JPH0882916A

JPH0882916A - ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0882916A
Application number: JP24202194A
Authority: JP
Inventors: Yoshiro Yamada; 芳郎山田; Kazuaki Chiba; 和明千葉; Hidemasa Karikawa; 英聖狩川
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1994-09-09
Filing date: 1994-09-09
Publication date: 1996-03-26
Anticipated expiration: 2016-05-14
Also published as: JP3166812B2

Abstract

(57)【要約】【目的】ハーフトーン型位相シフトマスクのメインパ
ターンの周囲に、露光光を確実に遮光できる遮光帯を設
ける。【構成】透明基板１の上にハーフトーン材料膜２’を
積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクにおい
て、ハーフトーン材料膜２’に対して選択的にエッチン
グが可能な、すなわち、ハーフトーン材料膜２’をエッ
チングすることなく独立してエッチングが可能である金
属膜８をメインパターン３の外周部に枠状に設ける。金
属膜８は遮光性を有する材料、例えば、Ｃｒ、ＣｒＯ、
ＣｒＮ、ＣｒＯＮ又はそれらを積層した複合膜によって
形成され、例えばステッパー等を用いた露光時にメイン
パターン３の外周部分に対応するウェハが感光すること
を確実に防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、主に投影露光装置にお
いて使用されるパターンを備えたフォトマスクであっ
て、特に、そのフォトマスクを通過する投影露光光に位
相差を与えて高解像度のパターン転写を可能にした位相
シフトマスク及びその製造方法に関する。また特に、透
明基板上に希望パターンのハーフトーン材料膜を形成し
て成るハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】位相シフトマスクとして、従来より、種
々の形式のものが提案されている。例えば、マスク上の
開口部の隣り合う一方に位相を反転させるような透明膜
を設けた構造のレベンソン型位相シフトマスクや、形成
すべきパターンの周辺部に解像限界以下の位相シフター
を形成した構造の補助パターン付き位相シフトマスク
や、基板上にクロムパターンを形成した後にオーバーエ
ッチングによって位相シフターのオーバーハングを形成
した構造の自己整合型位相シフトマスク等がある。

【０００３】以上の各構造の位相シフトマスクは、基板
上にクロムパターンとシフターパターンを設けたもので
あるが、この構造とは別に、シフターパターンのみによ
って形成された位相シフトマスクとして、透過型位相シ
フトマスクや、ハーフトーン型位相シフトマスク等も知
られている。透過型位相シフトマスクというのは、透明
部を透過した光と位相シフターを透過した光との境界部
において光強度がゼロとなることを利用してパターンを
分離するようにした位相シフトマスクであって、シフタ
ーエッジ利用型位相シフトマスクとも呼ばれる。

【０００４】また、ハーフトーン型位相シフトマスクと
いうのは、投影露光光に対して部分透過性を有する、い
わゆる半透明な位相シフターパターンを基板上に形成し
て、その位相パターンの境界部に形成される光強度がゼ
ロの部分でパターンの解像度を向上するようにした位相
シフトマスクである。透過型位相シフトマスクや、ハー
フトーン型位相シフトマスクはその層構造が単純である
ため、製造工程が容易であり、しかもマスク上の欠陥も
少ないという長所を有している。

【０００５】ハーフトーン型位相シフトマスクは、例え
ば図７に示すように、透明基板１にハーフトーン材料膜
２を積層することによって形成される。図６に示すよう
に、ハーフトーン材料膜２によって囲まれる透明基板１
の上にメインパターン３が形成される。そして、メイン
パターン３の内部に所望のパターン、実施例では文字
「Ａ」、が形成される。

【０００６】今、このようなハーフトーン型位相シフト
マスクを用いて、シリコンウェハの表面に設けたレジス
トにステッパーによってパターンを転写する場合を考え
る。この場合には、図６に示すように、メインパターン
３の周囲をアパーチャ４で囲み、さらに、図７に示すよ
うに、メインパターン３を通過した光Ｒをウェハ５上に
照射する。通常は、例えば１／５の縮小像をウェハ５上
に形成する。このとき、メインパターン３を囲むアパー
チャ４は、ウェハ５の所定露光領域以外の領域に光が当
たらないように作用する。

【０００７】しかしながら、メインパターン３とアパー
チャ４との間には１〜２ｍｍの間隔が形成されるので、
メインパターン３の外周縁に位置するハーフトーン材料
膜２に当たった光は、ハーフトーン材料膜２に固有の光
透過性に対応した光量の光を通過させる。このため図７
において、例えば矢印Ａのように露光光の照射位置をず
らせてウェハ５上に順次多数の転写像を形成するとき、
図８に示すように、相隣り合う２個のメインパターン３
の間の部分Ｐが２重に露光されたり、４個のメインパタ
ーンに囲まれた部分Ｑが４重に露光されてしまう。

【０００８】メインパターン３の外周部分は、本来、レ
ジストが感光してはならない部分であって、そのために
その部分にハーフトーン材料膜２が設けられるわけであ
るが、その部分が２重に露光されたり、あるいは４重に
露光されると、レジストが感光してしまう。

【０００９】このような問題を解消するため、図９に示
すように、メインパターン３の外周部分に位置するハー
フトーン材料膜に枠状の遮光帯６を形成した位相シフト
マスクが知られている。この遮光帯６は、図１０に示す
ように、ハーフトーン材料膜の中に、例えば、約１μｍ
のピッチで縦横に正方形状の開口部分７を設けることに
よって形成される。これらの開口部分７は、透明基板が
直接に露出している部分である。この遮光帯６は、開口
部分７を通過した光とハーフトーン材料膜を通過して位
相が反転した光との干渉により、光の通過を遮断しよう
とするものである。

【００１０】しかしながらこの方法では、開口部分７を
正確に正方形状に形成するのが非常に難しく、希望する
十分な遮光性が得られない場合が多かった。遮光性を向
上させるために、不正確な形状の開口部分７を修正する
ことも考えられるが、その修正作業は非常に難しく、ま
た、不正確な形状の開口部分を探し出すことは、さらに
難しかった。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解消するためになされたものであって、ハーフトー
ン型位相シフトマスクのメインパターンの周囲に、露光
光を確実に遮光できる遮光帯を設けることを目的とす
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクは、
透明基板の上にハーフトーン材料膜を積層して成るハー
フトーン型位相シフトマスクにおいて、ハーフトーン材
料膜に対して選択的にエッチングが可能な遮光性を有す
る金属膜をメインパターンの外周部に枠状に設けたこと
を特徴とする。ハーフトーン材料膜としては、例えばＭ
ｏ・Ｓｉ系の材料、より具体的には、例えば化学記号Ｍ
ｏＳｉＯ_XＮ_Y（Ｘ，Ｙは整数）で表される材料を用いる
ことができる。

【００１３】金属膜に関して「選択エッチングが可能で
ある」ということは、ハーフトーン材料膜をエッチング
によって除去することなしに、金属膜だけをエッチング
によって除去できる性質を有するということである。こ
のような選択エッチングが可能な金属としては、例え
ば、ハーフトーン材料膜がＭｏ・Ｓｉ系材料で形成され
るとすれば、Ｃｒ（クロム）、ＣｒＯ（酸化クロム）、
ＣｒＮ（窒化クロム）、ＣｒＯＮ（窒化酸化クロム）又
はこれらを積層した複合膜を採用できる。複合膜を採用
する場合は、図１１及び図１２に示すような２層構造又
は図１３に示すような３層構造とすることができる。

【００１４】金属膜の厚さは、例えば、３００〜１５０
０Å程度に設定する。但し、金属膜は比較的薄い厚さに
形成することが望ましい。金属膜が厚すぎると、この金
属膜自体をエッチングによってパターニングする際、い
わゆるサイドエッチの影響で金属膜それ自体を正確な形
状に仕上げることができなくなるおそれがあるからであ
る。金属膜が薄ければ、サイドエッチの影響を小さく抑
えることができるので、精密なパターニングを行うこと
ができる。

【００１５】枠状の金属膜とハーフトーン材料膜との位
置関係に関しては、例えば、次の２通りが考えられる。
１つは、図１、図３（ｉ）及び図５（ｉ）に示すよう
に、メインパターン３の外周部の金属膜８の内周エッジ
と、メインパターン３の外周部のハーフトーン材料膜２
の内周エッジとが、メインパターン３に対して直角の方
向（図１の紙面垂直方向、図３及び図５の上下方向）に
一致するように両者の位置関係を設定する。他の１つ
は、図２及び図４（ｉ’）に示すように、メインパター
ン３の外周部の金属膜８の内周エッジが、メインパター
ン３の外周部のハーフトーン材料膜２の内周エッジより
も外側に設けられるように両者の位置関係を設定する。
この場合の両エッジ間のずれ量δは、例えば０．０５μ
ｍ程度に設定される。また、金属膜８の幅は、例えば、
１．５ｍｍ〜３ｍｍに設定される。

【００１６】上記の目的を達成するため、本発明に係る
ハーフトーン型位相シフトマスクの第１の製造方法は、
（１）透明基板上に、ハーフトーン材料膜と、ハーフト
ーン材料膜に対して選択エッチングが可能な金属膜と、
レジスト膜とを積層する工程と、（２）レジスト膜をパ
ターニングする工程と、（３）パターニングされたレジ
スト膜をマスクとして金属膜をエッチングによってパタ
ーニングする工程と、（４）パターニングされたレジス
ト膜及び金属膜をマスクとしてハーフトーン材料膜をエ
ッチングによってパターニングする工程と、（５）レジ
スト膜を剥離する工程と、（６）パターニングされた金
属膜及びハーフトーン材料膜の上に、レジスト膜を積層
する工程と、（７）メインパターンの外周部に枠状のレ
ジスト膜が残存するようにレジスト膜をパターニングす
る工程と、（８）パターニングされたレジスト膜をマス
クとして金属膜をエッチングによってパターニングする
工程と、（９）レジスト膜を剥離する工程とを有するこ
とを特徴とする。

【００１７】また、上記の目的を達成するため、本発明
に係るハーフトーン型位相シフトマスクの第２の製造方
法は、（１）透明基板上に、ハーフトーン材料膜と、ハ
ーフトーン材料膜に対して選択エッチングが可能な金属
膜と、レジスト膜とを積層する工程と、（２）レジスト
膜をパターニングする工程と、（３）パターニングされ
たレジスト膜をマスクとして金属膜をエッチングによっ
てパターニングする工程と、（４）レジスト膜を剥離す
る工程と、（５）レジスト膜を積層する工程と、（６）
レジスト膜をパターニングする工程と、（７）パターニ
ングされたレジスト膜及び金属膜をマスクとして、ハー
フトーン材料膜をエッチングによってパターニングする
工程と、（８）パターニングされたレジスト膜をマスク
として金属膜をエッチングする工程と、（９）レジスト
膜を剥離する工程とを有することを特徴とする。

【００１８】

【作用】請求項１乃至請求項５記載のハーフトーン型位
相シフトマスクでは、枠状に形成された金属膜によって
光の通過が確実に遮断される。よって、この位相シフト
マスクを使ってウェハ等といった露光対象物に転写像を
連続して形成するとき、転写像のまわりを誤って感光さ
せることがない。また、金属膜はそれ自体が遮光性を有
する材料によって形成されるので、ハーフトーン材料膜
と開口部分との組み合わせによって遮光帯を形成した場
合に比べて、高い遮光性を有する遮光帯を形成すること
ができる。また、金属膜をハーフトーン材料膜に対して
選択的にエッチングが可能な材料によって構成するの
で、金属膜及びハーフトーン材料膜は、それぞれ、個別
にエッチングされる。一方の膜のエッチングの際に他方
の膜がエッチングされてしまうことがないので、金属膜
及びハーフトーン材料膜の両方の形状を希望の形状に正
確に形成できる。

【００１９】請求項６乃至請求項９記載のハーフトーン
型位相シフトマスクの製造方法を用いれば、メインパタ
ーンのまわりのハーフトーン材料膜の上に枠状の遮光性
金属膜を正確に形成できる。しかもこれらの製造方法に
よれば、パターニングされた金属膜をマスクとしてハー
フトーン材料膜がエッチングされ、しかもその金属膜は
ハーフトーン材料膜に対して選択エッチングが可能な材
料によって構成されるので、ハーフトーン材料膜に対す
るエッチング処理中に金属膜マスクがエッチングによっ
て除去されることがない。従って、ハーフトーン材料膜
を高精度の寸法精度でエッチング処理でき、その結果、
寸法精度の高いハーフトーン型位相シフトマスクを得る
ことができる。

【００２０】

【実施例】（実施例１）図１に示すハーフトーン型位相シフトマス
クの製造方法の一例を説明する。図３（ａ）に示すよう
に、石英によって形成された透明基板１の上に、周知の
成膜方法を用いて、Ｍｏ・Ｓｉ系ハーフトーン材料膜
２、金属膜としてのＣｒ膜１８、そしてレジスト膜１３
を形成した。各膜の厚さは、ハーフトーン材料膜２を１
２００〜２０００Å、Ｃｒ膜１８を３００〜１５００
Å、そしてレジスト膜１３を３０００〜６０００Åとし
た。

【００２１】次いで、電子線露光及び現像により所望パ
ターンのレジスト膜１３’を形成した（ｂ）。さらに、
そのレジスト膜１３’をマスクとして、硝酸第２セリウ
ムアンモニウムに過塩素酸を加えて製造したエッチング
液を用いた常法のウエットエッチングにより、又は塩素
系ガスを用いたドライエッチングにより、Ｃｒ金属膜１
８を所望のパターンのＣｒ金属膜１８’へとパターニン
グした（ｃ）。このとき、ハーフトーン材料膜２は上記
の各エッチング剤によってはエッチングされない。

【００２２】その後、ＣＦ₄ 、Ｃ₂Ｆ₆等のフッ素系ガス
を用いたドライエッチングによってハーフトーン材料膜
２を所望パターンのハーフトーン材料膜２’へとパター
ニングした（ｄ）。これにより、位相シフトマスク上に
所望のメインパターン３が形成される。このとき、マス
クとして働くＣｒ金属膜１８’はエッチングされないの
で、ハーフトーン材料膜２’のパターンが極めて高精度
な寸法精度で得られた。

【００２３】次いで、酸素プラズマや硫酸を用いてレジ
スト膜１３’を剥離し（ｅ）、さらに、あらためてレジ
スト２３を塗布し（ｆ）、そして電子線露光及び現像に
より、図１の金属膜８の枠形状に一致した枠形状パター
ンのレジスト膜２３’を形成した（ｇ）。そして、その
レジスト膜２３’をマスクとして、常法のウエットエッ
チング又は塩素系ガスを用いたドライエッチングによ
り、Ｃｒ金属膜１８’を所望の枠形状パターンのＣｒ金
属膜８へとパターニングした（ｈ）。このときも、ハー
フトーン材料膜２’はエッチングされない。

【００２４】その後、酸素プラズマや硫酸を用いてレジ
スト膜２３’を剥離し、これにより、所望パターンのハ
ーフトーン材料膜２’及び枠形状の金属膜８を備えたハ
ーフトーン型の位相シフトマスクを得た（ｉ）。この位
相シフトマスクでは、メインパターン３の外周部の金属
膜８の内周面エッジと、メインパターン３の外周部のハ
ーフトーン材料膜２’の内周面エッジとが、メインパタ
ーン３に対して直角の方向（図３の上下方向）に一致し
ている。

【００２５】こうして得られたハーフトーン型位相シフ
トマスクのハーフトーン材料膜２’のパターンは極めて
高精度の寸法精度に仕上げられていた。また、図３の工
程（ａ）から工程（ｉ）に至る製造プロセスに関して
は、適宜の工程において、酸やアルカリ等を用いた洗浄
処理が行われる。この洗浄の際、Ｃｒ金属膜１８の存在
によりハーフトーン材料膜２が酸やアルカリ等の影響に
より特性変化を生じることが防止される。

【００２６】（実施例２）図２に示すハーフトーン型位
相シフトマスクの製造方法の一例を説明する。図４はそ
の製造方法の一例を示している。この製造方法は、基本
的には、図３に示した製造方法と同じである。異なって
いる点は、工程（ｆ）から工程（ｇ’）にかけてレジス
ト２３を所望の枠形状パターンのレジスト２３’へと形
成する際に、レジスト２３’の内周面エッジが、メイン
パターン３の外周部のハーフトーン材料膜２’のエッジ
よりも外側に位置するようにすることである。これによ
り、工程（ｉ’）において最終的に得られる位相シフト
マスクに関しては、メインパターン３の外周部の枠形状
の金属膜８の内周面エッジが、メインパターン３の外周
部のハーフトーン材料膜２’の内周面エッジよりも外側
に位置する。

【００２７】この位相シフトマスクによれば、メインパ
ターン３と枠形状金属膜８との間に位置するハーフトー
ン材料膜２’を通過する光の位相がメインパターン３を
通過する光の位相に対して反転するというハーフトーン
材料膜の本来的な作用により、メインパターン３の外周
部のハーフトーン材料膜２’のエッジの所において、光
振幅が０（ゼロ）になる。従って、メインパターン３と
外周部の境界線がより鮮明に露光対象物、例えばシリコ
ンウェハ上に転写されるという効果が得られる。

【００２８】（実施例３）図５は、図１に示す位相シフ
トマスクを製造するための、別の製造方法を示してい
る。この製造方法では、工程（ａ）から工程（ｃ）まで
は、図３に示す先の実施例と同じ処理が実行され、透明
基板１上に所望パターンの金属膜１８’が形成される。

【００２９】その後、レジスト１３’が剥離され
（ｄ’’）、さらに、新たなレジスト２３が塗布される
（ｅ’’）。そして、電子線露光及び現像によって枠形
状パターンのレジスト２３’が形成され（ｆ’’）、さ
らにレジスト２３’及び金属膜１８’をマスクとして、
ハーフトーン材料膜２が所望パターンのハーフトーン材
料膜２’へとエッチングされる。次いで、枠形状パター
ンのレジスト２３’をマスクとして金属膜１８’を枠形
状金属膜８へとエッチングし（ｈ’’）、そして、レジ
スト２３’を剥離することによって求めるハーフトーン
型位相シフトマスクが得られる（ｉ）。

【００３０】

【発明の効果】請求項１記載のハーフトーン型位相シフ
トマスクによれば、枠状に形成された遮光性の金属膜に
よって光の通過が確実に遮断される。よって、このハー
フトーン型位相シフトマスクを使ってウェハ等といった
露光対象物に転写像を連続して形成するとき、転写像の
まわりを誤って感光させることがない。また、金属膜は
それ自体が遮光性を有する材料によって形成されるの
で、ハーフトーン材料膜と開口部分との組み合わせによ
って遮光帯を形成する形式の従来の遮光帯に比べて、高
い遮光性を有する遮光帯を形成することができる。

【００３１】また、ハーフトーン材料膜に対して選択的
にエッチングが可能な材料によって金属膜を構成するの
で、金属膜及びハーフトーン材料膜は、それぞれ、個別
にエッチングされる。金属膜又はハーフトーン材料膜の
一方のエッチングの際に、他方の膜がエッチングされて
しまうことがないので、金属膜及びハーフトーン材料膜
の両方の形状を希望の形状に正確に形成できる。

【００３２】請求項３記載のハーフトーン型位相シフト
マスクによれば、メインパターンと枠形状金属膜との間
に位置するハーフトーン材料膜を通過する光の位相がメ
インパターンを通過する光の位相に対して反転するとい
うハーフトーン材料膜の本来的な作用により、メインパ
ターンを区画形成するハーフトーン材料膜の内周面エッ
ジの所において、光振幅が０（ゼロ）になる。従って、
メインパターンとそのまわりの外周部との境界線がより
鮮明に露光対象物、例えばシリコンウェハ上に転写され
る。

【００３３】請求項５記載のハーフトーン型位相シフト
マスク及び請求項９記載のハーフトーン型位相シフトマ
スクの製造方法のように、金属膜の最表面層をＣｒＯに
よって形成すると有利である。すなわち、位相シフトマ
スクが完成した後に、この位相シフトマスクを使ってウ
ェハ等の露光対象物を露光する際には、その露光対象物
と金属膜とが互いに対面することになるが、このとき、
金属膜の最表面層をＣｒＯによって形成しておけば、Ｃ
ｒＯは光を反射しにくい性質を有しているので、金属膜
からの散乱光の発生がほとんどなくなり、その結果、露
光対象物上に精密な光像を形成できる。また、位相シフ
トマスクの製造過程において、金属膜の上にレジスト膜
を積層し、さらにその積層したレジスト膜を電子線やレ
ーザ等によって露光して潜像を形成する際、金属膜の最
表面層をＣｒＯによって形成しておけば、金属膜の表面
で光の乱反射が起こり難く、従って、レジスト膜に対し
て高精度な描画を行うことができる。

【００３４】請求項６及び請求項７記載のハーフトーン
型位相シフトマスクの製造方法によれば、メインパター
ンのまわりのハーフトーン材料膜の上に枠状の遮光性金
属膜を正確に形成できる。しかもこれらの製造方法によ
れば、パターニングされた金属膜をマスクとしてハーフ
トーン材料膜がエッチングされ、しかもその金属膜はハ
ーフトーン材料膜に対して選択エッチングが可能な材料
によって構成されるので、ハーフトーン材料膜に対する
エッチング処理中に金属膜マスクがエッチングによって
除去されることがない。従って、ハーフトーン材料膜を
高精度の寸法精度でエッチング処理でき、その結果、寸
法精度の高いハーフトーン型位相シフトマスクを得るこ
とができる。

【００３５】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスク
の一実施例、特に遮光用の枠状金属膜の内周面エッジと
ハーフトーン材料膜の内周面エッジとが一致する形状の
位相シフトマスクを示す平面図である。

【図２】本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスク
の他の実施例、特に遮光用の枠状金属膜がハーフトーン
材料膜の内周面エッジよりも外側に設けられる形状の位
相シフトマスクを示す平面図である。

【図３】図１に示す位相シフトマスクを製造するための
本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方
法の一実施例を模式的に示す図である。

【図４】図２に示す位相シフトマスクを製造するための
本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方
法の一実施例を模式的に示す図である。

【図５】図１に示す位相シフトマスクを製造するための
本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方
法の他の実施例を模式的に示す図である。

【図６】従来の位相シフトマスク及びそれにアパーチャ
を被せる状態を示す平面図である。

【図７】ハーフトーン型位相シフトマスクを用いた露光
系の一例を示す側面断面図である。

【図８】従来のハーフトーン型位相シフトマスクを用い
て露光対象物上にメインパターンを転写した状態を示す
模式図である。

【図９】従来のハーフトーン型位相シフトマスクの一例
を示す平面図である。

【図１０】図９に示す従来のハーフトーン型位相シフト
マスクの遮光帯を拡大して示す図である。

【図１１】金属膜の一実施例の部分断面構造を示す図で
ある。

【図１２】金属膜の他の一実施例の部分断面構造を示す
図である。

【図１３】金属膜のさらに他の一実施例の部分断面構造
を示す図である。

【符号の説明】

１透明基板２ハーフトーン材料膜２’ パターニングされたハーフトーン材料膜３メインパターン４露光時に用いる遮光用アパーチャ５ウェハ（露光対象物）８枠状金属膜１３レジスト膜１３’ レジスト膜（ハーフトーン材料膜のパターニ
ング用）１８Ｃｒ金属膜１８’ Ｃｒ金属膜（ハーフトーン材料膜のパターニ
ング用）２３レジスト膜２３’ レジスト膜（遮光用金属膜のパターニング
用）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板の上にハーフトーン材料膜を積
層して成るハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、
ハーフトーン材料膜に対して選択的にエッチングが可能
な遮光性を有する金属膜をメインパターンの外周部に枠
状に設けたことを特徴とするハーフトーン型位相シフト
マスク。
【請求項２】請求項１記載のハーフトーン型位相シフ
トマスクにおいて、メインパターンの外周部の金属膜の
エッジと、メインパターンの外周部のハーフトーン材料
膜のエッジとが、メインパターンに対して直角の方向に
一致することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマ
スク。
【請求項３】請求項１記載のハーフトーン型位相シフ
トマスクにおいて、メインパターンの外周部の金属膜の
エッジが、メインパターンの外周部のハーフトーン材料
膜のエッジよりも外側に設けられることを特徴とするハ
ーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項４】請求項１から請求項３のうちのいずれか
１つに記載のハーフトーン型位相シフトマスクにおい
て、金属膜はＣｒ、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＯＮ又はこれ
らを積層した複合膜によって構成されることを特徴とす
るハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項５】請求項１から請求項３のうちのいずれか
１つに記載のハーフトーン型位相シフトマスクにおい
て、金属膜の最表面層はＣｒＯによって構成されること
を特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項６】透明基板の上にハーフトーン材料膜を積
層して成るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
において、（１）透明基板上に、ハーフトーン材料膜と、ハーフト
ーン材料膜に対して選択エッチングが可能な金属膜と、
レジスト膜とを積層する工程と、（２）レジスト膜をパターニングする工程と、（３）パターニングされたレジスト膜をマスクとして金
属膜をエッチングによってパターニングする工程と、（４）パターニングされたレジスト膜及び金属膜をマス
クとしてハーフトーン材料膜をエッチングによってパタ
ーニングする工程と、（５）レジスト膜を剥離する工程と、（６）パターニングされた金属膜及びハーフトーン材料
膜の上に、レジスト膜を積層する工程と、（７）メインパターンの外周部に枠状のレジスト膜が残
存するようにレジスト膜をパターニングする工程と、（８）パターニングされたレジスト膜をマスクとして金
属膜をエッチングによってパターニングする工程と、（９）レジスト膜を剥離する工程とを有することを特徴
とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【請求項７】透明基板の上にハーフトーン材料膜を積
層して成るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
において、（１）透明基板上に、ハーフトーン材料膜と、ハーフト
ーン材料膜に対して選択エッチングが可能な金属膜と、
レジスト膜とを積層する工程と、（２）レジスト膜をパターニングする工程と、（３）パターニングされたレジスト膜をマスクとして金
属膜をエッチングによってパターニングする工程と、（４）レジスト膜を剥離する工程と、（５）レジスト膜を積層する工程と、（６）レジスト膜をパターニングする工程と、（７）パターニングされたレジスト膜及び金属膜をマス
クとして、ハーフトーン材料膜をエッチングによってパ
ターニングする工程と、（８）パターニングされたレジスト膜をマスクとして金
属膜をエッチングする工程と、（９）レジスト膜を剥離する工程とを有することを特徴
とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【請求項８】請求項６又は請求項７記載のハーフトー
ン型位相シフトマスクの製造方法において、金属膜はＣ
ｒ、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＯＮ又はこれらを積層した複
合膜によって構成されることを特徴とするハーフトーン
型位相シフトマスクの製造方法。
【請求項９】請求項６又は請求項７記載のハーフトー
ン型位相シフトマスクの製造方法において、金属膜の最
表面層はＣｒＯによって構成されることを特徴とするハ
ーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。