JP3061790B1 - マスク製造方法及びパタ―ン形成方法 - Google Patents
マスク製造方法及びパタ―ン形成方法Info
- Publication number
- JP3061790B1 JP3061790B1 JP3268099A JP3268099A JP3061790B1 JP 3061790 B1 JP3061790 B1 JP 3061790B1 JP 3268099 A JP3268099 A JP 3268099A JP 3268099 A JP3268099 A JP 3268099A JP 3061790 B1 JP3061790 B1 JP 3061790B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- light
- mask
- pattern
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【要約】
【課題】 マスク作製工程におけるドライエッチング後
のレジスト剥離において、ドライエッチング時にレジス
ト表面に形成された皮膜を簡単に除去できるようにした
い。 【解決手段】 マスク作製工程におけるドライエッチン
グ後のレジスト剥離において、剥離前に光照射を行う工
程及びその後現像液によって当該光照射を行ったレジス
トを剥離する工程を有することを特徴とする。これによ
り、遮光膜、或いは、位相シフト膜上にレジスト残留物
に起因する異物がフォトマスク上に生じることを防止す
ることができる。また、位相シフト膜上においては、残
留レジストによる透過率劣化及び位相シフト量のずれに
起因する性能劣化を防止することができる。
のレジスト剥離において、ドライエッチング時にレジス
ト表面に形成された皮膜を簡単に除去できるようにした
い。 【解決手段】 マスク作製工程におけるドライエッチン
グ後のレジスト剥離において、剥離前に光照射を行う工
程及びその後現像液によって当該光照射を行ったレジス
トを剥離する工程を有することを特徴とする。これによ
り、遮光膜、或いは、位相シフト膜上にレジスト残留物
に起因する異物がフォトマスク上に生じることを防止す
ることができる。また、位相シフト膜上においては、残
留レジストによる透過率劣化及び位相シフト量のずれに
起因する性能劣化を防止することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体産業で用い
られるリソグラフィー技術に係わり、特に、高分解能を
実現することのできるマスク製造方法とこれを用いたパ
ターン形成方法に関するものである。
られるリソグラフィー技術に係わり、特に、高分解能を
実現することのできるマスク製造方法とこれを用いたパ
ターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通常の露光用マスクは、Ｃｒ（クロム）
パターン形成のため、レジストパターンをＣｒ膜上に形
成後にウエットエッチングを行い、その後、Ｃｒ上のレ
ジストを除去することによって作製していた。しかし、
近年、マスク上の最小パターンサイズは、マスク倍率の
低下（５×から４×へ）及びＯＰＣ（光近接効果補正）
等の要求により０．２μｍ程度が要求されている。この
ため、エッチング工程は、バイアス量低減のため、ウエ
ットエッチングプロセスからドライエッチングプロセス
が適用されてきている。
パターン形成のため、レジストパターンをＣｒ膜上に形
成後にウエットエッチングを行い、その後、Ｃｒ上のレ
ジストを除去することによって作製していた。しかし、
近年、マスク上の最小パターンサイズは、マスク倍率の
低下（５×から４×へ）及びＯＰＣ（光近接効果補正）
等の要求により０．２μｍ程度が要求されている。この
ため、エッチング工程は、バイアス量低減のため、ウエ
ットエッチングプロセスからドライエッチングプロセス
が適用されてきている。
【０００３】ところが、ドライエッチング時のＣｒ上に
形成されたレジストパターンの剥離の際に、ドライエッ
チングガス雰囲気の影響によりレジストパターン表面に
皮膜が形成されることにより、レジスト剥離の際に、Ｃ
ｒ膜上のレジスト剥離が困難であるという問題が生じて
いた。この除去のためには、物理洗浄又は酸素プラズマ
雰囲気中でのアッシング処理があるが、物理洗浄では微
細Ｃｒパターン部分の損傷が起こる可能性があり、ま
た、酸素アッシング処理では、酸素プラズマによって遮
光膜である遮光膜（Ｃｒ膜）及び遮光膜（Ｃｒ膜）上の
反射防止膜ＣｒＯの反射率変動が起こり、反射防止効果
が劣化するという問題が生じていた。
形成されたレジストパターンの剥離の際に、ドライエッ
チングガス雰囲気の影響によりレジストパターン表面に
皮膜が形成されることにより、レジスト剥離の際に、Ｃ
ｒ膜上のレジスト剥離が困難であるという問題が生じて
いた。この除去のためには、物理洗浄又は酸素プラズマ
雰囲気中でのアッシング処理があるが、物理洗浄では微
細Ｃｒパターン部分の損傷が起こる可能性があり、ま
た、酸素アッシング処理では、酸素プラズマによって遮
光膜である遮光膜（Ｃｒ膜）及び遮光膜（Ｃｒ膜）上の
反射防止膜ＣｒＯの反射率変動が起こり、反射防止効果
が劣化するという問題が生じていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のドライエッチン
グ後のレジスト剥離工程において、Ｃｒ膜パターンを損
傷することなく、かつ、Ｃｒ膜の光学特性に対して悪影
響を与えないように処理することが本発明の課題であ
る。
グ後のレジスト剥離工程において、Ｃｒ膜パターンを損
傷することなく、かつ、Ｃｒ膜の光学特性に対して悪影
響を与えないように処理することが本発明の課題であ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明、マスク作製時
にドライエッチング後のレジスト剥離において、レジス
ト剥離前、或いは、レジスト剥離中に当該マスク基板に
対して光照射を行うことを特徴とする。
にドライエッチング後のレジスト剥離において、レジス
ト剥離前、或いは、レジスト剥離中に当該マスク基板に
対して光照射を行うことを特徴とする。
【０００６】また、レジストを剥離する工程は、レジス
トパターンを形成する現像工程を使用することを特徴と
する。また、光を照射する工程は、レジストパターンを
形成する露光工程を使用することを特徴とする。
トパターンを形成する現像工程を使用することを特徴と
する。また、光を照射する工程は、レジストパターンを
形成する露光工程を使用することを特徴とする。
【０００７】また、レジストを剥離する工程で使用され
る現像液濃度は、現像工程時に使用した現像液濃度以上
のものを使用することを特徴とする。
る現像液濃度は、現像工程時に使用した現像液濃度以上
のものを使用することを特徴とする。
【０００８】また、使用する光照射用光源として、Ａｒ
レーザー、ＹＡＧレーザー、フッ素エキシマレーザー、
ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー光
源、或いは、重水素ランプ、或いは、キセノンランプ、
或いは、水銀キセノンランプ、或いは、ハロゲンランプ
を用いることを特徴とする。
レーザー、ＹＡＧレーザー、フッ素エキシマレーザー、
ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー光
源、或いは、重水素ランプ、或いは、キセノンランプ、
或いは、水銀キセノンランプ、或いは、ハロゲンランプ
を用いることを特徴とする。
【０００９】また、本発明は、得られたマスクを露光装
置にて使用し、Ｓｉ（シリコン）ウェハ上にデバイスパ
ターンを形成するパターン形成方法である。
置にて使用し、Ｓｉ（シリコン）ウェハ上にデバイスパ
ターンを形成するパターン形成方法である。
【００１０】この発明は、ドライエッチング後のレジス
ト剥離において、レジスト剥離前に光照射を行うことに
よりドライエッチング時にレジスト表面に形成された皮
膜を簡単に除去できるようにすることを特徴とする。ま
た、Ｃｒからレジストが剥離する効果をより高めるた
め、光照射した前後に水蒸気雰囲気中に当該マスク基板
を曝した後に現像液による剥離を行ってもよい。また、
レジスト剥離工程で使用される現像液濃度を高めること
で、レジスト剥離に要する時間を短縮させてもよい。
ト剥離において、レジスト剥離前に光照射を行うことに
よりドライエッチング時にレジスト表面に形成された皮
膜を簡単に除去できるようにすることを特徴とする。ま
た、Ｃｒからレジストが剥離する効果をより高めるた
め、光照射した前後に水蒸気雰囲気中に当該マスク基板
を曝した後に現像液による剥離を行ってもよい。また、
レジスト剥離工程で使用される現像液濃度を高めること
で、レジスト剥離に要する時間を短縮させてもよい。
【００１１】レジスト剥離前に光照射を行うことによ
り、レジストが現像液に対して溶解性を有することにな
り、レジストのＣｒ基板からの剥離が容易となる。ま
た、このことにより、剥離工程を現像工程で行うことも
可能となるため工程が容易となり、また、新規装置等の
導入も必要ないため、マスク作製コストを低減させるこ
とも可能となる。また、マスク基板材料は主に親水性で
あり、レジスト材料は主に疎水性を有するため、水分を
会することでレジスト材料のマスク基板材料からの剥離
がより容易になる。
り、レジストが現像液に対して溶解性を有することにな
り、レジストのＣｒ基板からの剥離が容易となる。ま
た、このことにより、剥離工程を現像工程で行うことも
可能となるため工程が容易となり、また、新規装置等の
導入も必要ないため、マスク作製コストを低減させるこ
とも可能となる。また、マスク基板材料は主に親水性で
あり、レジスト材料は主に疎水性を有するため、水分を
会することでレジスト材料のマスク基板材料からの剥離
がより容易になる。
【００１２】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１と図３を用い
て、Ｃｒ膜マスクパターン形成方法について説明する。
図３の左側に各工程に用いる装置を示す。図１（ａ）に
示すように、石英等からなるマスク用の透明基板１０１
に形成された遮光膜（Ｃｒ膜）１０２上にＥＢ（電子ビ
ーム）レジスト膜（東レ製：ＥＢＲ−９００改３Ｔレジ
スト）１０３を塗布した（Ｓ１，Ｓ２）。このレジスト
は、キセノンランプを光源とした光を照射することによ
り、現像溶解性が付与されるものである。その後、図１
（ｂ）に示すように、ＥＢ描画・現像を行うことにより
所望のレジストパターン１０４を遮光膜（Ｃｒ膜）１０
２上に形成した（Ｓ３，Ｓ４）。更に、このレジストパ
ターンをマスクとして遮光膜（Ｃｒ膜）１０２を塩素ガ
ス及び酸素ガス雰囲気中でドライエッチング（全ガス流
量２００ｓｃｃｍ（塩素ガス１６０ｓｃｃｍ、酸素ガス
４０ｓｃｃｍ）、ドライエッチング時圧力０．１Ｐａ）
することにより、遮光膜Ｃｒパターン１０５を得ること
ができた（図１（ｃ），Ｓ５）。
て、Ｃｒ膜マスクパターン形成方法について説明する。
図３の左側に各工程に用いる装置を示す。図１（ａ）に
示すように、石英等からなるマスク用の透明基板１０１
に形成された遮光膜（Ｃｒ膜）１０２上にＥＢ（電子ビ
ーム）レジスト膜（東レ製：ＥＢＲ−９００改３Ｔレジ
スト）１０３を塗布した（Ｓ１，Ｓ２）。このレジスト
は、キセノンランプを光源とした光を照射することによ
り、現像溶解性が付与されるものである。その後、図１
（ｂ）に示すように、ＥＢ描画・現像を行うことにより
所望のレジストパターン１０４を遮光膜（Ｃｒ膜）１０
２上に形成した（Ｓ３，Ｓ４）。更に、このレジストパ
ターンをマスクとして遮光膜（Ｃｒ膜）１０２を塩素ガ
ス及び酸素ガス雰囲気中でドライエッチング（全ガス流
量２００ｓｃｃｍ（塩素ガス１６０ｓｃｃｍ、酸素ガス
４０ｓｃｃｍ）、ドライエッチング時圧力０．１Ｐａ）
することにより、遮光膜Ｃｒパターン１０５を得ること
ができた（図１（ｃ），Ｓ５）。
【００１３】その後、図１（ｄ）に示すように、キセノ
ンランプを光源とした光を前記パターンのマスク全面に
対して十分に照射を行い、ＥＢ描画時に未露光部分であ
った遮光膜Ｃｒパターン上のレジストパターンに対して
現像溶解性を付与した（図１（ｅ），Ｓ６）。
ンランプを光源とした光を前記パターンのマスク全面に
対して十分に照射を行い、ＥＢ描画時に未露光部分であ
った遮光膜Ｃｒパターン上のレジストパターンに対して
現像溶解性を付与した（図１（ｅ），Ｓ６）。
【００１４】その後、図１（ｆ）に示すように、現像工
程（Ｓ７）によりレジスト剥離を、図１（ｂ）で用いた
現像工程（Ｓ４）と同じ現像工程を使用することで行っ
た。現像液は、アルカリ系現像液（主成分はＫＯＨ）を
用いて行った。現像条件は、レジストを完全に剥離する
ために、図１（ｂ）の現像時よりも長めに設定して行っ
た。今回は、レジスト剥離時に使用した現像液は、現像
工程と同一のものを使用したが、濃度の高い現像液を使
用することで、レジスト剥離時の時間短縮を行ってもよ
い。この後、リンス及びスピン乾燥を行い、マスク用の
透明基板１０１上に遮光膜Ｃｒパターン１０５を得るこ
とができた（Ｓ８）。
程（Ｓ７）によりレジスト剥離を、図１（ｂ）で用いた
現像工程（Ｓ４）と同じ現像工程を使用することで行っ
た。現像液は、アルカリ系現像液（主成分はＫＯＨ）を
用いて行った。現像条件は、レジストを完全に剥離する
ために、図１（ｂ）の現像時よりも長めに設定して行っ
た。今回は、レジスト剥離時に使用した現像液は、現像
工程と同一のものを使用したが、濃度の高い現像液を使
用することで、レジスト剥離時の時間短縮を行ってもよ
い。この後、リンス及びスピン乾燥を行い、マスク用の
透明基板１０１上に遮光膜Ｃｒパターン１０５を得るこ
とができた（Ｓ８）。
【００１５】これにより、ドライエッチング後にマスク
に対して光照射することにより、ドライエッチング後に
問題となっていたレジスト剥離を容易に行える。また、
ＥＢ描画後の現像工程（Ｓ４）と同じ現像工程（Ｓ７）
でレジスト剥離が行えるため、工程が削減されて近年問
題となっているマスク作製時のコスト低減に対する効果
が期待できる。
に対して光照射することにより、ドライエッチング後に
問題となっていたレジスト剥離を容易に行える。また、
ＥＢ描画後の現像工程（Ｓ４）と同じ現像工程（Ｓ７）
でレジスト剥離が行えるため、工程が削減されて近年問
題となっているマスク作製時のコスト低減に対する効果
が期待できる。
【００１６】ここでは、遮光膜としてＣｒ膜を用いた
が、これに限らず他の材料であるＡｌＳｉ，ＭｏＳｉ，
ＷＳｉ，ＴｉＳｉ，ＮｉＳｉ，ＺｒＳｉなどの金属シリ
サイド膜又はこれらの混合物を用いても同様の効果が得
られる。また、今回ＥＢレジストとして東レ製ＥＢＲ−
９００改３Ｔを使用したが、これに限らず、他のＥＢレ
ジスト又はホトレジストを使用してもよい。できればレ
ジストはＥＢ描画での感度を有し、かつ、紫外・可視・
赤外領域に対しても感度を有するレジストを使用するこ
とが望ましい。
が、これに限らず他の材料であるＡｌＳｉ，ＭｏＳｉ，
ＷＳｉ，ＴｉＳｉ，ＮｉＳｉ，ＺｒＳｉなどの金属シリ
サイド膜又はこれらの混合物を用いても同様の効果が得
られる。また、今回ＥＢレジストとして東レ製ＥＢＲ−
９００改３Ｔを使用したが、これに限らず、他のＥＢレ
ジスト又はホトレジストを使用してもよい。できればレ
ジストはＥＢ描画での感度を有し、かつ、紫外・可視・
赤外領域に対しても感度を有するレジストを使用するこ
とが望ましい。
【００１７】また、今回は光照射光源としてキセノンラ
ンプを用いたが、これに限らず、使用したレジストが溶
解性を有するような光源、例えば、ＥＢ照射、エキシマ
レーザー（Ｆ2 ，ＡｒＦ，ＫｒＦ）、ＹＡＧレーザー又
は重水素ランプ、ハロゲンランプ、水銀キセノンランプ
等を単体、或いは、複合して用いてもよい。また、レジ
スト表面にＥＢ描画時のチャージング防止のために帯電
防止膜を形成していてもよい。
ンプを用いたが、これに限らず、使用したレジストが溶
解性を有するような光源、例えば、ＥＢ照射、エキシマ
レーザー（Ｆ2 ，ＡｒＦ，ＫｒＦ）、ＹＡＧレーザー又
は重水素ランプ、ハロゲンランプ、水銀キセノンランプ
等を単体、或いは、複合して用いてもよい。また、レジ
スト表面にＥＢ描画時のチャージング防止のために帯電
防止膜を形成していてもよい。
【００１８】また、遮光膜とレジストとの密着性を低下
させるため、マスクを水蒸気中にさらした後に、マスク
に対して光照射することで更にレジスト剥離効果を高め
てもよい。又は、マスクを水蒸気中にさらしながらマス
クに対して光照射してもよい。又は、マスクに対して光
照射した後、マスクを水蒸気中にさらしてもよい。ま
た、マスクに対して光照射する工程をレジスト剥離前で
はなく、レジスト剥離中に行うようにしてもよい。
させるため、マスクを水蒸気中にさらした後に、マスク
に対して光照射することで更にレジスト剥離効果を高め
てもよい。又は、マスクを水蒸気中にさらしながらマス
クに対して光照射してもよい。又は、マスクに対して光
照射した後、マスクを水蒸気中にさらしてもよい。ま
た、マスクに対して光照射する工程をレジスト剥離前で
はなく、レジスト剥離中に行うようにしてもよい。
【００１９】実施の形態２．図２を用いて、位相シフト
マスクパターン形成時について説明する。図２（ａ）に
石英等からなるマスク用の透明基板２０１条に形成され
た位相シフト膜（ＣｒＦ2 膜）２０２上にＥＢレジスト
膜（東レ製：ＥＢＲ−９００改３Ｔレジスト）２０３を
塗布した。その後、図２（ｂ）に示すように、ＥＢ描画
・現像を行うことにより所望のＥＢレジストパターン２
０４を位相シフト膜（ＣｒＦ2 膜）２０２上に形成し
た。更に、このレジストパターンをマスクとして位相シ
フト膜（ＣｒＦ2 膜）２０２を塩素ガス及び酸素ガス雰
囲気中でドライエッチング（全ガス流量２００ｓｃｃｍ
（塩素ガス１６０ｓｃｃｍ、酸素ガス４０ｓｃｃｍ）、
ドライエッチング時圧力０．１Ｐａ）することにより、
位相シフト膜ＣｒＦ2 パターン２０５を得ることができ
た（図２（ｃ））。
マスクパターン形成時について説明する。図２（ａ）に
石英等からなるマスク用の透明基板２０１条に形成され
た位相シフト膜（ＣｒＦ2 膜）２０２上にＥＢレジスト
膜（東レ製：ＥＢＲ−９００改３Ｔレジスト）２０３を
塗布した。その後、図２（ｂ）に示すように、ＥＢ描画
・現像を行うことにより所望のＥＢレジストパターン２
０４を位相シフト膜（ＣｒＦ2 膜）２０２上に形成し
た。更に、このレジストパターンをマスクとして位相シ
フト膜（ＣｒＦ2 膜）２０２を塩素ガス及び酸素ガス雰
囲気中でドライエッチング（全ガス流量２００ｓｃｃｍ
（塩素ガス１６０ｓｃｃｍ、酸素ガス４０ｓｃｃｍ）、
ドライエッチング時圧力０．１Ｐａ）することにより、
位相シフト膜ＣｒＦ2 パターン２０５を得ることができ
た（図２（ｃ））。
【００２０】その後、図２（ｄ）に示すように、キセノ
ンランプを用いてマスクに対して光照射を行うことによ
り、ＥＢ描画時に未露光部分であった位相シフト膜Ｃｒ
Ｆ2パターン上のレジストパターンに対して現像溶解性
を付与した。このとき用いたＥＢレジストは、キセノン
ランプ波長域での光に対して感光するために使用した
（図２（ｅ））。
ンランプを用いてマスクに対して光照射を行うことによ
り、ＥＢ描画時に未露光部分であった位相シフト膜Ｃｒ
Ｆ2パターン上のレジストパターンに対して現像溶解性
を付与した。このとき用いたＥＢレジストは、キセノン
ランプ波長域での光に対して感光するために使用した
（図２（ｅ））。
【００２１】その後、図２（ｆ）に示すように、現像工
程によりレジスト剥離を、図２（ｂ）で用いた現像工程
と同じ現像工程を使用することで行った。現像液は、ア
ルカリ系現像液（主成分は、ＫＯＨ）を用いて行った。
現像条件は、レジストを完全に剥離するために、図２
（ｂ）の現像時よりも長めに設定して行った。今回は、
レジスト剥離時に使用した現像液は現像工程と同一のも
のを使用したが、濃度の高い現像液を使用することで、
レジスト剥離時の時間短縮を行ってもよい。この後、リ
ンス及びスピン乾燥を行い、マスク用の透明基板２０１
上に位相シフト膜ＣｒＦ2 パターン２０５を得ることが
できた。
程によりレジスト剥離を、図２（ｂ）で用いた現像工程
と同じ現像工程を使用することで行った。現像液は、ア
ルカリ系現像液（主成分は、ＫＯＨ）を用いて行った。
現像条件は、レジストを完全に剥離するために、図２
（ｂ）の現像時よりも長めに設定して行った。今回は、
レジスト剥離時に使用した現像液は現像工程と同一のも
のを使用したが、濃度の高い現像液を使用することで、
レジスト剥離時の時間短縮を行ってもよい。この後、リ
ンス及びスピン乾燥を行い、マスク用の透明基板２０１
上に位相シフト膜ＣｒＦ2 パターン２０５を得ることが
できた。
【００２２】これにより、ドライエッチング後にマスク
に対して光照射することにより、ドライエッチング後に
問題となっていたレジスト剥離を容易に行える。また、
現像工程でレジスト剥離が行えるため、工程が削減され
て近年問題となっているマスク作製時のコスト低減に対
する効果が期待できる。
に対して光照射することにより、ドライエッチング後に
問題となっていたレジスト剥離を容易に行える。また、
現像工程でレジスト剥離が行えるため、工程が削減され
て近年問題となっているマスク作製時のコスト低減に対
する効果が期待できる。
【００２３】ここでは、位相シフト膜としてＣｒＦ2 膜
を用いたが、これに限らず他の材料であるＡｌＳｉ，Ｍ
ｏＳｉ，ＷＳｉ，ＴｉＳｉ，ＮｉＳｉ，ＺｉＳｉ系の金
属シリサイド膜の酸化物、窒化物、炭化物、水酸化物、
ハロゲン化物の単体又はこれらの混合物を用いても同様
の効果が得られる。
を用いたが、これに限らず他の材料であるＡｌＳｉ，Ｍ
ｏＳｉ，ＷＳｉ，ＴｉＳｉ，ＮｉＳｉ，ＺｉＳｉ系の金
属シリサイド膜の酸化物、窒化物、炭化物、水酸化物、
ハロゲン化物の単体又はこれらの混合物を用いても同様
の効果が得られる。
【００２４】また、今回ＥＢレジストとして東レ製ＥＢ
Ｒ−９００改３Ｔを使用したが、これに限らず他のＥＢ
レジスト又はホトレジストを使用してもよい。できれば
レジストは、ＥＢ描画での感度を有し、かつ、紫外・可
視、赤外領域に対しても感度を有するレジストを使用す
ることが望ましい。
Ｒ−９００改３Ｔを使用したが、これに限らず他のＥＢ
レジスト又はホトレジストを使用してもよい。できれば
レジストは、ＥＢ描画での感度を有し、かつ、紫外・可
視、赤外領域に対しても感度を有するレジストを使用す
ることが望ましい。
【００２５】また、今回は、ＥＢ描画によりレジストパ
ターンを形成したが、キセノンランプからの光を用いて
露光することによりレジストパターンを形成してもよ
い。このように、レジストパターンの形成にも露光を用
いることにより、現像工程だけでなく、レジストパター
ンを形成する工程とドライエッチングした基板に光を照
射する工程とを同じにすることができる。
ターンを形成したが、キセノンランプからの光を用いて
露光することによりレジストパターンを形成してもよ
い。このように、レジストパターンの形成にも露光を用
いることにより、現像工程だけでなく、レジストパター
ンを形成する工程とドライエッチングした基板に光を照
射する工程とを同じにすることができる。
【００２６】また、今回は光照射光源として、キセノン
ランプを用いたが、これに限らず使用したレジストが溶
解性を有するような光源、例えば、ＥＢ照射、エキシマ
レーザー（Ｆ2 ，ＡｒＦ，ＫｒＦ）、ＹＡＧレーザー又
は重水素ランプ、ハロゲンランプ、水銀キセノンランプ
等を単体、或いは、複合して用いてもよい。
ランプを用いたが、これに限らず使用したレジストが溶
解性を有するような光源、例えば、ＥＢ照射、エキシマ
レーザー（Ｆ2 ，ＡｒＦ，ＫｒＦ）、ＹＡＧレーザー又
は重水素ランプ、ハロゲンランプ、水銀キセノンランプ
等を単体、或いは、複合して用いてもよい。
【００２７】また、レジスト表面にＥＢ描画時のチャー
ジング防止のために、帯電防止膜を形成してもよい。
ジング防止のために、帯電防止膜を形成してもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上のことから、ドライエッチング後の
レジスト剥離工程において、光照射を行うことによりド
ライエッチング時に形成された被膜の除去が容易とな
る。また、レジスト剥離工程に現像工程が使用できるた
め、マスク作製コストの低減が期待できる。
レジスト剥離工程において、光照射を行うことによりド
ライエッチング時に形成された被膜の除去が容易とな
る。また、レジスト剥離工程に現像工程が使用できるた
め、マスク作製コストの低減が期待できる。
【００２９】また、この手法により遮光膜及び位相シフ
ト膜上に存在するレジストをドライエッチング後に完全
に除去できるため、マスク上のパターン部へのレジスト
残りのないマスクの作製が容易となり、これを用いて生
産される半導体デバイスの歩留まり向上効果も期待でき
る。
ト膜上に存在するレジストをドライエッチング後に完全
に除去できるため、マスク上のパターン部へのレジスト
残りのないマスクの作製が容易となり、これを用いて生
産される半導体デバイスの歩留まり向上効果も期待でき
る。
【００３０】特に、遮光膜、或いは、位相シフト膜上に
レジスト残留物に起因する異物がフォトマスク上に生じ
ることを防止することができる。また、位相シフト膜上
においては、残留レジストによる透過率劣化及び位相シ
フト量のずれに起因する性能劣化を防止することができ
る。
レジスト残留物に起因する異物がフォトマスク上に生じ
ることを防止することができる。また、位相シフト膜上
においては、残留レジストによる透過率劣化及び位相シ
フト量のずれに起因する性能劣化を防止することができ
る。
【図１】 フォトマスクの作製方法を示す図。
【図２】 位相シフトフォトマスクの作製方法を示す
図。
図。
【図３】 フォトマスクの作製方法のフローチャート
図。
図。
１０１ 透明基板、１０２ 遮光膜（Ｃｒ膜）、１０３
ＥＢレジスト膜、１０４ ＥＢレジストパターン、１
０５ 遮光膜Ｃｒパターン、２０１ 透明基板、２０２
位相シフト膜、２０３ ＥＢレジスト膜、２０４ Ｅ
Ｂレジストパターン、２０５ 位相シフト膜ＣｒＦ2 パ
ターン。
ＥＢレジスト膜、１０４ ＥＢレジストパターン、１
０５ 遮光膜Ｃｒパターン、２０１ 透明基板、２０２
位相シフト膜、２０３ ＥＢレジスト膜、２０４ Ｅ
Ｂレジストパターン、２０５ 位相シフト膜ＣｒＦ2 パ
ターン。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 G03F 1/08 H01L 21/027
Claims (7)
- 【請求項１】 基板に電子ビームと光との双方に感度を
有するポジ型レジストを形成する工程と、前記 レジストに電子ビームを用いてレジストパターンを
形成する工程と、前記 レジストパターンを用いて基板をドライエッチング
する工程と、前記 ドライエッチングした基板に光を照射して、ドライ
エッチングによってレジストパターン表面に形成された
被膜により基板から剥離しにくくなったレジストパター
ンに対して現像液による現像溶解性を付与する工程と、前記 光の照射中又は光の照射後に現像液によりレジスト
を剥離する工程とを備えたことを特徴とするマスク製造
方法。 - 【請求項２】 上記レジストパターンを形成する工程
は、レジストを現像する工程を有し、 上記レジストを剥離する工程は、上記レジストを現像す
る工程と同一の工程を再び使用することを特徴とする請
求項１記載のマスク製造方法。 - 【請求項３】 上記レジストを剥離する工程におけるレ
ジストを現像する工程は、上記レジストパターンを形成
する工程におけるレジストを現像する工程に使用する現
像液の濃度以上の現像液を使用することを特徴とする請
求項２記載のマスク製造方法。 - 【請求項４】 光を照射する工程は、光照射用光源とし
て、Ａｒレーザー、ＹＡＧレーザー、フッ素エキシマレ
ーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレー
ザー光源、或いは、重水素ランプ、或いは、キセノンラ
ンプ、或いは、水銀キセノンランプ、或いは、ハロゲン
ランプを用いることを特徴とする請求項１記載のマスク
製造方法。 - 【請求項５】 上記光は、可視光領域の光であることを
特徴とする請求項１記載のマスク製造方法。 - 【請求項６】 上記現像液は、アルカリ現像液であるこ
とを特徴とする請求項１記載のマスク製造方法。 - 【請求項７】 請求項１〜６いずれかに記載のマスク製
造方法により製造されたマスクを用いてデバイスのパタ
ーンを形成するパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3268099A JP3061790B1 (ja) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | マスク製造方法及びパタ―ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3268099A JP3061790B1 (ja) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | マスク製造方法及びパタ―ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3061790B1 true JP3061790B1 (ja) | 2000-07-10 |
| JP2000232091A JP2000232091A (ja) | 2000-08-22 |
Family
ID=12365597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3268099A Expired - Fee Related JP3061790B1 (ja) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | マスク製造方法及びパタ―ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3061790B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11508908B2 (en) | 2018-11-13 | 2022-11-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Substrate etching method for manufacturing mask |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3827544B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2006-09-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| KR100854859B1 (ko) * | 2002-07-11 | 2008-08-28 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 노광 마스크 및 이를 이용한 감광막 패턴형성 방법 |
| KR100909623B1 (ko) * | 2003-06-26 | 2009-07-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크의 차광막 식각 방법 |
| CN100362628C (zh) * | 2003-09-28 | 2008-01-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 外缘型态相移光罩的自对准方法 |
| JP2009168913A (ja) | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Canon Inc | 膜パターンの形成方法 |
-
1999
- 1999-02-10 JP JP3268099A patent/JP3061790B1/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11508908B2 (en) | 2018-11-13 | 2022-11-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Substrate etching method for manufacturing mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000232091A (ja) | 2000-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6803160B2 (en) | Multi-tone photomask and method for manufacturing the same | |
| KR20090029435A (ko) | 포토마스크의 제조 방법 | |
| TWI342583B (en) | Method for repairing bridge in photo mask | |
| JP3061790B1 (ja) | マスク製造方法及びパタ―ン形成方法 | |
| KR100869847B1 (ko) | 포토마스크의 제조 방법 | |
| JP4697735B2 (ja) | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、及びマスクの製造方法 | |
| JP2004117728A (ja) | マスク、マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3416554B2 (ja) | マスク構造体の製造方法 | |
| US20050221019A1 (en) | Method of improving the uniformity of a patterned resist on a photomask | |
| JPH09325469A (ja) | ハーフトーン位相シフトマスクとその製造方法 | |
| JPH10274839A (ja) | 修正用マスク及びハーフトーン位相シフトマスクの修正方法 | |
| KR100790564B1 (ko) | 위상반전 마스크 제작방법 | |
| JP3475309B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
| US6348288B1 (en) | Resolution enhancement method for deep quarter micron technology | |
| KR20080095153A (ko) | 포토마스크의 제조 방법 | |
| KR101179262B1 (ko) | 트리톤 위상반전마스크 제조방법 | |
| KR100818705B1 (ko) | 칩 영역의 둘레의 프레임 영역에 치밀한 콘택홀 패턴 형성영역을 갖는 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 | |
| JP3034096B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの修正方法 | |
| KR100762235B1 (ko) | 위상반전마스크의 브리지 리페어 방법 | |
| TW451297B (en) | Method to improve the uniformity of the critical dimension of beam exposure system | |
| KR100219399B1 (ko) | 반도체용 포토마스크제조방법 | |
| KR100790574B1 (ko) | 위상 반전 마스크의 제조 방법 | |
| KR101057178B1 (ko) | 포토마스크의 제조방법 | |
| JPH04153653A (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法 | |
| KR20090047011A (ko) | 반도체 소자의 포토마스크 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000411 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |