JPH0756322A - フォトマスク修正方法 - Google Patents
フォトマスク修正方法Info
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- JPH0756322A JPH0756322A JP21703993A JP21703993A JPH0756322A JP H0756322 A JPH0756322 A JP H0756322A JP 21703993 A JP21703993 A JP 21703993A JP 21703993 A JP21703993 A JP 21703993A JP H0756322 A JPH0756322 A JP H0756322A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 フォトマスクの遮光膜欠損欠陥に対する簡便
な修正方法を提供する。 【構成】 従来のような遮光膜欠損欠陥部５にＦＩＢ法
で炭素膜を堆積させる修正法に代わり、遮光膜欠損欠陥
部５内またはその近傍において透明材であるガラス基板
１または位相シフタ材を加工し、透明光の位相差により
デストラクティブな干渉を起こさせ、遮光膜欠損欠陥部
５の転写の際の露光強度をゼロもしくは非常に弱くす
る。 【効果】 炭素膜の選択堆積という高度技術を用いなく
ても遮光膜の欠損欠陥部を修正することができる。
な修正方法を提供する。 【構成】 従来のような遮光膜欠損欠陥部５にＦＩＢ法
で炭素膜を堆積させる修正法に代わり、遮光膜欠損欠陥
部５内またはその近傍において透明材であるガラス基板
１または位相シフタ材を加工し、透明光の位相差により
デストラクティブな干渉を起こさせ、遮光膜欠損欠陥部
５の転写の際の露光強度をゼロもしくは非常に弱くす
る。 【効果】 炭素膜の選択堆積という高度技術を用いなく
ても遮光膜の欠損欠陥部を修正することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路、表示素
子、プリント基板等の製造工程で用いられるフォトマス
クの製造に関する。更に詳細には、本発明は遮光膜に欠
損欠陥を有するフォトマスクの修正方法に関する。
子、プリント基板等の製造工程で用いられるフォトマス
クの製造に関する。更に詳細には、本発明は遮光膜に欠
損欠陥を有するフォトマスクの修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトマスクの遮光膜に欠損が生じた場
合の修正方法としては、炭素原子を含む気体中で、フォ
ーカスド・イオン・ビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ
Ｂｅａｍ，ＦＩＢ）法などを用いて欠損部にのみエネル
ギーを照射することにより、炭素を選択的に堆積する方
法が一般に用いられている。このような方法は例えば、
春原清ら、「各社のフォトマスク白点欠陥修正装置」，
（月刊）Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ，８
９頁（１９８６年６月発行）に記載されている。
合の修正方法としては、炭素原子を含む気体中で、フォ
ーカスド・イオン・ビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ
Ｂｅａｍ，ＦＩＢ）法などを用いて欠損部にのみエネル
ギーを照射することにより、炭素を選択的に堆積する方
法が一般に用いられている。このような方法は例えば、
春原清ら、「各社のフォトマスク白点欠陥修正装置」，
（月刊）Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ，８
９頁（１９８６年６月発行）に記載されている。
【０００３】図１８に示されるように、ガラス基板１の
上にフォトマスクの遮光膜３が形成されており、この遮
光膜の一部に欠損欠陥部５が存在する場合、従来のＦＩ
Ｂ法では、図１９に示されるように、この欠損欠陥部５
を覆い尽くすように炭素膜３０を堆積させる。しかし、
この方法では、選択的に堆積する炭素膜３０の厚さは約
０．２μｍ必要とされており、さらに欠損部境界では欠
損していない約０．１μｍ厚の本来の遮光膜３と重なる
ため、図２０に示されるように、合計約０．３μｍの突
起３２が生じる。
上にフォトマスクの遮光膜３が形成されており、この遮
光膜の一部に欠損欠陥部５が存在する場合、従来のＦＩ
Ｂ法では、図１９に示されるように、この欠損欠陥部５
を覆い尽くすように炭素膜３０を堆積させる。しかし、
この方法では、選択的に堆積する炭素膜３０の厚さは約
０．２μｍ必要とされており、さらに欠損部境界では欠
損していない約０．１μｍ厚の本来の遮光膜３と重なる
ため、図２０に示されるように、合計約０．３μｍの突
起３２が生じる。
【０００４】位相シフトマスクの製造において、上記従
来技術による遮光膜欠損欠陥部修理後、シフタ材として
用いられるＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）をス
ピンコートした場合には、前記の約０．３μｍの突起３
２により塗布ムラが生じる。その結果、塗布ムラ部分に
おいては、マスクパターン転写の際の露光光の位相反転
が不完全となり、不良マスクとなる。
来技術による遮光膜欠損欠陥部修理後、シフタ材として
用いられるＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）をス
ピンコートした場合には、前記の約０．３μｍの突起３
２により塗布ムラが生じる。その結果、塗布ムラ部分に
おいては、マスクパターン転写の際の露光光の位相反転
が不完全となり、不良マスクとなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、ＦＩＢ法などにより遮光膜の欠損欠陥部を炭素膜で
被覆する方法を用いることなく、欠陥修正を可能とする
フォトマスク修正方法を提供することである。
は、ＦＩＢ法などにより遮光膜の欠損欠陥部を炭素膜で
被覆する方法を用いることなく、欠陥修正を可能とする
フォトマスク修正方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】従来は遮光膜欠損部に遮
光材を補っていたのに対し、本発明では遮光膜欠損部に
遮光材を補うことなく、欠損部の透明材（すなわち、マ
スク基板または位相シフタ）の一部または全部を加工す
る。加工した部分とその周辺部とで露光時に、露光波長
の１／２だけ位相がずれるようにマスク基板または位相
シフタを加工する。
光材を補っていたのに対し、本発明では遮光膜欠損部に
遮光材を補うことなく、欠損部の透明材（すなわち、マ
スク基板または位相シフタ）の一部または全部を加工す
る。加工した部分とその周辺部とで露光時に、露光波長
の１／２だけ位相がずれるようにマスク基板または位相
シフタを加工する。
【０００７】
【作用】遮光膜欠損部の一部または全部を加工し、その
周辺部とで露光時に露光波長の１／２だけ位相をずらす
（すなわち、１８０°分位相をずらす）ことにより、Ｓ
ｉウエハ等の上に塗布された感光性膜上では、加工部と
その周辺部とのデストラクティブな光干渉により、光強
度が０もしくは非常に小さくなる。つまり、１／２波長
分の透明材の加工により、結果的に遮光膜欠損部に遮光
材を補ったのと同様の効果が得られる。
周辺部とで露光時に露光波長の１／２だけ位相をずらす
（すなわち、１８０°分位相をずらす）ことにより、Ｓ
ｉウエハ等の上に塗布された感光性膜上では、加工部と
その周辺部とのデストラクティブな光干渉により、光強
度が０もしくは非常に小さくなる。つまり、１／２波長
分の透明材の加工により、結果的に遮光膜欠損部に遮光
材を補ったのと同様の効果が得られる。
【０００８】本明細書で使用する“加工”とは、欠損部
の透明材（すなわち、マスク基板または位相シフタ）の
一部または全部を掘込んだり、除去したりあるいは空乏
させたり、若しくは欠損部の透明材上に修正用シフタを
立設させるなどの処理を意味する。掘込み、除去、空乏
または立設などのうちから該当欠損部にとって最適な処
理法を選択して“加工”すればよい。
の透明材（すなわち、マスク基板または位相シフタ）の
一部または全部を掘込んだり、除去したりあるいは空乏
させたり、若しくは欠損部の透明材上に修正用シフタを
立設させるなどの処理を意味する。掘込み、除去、空乏
または立設などのうちから該当欠損部にとって最適な処
理法を選択して“加工”すればよい。
【０００９】本発明の方法によれば、位相シフタ膜をス
ピンコートした後に修正を加えるため、従来技術のよう
にシフタ材スピンコート時に問題となる突起を生じる恐
れは全く無い。
ピンコートした後に修正を加えるため、従来技術のよう
にシフタ材スピンコート時に問題となる突起を生じる恐
れは全く無い。
【００１０】本発明の方法によれば、位相シフトマスク
に限らず、従来から用いられている透過型マスクの遮光
膜欠損欠陥の場合でも、技術的に高度な選択堆積法を用
いることなく、修正することが可能である。
に限らず、従来から用いられている透過型マスクの遮光
膜欠損欠陥の場合でも、技術的に高度な選択堆積法を用
いることなく、修正することが可能である。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明を更に説明
する。
する。
【００１２】下記の実施例における本発明の方法の実施
にあたっては、マスク基板として石英板を、本来の遮光
膜として厚さ約０．１μｍのＣｒ膜を、透明材の部分的
加工はＦＩＢ法で、またフォトマスク上のマスクパター
ンを転写する際の露光装置として、露光波長が３６５ｎ
ｍである、いわゆるｉ線１／５縮小投影露光装置を使用
した。しかし、本発明の方法が他の材質のマスク基板，
遮光膜，加工法および露光装置にも適用可能なことは言
うまでもない。
にあたっては、マスク基板として石英板を、本来の遮光
膜として厚さ約０．１μｍのＣｒ膜を、透明材の部分的
加工はＦＩＢ法で、またフォトマスク上のマスクパター
ンを転写する際の露光装置として、露光波長が３６５ｎ
ｍである、いわゆるｉ線１／５縮小投影露光装置を使用
した。しかし、本発明の方法が他の材質のマスク基板，
遮光膜，加工法および露光装置にも適用可能なことは言
うまでもない。
【００１３】また、透明材の加工深さｄとしては、露光
雰囲気である空気の屈折率をｎ0 ＝１とし、石英基板ま
たは位相シフタ材の屈折率をｎ1 ＝１．４６とし、λ／
２＝ｄ（ｎ1 −ｎ0 ）より求めて、約０．４μｍとし
た。
雰囲気である空気の屈折率をｎ0 ＝１とし、石英基板ま
たは位相シフタ材の屈折率をｎ1 ＝１．４６とし、λ／
２＝ｄ（ｎ1 −ｎ0 ）より求めて、約０．４μｍとし
た。
【００１４】なお、１／５縮小投影露光装置を用いてい
るため、以下の実施例においては、フォトマスクではな
く、慣例に従いレチクルという用語を用いる。
るため、以下の実施例においては、フォトマスクではな
く、慣例に従いレチクルという用語を用いる。
【００１５】実施例１ 位相シフトレチクルではなく、従来型の透過型レチクル
に本発明の方法を適用した例について説明する。図１，
２では、図１９，図２０に示した欠陥と同一形状の欠損
欠陥が発生した場合、欠損欠陥部５が存在するマスク基
板の表面の一部をＦＩＢ法により掘込み、深さ約０．４
μｍの凹部７を形成する。この凹部７の存在により、凹
部とその周辺部とで露光時に、露光波長の１／２だけ位
相がずれ、光強度がゼロもしくは非常に小さくなり、結
果的に遮光膜欠損欠陥部５に遮光材を被覆したのと同様
の効果が得られる。
に本発明の方法を適用した例について説明する。図１，
２では、図１９，図２０に示した欠陥と同一形状の欠損
欠陥が発生した場合、欠損欠陥部５が存在するマスク基
板の表面の一部をＦＩＢ法により掘込み、深さ約０．４
μｍの凹部７を形成する。この凹部７の存在により、凹
部とその周辺部とで露光時に、露光波長の１／２だけ位
相がずれ、光強度がゼロもしくは非常に小さくなり、結
果的に遮光膜欠損欠陥部５に遮光材を被覆したのと同様
の効果が得られる。
【００１６】ＦＩＢ法による掘込み箇所および凹部の形
状は図１に示されたものに限定されない。必要に応じ
て、平面（２次元）光強度分布を計算し、図３および図
４に示されるような箇所および形状の凹部も本発明の方
法で適正に使用することができる。
状は図１に示されたものに限定されない。必要に応じ
て、平面（２次元）光強度分布を計算し、図３および図
４に示されるような箇所および形状の凹部も本発明の方
法で適正に使用することができる。
【００１７】実施例２ 透過型レチクルにおいて、遮光膜欠損欠陥部５が図１に
示されるような比較的小さなものではなく、遮光膜の横
幅全体に及ぶような場合は、欠損欠陥部周辺の遮光膜を
スパッタ法により除去し、その後、図５および図６に示
されるように、遮光膜が除去されて露出したマスク基板
表面の一部をＦＩＢ法により掘込み、深さ約０．４μｍ
の凹部７を形成する。この凹部７の存在により、凹部と
その周辺部とで露光時に、露光波長の１／２だけ位相が
ずれ、光強度がゼロもしくは非常に小さくなり、結果的
に遮光膜欠損欠陥部５に遮光材を被覆したのと同様の効
果が得られる。
示されるような比較的小さなものではなく、遮光膜の横
幅全体に及ぶような場合は、欠損欠陥部周辺の遮光膜を
スパッタ法により除去し、その後、図５および図６に示
されるように、遮光膜が除去されて露出したマスク基板
表面の一部をＦＩＢ法により掘込み、深さ約０．４μｍ
の凹部７を形成する。この凹部７の存在により、凹部と
その周辺部とで露光時に、露光波長の１／２だけ位相が
ずれ、光強度がゼロもしくは非常に小さくなり、結果的
に遮光膜欠損欠陥部５に遮光材を被覆したのと同様の効
果が得られる。
【００１８】ＦＩＢ法による掘込み箇所および凹部の形
状は図５に示されたものに限定されない。必要に応じ
て、平面（２次元）光強度分布を計算し、図７および図
８に示されるような箇所および形状の凹部も本発明の方
法で適正に使用することができる。
状は図５に示されたものに限定されない。必要に応じ
て、平面（２次元）光強度分布を計算し、図７および図
８に示されるような箇所および形状の凹部も本発明の方
法で適正に使用することができる。
【００１９】実施例３ 位相シフトレチクルにおける遮光膜欠損欠陥の修正で
も、シフタ材が遮光膜を覆わない部分に欠損欠陥部が存
在する場合は、欠損欠陥部がシフタ材に覆われていない
ため、構造的に従来の透過型レチルクと同様になる。こ
の修正処理を図９〜図１２を参照しながら説明する。位
相シフトレチクルの製造工程中、シフタパターンのＥＢ
描画以前に遮光膜欠損欠陥検査を実施し、欠損欠陥発生
箇所と、その形状を把握しておく（図９参照）。対応す
る箇所のＥＢ描画データを変更後、通常の位相シフトレ
チクルの製作工程に沿って遮光膜３およびマスク基板１
の上面に位相シフタ材９を塗布し、変更されたＥＢ描画
データに基づき、位相シフタ材９の上面の所定箇所にレ
ジスト膜１１を塗布する。その後、ＥＢ描画を実施し、
レジスト現像，シフタエッチング，レジスト除去を実施
し、シフタパターン形成と遮光膜欠損欠陥修正を同時に
完成させる（図１０および図１２参照）。図１０に示さ
れるレジスト膜１３は描画データ変更により生じた修正
用レジストである。図１１および図１２に示されよう
に、本来のシフタパターン１５の他に、遮光膜３の欠損
欠陥部５内に修正用シフタ材１７が立設されている。こ
の修正用シフタ材１７の存在により、修正用シフタ材１
７とその周辺部とで露光時に、露光波長の１／２だけ位
相がずれ、光強度がゼロもしくは非常に小さくなり、結
果的に遮光膜欠損欠陥部５に遮光材を被覆したのと同様
の効果が得られる。
も、シフタ材が遮光膜を覆わない部分に欠損欠陥部が存
在する場合は、欠損欠陥部がシフタ材に覆われていない
ため、構造的に従来の透過型レチルクと同様になる。こ
の修正処理を図９〜図１２を参照しながら説明する。位
相シフトレチクルの製造工程中、シフタパターンのＥＢ
描画以前に遮光膜欠損欠陥検査を実施し、欠損欠陥発生
箇所と、その形状を把握しておく（図９参照）。対応す
る箇所のＥＢ描画データを変更後、通常の位相シフトレ
チクルの製作工程に沿って遮光膜３およびマスク基板１
の上面に位相シフタ材９を塗布し、変更されたＥＢ描画
データに基づき、位相シフタ材９の上面の所定箇所にレ
ジスト膜１１を塗布する。その後、ＥＢ描画を実施し、
レジスト現像，シフタエッチング，レジスト除去を実施
し、シフタパターン形成と遮光膜欠損欠陥修正を同時に
完成させる（図１０および図１２参照）。図１０に示さ
れるレジスト膜１３は描画データ変更により生じた修正
用レジストである。図１１および図１２に示されよう
に、本来のシフタパターン１５の他に、遮光膜３の欠損
欠陥部５内に修正用シフタ材１７が立設されている。こ
の修正用シフタ材１７の存在により、修正用シフタ材１
７とその周辺部とで露光時に、露光波長の１／２だけ位
相がずれ、光強度がゼロもしくは非常に小さくなり、結
果的に遮光膜欠損欠陥部５に遮光材を被覆したのと同様
の効果が得られる。
【００２０】実施例４ 別法として、位相シフタパターンの形成に着手する以前
に、図１〜図８に示したように、欠損欠陥部５に凹部を
形成することにより一旦、遮光膜を整形後、実施例３に
述べた方法を適用してもよい。
に、図１〜図８に示したように、欠損欠陥部５に凹部を
形成することにより一旦、遮光膜を整形後、実施例３に
述べた方法を適用してもよい。
【００２１】実施例５ 位相シフトレチクルで、本来、シフタ材で覆われるべき
部分に遮光膜欠損が生じた場合は、前記の実施例３と同
様に、欠損箇所のＥＢ描画データを変更後、通常の位相
シフタ形成工程に沿ってレチクル製作を実施すればよ
い。すなわち、位相シフトレチクルの製造工程中、シフ
タパターンのＥＢ描画以前に遮光膜欠損欠陥検査を実施
し、欠損欠陥発生箇所と、その形状を把握しておく（図
９参照）。対応する箇所のＥＢ描画データを変更後、通
常の位相シフトレチクルの製作工程に沿って遮光膜３お
よびマスク基板１の上面に位相シフタ材９を塗布し、変
更されたＥＢ描画データに基づき、位相シフタ材９の上
面の所定箇所にレジスト膜１１を塗布する。その後、Ｅ
Ｂ描画を実施し、レジスト現像，シフタエッチング，レ
ジスト除去を実施し、シフタパターン形成と遮光膜欠損
欠陥修正を同時に完成させる（図１３および図１５参
照）。描画データ変更によりレジスト膜１１の所定箇所
には空洞部１９が形成される（図１３参照）。図１４お
よび図１５に示されように、遮光膜３の欠損欠陥部５の
位置に対応するシフタパターン２１の内部に、空乏部２
３が形成されている。この空乏部２３の存在により、空
乏部２３とその周辺部とで露光時に、露光波長の１／２
だけ位相がずれ、光強度がゼロもしくは非常に小さくな
り、結果的に遮光膜欠損欠陥部５に遮光材を被覆したの
と同様の効果が得られる。
部分に遮光膜欠損が生じた場合は、前記の実施例３と同
様に、欠損箇所のＥＢ描画データを変更後、通常の位相
シフタ形成工程に沿ってレチクル製作を実施すればよ
い。すなわち、位相シフトレチクルの製造工程中、シフ
タパターンのＥＢ描画以前に遮光膜欠損欠陥検査を実施
し、欠損欠陥発生箇所と、その形状を把握しておく（図
９参照）。対応する箇所のＥＢ描画データを変更後、通
常の位相シフトレチクルの製作工程に沿って遮光膜３お
よびマスク基板１の上面に位相シフタ材９を塗布し、変
更されたＥＢ描画データに基づき、位相シフタ材９の上
面の所定箇所にレジスト膜１１を塗布する。その後、Ｅ
Ｂ描画を実施し、レジスト現像，シフタエッチング，レ
ジスト除去を実施し、シフタパターン形成と遮光膜欠損
欠陥修正を同時に完成させる（図１３および図１５参
照）。描画データ変更によりレジスト膜１１の所定箇所
には空洞部１９が形成される（図１３参照）。図１４お
よび図１５に示されように、遮光膜３の欠損欠陥部５の
位置に対応するシフタパターン２１の内部に、空乏部２
３が形成されている。この空乏部２３の存在により、空
乏部２３とその周辺部とで露光時に、露光波長の１／２
だけ位相がずれ、光強度がゼロもしくは非常に小さくな
り、結果的に遮光膜欠損欠陥部５に遮光材を被覆したの
と同様の効果が得られる。
【００２２】実施例６ 別法として、位相シフタパターンの形成に着手する以前
に、図１〜図８に示したように、欠損欠陥部５に凹部を
形成することにより一旦、遮光膜を整形後、実施例５に
述べた方法を適用してもよい。
に、図１〜図８に示したように、欠損欠陥部５に凹部を
形成することにより一旦、遮光膜を整形後、実施例５に
述べた方法を適用してもよい。
【００２３】実施例７ 別法として、位相シフトレチクルの製造工程中、シフタ
パターンのＥＢ描画以前に遮光膜欠損欠陥検査を実施
し、欠損欠陥発生箇所と、その形状を把握しておき（図
９参照）、ＥＢ描画データを変更することなく、位相シ
フタパターンを完成させる。その後、欠損欠陥部の位置
および形状に関する検査データに基づき、ＦＩＢ法を用
いて、遮光膜欠損欠陥部分のシフタ材の一部または全部
を削り取ることにより修正を実施することもできる。こ
のようにして修正された位相シフトレチクルの具体例を
図１６および図１７に示す。図中の符号２５は削取部を
示す。このような修正法においてＦＩＢ法で削り取る部
分の平面形状は、図示した例に限られることなく、必要
に応じて２次元光強度分布計算を行って決めればよい。
パターンのＥＢ描画以前に遮光膜欠損欠陥検査を実施
し、欠損欠陥発生箇所と、その形状を把握しておき（図
９参照）、ＥＢ描画データを変更することなく、位相シ
フタパターンを完成させる。その後、欠損欠陥部の位置
および形状に関する検査データに基づき、ＦＩＢ法を用
いて、遮光膜欠損欠陥部分のシフタ材の一部または全部
を削り取ることにより修正を実施することもできる。こ
のようにして修正された位相シフトレチクルの具体例を
図１６および図１７に示す。図中の符号２５は削取部を
示す。このような修正法においてＦＩＢ法で削り取る部
分の平面形状は、図示した例に限られることなく、必要
に応じて２次元光強度分布計算を行って決めればよい。
【００２４】実施例８ 更に別法として、一旦、遮光膜を整形後、ＥＢ描画デー
タを修正することなく、位相シフタパターンを完成さ
せ、その後、ＦＩＢ法を用いて整形部分の一部または全
部のシフタを削り取ることにより、修正を実施してもよ
い。
タを修正することなく、位相シフタパターンを完成さ
せ、その後、ＦＩＢ法を用いて整形部分の一部または全
部のシフタを削り取ることにより、修正を実施してもよ
い。
【００２５】以上の実施例では、シフタ材が遮光膜上に
設けられたタイプの位相シフトレチクルについて図示し
たが、ガラス基板と遮光膜間にシフタを設けるタイプの
位相シフトレチクルについても本発明の方法を適用でき
ることは言うまでもない。
設けられたタイプの位相シフトレチクルについて図示し
たが、ガラス基板と遮光膜間にシフタを設けるタイプの
位相シフトレチクルについても本発明の方法を適用でき
ることは言うまでもない。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
れば、 (1) 従来より用いられている透過型マスクに関しては、
高度な技術である選択堆積法を用いることなく、遮光膜
欠損を補うことが可能となり、修正プロセスが簡略化さ
れる； (2) 位相シフトマスクに対しては、シフタパターンＥＢ
描画データの変更により、付加的な修正プロセスが不要
となり、製造プロセスが簡略化される；および、 (3) 位相シフトマスクに対しては、選択堆積により突起
に起因するシフタ膜厚のバラツキ不良を撲滅でき、マス
クの性能向上または製造歩留りの向上が実現できる；な
どの顕著な効果が得られる。
れば、 (1) 従来より用いられている透過型マスクに関しては、
高度な技術である選択堆積法を用いることなく、遮光膜
欠損を補うことが可能となり、修正プロセスが簡略化さ
れる； (2) 位相シフトマスクに対しては、シフタパターンＥＢ
描画データの変更により、付加的な修正プロセスが不要
となり、製造プロセスが簡略化される；および、 (3) 位相シフトマスクに対しては、選択堆積により突起
に起因するシフタ膜厚のバラツキ不良を撲滅でき、マス
クの性能向上または製造歩留りの向上が実現できる；な
どの顕著な効果が得られる。
【図１】遮光膜の欠損欠陥部が存在するガラス基板をＦ
ＩＢ法で掘込んで修正した従来の透過型レチクルの平面
図である。
ＩＢ法で掘込んで修正した従来の透過型レチクルの平面
図である。
【図２】図１におけるII-II 線に沿った断面図である。
【図３】図１におけるＦＩＢ法による掘込みの別の例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４】図１におけるＦＩＢ法による掘込みの他の例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図５】遮光膜の欠損欠陥部が存在するガラス基板をＦ
ＩＢ法で掘込んで修正した更に別の例の透過型レチクル
の平面図である。
ＩＢ法で掘込んで修正した更に別の例の透過型レチクル
の平面図である。
【図６】図５におけるVI-VI 線に沿った断面図である。
【図７】図５におけるＦＩＢ法による掘込みの別の例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図８】図５におけるＦＩＢ法による掘込みの他の例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図９】位相シフトレチクルにおいて、シフタ無し部に
発生した遮光膜欠損欠陥部を示す部分平面図である。
発生した遮光膜欠損欠陥部を示す部分平面図である。
【図１０】図９の位相シフトレチクルを修正するため
に、シフタパターン描画データを変更して描画した後、
レジストを現像した後の部分断面図である。
に、シフタパターン描画データを変更して描画した後、
レジストを現像した後の部分断面図である。
【図１１】図１０の位相シフトレチクルにおいて、シフ
タエッチングを行い、更にレジストを除去した後の部分
断面図である。
タエッチングを行い、更にレジストを除去した後の部分
断面図である。
【図１２】図１１に示される修正後の位相シフトレチク
ルの部分平面図である。
ルの部分平面図である。
【図１３】図９の位相シフトレチクルを修正するため
に、シフタパターン描画データを変更して描画した後、
レジストを現像した後の別の例の部分断面図である。
に、シフタパターン描画データを変更して描画した後、
レジストを現像した後の別の例の部分断面図である。
【図１４】図１３の位相シフトレチクルにおいて、シフ
タエッチングを行い、更にレジストを除去した後の部分
断面図である。
タエッチングを行い、更にレジストを除去した後の部分
断面図である。
【図１５】図１４に示される修正後の位相シフトレチク
ルの部分平面図である。
ルの部分平面図である。
【図１６】図９の位相シフトレチクルを修正するため
に、一旦シフタ形成を完了した後、遮光膜欠損欠陥部の
シフタ材をＦＩＢ法により削り取った例の部分平面図で
ある。
に、一旦シフタ形成を完了した後、遮光膜欠損欠陥部の
シフタ材をＦＩＢ法により削り取った例の部分平面図で
ある。
【図１７】図９の位相シフトレチクルを修正するため
に、一旦シフタ形成を完了した後、遮光膜欠損欠陥部の
シフタ材をＦＩＢ法により削り取った別の例の部分平面
図である。
に、一旦シフタ形成を完了した後、遮光膜欠損欠陥部の
シフタ材をＦＩＢ法により削り取った別の例の部分平面
図である。
【図１８】ガラス基板上に設けられたフォトマスクの遮
光膜の欠損欠陥部を示す部分拡大平面図である。
光膜の欠損欠陥部を示す部分拡大平面図である。
【図１９】図１８の遮光膜の欠損欠陥部をＦＩＢ法によ
り炭素膜で被覆した状態の部分拡大平面図である。
り炭素膜で被覆した状態の部分拡大平面図である。
【図２０】図１９におけるＡ−Ａ線に沿った断面図であ
る。
る。
１ ガラス基板 ３ 遮光膜 ５ 欠損欠陥部 ７ 凹部 ９ 位相シフタ材 １１ レジスト １３ 修正用レジスト １５ シフタパターン １７ 修正用シフタ材 １９ レジスト空洞部 ２１ シフタパターン ２３ 修正用シフタ空乏部 ２５ 修正用シフタ削取部
フロントページの続き (72)発明者 行田 和博 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内
Claims (12)
- 【請求項１】 マスクパターンの転写の際の露光光の位
相が、遮光膜欠損欠陥部の一部または全部と、その周囲
の欠陥のない部分とで、λ／２（ここで、λは露光光の
波長である）分だけ位相差が生じるよう、マスク基板お
よび／または位相シフタ部材を加工することを特徴とす
るフォトマスクの遮光膜欠損欠陥部の修正方法。 - 【請求項２】 前記加工は、遮光膜の欠損欠陥部が存在
するマスク基板部分を掘り込んで凹部を形成させること
からなる請求項１の方法。 - 【請求項３】 位相シフトマスクの製造において、遮光
膜に欠損欠陥が生じた場合、シフタパターンのＥＢ描画
前に前記遮光膜の欠損欠陥検査を行って当該欠損欠陥部
の位置および形状を記録しておき、前記記録に基づいて
対応する箇所のＥＢ描画データを変更した後、位相シフ
タ材を塗布し、更にレジスト層を塗布し、前記レジスト
層を現像し、シフタ材をエッチングし、遮光膜欠損欠陥
部の一部または全部と、その周囲の欠陥のない部分と
で、λ／２（ここで、λは露光光の波長である）分だけ
位相差が生じるよう、位相シフタ材を加工する請求項１
の方法。 - 【請求項４】 シフタ材が遮光膜を覆わない部分に遮光
膜欠損欠陥部が存在する場合、前記加工は、前記欠損欠
陥部内に修正用位相シフタ材を立設させることからなる
請求項３の方法。 - 【請求項５】 シフタ材が遮光膜を覆う部分に遮光膜欠
損欠陥部が存在する場合、前記加工は、前記欠損欠陥部
に対応するシフタ材部分に空乏部を形成させることから
なる請求項３の方法。 - 【請求項６】 シフタ材が遮光膜を覆う部分に遮光膜欠
損欠陥部が存在する場合、前記加工は、前記欠損欠陥部
に対応するシフタ材部分を一部または全部除去すること
からなる請求項３の方法。 - 【請求項７】 欠損欠陥部が存在する遮光膜を有するフ
ォトマスクにおいて、マスクパターンの転写の際の露光
光の位相が、前記遮光膜欠損欠陥部の一部または全部
と、その周囲の欠陥のない部分とで、λ／２（ここで、
λは露光光の波長である）分だけ位相差が生じるように
前記遮光膜欠損欠陥部に対して修正加工が施されている
ことを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項８】 前記加工は、遮光膜の欠損欠陥部が存在
するマスク基板部分を掘り込んで凹部を形成させたこと
からなる請求項７のフォトマスク。 - 【請求項９】 シフタ材が遮光膜を覆わない部分に遮光
膜欠損欠陥部が存在する場合、前記加工は、前記欠損欠
陥部内に修正用位相シフタ材を立設させたことからなる
請求項７のフォトマスク。 - 【請求項１０】 シフタ材が遮光膜を覆う部分に遮光膜
欠損欠陥部が存在する場合、前記加工は、前記欠損欠陥
部に対応するシフタ材部分に空乏部を形成させたことか
らなる請求項７のフォトマスク。 - 【請求項１１】 シフタ材が遮光膜を覆う部分に遮光膜
欠損欠陥部が存在する場合、前記加工は、前記欠損欠陥
部に対応するシフタ材部分を一部または全部除去したこ
とからなる請求項７のフォトマスク。 - 【請求項１２】 マスクパターンの転写の際の露光光の
位相が、遮光膜欠損欠陥部の一部または全部と、その周
囲の欠陥のない部分とで、λ／２（ここで、λは露光光
の波長である）分だけ位相差が生じるよう、マスク基板
および／または位相シフト部材を加工したフォトマスク
を用いて露光する工程を含むことを特徴とする半導体集
積回路、表示素子、プリント基板等の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21703993A JPH0756322A (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | フォトマスク修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21703993A JPH0756322A (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | フォトマスク修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0756322A true JPH0756322A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16697885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21703993A Pending JPH0756322A (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | フォトマスク修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0756322A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6119553A (en) * | 1997-12-02 | 2000-09-19 | Harmonic Drive Systems, Inc. | Rotation transmitting device |
| JP2008507728A (ja) * | 2004-07-21 | 2008-03-13 | ケイエルエイ−テンコー・テクノロジーズ・コーポレーション | シミュレーション・プログラムのための入力生成、あるいは、レチクルのシミュレート画像生成のためのコンピュータに実装された方法 |
| US7371483B2 (en) | 2003-04-25 | 2008-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing mask for focus monitoring, and method for manufacturing semiconductor device |
| CN113467180A (zh) * | 2021-07-28 | 2021-10-01 | 泉意光罩光电科技(济南)有限公司 | 相位移掩模版、掩模版修补方法及设备 |
-
1993
- 1993-08-09 JP JP21703993A patent/JPH0756322A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6119553A (en) * | 1997-12-02 | 2000-09-19 | Harmonic Drive Systems, Inc. | Rotation transmitting device |
| US7371483B2 (en) | 2003-04-25 | 2008-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing mask for focus monitoring, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2008507728A (ja) * | 2004-07-21 | 2008-03-13 | ケイエルエイ−テンコー・テクノロジーズ・コーポレーション | シミュレーション・プログラムのための入力生成、あるいは、レチクルのシミュレート画像生成のためのコンピュータに実装された方法 |
| JP4758427B2 (ja) * | 2004-07-21 | 2011-08-31 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | シミュレーション・プログラムのための入力生成、あるいは、レチクルのシミュレート画像生成のためのコンピュータに実装された方法 |
| CN113467180A (zh) * | 2021-07-28 | 2021-10-01 | 泉意光罩光电科技(济南)有限公司 | 相位移掩模版、掩模版修补方法及设备 |
| CN113467180B (zh) * | 2021-07-28 | 2024-01-26 | 泉意光罩光电科技(济南)有限公司 | 相位移掩模版、掩模版修补方法及设备 |
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