JPH05303190A - 位相シフト用フォトマスク及びその作製方法 - Google Patents
位相シフト用フォトマスク及びその作製方法Info
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- JPH05303190A JPH05303190A JP10655692A JP10655692A JPH05303190A JP H05303190 A JPH05303190 A JP H05303190A JP 10655692 A JP10655692 A JP 10655692A JP 10655692 A JP10655692 A JP 10655692A JP H05303190 A JPH05303190 A JP H05303190A
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- Japan
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- pattern
- light shielding
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフト用フォトマスクの作製時間を短縮
する。また、シフターエッジでの位相反転を急峻にし、
解像度を向上する。 【構成】 ガラス基板１上に、まずシフトパターン２を
形成した後、遮光膜の被着及びパターニングを行なって
遮光パターン３を形成する位相シフト用フォトマスクの
作製方法と、この作製方法によるシフトパターン２の段
差側壁部に遮光パターン３が被着している構造の位相シ
フト用フォトマスクである。
する。また、シフターエッジでの位相反転を急峻にし、
解像度を向上する。 【構成】 ガラス基板１上に、まずシフトパターン２を
形成した後、遮光膜の被着及びパターニングを行なって
遮光パターン３を形成する位相シフト用フォトマスクの
作製方法と、この作製方法によるシフトパターン２の段
差側壁部に遮光パターン３が被着している構造の位相シ
フト用フォトマスクである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置の
製造工程（ウエハープロセス）で回路パターンの原版と
して使用されるフォトマスク、なかでも５：１縮小投影
露光の原版であるレチクルの作製技術に関し、特に、位
相シフト用フォトマスクに適用して有効な技術に関す
る。
製造工程（ウエハープロセス）で回路パターンの原版と
して使用されるフォトマスク、なかでも５：１縮小投影
露光の原版であるレチクルの作製技術に関し、特に、位
相シフト用フォトマスクに適用して有効な技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術は、位相シフト用フォトマス
クを作製する場合に、基板上に、まず、遮光パターンを
形成し、その後、位相シフターのパターン形成を行って
いた。
クを作製する場合に、基板上に、まず、遮光パターンを
形成し、その後、位相シフターのパターン形成を行って
いた。
【０００３】例えば、ＩＥＥＥ trans.vol.ＥＤ−２９
Ｎo１２ ｐ１８２８，１９８２によれば、ガラス基板上
にクロムなどの遮光膜を被着し、ＥＢ描画とエッチング
により遮光パターンを形成する。その後、スピンコート
法によるＰＭＭＡや酸化ケイ素などの透明膜を被着し、
パターニング、エッチングを行い、シフターを作製する
方法がある。あるいは、１９９０年春季応用物理学会予
稿行集 ｐ４７４ ２８ａ−ＰＤ−３などに示されている
遮光パターンを形成した後、ガラス基板のエッチングで
シフトパターンを形成する方法がある。
Ｎo１２ ｐ１８２８，１９８２によれば、ガラス基板上
にクロムなどの遮光膜を被着し、ＥＢ描画とエッチング
により遮光パターンを形成する。その後、スピンコート
法によるＰＭＭＡや酸化ケイ素などの透明膜を被着し、
パターニング、エッチングを行い、シフターを作製する
方法がある。あるいは、１９９０年春季応用物理学会予
稿行集 ｐ４７４ ２８ａ−ＰＤ−３などに示されている
遮光パターンを形成した後、ガラス基板のエッチングで
シフトパターンを形成する方法がある。
【０００４】また、位相を完全に反転させるシフターの
境界では、光強度が０となることを利用して、シフター
境界をあえて光透過領域に露出させるパターン配置とす
る場合がある。これについては、１９９０年秋季応用物
理学会予稿行集 ｐ４９２ ２７ｐ−ＺＧ−７などに示さ
れている。
境界では、光強度が０となることを利用して、シフター
境界をあえて光透過領域に露出させるパターン配置とす
る場合がある。これについては、１９９０年秋季応用物
理学会予稿行集 ｐ４９２ ２７ｐ−ＺＧ−７などに示さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術において
は、遮光パターンを使用する場合には、遮光パターンを
形成した後に、シフトパターンを形成する順序になって
いる。
は、遮光パターンを使用する場合には、遮光パターンを
形成した後に、シフトパターンを形成する順序になって
いる。
【０００６】この順序だと、シフターにシフトパターン
形成に起因する修正不可能な欠陥が発生したとき、遮光
パターンの形成からやり直す必要がある。例えば、電子
ビーム（ＥＢ）描画における真空から大気圧への変動、
または大気圧から真空への変動により、微粒子がまき上
がり、レチクル上に付着し、黒欠陥が発生する。また、
電子ビーム（ＥＢ）描画精度向上のため、レジストを薄
膜化しているので、レジストが局部的に剥離し、シフタ
ーが欠落してしまい、白欠陥が発生する。そして、前記
欠陥、特に、シフターに白欠陥が発生した場合は、修正
が極めて困難もしくは不可能であるという問題があっ
た。
形成に起因する修正不可能な欠陥が発生したとき、遮光
パターンの形成からやり直す必要がある。例えば、電子
ビーム（ＥＢ）描画における真空から大気圧への変動、
または大気圧から真空への変動により、微粒子がまき上
がり、レチクル上に付着し、黒欠陥が発生する。また、
電子ビーム（ＥＢ）描画精度向上のため、レジストを薄
膜化しているので、レジストが局部的に剥離し、シフタ
ーが欠落してしまい、白欠陥が発生する。そして、前記
欠陥、特に、シフターに白欠陥が発生した場合は、修正
が極めて困難もしくは不可能であるという問題があっ
た。
【０００７】また、このような場合、遮光パターン形成
を再度行うことになり、位相シフト用フォトマスク製造
のコストが上がり、完成品ができるまでの時間が増加す
るという問題があった。
を再度行うことになり、位相シフト用フォトマスク製造
のコストが上がり、完成品ができるまでの時間が増加す
るという問題があった。
【０００８】また、シフター境界では光強度が０となる
ことを利用する場合、効果を高めるには境界で位相を急
峻に反転させる必要がある。境界を光透過領域に露出さ
せるときに、急峻な位相反転を妨げる要因には、シフタ
ー境界の段差が垂直にならずに傾いたり、裾を引いた形
状になるとそこで位相がずれること、およびフォトマス
クに傾いて入射した光が段差側壁部で散乱する影響があ
る。
ことを利用する場合、効果を高めるには境界で位相を急
峻に反転させる必要がある。境界を光透過領域に露出さ
せるときに、急峻な位相反転を妨げる要因には、シフタ
ー境界の段差が垂直にならずに傾いたり、裾を引いた形
状になるとそこで位相がずれること、およびフォトマス
クに傾いて入射した光が段差側壁部で散乱する影響があ
る。
【０００９】従来の技術は、遮光膜被着後にシフター段
差を形成するため、段差部側壁が露出することは避けら
れず、前記問題を回避することはできない。
差を形成するため、段差部側壁が露出することは避けら
れず、前記問題を回避することはできない。
【００１０】本発明の目的は、シフトパターン形成時
に、遮光パターンに影響する又は影響されることなく、
シフトパターンを検査及び修正可能な技術を提供するこ
とにある。
に、遮光パターンに影響する又は影響されることなく、
シフトパターンを検査及び修正可能な技術を提供するこ
とにある。
【００１１】本発明の他の目的は、位相シフト用フォト
マスクの作製時間の短縮を図ることが可能な技術を提供
することにある。
マスクの作製時間の短縮を図ることが可能な技術を提供
することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、位相シフト用フォト
マスクの品質を向上することが可能な技術を提供するこ
とにある。
マスクの品質を向上することが可能な技術を提供するこ
とにある。
【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は、本明細書及び添付図面によって明らかにな
るであろう。
規な特徴は、本明細書及び添付図面によって明らかにな
るであろう。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１５】（１）の手段は、半導体集積回路装置の製
造における回路パターンの原版として使用される位相シ
フト用フォトマスクにおいて、位相シフター境界の段差
側壁部に遮光膜が被着している。
造における回路パターンの原版として使用される位相シ
フト用フォトマスクにおいて、位相シフター境界の段差
側壁部に遮光膜が被着している。
【００１６】（２）の手段は、半導体集積回路装置の製
造における回路パターンの原版として使用される位相シ
フト用フォトマスクにおいて、位相シフター境界の段差
側壁とその近傍に連続した遮光膜が被着している。
造における回路パターンの原版として使用される位相シ
フト用フォトマスクにおいて、位相シフター境界の段差
側壁とその近傍に連続した遮光膜が被着している。
【００１７】（３）の手段は、半導体集積回路装置の製
造における回路パターンの原版として使用される位相シ
フト用フォトマスクの作製方法において、遮光領域と位
相シフターを設ける場合に、まず、位相シフトパターン
を形成し、その後、遮光膜を被着し、遮光領域を形成す
る。
造における回路パターンの原版として使用される位相シ
フト用フォトマスクの作製方法において、遮光領域と位
相シフターを設ける場合に、まず、位相シフトパターン
を形成し、その後、遮光膜を被着し、遮光領域を形成す
る。
【００１８】
【作用】前述の（１）及び（３）の手段によれば、シフ
トパターンのみを形成した段階において、シフトパター
ンの欠陥検査を行うことが可能であるので、シフトパタ
ーンの修正が不可能な欠陥が発生し、作り直す場合でも
シフトパターンのみ再度形成すれば良く、遮光パターン
形成は１回ですむので、位相シフト用フォトマスクの製
造時間の短縮を図ることができる。
トパターンのみを形成した段階において、シフトパター
ンの欠陥検査を行うことが可能であるので、シフトパタ
ーンの修正が不可能な欠陥が発生し、作り直す場合でも
シフトパターンのみ再度形成すれば良く、遮光パターン
形成は１回ですむので、位相シフト用フォトマスクの製
造時間の短縮を図ることができる。
【００１９】（２）の手段によれば、遮光膜の被着時に
すでにシフターの段差が存在するため、垂直な被着面に
も遮光膜が形成される。その後、段差近傍の領域のみを
残して遮光膜を除去すると、シフター段差部の側壁に被
着したごく狭い幅の遮光膜が形成される。この遮光膜に
より、シフター段差部への入射光がなくなるので、位相
が乱れることがなくなり、位相反転は急峻になる。一
方、遮光領域はごく狭いため、位相反転した光が干渉し
あうのを妨げることはない。これにより、位相シフト用
フォトマスクの品質を向上することができる。
すでにシフターの段差が存在するため、垂直な被着面に
も遮光膜が形成される。その後、段差近傍の領域のみを
残して遮光膜を除去すると、シフター段差部の側壁に被
着したごく狭い幅の遮光膜が形成される。この遮光膜に
より、シフター段差部への入射光がなくなるので、位相
が乱れることがなくなり、位相反転は急峻になる。一
方、遮光領域はごく狭いため、位相反転した光が干渉し
あうのを妨げることはない。これにより、位相シフト用
フォトマスクの品質を向上することができる。
【００２０】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００２１】〔実施例１〕図１は、本発明の実施例１の
位相シフト用フォトマスクの構成を示す平面図、図２
は、図１のＡ−Ａ’線で切った断面図、図３は、本実施
例１の位相シフト用フォトマスクの作製フローを示す断
面図である。
位相シフト用フォトマスクの構成を示す平面図、図２
は、図１のＡ−Ａ’線で切った断面図、図３は、本実施
例１の位相シフト用フォトマスクの作製フローを示す断
面図である。
【００２２】本実施例１の位相シフト用フォトマスク
は、図１及び図２に示すように、合成石英を材質とする
ガラス基板１上に位相シフトパターン２と遮光パターン
３が設けられている。
は、図１及び図２に示すように、合成石英を材質とする
ガラス基板１上に位相シフトパターン２と遮光パターン
３が設けられている。
【００２３】位相シフトパターン２の材質としては、例
えば、スピンコート法による酸化ケイ素膜やフッ素樹脂
膜、あるいはスパッタ法による酸化ケイ素膜、ＣＶＤ法
による酸化ケイ素膜もしくは窒化ケイ素膜があげられ
る。
えば、スピンコート法による酸化ケイ素膜やフッ素樹脂
膜、あるいはスパッタ法による酸化ケイ素膜、ＣＶＤ法
による酸化ケイ素膜もしくは窒化ケイ素膜があげられ
る。
【００２４】前記位相シフトパターン２の好ましい膜厚
は、露光光線と材料の種類によって異なる。例えば、ｉ
線光による露光の場合、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）膜厚は
１９８ｎｍ、窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜厚は９１ｎｍであ
り、ＫｒＦエキシマレーザの場合、酸化ケイ素（ＳｉＯ
2 ）膜厚は１３５ｎｍ、窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜厚は６
２ｎｍである。
は、露光光線と材料の種類によって異なる。例えば、ｉ
線光による露光の場合、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）膜厚は
１９８ｎｍ、窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜厚は９１ｎｍであ
り、ＫｒＦエキシマレーザの場合、酸化ケイ素（ＳｉＯ
2 ）膜厚は１３５ｎｍ、窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜厚は６
２ｎｍである。
【００２５】また、遮光パターン３の遮光膜の材質とし
ては、例えば、スパッタ法によるクロム膜、ＣＶＤ法に
よるタングステン膜あるいはアルミニウム膜などがあ
る。
ては、例えば、スパッタ法によるクロム膜、ＣＶＤ法に
よるタングステン膜あるいはアルミニウム膜などがあ
る。
【００２６】ここで、特徴的なことは、位相シフトパタ
ーン２の段差部は、遮光パターン３により覆われた構造
となっていることである。すなわち、ガラス基板１と遮
光膜３の間にはさまれる形で位相シフター２が配置さ
れ、かつ、シフター境界の段差においてその側壁部に遮
光膜３が被着している領域が存在している。
ーン２の段差部は、遮光パターン３により覆われた構造
となっていることである。すなわち、ガラス基板１と遮
光膜３の間にはさまれる形で位相シフター２が配置さ
れ、かつ、シフター境界の段差においてその側壁部に遮
光膜３が被着している領域が存在している。
【００２７】次に、本実施例１の位相シフト用フォトマ
スクの作製方法を図３に従って説明する。
スクの作製方法を図３に従って説明する。
【００２８】まず、合成石英を材質とするガラス基板１
上に透明膜である酸化ケイ素膜４を被着した後、ＥＢ用
レジストを塗布し、ＥＢ描画によりレジスト中にパター
ン５の潜像を形成した後、現像を行いレジストを所定の
パターン５にパターニングする。ここで、光露光用レジ
ストを塗布し、レーザー描画、または、他のフォトマス
クからの一括光露光転写を使用することもできる（図３
−ａ）。
上に透明膜である酸化ケイ素膜４を被着した後、ＥＢ用
レジストを塗布し、ＥＢ描画によりレジスト中にパター
ン５の潜像を形成した後、現像を行いレジストを所定の
パターン５にパターニングする。ここで、光露光用レジ
ストを塗布し、レーザー描画、または、他のフォトマス
クからの一括光露光転写を使用することもできる（図３
−ａ）。
【００２９】このレジストをマスクとして透明膜をエッ
チングし、シフトパターン２を形成する。エッチング
後、レジストを除去し、シフトパターン２の欠陥検査を
行う。欠陥がある場合、その程度により修正、または再
作製を行う（図３−ｂ）。
チングし、シフトパターン２を形成する。エッチング
後、レジストを除去し、シフトパターン２の欠陥検査を
行う。欠陥がある場合、その程度により修正、または再
作製を行う（図３−ｂ）。
【００３０】次に、遮光膜としてスパッタ法によるクロ
ム膜６を被着する（図３−ｃ）。
ム膜６を被着する（図３−ｃ）。
【００３１】このクロム膜６の上に、ＥＢ用レジストを
塗布し、下地のシフトパターンに対して位置合わせをし
たＥＢ描画により、レジスト中にパターン７の潜像を形
成し現像をして、レジストを所定のパターン７にパター
ニングする（図３−ｄ）。
塗布し、下地のシフトパターンに対して位置合わせをし
たＥＢ描画により、レジスト中にパターン７の潜像を形
成し現像をして、レジストを所定のパターン７にパター
ニングする（図３−ｄ）。
【００３２】このレジストのパターン７をマスクとして
遮光膜をエッチングし、レジストを除去して遮光パター
ン３を形成する。遮光パターン３の欠陥検査を行い、位
相シフト用フォトマスクを完成する（図３−ｅ）。
遮光膜をエッチングし、レジストを除去して遮光パター
ン３を形成する。遮光パターン３の欠陥検査を行い、位
相シフト用フォトマスクを完成する（図３−ｅ）。
【００３３】遮光パターン３の欠陥検査において、遮光
パターン３の欠陥が発見された場合、例えば、図４に示
すように、黒欠陥１１が残った場合には、フォーカスド
・イオンビーム（ＦＩＢ）、レーザ光等によりその残っ
た部分の遮光膜(黒欠陥１１)を除去して修正する。ま
た、欠落部（白欠陥）１２が発生した場合は、レーザア
シストＣＶＤ法等により、その部分を埋め込み修正す
る。
パターン３の欠陥が発見された場合、例えば、図４に示
すように、黒欠陥１１が残った場合には、フォーカスド
・イオンビーム（ＦＩＢ）、レーザ光等によりその残っ
た部分の遮光膜(黒欠陥１１)を除去して修正する。ま
た、欠落部（白欠陥）１２が発生した場合は、レーザア
シストＣＶＤ法等により、その部分を埋め込み修正す
る。
【００３４】前記実施例１では、透明膜の被着をした
が、その替わりにガラス基板をエッチングしてシフター
を形成し、その後、遮光膜の被着、パターニングをする
こともできる。
が、その替わりにガラス基板をエッチングしてシフター
を形成し、その後、遮光膜の被着、パターニングをする
こともできる。
【００３５】以上の説明からわかるように、本実施例１
によれば、シフトパターンのみを形成した段階におい
て、シフトパターンの欠陥検査を行うことが可能である
ので、シフトパターンの修正が不可能な欠陥が発生し、
作り直す場合でもシフトパターンのみ再度形成すれば良
く、遮光パターン形成は１回ですむ。
によれば、シフトパターンのみを形成した段階におい
て、シフトパターンの欠陥検査を行うことが可能である
ので、シフトパターンの修正が不可能な欠陥が発生し、
作り直す場合でもシフトパターンのみ再度形成すれば良
く、遮光パターン形成は１回ですむ。
【００３６】〔実施例２〕図５は、本発明の実施例２の
位相シフト用フォトマスクの構成を示す平面図、図６
は、図５のＢ−Ｂ’線で切った断面図、図７は、本実施
例２の位相シフト用フォトマスクの作製フローを示す断
面図である。
位相シフト用フォトマスクの構成を示す平面図、図６
は、図５のＢ−Ｂ’線で切った断面図、図７は、本実施
例２の位相シフト用フォトマスクの作製フローを示す断
面図である。
【００３７】本実施例２の位相シフト用フォトマスク
は、図５及び図６に示すように、ガラス基板１上に位相
シフトパターン８と遮光パターン９が配置されている。
ここで遮光パターン９は、位相シフトパターン８の段差
に沿ったごく狭い領域のみに存在している。
は、図５及び図６に示すように、ガラス基板１上に位相
シフトパターン８と遮光パターン９が配置されている。
ここで遮光パターン９は、位相シフトパターン８の段差
に沿ったごく狭い領域のみに存在している。
【００３８】次に、本実施例２の位相シフト用フォトマ
スクの作製方法を図７に従って説明する。
スクの作製方法を図７に従って説明する。
【００３９】まず、ガラス基板１上に酸化ケイ素膜１０
を被着した後、ＥＢ用レジストを塗布し、ＥＢ描画によ
りレジスト中にパターン１３の潜像を形成して、現像を
行いレジストを所定のパターン１３にパターニングする
（図７−ａ）。
を被着した後、ＥＢ用レジストを塗布し、ＥＢ描画によ
りレジスト中にパターン１３の潜像を形成して、現像を
行いレジストを所定のパターン１３にパターニングする
（図７−ａ）。
【００４０】このレジストをマスクとして透明膜をエッ
チングし、レジストを除去し、シフトパターン８を形成
する（図７−ｂ）。
チングし、レジストを除去し、シフトパターン８を形成
する（図７−ｂ）。
【００４１】次に、遮光膜として低圧ＣＶＤ法によるタ
ングステン膜１４を被着する。この時、平面上で垂直方
向に被着する膜厚と、段差側壁で水平方向に被着する膜
厚とがほぼ等しくなるようにする（図７−ｃ）。ここ
で、段差側壁に膜が被着している領域では、垂直方向の
膜厚が、水平面上よりも厚くなる。
ングステン膜１４を被着する。この時、平面上で垂直方
向に被着する膜厚と、段差側壁で水平方向に被着する膜
厚とがほぼ等しくなるようにする（図７−ｃ）。ここ
で、段差側壁に膜が被着している領域では、垂直方向の
膜厚が、水平面上よりも厚くなる。
【００４２】次に、遮光膜の垂直方向のみを選択的にエ
ッチングする異方性ドライエッチを行い、水平面の遮光
膜がなくなった時点でエッチングを停止する。
ッチングする異方性ドライエッチを行い、水平面の遮光
膜がなくなった時点でエッチングを停止する。
【００４３】段差側壁に膜が被着している領域では、垂
直方向の膜厚が水平面より厚いため、垂直面に沿った部
分のみに遮光パターン９が残り、シフター側壁部に遮光
膜が被着した構造が完成する。この遮光領域の幅は０.
１μｍから０.３μｍ程度であり、被着した遮光膜の膜
厚で制御することができる（図７−ｄ）。
直方向の膜厚が水平面より厚いため、垂直面に沿った部
分のみに遮光パターン９が残り、シフター側壁部に遮光
膜が被着した構造が完成する。この遮光領域の幅は０.
１μｍから０.３μｍ程度であり、被着した遮光膜の膜
厚で制御することができる（図７−ｄ）。
【００４４】以上の説明からわかるように、本実施例２
によれば、遮光パターン９を形成するための遮光膜の被
着時にすでにシフトパターン８による段差が存在するた
め、垂直な被着面にも遮光膜が形成される。その後、段
差近傍の領域のみを残して遮光膜を除去すると、シフト
パターン８の段差部の側壁に被着したごく狭い幅の遮光
膜が形成される。この遮光膜により、シフトパターン８
のシフター段差部への入射光がなくなるので、位相が乱
れることがなくなり、位相反転は急峻になる。一方、遮
光領域はごく狭いため、位相反転した光が干渉しあうの
を妨げることはない。
によれば、遮光パターン９を形成するための遮光膜の被
着時にすでにシフトパターン８による段差が存在するた
め、垂直な被着面にも遮光膜が形成される。その後、段
差近傍の領域のみを残して遮光膜を除去すると、シフト
パターン８の段差部の側壁に被着したごく狭い幅の遮光
膜が形成される。この遮光膜により、シフトパターン８
のシフター段差部への入射光がなくなるので、位相が乱
れることがなくなり、位相反転は急峻になる。一方、遮
光領域はごく狭いため、位相反転した光が干渉しあうの
を妨げることはない。
【００４５】以上、本発明を実施例に基づき具体的に説
明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得
ることはいうまでもない。
明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得
ることはいうまでもない。
【００４６】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００４７】（１）シフター形成に起因する欠陥の検
査、再製作を遮光パターン形成前にできるので、シフタ
ー再製作の場合でも遮光パターンを作り直す必要がな
く、そのための所用時間が低減できる。
査、再製作を遮光パターン形成前にできるので、シフタ
ー再製作の場合でも遮光パターンを作り直す必要がな
く、そのための所用時間が低減できる。
【００４８】（２）シフター段差の影響を除去すること
で位相反転境界領域での位相変化を急峻にし、位相シフ
ト法の効果を高め、結果として解像度が向上する。
で位相反転境界領域での位相変化を急峻にし、位相シフ
ト法の効果を高め、結果として解像度が向上する。
【図１】 本発明の実施例１の位相シフト用フォトマス
クの構成を示す平面図。
クの構成を示す平面図。
【図２】 図１のＡ−Ａ’線で切った断面図。
【図３】 本実施例１の位相シフト用フォトマスクの作
製フローを示す断面図。
製フローを示す断面図。
【図４】 本実施例１の位相シフト用フォトマスクの作
製時の作用効果を説明するための図。
製時の作用効果を説明するための図。
【図５】 本発明の実施例２の位相シフト用フォトマス
クの構成を示す平面図。
クの構成を示す平面図。
【図６】 図５のＢ−Ｂ’線で切った断面図。
【図７】 本実施例２の位相シフト用フォトマスクの作
製フローを示す断面図。
製フローを示す断面図。
１…ガラス基板、２…シフトパターン、３…遮光パター
ン、４…酸化ケイ素膜、５…レジストによるシフトパタ
ーン、６…スパッタ法によるクロム膜、７…レジストに
よる遮光パターン、８…シフトパターン、９…ごく狭い
幅の遮光パターン、１０…酸化ケイ素膜、１１…黒欠
陥、１２…欠落部（白欠陥）、１３…レジストによるシ
フトパターン、１４…低圧ＣＶＤ法によるタングステン
膜。
ン、４…酸化ケイ素膜、５…レジストによるシフトパタ
ーン、６…スパッタ法によるクロム膜、７…レジストに
よる遮光パターン、８…シフトパターン、９…ごく狭い
幅の遮光パターン、１０…酸化ケイ素膜、１１…黒欠
陥、１２…欠落部（白欠陥）、１３…レジストによるシ
フトパターン、１４…低圧ＣＶＤ法によるタングステン
膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 秀隆 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 小林 正道 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所武蔵工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体集積回路装置の製造における回路
パターンの原版として使用される位相シフト用フォトマ
スクにおいて、位相シフター境界の段差側壁部に遮光膜
が被着していることを特徴とする位相シフト用フォトマ
スク。 - 【請求項２】 半導体集積回路装置の製造における回路
パターンの原版として使用される位相シフト用フォトマ
スクにおいて、位相シフター境界の段差側壁とその近傍
に連続した遮光膜が被着していることを特徴とする位相
シフト用フォトマスク。 - 【請求項３】 半導体集積回路装置の製造における回路
パターンの原版として使用される位相シフト用フォトマ
スクの製造方法において、遮光領域と位相シフターを設
ける場合に、まず、位相シフトパターンを形成し、その
後、遮光膜の被着し、遮光領域を形成することを特徴と
する位相シフト用フォトマスクの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10655692A JPH05303190A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 位相シフト用フォトマスク及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10655692A JPH05303190A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 位相シフト用フォトマスク及びその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05303190A true JPH05303190A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=14436607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10655692A Pending JPH05303190A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 位相シフト用フォトマスク及びその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05303190A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0990602A (ja) * | 1995-09-25 | 1997-04-04 | Lg Semicon Co Ltd | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
| WO2002065211A1 (fr) * | 2001-02-15 | 2002-08-22 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Masque a dephasage et son procede de fabrication |
| JP2006171335A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 位相シフトマスク及びパターン形成方法 |
| JP2012195439A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Canon Inc | 面発光レーザ、画像形成装置 |
| JP2015064404A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-04-24 JP JP10655692A patent/JPH05303190A/ja active Pending
Cited By (7)
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| US7056624B2 (en) | 2001-02-15 | 2006-06-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Methods of manufacturing phase shift masks having etched substrate shifters with sidewalls rounded at top and bottom corners |
| JP2006171335A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 位相シフトマスク及びパターン形成方法 |
| JP4574343B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2010-11-04 | 三星電子株式会社 | 位相シフトマスク及びパターン形成方法 |
| JP2012195439A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Canon Inc | 面発光レーザ、画像形成装置 |
| JP2015064404A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
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