JP3453435B2 - 位相シフトマスクおよびその製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクおよびその製造方法Info
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Description
関し、より特定的には、露光波長の光を減衰させる減衰
型の位相シフトマスクの構造およびその製造方法に関す
るものである。
および微細化には目ざましいものがある。それに伴い、
半導体基板(以下、単位ウェハを称す)上に形成される
回路パターンの微細化も急速に進んできている。中で
も、フォトリソグラフィ技術が、パターン形成における
基本技術として広く認識されるところである。よって、
今日までに種々の開発、改良がなされてきている。しか
し、パターンの微細化は止まるところを知らず、パター
ンの解像度向上への要求もさらに強いものとなってきて
いる。
グラフィ技術における解像限界R(nm)は、 R=k1 ・λ/(NA) …(1) と表される。ここで、λは使用する光の波長(nm)、
NAはレンズの開口数、k1 はレジストプロセスに依存
する定数である。
図るためには、k1 とλとの値は小さくし、NAの値は
大きくすればよい。つまり、レジストプロセスに依存す
る定数を小さくするとともに、短波長化や高NA化を進
めればよいのである。しかし、光源やレンズの改良は技
術的に難しく、また、短波長化および高NA化を進める
ことによって、光の焦点深度δ(δ=k2 ・λ/(N
A)2 )が浅くなり、却って解像度の低下を招くといっ
た問題も生じている。
きのフォトマスク断面、マスク上の電場、レジスト膜上
の光強度および転写パターンについて、図18(a),
(b),(c),(d)を参照して、説明する。
スク30の構造について説明する。透明ガラス基板32
上には、所定形状のマスクパターン38が形成されてい
る。このマスクパターン38は、クロムなどからなる遮
光部34と、透明ガラス基板1が露出する透過部36と
を有している。
スク30上の露光光の電場について説明する。フォトマ
スク30上の露光光の電場は、フォトマスクパターンに
沿った電場となる。
ェハ上の光強度について説明する。半導体ウェハ上の光
強度は、微細なパターンの転写の場合、隣合ったパター
ン像においてはフォトマスクを透過した露光光が、光の
回折現象および光の干渉効果により、光の重なり合う部
分において、互いに強め合うことになる。このため、図
に示すように半導体ウェハ上の光強度の差が小さくな
り、解像度が低下する。
ンは、図18(d)に示すように、フォトマスクのパタ
ーンが正確に反映されないものとなってしまう。
えば特開昭57−62052号公報および特開昭58−
173744号公報により、位相シフトマスクによる位
相シフト露光法が提案されている。
に開示された位相シフトマスクによる位相シフト露光法
について、図19(a),(b),(c),(d),
(e)を参照して、説明する。
トマスクの構造について説明する。ガラス基板32上に
形成されたマスクパターン38の透過部36には、1つ
おきにシリコン酸化膜などの透明絶縁膜よりなる位相シ
フタ40が設けられている。
トマスク上の電場について説明する。この位相シフタ4
0を透過した光によるマスク上の電場は、その位相が交
互に180°反転して構成されている。そのため、隣合
ったパターン像においては、位相シフトマスクを透過し
た光は重なり合う光の位相が反転する。
は、図19(c)に示すようになる。したがって、レジ
スト膜上での光強度は、光の干渉効果により、光の重な
り合う部分において互いに打消合い、図19(d)に示
すようになる。
光強度の差は十分となり、解像度の向上を図ることが可
能となり、図19(e)に示すように、マスクパターン
に従ったパターンをレジスト膜に転写することができ
る。
・アンド・スペースなどの周期的なパターンに対しては
非常に有効ではあるが、パターンが複雑な場合には、位
相シフタの配置等が非常に困難となり、任意のパターン
には設定できないという問題点があった。
1445号において、減衰型の位相シフトマスクを開示
している。以下、この特願平5−91445号に開示さ
れた減衰型の位相シフトマスクについて説明する。
マスク200は、露光光を透過する石英基板50と、こ
の石英基板50の主表面上に形成された位相シフトパタ
ーン60とを備えている。この位相シフトパターン60
は、石英基板50が露出する光透過部51と、透過する
露光光の位相と透過率とが、光透過部51を透過する露
光光の位相角に対して180°変換し、かつ、透過率が
4〜20%であり、略均一な材料からなる位相シフト部
52とから構成されている。
(d),(e)を参照して、上記構造よりなる位相シフ
トマスク200を透過する露光光の位相シフトマスク上
の電場、レジスト膜上の光の振幅、レジスト膜上の光強
度、およびレジスト膜に転写されるパターンについて説
明する。
ク200の断面図である。マスク上の電場は、図21
(b)に示すように露光パターンのエッジで位相が反転
する。このため、レジスト膜上での露光光の振幅は、図
21(c)に示すようになる。したがって、レジスト膜
上の光強度は、図21(d)に示すように露光パターン
のエッジ上での電場が必ずゼロとなる。
位相シフタ部52とのウェハ上における電場の差が十分
となり高い解像度を得ることが可能となる。その結果、
図21(e)に示すように、位相シフトパターンに従っ
たパターンをレジスト膜に転写することができる。
方法について、位相シフタ膜の材料としてモリブデンシ
リサイド膜またはモリブデンシリサイド酸化窒化膜を用
いた場合について説明する。
トマスク200の断面に従った製造工程を示す断面構造
図である。
上に、スパッタリング法を用いて、モリブデンシリサイ
ド酸化膜またはモリブデンシリサイド酸化窒化膜よりな
る位相シフタ膜52を形成する。その後、この位相シフ
タ膜52の透過率を安定させるために、クリーンオーブ
ンなどを用いて200℃以上の加熱処理を行なう。これ
により、位相シフタ膜52の成膜の,レジスト塗布プロ
セスなどの加熱処理(約180℃)による透過率の変動
(0.5〜1.0%)を防止することができる。
膜の電子ビームによる露光時の帯電を防止するために、
モリブデンなどからなる帯電防止膜61を約100Å形
成する。その後、この帯電防止膜61の上に、電子ビー
ム用レジスト膜53(日本ゼオン製 ZEP−810S
(登録商標))を膜厚約5000Å形成する。
ジスト膜53の所定位置に、電子ビームを露光する。そ
の後、このレジスト膜53を現像することにより、所定
のパターンを有するレジスト膜53を形成する。
53をマスクとして、帯電防止膜61および位相シフタ
膜52のエッチングを行なう。このときのエッチング装
置は、平行平板型のRIEイオンエッチング装置を用い
て、電極基板間距離を160mm、作動圧力2000.
3Torr、反応ガスCF4 +O2 を用いてそれぞれの
流量を約95sccmおよび約5sccmによりエッチ
ング時間約11分によりエッチングを行なう。
および帯電防止膜61を除去する。以上により、この実
施例における位相シフトマスク200が完成する。
来技術においては、以下に述べる問題点を有している。
酸化膜(図中実線A)またはモリブデンシリサイド酸化
窒化膜(図中実線B)からなる位相シフト膜52は、k
rFレーザ(248nm)に対しては透過率が10%以
下であるのに対して、たとえば位相シフトマスクの欠陥
検査に用いられる欠陥検査装置の光の波長、488nm
の光に対しては、透過率が30%〜60%となってしま
う。
装置において、488nmの波長の光を使用する通常の
欠陥修正装置(KLA3シリーズ)を用いた場合、位相
シフトマスクに発生した欠陥に対する検出感度が小さく
なってしまう。
なされたもので、位相シフトマスクとしての性能を低下
させることなく、通常の欠陥検査装置を用いて位相シフ
トマスクに発生した欠陥を検出することができる構造を
有する位相シフトマスクおよびその製造方法を提供する
ことを目的とする。
フトマスクは、露光光を透過する基板と、上記基板の上
の所定の領域に形成され、透過する上記露光光の位相角
を略180°変換し、かつ、露光光の透過率が4〜20
%となる位相シフタ部とを備えている。さらに、上記位
相シフタ部は、略均一な材料からなる単層膜と、上記単
層膜よりも波長依存性が小さい透過膜とを含んでいる。
さらに、上記単層膜は、モリブデンシリサイドの酸化物
およびモリブデンシリサイドの酸化窒化物からなる群よ
り選択される、少なくとも1種類の材料からなる膜であ
る。
記基板の上の所定の領域に、上記基板が露出する光透過
部を有している。
記基板が露出する上記光透過部の上記基板表面に、上記
透過膜を有している。
記透過膜は、モリブデン、モリブデンシリサイド、シリ
コン、窒化タンタル、金、白金、窒化シリコン、酸化シ
リコン、酸窒化シリコン、チタン、タンタル、タングス
テン、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化チタン、窒
化チタン、酸窒化チタン、酸化タングステン、ニオブ、
酸化ニオブ、酸窒化ニオブ、炭化ケイ素からなる群より
選択される、少なくとも1種類の材料からなる膜であ
る。
記透過膜は、クロム、酸化クロム、酸化窒化クロム、酸
化窒化炭化クロム、ニッケルクロム、ニッケル、インコ
ネル、酸化インジウム、酸化錫、酸化錫インジウム、ア
ルミ、酸化アルミからなる群より選択される、少なくと
も1種類の材料からなる膜である。
方法は、以下の工程を備えている。まず、露光光を透過
する基板の主表面上の所定の領域に、透過する露光光の
位相角を180°変換し、かつ、4〜20%の透過率を
有する位相シフタ膜が形成される。その後、上記位相シ
フタ膜の上に、帯電防止膜が形成される。
露光を用いて、所定のパターン形状を有するレジスト膜
が形成される。
記帯電防止膜と上記位相シフタ膜のパターニングが行な
われる。その後、上記帯電防止膜が除去される。
は、略均一な材料からなる単層膜を形成する工程と、上
記単層膜よりも波長依存性が小さい透過膜を形成する工
程とを含んでいる。さらに、上記単層膜は、モリブデン
シリサイドの酸化物およびモリブデンシリサイドの酸化
窒化物からなる群より選択される、少なくとも1種類の
材料からなる膜である。
方法においては、上記帯電防止膜を除去する工程は、上
記位相シフタ膜をマスクとして、上記透過膜のパターニ
ングを行なう工程を含んでいる。
の製造方法によれば、位相シフタ部が、略均一な材料か
らなる単層膜と、この単層膜よりも波長依存性が小さい
透過膜とを含んでいる。これにより、位相シフタ部の透
過率は、透過する光の波長の変化に対しても依存性が小
さくなり、たとえば、光の波長が長波長になっても、従
来の位相シフトマスクに比べて、透過率を小さくするこ
とができる。その結果、従来から用いられている欠陥検
査装置を用いても、位相シフタ部に発生した欠陥の検出
精度を向上させることが可能となる。
いて説明する。
る位相シフトマスクの構造について説明する。この位相
シフトマスク100は、露光光を透過する石英基板1
と、この石英基板1の主表面上に形成された所定の透過
率とパターンを有する透過膜10とを備えている。さら
に、この透過膜10の上には、この透過膜10ととも
に、露光光の位相角を180°変換し、かつ、透過率が
4〜20%となる略均一な材料からなる単層膜4とが形
成されている。位相シフタ部4は、モリブデンシリサイ
ド酸化膜またはモリブデンシリサイド酸化窒化膜などか
ら構成されている。この単層膜4と透過膜10とによ
り、位相シフタ部20を構成している。
いて、単層膜4の下層部分と上層部分において、膜を構
成する組成の組成比が若干異なる場合もあるが、ここで
は、組成材料が同じであるものを単層膜と呼ぶこととす
る。
ン、モリブデンシリサイド、シリコン、窒化タンタル、
金、白金、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコ
ン、チタン、タンタル、タングステン、酸化タンタル、
酸窒化タンタル、酸化チタン、窒化チタン、酸窒化チタ
ン、酸化タングステン、ニオブ、酸化ニオブ、酸窒化ニ
オブ、炭化ケイ素からなる群より選択される、少なくと
も1種類の材料からなる膜で形成されている。
に、上述したような材料を用いることにより、位相シフ
タ部20における透過率は、透過する光の波長の変化に
対しても依存性が小さくなる。たとえば、図16を参照
して、透過膜10にモリブデンシリサイド膜を用い、単
層膜4にモリブデンシリサイドの酸化窒化膜を用いた場
合について説明する。モリブデンシリサイド膜(図中
A)およびモリブデンシリサイドの酸化窒化膜(図中
B)のみの場合それぞれ光が長波長になるにつれ透過率
も上昇しているが、透過膜10にモリブデンシリサイド
膜、単層膜4のモリブデンシリサイドの酸化窒化膜を用
いた場合(図中C)は、従来のモリブデンシリサイドの
酸化窒化物からなる位相シフトマスクの透過率に比べ
て、光の波長が長波長になっても、透過率を小さく設定
することが可能となっている。
を用いて露光を行なった場合でも、図21の従来技術で
説明した位相シフトマスクと同様の作用効果を得ること
ができる。また、この実施例における位相シフトマスク
によれば、位相シフタ部は石英基板1の上に、上記材料
を用いて形成された所定の透過率を有する透過膜10と
単層膜4とから構成されている。これにより、位相シフ
タ部透過率の波長依存性が従来の位相シフトマスクより
も小さくなる。
が488nmの欠陥検査装置を用いても、位相シフタ部
に発生した欠陥の検出精度を向上させることが可能とな
る。
方法について、図2〜図6を参照して説明する。
ク100の断面に従った製造工程を示す断面構造図であ
る。
に、所定の透過率を有する透過膜10を形成する。この
とき、透過膜10には、上述したように、モリブデン、
モリブデンシリサイド、シリコン、窒化タンタル、金、
白金、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、
チタン、タンタル、タングステン、酸化タンタル、酸窒
化タンタル、酸化チタン、窒化チタン、酸窒化チタン、
酸化タングステン、ニオブ、酸化ニオブ、酸窒化ニオ
ブ、炭化ケイ素からなる群より選択される少なくとも1
種類の材料からなる膜であることが好ましい。
ング法を用いて、モリブデンシリサイド酸化膜またはモ
リブデンシリサイド酸化窒化膜よりなる単層膜4を成膜
し、マスクブランクスを形成する。その後、この単層膜
4の透過率を安定させるために、クリーンオーブンなど
を用いて200℃以上の加熱処理を行なう。これによ
り、単層膜の成膜のレジストとプロセスなどの加熱処理
(約180℃)による透過率の変動(0.5〜1.0
%)を防止することができる。
る電子ビーム用レジスト膜の電子ビームによる露光時の
帯電を防止するために、モリブデンなどからなる帯電防
止膜6を約100Å形成する。その後、この単層膜4の
上に、電子ビーム用レジスト膜5(日本ゼオン製 ZE
P−810S(登録商標))などを膜厚約5000Å形
成する。
スト膜5に、所定のパターンを有するように電子ビーム
を露光する。その後、レジスト膜5を現像することによ
り、所定形状のレジストパターンを有するレジスト膜5
を形成する。
スクとして、単層膜4と帯電防止膜6と透過膜10との
エッチングを行なう。このときのエッチング装置は、平
行平板型のRIEイオンエッチング装置を用い、電極基
板間距離を60mm、作動圧力0.3Torr、反応ガ
スCF4 +O2 を用いてそれぞれの流量を95sccm
および5sccmにより、エッチング時間約11分によ
りエッチングを行なう。
去を行なう。その後、図6を参照して、たとえばモリブ
デン膜などからなる帯電防止膜6を、50〜100℃の
硫酸化水を用いて除去を行なう。これにより、図1に示
す位相シフトマスクが完成する。
ついて、図7を参照して説明する。この第2の実施例に
おける位相シフトマスク150Aの構造は、図1に示す
位相シフトマスク100の構造と同じ構造を有している
が、透過膜10の材質が異なっている。この実施例にお
ける透過膜10は、クロム、酸化クロム、酸化窒化クロ
ム、酸化窒化炭化クロム、ニッケルクロム、ニッケル、
インコネル、酸化インジウム、酸化錫、酸化錫インジウ
ム、アルミ、酸化アルミからなる群より選択される、少
なくとも1種類の材料からなる膜で形成されている。
に、上述したような材料を用いても第1の実施例と同様
に位相シフタ部20における透過率は、透過する光の波
長の変化に対しても依存性が小さくなる。たとえば、図
17を参照して、透過膜10に酸化クロム膜、単層膜4
にモリブデンシリサイドの酸化窒化膜を用いた場合の透
過率の波長依存性について説明する。図に示すように、
酸化クロム膜(図中A)およびモリブデンシリサイドの
酸化窒化膜(図中B)の光の透過率は、光の波長が長波
長になるにつれ透過率も大きくなるが、透過膜10に酸
化クロム膜を用い、単層膜4にモリブデンシリサイドの
酸化窒化膜を用いた場合(図中C)、モリブデンシリサ
イドの酸化窒化膜のみからなる位相シフタ部に比べて、
光が長波長になっても、透過率を低く設定することが可
能となる。
造方法について、図8〜図12を参照して説明する。
スク150Aの断面に従った製造工程を示す断面構造図
である。
に、所定の透過率を有する透過膜10を形成する。この
透過膜10の材質は、上述したように、クロム、酸化ク
ロム、酸化窒化クロム、酸化窒化炭化クロム、ニッケル
クロム、ニッケル、インコネル、酸化インジウム、酸化
錫、酸化錫インジウム、アルミ、酸化アルミからなる群
より選択される少なくとも1種類の材料からなる膜であ
ることが好ましい。
ング法を用いて、モリブデンシリサイド酸化膜またはモ
リブデンシリサイド酸化窒化膜よりなる単層膜4を成膜
し、マスクブランクスを形成する。その後、この単層膜
4の透過率を安定させるために、クリーンオーブンなど
を用いて200℃以上の加熱処理を行なう。これによ
り、単層膜の成膜のレジストとプロセスなどの加熱処理
(約180℃)による透過率の変動(0.5〜1.0
%)を防止することができる。
る電子ビーム用レジスト膜の電子ビームによる露光時の
帯電を防止するために、モリブデンなどからなる帯電防
止膜6を約100Å形成する。その後、この単層膜4の
上に、電子ビーム用レジスト膜5などを膜厚約5000
Å形成する。
スト膜5に、所定のパターンを有するように電子ビーム
を露光する。その後、レジスト膜5を現像することによ
り、所定形状のレジストパターンを有するレジスト膜5
を形成する。
マスクとして、単層膜4と帯電防止膜6のエッチングを
行なう。このときのエッチング装置は、平行平板型のR
IEイオンエッチング装置を用い、電極基板間距離を6
0mm、作動圧力0.3Torr、反応ガスCF4 +O
2 を用いてそれぞれの流量を95sccmおよび5sc
cmにより、エッチング時間約11分によりエッチング
を行なう。
F4 +O2 に対してはエッチングされることはない。そ
のために、エッチング時間に誤差が生じた場合であって
も、石英基板1が上記エッチングガスによりオーバーエ
ッチングされることがない。
除去を行なう。その後、図12を参照して、たとえばモ
リブデン膜などからなる帯電防止膜6と、露出した透過
膜10とをCrのウェットエッチング液等を用いて同時
に除去する。これにより、図7に示す位相シフトマスク
が完成する。
ついて、図13を参照して説明する。この第3の実施例
における位相シフトマスク150Bの構造は、第2の実
施例に示した位相シフトマスク150Aに用いられた透
過膜10と同じ材質を有するが、光透過部7において、
透過膜10が形成された状態となっている。このよう
に、光透過部7に透過膜10が残存する場合であって
も、光透過部7を透過する露光光の透過率が4〜20%
であり、位相角が約180°となるように透過膜10お
よび単層膜4の膜厚を調整することで、第1および第2
の実施例と同様の作用・効果を得ることができる。
説明する。なお、本実施例において透過膜10に用いら
れる材料は、第2の実施例と同じクロム、酸化クロム、
酸化窒化クロム、酸化窒化炭化クロム、ニッケルクロ
ム、ニッケル、インコネル、酸化インジウム、酸化錫、
酸化錫インジウム、アルミ、酸化アルミからなる群より
選択される1種類の材料からなる膜が用いられている。
説明した図8ないし図10に示す工程は同一であるため
ここでの説明は省略する。
除去を行なう。その後、図15を参照して、たとえばモ
リブデンなどからなる帯電防止膜6を50〜100℃の
硫酸過水を用いて除去する。以上により、本実施例の位
相シフトマスク150Bが完成する。
よびその製造方法によれば、位相シフタ部が、略均一な
材料からなる単層膜と、この単層膜よりも波長依存性が
小さい透過膜とを含んでいる。これにより、位相シフタ
部の透過率は、透過する光の波長の変化に対しても依存
性が小さくなり、たとえば、光の波長が長波長になって
も、従来の位相シフトマスクに比べて、透過率を小さく
することができる。その結果、従来から用いられている
欠陥検査装置を用いても、位相シフタ部に発生した欠陥
を容易に検出することが可能となる。
相シフトマスクの断面構造図である。
相シフトマスクの製造方法の第1製造工程を示す図であ
る。
相シフトマスクの製造方法の第2製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第3製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第4製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第5製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの断面構造図である。
相シフトマスクの製造方法の第1製造工程を示す断面構
造図である。
相シフトマスクの製造方法の第2製造工程を示す断面図
である。
位相シフトマスクの製造方法の第3製造工程を示す断面
図である。
位相シフトマスクの製造方法の第4製造工程を示す断面
図である。
位相シフトマスクの製造方法の第5製造工程を示す断面
図である。
位相シフトマスクの製造方法の第1製造工程を示す断面
図である。
位相シフトマスクの製造方法の第2製造工程を示す断面
図である。
位相シフトマスクの製造方法の第3製造工程を示す断面
図である。
過率依存性を示す第1の図である。
過率依存性を示す第2の図である。
マスク断面、マスク上の露光光の電場、半導体ウェハ上
の光強度、レジスト膜に転写されるパターンを示す模式
図である。
いた場合の位相シフトマスクの断面、位相シフトマスク
上の電場、レジスト膜上での光の振幅、レジスト膜上で
の光強度、レジスト膜に転写されるパターンを示す模式
図である。
の断面構造図である。
クを用いた場合の、マスク断面、マスク上の電場、レジ
スト膜上の電場、レジスト膜上の光強度、レジスト膜に
転写されるパターンを示す模式図である。
の製造方法の第1製造工程を示す断面図である。
の製造方法の第2製造工程を示す断面図である。
の製造方法の第3製造工程を示す断面図である。
の製造方法の第4製造工程を示す断面図である。
を示す図である。
ク、1 石英基板、4単層膜、7 光透過部、10 透
過膜、20 位相シフタ部。なお、図中、同一符号は同
一または相当部分を示す。
Claims (7)
- 【請求項1】 露光光を透過する基板と、 前記基板の上の所定の領域に形成され、透過する前記露
光光の位相角を略180°変換し、かつ、前記露光光の
透過率が4〜20%となる位相シフタ部と、 を備え、 前記位相シフタ部は、 略均一な材料からなる単層膜と、前記単層膜よりも波長
依存性が小さい透過膜と、を含み、 前記単層膜は、モリブデンシリサイドの酸化物およびモ
リブデンシリサイドの酸化窒化物からなる群より選択さ
れる、少なくとも1種類の材料からなる膜である、位相
シフトマスク。 - 【請求項2】 前記基板の上の所定の領域に、前記基板
が露出する光透過部を有する、請求項1に記載の位相シ
フトマスク。 - 【請求項3】 前記基板が露出する前記光透過部の前記
基板表面に、前記透過膜を有する、請求項2に記載の位
相シフトマスク。 - 【請求項4】 前記透過膜は、モリブデン、モリブデン
シリサイド、シリコン、窒化タンタル、金、白金、窒化
シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、チタン、タ
ンタル、タングステン、酸化タンタル、酸窒化タンタ
ル、酸化チタン、窒化チタン、酸窒化チタン、酸化タン
グステン、ニオブ、酸化ニオブ、酸窒化ニオブ、炭化ケ
イ素からなる群より選択される、少なくとも1種類の材
料からなる膜である請求項1、請求項2または請求項3
に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項5】 前記透過膜は、クロム、酸化クロム、酸
化窒化クロム、酸化窒化炭化クロム、ニッケルクロム、
ニッケル、インコネル、酸化インジウム、酸化錫、酸化
錫インジウム、アルミ、酸化アルミからなる群より選択
される1種類の材料からなる膜である、請求項1、請求
項2または請求項3に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項6】 露光光を透過する基板の主表面上の所定
の領域に、透過する露光光の位相角を180°変換し、
かつ、4〜20%の透過率を有する位相シフタ膜を形成
する工程と、 前記位相シフタ膜の上に、帯電防止膜を形成する工程
と、 前記帯電防止膜の上に、電子ビーム露光を用いて、所定
のパターン形状を有するレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜をマスクとして、前記帯電防止膜と前記
位相シフタ膜のパターニングを行なう工程と、 前記帯電防止膜を除去する工程と、 を備え、 前記位相シフタ膜を形成する工程は、 略均一な材料からなる単層膜を形成する工程と、前記単層膜よりも 波長依存性が小さい透過膜を形成する
工程と、を含み、 前記単層膜は、モリブデンシリサイドの酸化物およびモ
リブデンシリサイドの酸化窒化物からなる群より選択さ
れる、少なくとも1種類の材料からなる膜である、位相
シフトマスクの製造方法。 - 【請求項7】 前記帯電防止膜を除去する工程は、前記
位相シフタ膜をマスクとして、前記透過膜のパターニン
グを行なう工程を含む、請求項6に記載の位相シフトマ
スクの製造方法。
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