPH03271739A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2071513A JPH03271739A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03271739A true JPH03271739A (ja) | 1991-12-03 |
Family
ID=13462867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2071513A Pending JPH03271739A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03271739A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544894B1 (en) | 1999-01-26 | 2003-04-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of producing chromium mask |
-
1990
- 1990-03-20 JP JP2071513A patent/JPH03271739A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544894B1 (en) | 1999-01-26 | 2003-04-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of producing chromium mask |
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