KR100762235B1

KR100762235B1 - 위상반전마스크의 브리지 리페어 방법

Info

Publication number: KR100762235B1
Application number: KR20050128304A
Authority: KR
Inventors: 정호용
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2005-12-22
Filing date: 2005-12-22
Publication date: 2007-10-01
Also published as: KR20070066797A

Abstract

본 발명의 위상반전마스크(PSM)의 브리지 리페어(bridge repair) 방법은, 투명기판 전면에 위상반전막패턴 및 광차단막패턴이 순차적으로 적층되는 상태에서 위상반전막패턴 사이에 존재하는 브리지를 제거하기 위한 위상반전마스크의 브리지 리페어 방법에 관한 것이다. 이 브리지 리페어 방법은, 투명기판의 노출부분을 덮는 레지스트막패턴을 형성하는 단계와, 레지스트막패턴 및 광차단막패턴을 식각마스크로 한 건식식각으로 위상반전막패턴 사이의 브리지를 제거하는 단계와, 그리고 브리지를 제거한 후 레지스트막패턴을 제거하는 단계를 포함한다.

감쇠형 위상반전마스크, 위상반전막패턴, 브리지, 집속이온빔(FIB), 건식식각, 플로린 플라즈마

Description

위상반전마스크의 브리지 리페어 방법{Method of repairing the bridge in the phase shift mask}

도 1은 일반적인 위상반전마스크를 나타내 보인 레이아웃도이다.

도 2는 도 1의 위상반전마스크의 메인패턴영역을 나타내 보인 단면도이다.

도 3은 도 1의 위상반전마스크의 광차단영역을 나타내 보인 단면도이다.

도 4 내지 도 6은 도 1의 위상반전마스크의 제조에 있어서 브리지가 발생하는 과정을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다.

도 7은 종래의 위상반전마스크의 브리지 리페어 방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다.

도 8 내지 도 11은 본 발명에 따른 위상반전마스크의 브리지 리페어 방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다.

본 발명은 위상반전마스크에 관한 것으로서, 특히 위상반전마스크의 브리지 리페어 방법에 관한 것이다.

위상반전마스크(phase shift mask)는 마스크상에서 빛의 위상을 적절하게 반 전시켜 패턴의 공간주파수를 줄이거나, 가장자리 콘트라스트(contrast)를 증가시키는 간섭효과를 이용하는 것으로서, 이를 이용한 노광공정을 수행하게 되면 높은 해상력이 실현되고 초점심도(depth of focus)가 증가되는 것으로 알려져 있다.

도 1은 일반적인 위상반전마스크를 나타내 보인 레이아웃도이다. 그리고 도 2는 도 1의 위상반전마스크의 메인패턴영역을 나타내 보인 단면도이고, 도 3은 도 1의 위상반전마스크의 광차단영역을 나타내 보인 단면도이다.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 위상반전마스크, 특히 감쇠형(attenuated) 위상반전마스크(100)는, 쿼츠(quartz)와 같은 투명기판(200) 위에 위상반전막패턴(210)이 배치되는 메인패턴영역(110)과, 투명기판(200) 위에 위상반전막패턴(210) 및 광차단막패턴(220)이 순차적으로 배치되는 광차단영역(120)으로 이루어진다.

먼저 도 4에 도시된 바와 같이, 투명기판(200) 위에 위상반전막 및 광차단막을 순차적으로 형성한 후, 광차단막 위에 레지스트막패턴(230)을 형성한다. 그리고 이 레지스트막패턴(230)을 이용한 식각으로 광차단막패턴(220) 및 위상반전막패턴(210)을 형성한다. 그런데 광차단막패턴(220) 형성을 위한 식각시 파티클(particle)(240)이 식각되어야 할 위상반전막 위에 있게 되는 경우, 그 아래에 위치하는 위상반전막에 대한 식각이 이루어지지 않으며, 그 결과 브리지(bridge)가 발생된 위상반전막(210')이 발생하게 된다.

다음에 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 레지스트막패턴(230)을 스트립하 는데, 이때 모든 레지스트막패턴(230)이 제거될 수 있지만, 경우에 따라서 파티클(240)에 의해 가려져 있는 레지스트막패턴(230)은 제거되지 않을 수도 있다. 다음에 광차단막패턴(220)을 제거하는데, 미제거되었던 레지스트막패턴(230)은 광차단막패턴(220)의 제거로 리프트-오프(lift-off)될 수 있지만, 정상적으로 패터닝이 이루어진 위상반전막패턴(210) 외에 여전히 브리지가 발생한 위상반전막(210')이 존재하게 된다. 종래에는 집속이온빔(Focused Ion Beam) 리페어장치를 사용하여 이와 같이 브리지가 발생한 위상반전막(210')을 복구하였다.

도 7에 나타낸 바와 같이, Ga와 XeF₂의 이온빔을 이용한 가스 어시스트(gas assisted) 식각방식으로 광차단막패턴(220)을 마스크로 하여 브리지부분을 제거한다. 그러나 이와 같은 방법은, 투명기판(200) 표면에 잔류 이온 스테인(ion stain)(202)이 남게 되고, 이와 같은 스테인(202)은 투명기판(200)의 광투과율을 저하시키는 원인으로 작용한다. 또한 리페어된 광차단막패턴(210")의 프로파일이 정상적으로 패터닝이 이루어진 광차단막패턴(210)의 프로파일과 달라진다. 이와 같은 문제들은 상기 위상반전마스크를 이용한 웨이퍼 노광시 리페어영역에서의 임계치수(CD; Critical Dimension) 불량을 발생시킨다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 투명기판의 광투과율 저하와 리페 어된 광차단막패턴의 프로파일 변동이 발생하지 않도록 하는 위상반전마스크의 브리지 리페어 방법을 제공하는 것이다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 위상반전마스크의 브리지 리페어 방법은, 투명기판의 전면에 위상반전막패턴 및 광차단막패턴이 순차적으로 적층되는 상태에서 상기 위상반전막패턴 사이에 존재하는 브리지를 제거하기 위한 위상반전마스크의 브리지 리페어 방법에 있어서, 상기 투명기판의 노출부분을 덮는 레지스트막패턴을 형성하는 단계; 상기 레지스트막패턴 및 상기 광차단막패턴을 식각마스크로 한 건식식각으로 상기 위상반전막패턴 사이의 브리지를 제거하는 단계; 및 브리지를 제거한 후 상기 레지스트막패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 레지스트막패턴을 형성하는 단계는, 상기 브리지가 있는 투명기판 전면에 네가티브 레지스트막을 형성하는 단계; 상기 투명기판의 배면에 대한 노광을 수행하는 단계; 및 노광이 이루어진 레지스트막에 대한 현상으로 상기 위상반전막패턴 및 브리지와 중첩되는 레지스트막을 제거하여 상기 위상반전막패턴 사이의 투명기판을 덮는 레지스트막패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 브리지를 제거하기 위한 건식식각은 플로린 가스를 이용한 플라즈마식각방법을 사용하여 수행할 수 있다.

이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다.

먼저 도 8을 참조하면, 도 4 내지 도 6을 참조하여 설명한 바와 같은 위상반전마스크 제조공정에 있어서, 쿼츠와 같은 투명기판(300) 전면에 위상반전막패턴(310) 및 광차단막패턴(320)이 순차적으로 적층되어 있으며, 위상반전막패턴(310) 사이의 브리지(312)가 존재하는 경우, 이 브리지(312)를 제거하기 위하여 전면에 네가티브 레지스트막(330)을 형성한다. 네가티브 레지스트막(330)은 노광공정에 의해 감광된 부분 및 비감광된 부분으로 구별되고, 후속의 현상공정이 이루어지면 비감광된 부분을 제거되고 감광된 부분은 남게 되는 성질을 갖는다. 네가티브 레지스트막(330)을 형성한 후에는, 투명기판(300)의 배면을, 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 노광한다. 이 노광에 의해 투명기판(300) 위에 직접 위치하는 네가티브 레지스트막(330)은 감광된 부분이 되고, 위상반전막패턴(310) 및 브리지(312)와 중첩되는 네가티브 레지스트막(330)은 비감광된 부분이 된다.

다음에 도 9를 참조하면, 노광이 이루어진 네가티브 레지스트막(330)에 대한 현상을 수행하여 레지스트막패턴(332)을 형성한다. 앞서 언급한 바와 같이, 레지스트막(330) 중 감광된 부분은 제거되지 않고 비감광된 부분은 제거된다. 이에 따라 레지스트막패턴(332)은 투명기판(300)의 노출부분을 덮는 반면에 광차단막패턴(320)과, 이 광차단막패턴(320) 사이에서 노출되는 브리지(312) 표면을 노출시킨 다.

다음에 도 10을 참조하면, 레지스트막패턴(332) 및 광차단막패턴(320)을 식각마스크로 한 건식식각으로 노출되어 있는 브리지(312)를 제거한다. 이 건식식각은 플로린(Fluorine) 가스를 이용한 플라즈마식각방법을 사용하여 수행할 수 있다. 이와 같이 본 발명에서는, 집속이온빔(FIB) 리페어장치를 이용하지 않고 건식식각방법을 사용하여 브리지 리페어를 수행하므로, 브리지가 제거됨으로써 정상적으로 패터닝이 이루어지는 위상반전막패턴(310)의 패턴프로파일도 정상적으로 패터닝이 이루어진 위상반전막패턴(310)의 패턴프로파일과 동일함을 유지하고, 또한 투명기판(300)의 광투과율 저하현상을 유발하지 않게 된다.

브리지(312)를 제거하여 브리지 리페어가 이루어진 후에는, 다시 위상반전마스크 제조공정을 진행하여, 도 11에 나타낸 바와 같이, 레지스트막패턴(도 10의 332)을 제거하고, 광차단막패턴(도 10의 320)도 제거하여, 정상적으로 패터닝이 이루어진 위상반전막패턴(310)이 투명기판(300) 위에 배치되는 위상반전마스크를 형성한다.

지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 위상반전마스크의 브리지 리페어 방법은, 위상반전마스크를 제조하는 과정에서 발생하는 위상반전막패턴 사이의 브리지를 투명기판의 투과율 저하 및 위상반전막패턴의 패턴프로파일 변화 없이 정상적으로 패터닝된 위상반전막패턴과 동일한 상태로 리페어할 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼 노광시 리페어영역의 임계치수(CD) 불량 발생을 억제할 수 있다는 이점 이 제공된다.

이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.

Claims

투명기판의 전면에 위상반전막패턴 및 광차단막패턴이 순차적으로 적층되는 상태에서 상기 위상반전막패턴 사이에 존재하는 브리지를 제거하기 위한 위상반전마스크의 브리지 리페어 방법에 있어서,

상기 투명기판의 노출부분을 덮는 레지스트막패턴을 형성하는 단계;

상기 레지스트막패턴 및 상기 광차단막패턴을 식각마스크로 한 건식식각으로 상기 위상반전막패턴 사이의 브리지를 제거하는 단계; 및

브리지를 제거한 후 상기 레지스트막패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크의 브리지 리페어 방법.
제1항에 있어서, 상기 레지스트막패턴을 형성하는 단계는,

상기 브리지가 있는 투명기판 전면에 네가티브 레지스트막을 형성하는 단계;

상기 투명기판의 배면에 대한 노광을 수행하는 단계; 및

노광이 이루어진 레지스트막에 대한 현상으로 상기 위상반전막패턴 및 브리지와 중첩되는 레지스트막을 제거하여 상기 위상반전막패턴 사이의 투명기판을 덮는 레지스트막패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크의 브리지 리페어 방법.
제1항에 있어서,

상기 브리지를 제거하기 위한 건식식각은 플로린 가스를 이용한 플라즈마식각방법을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크의 브리지 리페어 방법.