JPH09304912A - 位相シフトマスク、位相シフトマスク用ブランクスおよび位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスク、位相シフトマスク用ブランクスおよび位相シフトマスクの製造方法Info
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- JPH09304912A JPH09304912A JP12005296A JP12005296A JPH09304912A JP H09304912 A JPH09304912 A JP H09304912A JP 12005296 A JP12005296 A JP 12005296A JP 12005296 A JP12005296 A JP 12005296A JP H09304912 A JPH09304912 A JP H09304912A
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- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 遮光膜を挟んで隣り合う光透過領域の透過光
の位相差が実質上１８０°であり、かつ各透過光の強度
が同一である位相シフトマスク、位相シフトマスク用ブ
ランクスおよび位相シフトマスクの製造方法を提供す
る。 【解決手段】 透明基板１上に第１の光透過領域Ｔａを
覆い、かつ第２の光透過領域Ｔｎを露出するようにシリ
コン窒化膜３とシリコン酸化膜５とが積層して形成され
ている。第１および第２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎに挟ま
れる遮光領域Ｓには透明基板１上を覆うように遮光膜７
が形成されている。
の位相差が実質上１８０°であり、かつ各透過光の強度
が同一である位相シフトマスク、位相シフトマスク用ブ
ランクスおよび位相シフトマスクの製造方法を提供す
る。 【解決手段】 透明基板１上に第１の光透過領域Ｔａを
覆い、かつ第２の光透過領域Ｔｎを露出するようにシリ
コン窒化膜３とシリコン酸化膜５とが積層して形成され
ている。第１および第２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎに挟ま
れる遮光領域Ｓには透明基板１上を覆うように遮光膜７
が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、位相シフトマス
ク、位相シフトマスク用ブランクスおよび位相シフトマ
スクの製造方法に関するものである。
ク、位相シフトマスク用ブランクスおよび位相シフトマ
スクの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路における高集積化
および微細化にはめざましいものがある。それに伴い、
半導体基板（以下、単にウェハと称す）上に形成される
回路パターンの微細化も急速に進んできている。
および微細化にはめざましいものがある。それに伴い、
半導体基板（以下、単にウェハと称す）上に形成される
回路パターンの微細化も急速に進んできている。
【０００３】中でも、フォトリソグラフィ技術がパター
ン形成における基本技術として広く認識されるところで
ある。よって、今日までに種々の開発、改良がなされて
きている。しかし、パターンの微細化は止まるところを
知らず、パターンの解像度向上への要求もさらに強いも
のとなってきている。
ン形成における基本技術として広く認識されるところで
ある。よって、今日までに種々の開発、改良がなされて
きている。しかし、パターンの微細化は止まるところを
知らず、パターンの解像度向上への要求もさらに強いも
のとなってきている。
【０００４】このフォトリソグラフィ技術とは、ウェハ
上に塗布されたフォトレジストにマスク（原画）上のパ
ターンを転写し、その転写されたフォトレジストを用い
て下層の被エッチング膜をパターニングする技術であ
る。このフォトレジストの転写時において、フォトレジ
ストに現像処理が施されるが、この現像処理によって光
の当たった部分のフォトレジストが除去されるタイプを
ポジ型、光の当たらない部分のフォトレジストが除去さ
れるタイプをネガ型のフォトレジストという。
上に塗布されたフォトレジストにマスク（原画）上のパ
ターンを転写し、その転写されたフォトレジストを用い
て下層の被エッチング膜をパターニングする技術であ
る。このフォトレジストの転写時において、フォトレジ
ストに現像処理が施されるが、この現像処理によって光
の当たった部分のフォトレジストが除去されるタイプを
ポジ型、光の当たらない部分のフォトレジストが除去さ
れるタイプをネガ型のフォトレジストという。
【０００５】一般に、縮小露光方法を用いたフォトリソ
グラフィ技術における解像限界Ｒ（ｎｍ）は、 Ｒ＝ｋ1 ・λ／（ＮＡ） と表わされる。ここで、λは使用される光の波長（ｎ
ｍ）、ＮＡはレンズの開口数、ｋ1 はレジストプロセス
に依存する定数である。
グラフィ技術における解像限界Ｒ（ｎｍ）は、 Ｒ＝ｋ1 ・λ／（ＮＡ） と表わされる。ここで、λは使用される光の波長（ｎ
ｍ）、ＮＡはレンズの開口数、ｋ1 はレジストプロセス
に依存する定数である。
【０００６】上式からわかるように、解像限界Ｒの向上
を図るためには、すなわち微細パターンを得るために
は、ｋ1 とλとの値を小さくし、ＮＡの値を大きくする
方法が考えられる。つまり、レジストプロセスに依存す
る定数を小さくするとともに、短波長化や高ＮＡ化を進
めればよいのである。
を図るためには、すなわち微細パターンを得るために
は、ｋ1 とλとの値を小さくし、ＮＡの値を大きくする
方法が考えられる。つまり、レジストプロセスに依存す
る定数を小さくするとともに、短波長化や高ＮＡ化を進
めればよいのである。
【０００７】しかし、光源やレンズの改良は技術的に難
しく、また短波長化および高ＮＡ化を進めることによっ
て、光の焦点深度δ（＝ｋ2 ・λ／（ＮＡ）2 ）が浅く
なり、却って解像度の低下を招くといった問題を生じて
くる。
しく、また短波長化および高ＮＡ化を進めることによっ
て、光の焦点深度δ（＝ｋ2 ・λ／（ＮＡ）2 ）が浅く
なり、却って解像度の低下を招くといった問題を生じて
くる。
【０００８】そこで、光源やレンズではなく、フォトマ
スクを改良することにより、パターンの微細化を図る研
究がなされている。最近では、パターンの解像度を向上
させるフォトマスクとして位相シフトマスクが注目され
ている。以下、この位相シフトマスクの構造およびその
原理について通常のフォトマスクと比較して説明する。
なお位相シフトマスクについては、レベンソン方式につ
いて説明する。
スクを改良することにより、パターンの微細化を図る研
究がなされている。最近では、パターンの解像度を向上
させるフォトマスクとして位相シフトマスクが注目され
ている。以下、この位相シフトマスクの構造およびその
原理について通常のフォトマスクと比較して説明する。
なお位相シフトマスクについては、レベンソン方式につ
いて説明する。
【０００９】図２７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、通常の
フォトマスクを使用したときのマスクの断面、マスク上
の電場およびウェハ上の光強度を示す図である。図２７
（ａ）を参照して、通常のフォトマスクは、ガラス基板
４０１上に金属マスクパターン４０３が形成された構成
を有している。このような通常のフォトマスクでは、マ
スク上の電場は、図２７（ｂ）に示すように金属マスク
パターン４０３で空間的にパルス変調された電場とな
る。
フォトマスクを使用したときのマスクの断面、マスク上
の電場およびウェハ上の光強度を示す図である。図２７
（ａ）を参照して、通常のフォトマスクは、ガラス基板
４０１上に金属マスクパターン４０３が形成された構成
を有している。このような通常のフォトマスクでは、マ
スク上の電場は、図２７（ｂ）に示すように金属マスク
パターン４０３で空間的にパルス変調された電場とな
る。
【００１０】しかし、図２７（ｃ）を参照して、パター
ンが微細化すると、フォトマスクを透過した露光光は光
の回折効果のためにウェハ上の非露光領域（金属マスク
パターン４０３により露光光の透過が遮られた領域）に
も回り込む。このため、ウェハ上の非露光領域にも光が
照射されてしまい、光のコントラスト（ウェハ上の露光
領域と非露光領域との光強度の差）が低下する。結果と
して、解像度が低下し、微細なパターンの転写を行なう
ことが困難となる。
ンが微細化すると、フォトマスクを透過した露光光は光
の回折効果のためにウェハ上の非露光領域（金属マスク
パターン４０３により露光光の透過が遮られた領域）に
も回り込む。このため、ウェハ上の非露光領域にも光が
照射されてしまい、光のコントラスト（ウェハ上の露光
領域と非露光領域との光強度の差）が低下する。結果と
して、解像度が低下し、微細なパターンの転写を行なう
ことが困難となる。
【００１１】図２８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、レベン
ソン方式の位相シフトマスクを使用したときのマスクの
断面、マスク上の電場およびウェハ上の光強度を示す図
である。まず図２８（ａ）を参照して、位相シフトマス
クでは、通常のフォトマスクに位相シフタと呼ばれる光
学部材４０５が設けられている。
ソン方式の位相シフトマスクを使用したときのマスクの
断面、マスク上の電場およびウェハ上の光強度を示す図
である。まず図２８（ａ）を参照して、位相シフトマス
クでは、通常のフォトマスクに位相シフタと呼ばれる光
学部材４０５が設けられている。
【００１２】すなわち、ガラス基板４０１上にクロムマ
スクパターン４０３が形成され、露光領域と遮光領域と
が設けられ、この露光領域の１つ置きに位相シフタ４０
５が設けられている。この位相シフタ４０５は、透過光
の位相を１８０°変換する役割をなすものである。
スクパターン４０３が形成され、露光領域と遮光領域と
が設けられ、この露光領域の１つ置きに位相シフタ４０
５が設けられている。この位相シフタ４０５は、透過光
の位相を１８０°変換する役割をなすものである。
【００１３】図２８（ｂ）を参照して、上述のように位
相シフタ４０５を露光領域の１つ置きに設けたため、位
相シフトマスクを透過した光によるマスク上の電場は、
その位相が交互に１８０°反転して構成される。このよ
うに、隣り合う露光領域間で光の位相が互いに逆位相と
なるため、光の干渉効果により逆位相の光の重なり合う
部分において光が互いに打消し合うことになる。
相シフタ４０５を露光領域の１つ置きに設けたため、位
相シフトマスクを透過した光によるマスク上の電場は、
その位相が交互に１８０°反転して構成される。このよ
うに、隣り合う露光領域間で光の位相が互いに逆位相と
なるため、光の干渉効果により逆位相の光の重なり合う
部分において光が互いに打消し合うことになる。
【００１４】この結果、図２８（ｃ）に示すように、露
光領域間の境界において光の強度が小さくなり、ウェハ
上の露光領域と非露光領域とにおける光の強度差を十分
に確保することができる。これにより解像度の向上を図
ることが可能となり、微細なパターンの転写を行なうこ
とができる。
光領域間の境界において光の強度が小さくなり、ウェハ
上の露光領域と非露光領域とにおける光の強度差を十分
に確保することができる。これにより解像度の向上を図
ることが可能となり、微細なパターンの転写を行なうこ
とができる。
【００１５】このような位相シフトマスクには、多種の
方式があるが、その中でも、上述のレベンソン方式の位
相シフトマスクは、原理的に優れた解像性を有し、解像
力の意味からは最も優れた方式と考えられている。
方式があるが、その中でも、上述のレベンソン方式の位
相シフトマスクは、原理的に優れた解像性を有し、解像
力の意味からは最も優れた方式と考えられている。
【００１６】図２９は、従来のレベンソン方式の位相シ
フトマスクの構成を概略的に示す断面図である。図２９
を参照して、従来の位相シフトマスクは、石英よりなる
透明基板５０１と、ＳｎＯ膜よりなるエッチングストッ
パ層５０３と、ＳｉＯ2 膜よりなる位相シフタ膜５０５
と、Ｃｒ膜よりなる遮光膜５０７とを有している。
フトマスクの構成を概略的に示す断面図である。図２９
を参照して、従来の位相シフトマスクは、石英よりなる
透明基板５０１と、ＳｎＯ膜よりなるエッチングストッ
パ層５０３と、ＳｉＯ2 膜よりなる位相シフタ膜５０５
と、Ｃｒ膜よりなる遮光膜５０７とを有している。
【００１７】透明基板５０１上に、エッチングストッパ
膜５０３が形成されている。また位相シフタ膜５０５
は、エッチングストッパ膜５０３上で、第１の透過領域
Ｔａおよび遮光領域Ｓを覆い、かつ第２の透過領域Ｔｎ
を露出するように形成されている。また遮光膜５０７
は、隣り合う第１および第２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎの
間に位置する遮光領域Ｓにおいて、透明基板５０１上を
覆うように形成されている。
膜５０３が形成されている。また位相シフタ膜５０５
は、エッチングストッパ膜５０３上で、第１の透過領域
Ｔａおよび遮光領域Ｓを覆い、かつ第２の透過領域Ｔｎ
を露出するように形成されている。また遮光膜５０７
は、隣り合う第１および第２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎの
間に位置する遮光領域Ｓにおいて、透明基板５０１上を
覆うように形成されている。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】通常、転写における露
光時においては、位相シフトマスクには透明基板５０１
側から均一な強度で露光光が照射される。この露光光の
うち、第１の光透過領域Ｔａを透過する透過光と第２の
光透過領域Ｔｎを透過する透過光とでその位相が１８０
°反転される。このように互いに位相が反転された透過
光がフォトレジストに照射され、その後現像されること
により、光透過領域Ｔａ、Ｔｎに対応した形状のパター
ンがフォトレジストに形成される。
光時においては、位相シフトマスクには透明基板５０１
側から均一な強度で露光光が照射される。この露光光の
うち、第１の光透過領域Ｔａを透過する透過光と第２の
光透過領域Ｔｎを透過する透過光とでその位相が１８０
°反転される。このように互いに位相が反転された透過
光がフォトレジストに照射され、その後現像されること
により、光透過領域Ｔａ、Ｔｎに対応した形状のパター
ンがフォトレジストに形成される。
【００１９】このとき、第１および第２の光透過領域Ｔ
ａ、Ｔｎの開口寸法が同一であれば、同一の量の光が各
透過領域Ｔａ、Ｔｎを透過していくことが、同一寸法の
フォトレジストのパターンを作るために要求される。し
かし、従来の位相シフトマスクにおいては、第１および
第２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎの膜構成が適当でなく、必
ずしも第１および第２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎを透過し
た透過光の光量が同一になるようには設定されていなか
った。
ａ、Ｔｎの開口寸法が同一であれば、同一の量の光が各
透過領域Ｔａ、Ｔｎを透過していくことが、同一寸法の
フォトレジストのパターンを作るために要求される。し
かし、従来の位相シフトマスクにおいては、第１および
第２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎの膜構成が適当でなく、必
ずしも第１および第２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎを透過し
た透過光の光量が同一になるようには設定されていなか
った。
【００２０】またエッチングストッパ膜５０３に用いら
れるＳｎＯは屈折率が大きい。このため、第１および第
２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎの開口径が、加工による形状
効果を無視できるほど十分に大きくても、第１および第
２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎを透過する光量は異なったも
のとなってしまう。このため、上述したようにフォトレ
ジストに形成されるパターンの寸法が異なるという問題
点があった。
れるＳｎＯは屈折率が大きい。このため、第１および第
２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎの開口径が、加工による形状
効果を無視できるほど十分に大きくても、第１および第
２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎを透過する光量は異なったも
のとなってしまう。このため、上述したようにフォトレ
ジストに形成されるパターンの寸法が異なるという問題
点があった。
【００２１】この問題点を補う目的でなされた発明が、
特開平７−１５９９７１号公報に示されている。
特開平７−１５９９７１号公報に示されている。
【００２２】図３０は、上記の公報に示された位相シフ
トマスクの構成を概略的に示す断面図である。図３０を
参照して、この位相シフトマスクでは、透明基板２０１
上に、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなるエッチングスト
ッパ膜２０３を介在して位相シフタ膜２０５が形成され
ており、さらにその上の遮光領域Ｓを覆うように遮光膜
２０７が形成されている。
トマスクの構成を概略的に示す断面図である。図３０を
参照して、この位相シフトマスクでは、透明基板２０１
上に、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなるエッチングスト
ッパ膜２０３を介在して位相シフタ膜２０５が形成され
ており、さらにその上の遮光領域Ｓを覆うように遮光膜
２０７が形成されている。
【００２３】この技術は、位相シフタ膜２０５の膜厚お
よび屈折率を調整することによって、第１および第２の
光透過領域Ｔａ、Ｔｎの透過光の光量を同一にしようと
するものである。
よび屈折率を調整することによって、第１および第２の
光透過領域Ｔａ、Ｔｎの透過光の光量を同一にしようと
するものである。
【００２４】ところが、この構造では、第１の光透過領
域Ｔａには、透明基板２０１上にエッチングストッパ層
２０３と位相シフタ膜２０５との２層が存在する。そし
て、この第１の光透過領域Ｔａを透過する透過光の光量
は、エッチングストッパ層２０３と位相シフタ膜２０５
との相互作用により決定されるものである。このため、
第１および第２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎの透過光の光量
を同一に調整するためには、エッチングストッパ層２０
３と位相シフタ膜２０５との双方の膜厚などを調整する
必要がある。
域Ｔａには、透明基板２０１上にエッチングストッパ層
２０３と位相シフタ膜２０５との２層が存在する。そし
て、この第１の光透過領域Ｔａを透過する透過光の光量
は、エッチングストッパ層２０３と位相シフタ膜２０５
との相互作用により決定されるものである。このため、
第１および第２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎの透過光の光量
を同一に調整するためには、エッチングストッパ層２０
３と位相シフタ膜２０５との双方の膜厚などを調整する
必要がある。
【００２５】ところが、上記公報に示された技術では、
上述したように位相シフタ膜２０５のみを考慮している
ため、実質的上、第１および第２の光透過領域Ｔａ、Ｔ
ｎの透過光量を同一に調整することはできない。
上述したように位相シフタ膜２０５のみを考慮している
ため、実質的上、第１および第２の光透過領域Ｔａ、Ｔ
ｎの透過光量を同一に調整することはできない。
【００２６】なお、図３０に示す構造において、第２の
光透過領域Ｔｎにおいて図３１に示すようにエッチング
ストッパ層２０３を除去した構造が特開平７−７２６１
２号公報に示されている。
光透過領域Ｔｎにおいて図３１に示すようにエッチング
ストッパ層２０３を除去した構造が特開平７−７２６１
２号公報に示されている。
【００２７】また、図３０および図３１に示された構造
では、エッチングストッパ層２０３にアルミナが用いら
れている。このようにアルミナを用いているため、以下
に説明するような問題点がある。
では、エッチングストッパ層２０３にアルミナが用いら
れている。このようにアルミナを用いているため、以下
に説明するような問題点がある。
【００２８】通常、アルミナを成膜する場合には、スパ
ッタリング法が用いられる。この場合、ターゲットに金
属が用いられ、スパッタ雰囲気がＯ2 （酸素）を含む雰
囲気とされる。この場合、ターゲットの一部が雰囲気に
より絶縁物となり、スパッタにおける放電が不安定な
る。これにより、アーキング電流が局部的に発生し、タ
ーゲットの一部が溶融して飛び散る。
ッタリング法が用いられる。この場合、ターゲットに金
属が用いられ、スパッタ雰囲気がＯ2 （酸素）を含む雰
囲気とされる。この場合、ターゲットの一部が雰囲気に
より絶縁物となり、スパッタにおける放電が不安定な
る。これにより、アーキング電流が局部的に発生し、タ
ーゲットの一部が溶融して飛び散る。
【００２９】通常のスパッタリングでは、透明基板上に
原子もしくは分子を堆積するが、この場合には、大きい
溶融物が透明基板上に落ちてしまう。このように大きな
溶融物が透明基板上に落ちた場合には、フォトレジスト
を塗布する場合に、この大きい溶融物がフォトレジスト
をはじいたりする。また、アルミナの膜をエッチングす
る場合においては、大きいアルミナの溶融物があるた
め、完全に溶融物をエッチング除去することは困難であ
る。加えて、アルミナの大きい溶融物がある場合には、
この部分において、他の部分との位相が異なってしまう
ため解像度の高い位相シフトマスクを得ることができな
くなってしまう。
原子もしくは分子を堆積するが、この場合には、大きい
溶融物が透明基板上に落ちてしまう。このように大きな
溶融物が透明基板上に落ちた場合には、フォトレジスト
を塗布する場合に、この大きい溶融物がフォトレジスト
をはじいたりする。また、アルミナの膜をエッチングす
る場合においては、大きいアルミナの溶融物があるた
め、完全に溶融物をエッチング除去することは困難であ
る。加えて、アルミナの大きい溶融物がある場合には、
この部分において、他の部分との位相が異なってしまう
ため解像度の高い位相シフトマスクを得ることができな
くなってしまう。
【００３０】また、アルミナをＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition ）法で成膜することも可能であるが、この
場合には、１０００℃以上の高温で成膜しなければなら
ない。このような高温では、透明基板５０１の材質であ
る石英が歪んでしまうため、このＣＶＤ法によってアル
ミナを積んだ場合には、解像度の高い位相シフトマスク
を得ることができない。
Deposition ）法で成膜することも可能であるが、この
場合には、１０００℃以上の高温で成膜しなければなら
ない。このような高温では、透明基板５０１の材質であ
る石英が歪んでしまうため、このＣＶＤ法によってアル
ミナを積んだ場合には、解像度の高い位相シフトマスク
を得ることができない。
【００３１】それゆえ本発明の１の目的は、互いに透過
光の位相が異なる光透過領域の透過光量を同一に調整可
能な位相シフトマスク、位相シフトマスク用ブランクス
および位相シフトマスクの製造方法を提供することであ
る。
光の位相が異なる光透過領域の透過光量を同一に調整可
能な位相シフトマスク、位相シフトマスク用ブランクス
および位相シフトマスクの製造方法を提供することであ
る。
【００３２】また本発明の他の目的は、成膜が容易でか
つ解像度の高い位相シフトマスク、位相シフトマスク用
ブランクスおよび位相シフトマスクの製造方法を提供す
ることである。
つ解像度の高い位相シフトマスク、位相シフトマスク用
ブランクスおよび位相シフトマスクの製造方法を提供す
ることである。
【００３３】
【課題を解決するための手段】本発明の位相シフトマス
クは、露光光を透過する第１の光透過領域と、第１の光
透過領域と遮光領域を挟んで隣り合いかつ第１の光透過
領域を透過する露光光の位相と異なった位相で露光光を
透過する第２の光透過領域とを有する位相シフトマスク
であって、透明基板と、シリコン窒化膜と、シリコン酸
化膜と、遮光膜とを備えている。透明基板は主表面を有
している。シリコン窒化膜は、第１の光透過領域におい
て透明基板の主表面上を覆い、かつ第２の光透過領域に
おいて透明基板の主表面を露出するように形成されてい
る。シリコン酸化膜は、第１の光透過領域において透明
基板の主表面上を覆うようにシリコン窒化膜と積層さ
れ、かつ第２の光透過領域において透明基板の主表面を
露出するように形成されている。遮光膜は、遮光領域に
おいて透明基板の主表面上を覆っている。
クは、露光光を透過する第１の光透過領域と、第１の光
透過領域と遮光領域を挟んで隣り合いかつ第１の光透過
領域を透過する露光光の位相と異なった位相で露光光を
透過する第２の光透過領域とを有する位相シフトマスク
であって、透明基板と、シリコン窒化膜と、シリコン酸
化膜と、遮光膜とを備えている。透明基板は主表面を有
している。シリコン窒化膜は、第１の光透過領域におい
て透明基板の主表面上を覆い、かつ第２の光透過領域に
おいて透明基板の主表面を露出するように形成されてい
る。シリコン酸化膜は、第１の光透過領域において透明
基板の主表面上を覆うようにシリコン窒化膜と積層さ
れ、かつ第２の光透過領域において透明基板の主表面を
露出するように形成されている。遮光膜は、遮光領域に
おいて透明基板の主表面上を覆っている。
【００３４】本発明の１の局面に従う位相シフトマスク
では、アルミナの代わりにシリコン窒化膜が用いられて
いる。このシリコン窒化膜は、ＣＶＤ法で、それほど高
温にすることなく成膜することができる。このため、ア
ルミナをスパッタ法で形成するときのように、大きな溶
融物が透明基板上に落ちることはない。また、アルミナ
をＣＶＤ法で形成するときのように、１０００℃以上の
高温にすることにより透明基板が歪んだりすることもな
い。よって、欠陥が少なく、かつ解像度の高い位相シフ
トマスクを得ることができる。
では、アルミナの代わりにシリコン窒化膜が用いられて
いる。このシリコン窒化膜は、ＣＶＤ法で、それほど高
温にすることなく成膜することができる。このため、ア
ルミナをスパッタ法で形成するときのように、大きな溶
融物が透明基板上に落ちることはない。また、アルミナ
をＣＶＤ法で形成するときのように、１０００℃以上の
高温にすることにより透明基板が歪んだりすることもな
い。よって、欠陥が少なく、かつ解像度の高い位相シフ
トマスクを得ることができる。
【００３５】上記局面において好ましくは、シリコン窒
化膜は透明基板の主表面に直接接して形成されている。
そしてシリコン酸化膜はシリコン窒化膜に直接接して形
成されている。
化膜は透明基板の主表面に直接接して形成されている。
そしてシリコン酸化膜はシリコン窒化膜に直接接して形
成されている。
【００３６】上記局面において好ましくは、シリコン窒
化膜の膜厚と屈折率とをｔN とｎNとし、シリコン酸化
膜の膜厚と屈折率とをｔO とｎO とし、露光光の波長を
λとしたとき、
化膜の膜厚と屈折率とをｔN とｎNとし、シリコン酸化
膜の膜厚と屈折率とをｔO とｎO とし、露光光の波長を
λとしたとき、
【００３７】
【数３】
【００３８】の関係を満たすことを特徴とする。上記局
面において好ましくは、上記の式の任意の正の奇数ｍが
１である。
面において好ましくは、上記の式の任意の正の奇数ｍが
１である。
【００３９】上記局面において好ましくは、露光光がｉ
線のとき、シリコン酸化膜の膜厚は２４０±１０８Å、
屈折率は１．４７±０．０３であり、シリコン窒化膜の
膜厚は１５７０±４７Å、屈折率は２．０９±０．０３
である。
線のとき、シリコン酸化膜の膜厚は２４０±１０８Å、
屈折率は１．４７±０．０３であり、シリコン窒化膜の
膜厚は１５７０±４７Å、屈折率は２．０９±０．０３
である。
【００４０】上記局面において好ましくは、露光光がＫ
ｒＦエキシマ光のとき、シリコン酸化膜の膜厚は４４０
±６７Å、屈折率は１．５１±０．０３であり、前記シ
リコン窒化膜の膜厚は８００±２６Å、屈折率は２．２
７±０．０４である。
ｒＦエキシマ光のとき、シリコン酸化膜の膜厚は４４０
±６７Å、屈折率は１．５１±０．０３であり、前記シ
リコン窒化膜の膜厚は８００±２６Å、屈折率は２．２
７±０．０４である。
【００４１】上記５つの好ましい局面に従えば、遮光領
域を挟んで隣り合う光透過領域から透過された各透過光
の位相は実質上１８０°異なり、かつ各透過光の光量は
互いに等しくすることができる。これにより、高精度の
位相シフトマスクを得ることができる。
域を挟んで隣り合う光透過領域から透過された各透過光
の位相は実質上１８０°異なり、かつ各透過光の光量は
互いに等しくすることができる。これにより、高精度の
位相シフトマスクを得ることができる。
【００４２】また、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜と
の膜厚の和を小さくすることができるため、オーバエッ
チングによる位相誤差を小さくでき、洗浄などの工程時
にパターンの剥がれを防止でき、かつ透過光の光量が幾
何学的な効果により減少することも防止できる。
の膜厚の和を小さくすることができるため、オーバエッ
チングによる位相誤差を小さくでき、洗浄などの工程時
にパターンの剥がれを防止でき、かつ透過光の光量が幾
何学的な効果により減少することも防止できる。
【００４３】本発明の他の局面に従う位相シフトマスク
は、露光光を透過する第１の光透過領域と、第１の光透
過領域と遮光領域を挟んで隣り合いかつ第１の光透過領
域を透過する露光光の位相と異なった位相で露光光を透
過する第２の光透過領域とを有する位相シフトマスクで
あって、透明基板と、シリコン窒化膜と、シリコン酸化
膜と、遮光膜とを備えている。透明基板は、主表面を有
している。シリコン窒化膜は、第１の光透過領域におい
て透明基板の主表面上を覆いかつ第２の光透過領域にお
いて透明基板の主表面を露出するように形成されてい
る。シリコン酸化膜は、第１の光透過領域において透明
基板の主表面上を覆うようにシリコン窒化膜上に形成さ
れ、かつ第２の光透過領域において透明基板の主表面上
を覆っている。遮光膜は、遮光領域において透明基板の
主表面上を覆っている。
は、露光光を透過する第１の光透過領域と、第１の光透
過領域と遮光領域を挟んで隣り合いかつ第１の光透過領
域を透過する露光光の位相と異なった位相で露光光を透
過する第２の光透過領域とを有する位相シフトマスクで
あって、透明基板と、シリコン窒化膜と、シリコン酸化
膜と、遮光膜とを備えている。透明基板は、主表面を有
している。シリコン窒化膜は、第１の光透過領域におい
て透明基板の主表面上を覆いかつ第２の光透過領域にお
いて透明基板の主表面を露出するように形成されてい
る。シリコン酸化膜は、第１の光透過領域において透明
基板の主表面上を覆うようにシリコン窒化膜上に形成さ
れ、かつ第２の光透過領域において透明基板の主表面上
を覆っている。遮光膜は、遮光領域において透明基板の
主表面上を覆っている。
【００４４】本発明の他の局面に従う位相シフトマスク
では、本発明の１の局面と同様、アルミナの代わりにシ
リコン窒化膜を用いるため、欠陥が少なく、かつ解像度
の高い位相シフトマスクを得ることができる。
では、本発明の１の局面と同様、アルミナの代わりにシ
リコン窒化膜を用いるため、欠陥が少なく、かつ解像度
の高い位相シフトマスクを得ることができる。
【００４５】上記局面において好ましくは、露光光がｉ
線のとき、シリコン酸化膜の膜厚は６５０±１５０Å、
屈折率は１．４７±０．０３であり、シリコン窒化膜の
膜厚は１６８０±４７Å、屈折率は２．０９±０．０３
である。
線のとき、シリコン酸化膜の膜厚は６５０±１５０Å、
屈折率は１．４７±０．０３であり、シリコン窒化膜の
膜厚は１６８０±４７Å、屈折率は２．０９±０．０３
である。
【００４６】上記局面において好ましくは、露光光がＫ
ｒＦエキシマ光のとき、シリコン酸化膜の膜厚は４２０
±１００Å、屈折率は１．４７±０．０３であり、シリ
コン窒化膜の膜厚は９８０±２６Å、屈折率は２．２７
±０．０４である。
ｒＦエキシマ光のとき、シリコン酸化膜の膜厚は４２０
±１００Å、屈折率は１．４７±０．０３であり、シリ
コン窒化膜の膜厚は９８０±２６Å、屈折率は２．２７
±０．０４である。
【００４７】上記２つの好ましい局面に従えば、遮光領
域を挟んで隣り合う光透過領域から透過された各透過光
の位相は実質上１８０°異なり、かつ各透過光の光量は
互いに等しくすることができる。これにより、高精度の
位相シフトマスクを得ることができる。
域を挟んで隣り合う光透過領域から透過された各透過光
の位相は実質上１８０°異なり、かつ各透過光の光量は
互いに等しくすることができる。これにより、高精度の
位相シフトマスクを得ることができる。
【００４８】本発明の位相シフトマスク用ブランクス
は、露光光を透過する第１の光透過領域と、第１の光透
過領域と遮光領域を挟んで隣り合いかつ第１の光透過領
域を透過する露光光の位相と異なった位相で露光光を透
過する第２の光透過領域とを有する位相シフトマスク用
ブランクスであって、透明基板と、シリコン窒化膜と、
シリコン酸化膜と、遮光膜とを備えている。透明基板
は、主表面を有している。シリコン窒化膜は、透明基板
の主表面に直接接して形成されている。シリコン酸化膜
は、シリコン窒化膜に直接接して形成されている。遮光
膜は、シリコン酸化膜に直接接して形成されている。シ
リコン窒化膜の膜厚と屈折率とをｔN とｎNとし、シリ
コン酸化膜の膜厚と屈折率とをｔO とｎO とし、露光光
の波長をλとしたとき、
は、露光光を透過する第１の光透過領域と、第１の光透
過領域と遮光領域を挟んで隣り合いかつ第１の光透過領
域を透過する露光光の位相と異なった位相で露光光を透
過する第２の光透過領域とを有する位相シフトマスク用
ブランクスであって、透明基板と、シリコン窒化膜と、
シリコン酸化膜と、遮光膜とを備えている。透明基板
は、主表面を有している。シリコン窒化膜は、透明基板
の主表面に直接接して形成されている。シリコン酸化膜
は、シリコン窒化膜に直接接して形成されている。遮光
膜は、シリコン酸化膜に直接接して形成されている。シ
リコン窒化膜の膜厚と屈折率とをｔN とｎNとし、シリ
コン酸化膜の膜厚と屈折率とをｔO とｎO とし、露光光
の波長をλとしたとき、
【００４９】
【数４】
【００５０】の関係を満たしている。上記局面において
好ましくは、上記の式の任意の正の奇数ｍが１である。
好ましくは、上記の式の任意の正の奇数ｍが１である。
【００５１】上記局面において好ましくは、露光光がｉ
線のとき、シリコン酸化膜の膜厚は２４０±１０８Åで
あり、屈折率は１．４７±０．０３であり、シリコン窒
化膜の膜厚は１５７０±４７Å、屈折率は２．０９±
０．０３である。
線のとき、シリコン酸化膜の膜厚は２４０±１０８Åで
あり、屈折率は１．４７±０．０３であり、シリコン窒
化膜の膜厚は１５７０±４７Å、屈折率は２．０９±
０．０３である。
【００５２】上記局面において好ましくは、露光光がＫ
ｒＦエキシマ光のとき、シリコン酸化膜の膜厚は４４０
±６７Å、屈折率は１．５１±０．０３であり、シリコ
ン窒化膜の膜厚は８００±２６Å、屈折率は２．２７±
０．０４である。
ｒＦエキシマ光のとき、シリコン酸化膜の膜厚は４４０
±６７Å、屈折率は１．５１±０．０３であり、シリコ
ン窒化膜の膜厚は８００±２６Å、屈折率は２．２７±
０．０４である。
【００５３】上記本発明の位相シフトマスク用ブランク
スおよび好ましい４つの局面に従えば、この位相シフト
マスク用ブランクスを用いて位相シフトマスクを製造す
ることにより、遮光領域を挟んで隣り合う光透過領域か
ら透過された各透過光の位相は実質上１８０°異なり、
かつ各透過光の光量は互いに等しくすることができる。
これにより、高精度の位相シフトマスクを得ることがで
きる。
スおよび好ましい４つの局面に従えば、この位相シフト
マスク用ブランクスを用いて位相シフトマスクを製造す
ることにより、遮光領域を挟んで隣り合う光透過領域か
ら透過された各透過光の位相は実質上１８０°異なり、
かつ各透過光の光量は互いに等しくすることができる。
これにより、高精度の位相シフトマスクを得ることがで
きる。
【００５４】本発明の１の局面に従う位相シフトマスク
の製造方法は、露光光を透過する第１の光透過領域と、
第１の光透過領域と遮光領域を挟んで隣り合いかつ第１
の光透過領域を透過する露光光の位相と異なった位相で
露光光を透過する第２の光透過領域とを有する位相シフ
トマスクの製造方法であって、以下の工程を備えてい
る。
の製造方法は、露光光を透過する第１の光透過領域と、
第１の光透過領域と遮光領域を挟んで隣り合いかつ第１
の光透過領域を透過する露光光の位相と異なった位相で
露光光を透過する第２の光透過領域とを有する位相シフ
トマスクの製造方法であって、以下の工程を備えてい
る。
【００５５】まず透明基板の主表面上にシリコン窒化膜
とシリコン酸化膜とが順次形成される。そして遮光領域
内のシリコン酸化膜を覆い、かつ第１および第２の光透
過領域のシリコン酸化膜を露出するように遮光膜が形成
される。そして第２の光透過領域のシリコン酸化膜の表
面を露出させた状態でシリコン窒化膜の表面が露出する
までシリコン酸化膜の表面に等方性エッチングが施され
る。そして露出したシリコン窒化膜の表面に異方性エッ
チングが施されて、シリコン窒化膜に、底壁面がシリコ
ン窒化膜よりなる溝が形成される。そして溝の底壁面に
おいて透明基板の表面が露出するまで溝の内壁面に、加
熱したリン酸溶液で等方性エッチングが施される。
とシリコン酸化膜とが順次形成される。そして遮光領域
内のシリコン酸化膜を覆い、かつ第１および第２の光透
過領域のシリコン酸化膜を露出するように遮光膜が形成
される。そして第２の光透過領域のシリコン酸化膜の表
面を露出させた状態でシリコン窒化膜の表面が露出する
までシリコン酸化膜の表面に等方性エッチングが施され
る。そして露出したシリコン窒化膜の表面に異方性エッ
チングが施されて、シリコン窒化膜に、底壁面がシリコ
ン窒化膜よりなる溝が形成される。そして溝の底壁面に
おいて透明基板の表面が露出するまで溝の内壁面に、加
熱したリン酸溶液で等方性エッチングが施される。
【００５６】本発明の他の局面に従う位相シフトマスク
の製造方法は、露光光を透過する第１の光透過領域と、
第１の光透過領域と遮光領域を挟んで隣り合いかつ第１
の光透過領域を透過する露光光の位相と異なった位相で
露光光を透過する第２の光透過領域とを有する位相シフ
トマスクの製造方法であって、以下の工程を備えてい
る。
の製造方法は、露光光を透過する第１の光透過領域と、
第１の光透過領域と遮光領域を挟んで隣り合いかつ第１
の光透過領域を透過する露光光の位相と異なった位相で
露光光を透過する第２の光透過領域とを有する位相シフ
トマスクの製造方法であって、以下の工程を備えてい
る。
【００５７】まず透明基板の主表面上にシリコン窒化膜
が形成される。そして第２の光透過領域のシリコン窒化
膜の表面を露出させた状態で透明基板の表面が露出する
までシリコン窒化膜の表面に、加熱したリン酸溶液で等
方性エッチングが施される。そして第１の光透過領域に
おいてシリコン窒化膜上を覆うように、かつ第２の光透
過領域において透明基板の露出した主表面上を覆うよう
にシリコン酸化膜が形成される。そして遮光領域におい
てシリコン酸化膜上を覆い、かつ第１および第２の光透
過領域においてシリコン酸化膜を露出させるように遮光
膜が形成される。
が形成される。そして第２の光透過領域のシリコン窒化
膜の表面を露出させた状態で透明基板の表面が露出する
までシリコン窒化膜の表面に、加熱したリン酸溶液で等
方性エッチングが施される。そして第１の光透過領域に
おいてシリコン窒化膜上を覆うように、かつ第２の光透
過領域において透明基板の露出した主表面上を覆うよう
にシリコン酸化膜が形成される。そして遮光領域におい
てシリコン酸化膜上を覆い、かつ第１および第２の光透
過領域においてシリコン酸化膜を露出させるように遮光
膜が形成される。
【００５８】上記２つの局面に従う位相シフトマスクの
製造方法では、アルミナの代わりにシリコン窒化膜が用
いられている。このため、上述したように欠陥が少な
く、かつ解像度の高い位相シフトマスクを製造すること
ができる。
製造方法では、アルミナの代わりにシリコン窒化膜が用
いられている。このため、上述したように欠陥が少な
く、かつ解像度の高い位相シフトマスクを製造すること
ができる。
【００５９】また遮光領域を挟んで隣り合う光透過領域
から透過された各透過光の位相は実質上１８０°異な
り、かつ各透過光の光量は互いに等しくすることができ
る。これにより、高精度の位相シフトマスクを得ること
ができる。
から透過された各透過光の位相は実質上１８０°異な
り、かつ各透過光の光量は互いに等しくすることができ
る。これにより、高精度の位相シフトマスクを得ること
ができる。
【００６０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図に基づいて説明する。
て図に基づいて説明する。
【００６１】実施の形態１ 図１は、本発明の実施の形態１における位相シフトマス
クの構成を概略的に示す断面図である。図１を参照し
て、本実施の形態の位相シフトマスクは、透明基板１
と、シリコン窒化膜３と、シリコン酸化膜５と、遮光膜
７とを備えている。
クの構成を概略的に示す断面図である。図１を参照し
て、本実施の形態の位相シフトマスクは、透明基板１
と、シリコン窒化膜３と、シリコン酸化膜５と、遮光膜
７とを備えている。
【００６２】透明基板１はたとえば石英よりなってい
る。シリコン窒化膜３とシリコン酸化膜５とは、透明基
板１上の第１の光透過領域Ｔａを覆うように、かつ第２
の光透過領域Ｔｎを露出するように積層して形成されて
いる。遮光膜７は、透明基板１上の遮光領域Ｓを覆い、
かつ第１および第２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎを露出する
ように形成されている。
る。シリコン窒化膜３とシリコン酸化膜５とは、透明基
板１上の第１の光透過領域Ｔａを覆うように、かつ第２
の光透過領域Ｔｎを露出するように積層して形成されて
いる。遮光膜７は、透明基板１上の遮光領域Ｓを覆い、
かつ第１および第２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎを露出する
ように形成されている。
【００６３】なお、シリコン窒化膜３とシリコン酸化膜
５とは、透明基板１の遮光領域Ｓ上を覆っていてもよ
い。またこの場合、遮光膜７は、シリコン酸化膜５上に
形成されていてもよく、またシリコン窒化膜３と透明基
板１との間に形成されていてもよい。
５とは、透明基板１の遮光領域Ｓ上を覆っていてもよ
い。またこの場合、遮光膜７は、シリコン酸化膜５上に
形成されていてもよく、またシリコン窒化膜３と透明基
板１との間に形成されていてもよい。
【００６４】ここで、露光光にｉ線（波長：３６５ｎ
ｍ）光を用いた場合には、シリコン窒化膜３の膜厚ｔN
は１５７０±４７Åであり、シリコン酸化膜５の膜厚ｔ
O は２４０±１０８Åであることが好ましい。またこの
場合、シリコン窒化膜３の屈折率ｎN は２．０９±０．
０３であり、シリコン酸化膜５の屈折率ｎO は１．４７
±０．０３であることが好ましい。
ｍ）光を用いた場合には、シリコン窒化膜３の膜厚ｔN
は１５７０±４７Åであり、シリコン酸化膜５の膜厚ｔ
O は２４０±１０８Åであることが好ましい。またこの
場合、シリコン窒化膜３の屈折率ｎN は２．０９±０．
０３であり、シリコン酸化膜５の屈折率ｎO は１．４７
±０．０３であることが好ましい。
【００６５】また露光光にＫｒＦエキシマ光（波長：２
４８ｎｍ）を用いた場合には、シリコン窒化膜３の膜厚
ｔN は８００±２６Åであり、シリコン酸化膜５の膜厚
ｔOは４４０±６７Åであることが好ましい。またこの
場合、シリコン窒化膜３の屈折率ｎN は２．２７±０．
０４であり、シリコン酸化膜５の屈折率ｎO は１．５１
±０．０３であることが好ましい。
４８ｎｍ）を用いた場合には、シリコン窒化膜３の膜厚
ｔN は８００±２６Åであり、シリコン酸化膜５の膜厚
ｔOは４４０±６７Åであることが好ましい。またこの
場合、シリコン窒化膜３の屈折率ｎN は２．２７±０．
０４であり、シリコン酸化膜５の屈折率ｎO は１．５１
±０．０３であることが好ましい。
【００６６】シリコン窒化膜３とシリコン酸化膜５との
膜厚を上記のように設定することで、図１に示す第１お
よび第２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎの各透過光の光量（強
度）を略同一にできるとともに、第１の光透過領域Ｔａ
の透過光と第２の光透過領域Ｔｎの透過光との位相差を
実質１８０°にすることが可能となる。以下、そのこと
について詳細に説明する。
膜厚を上記のように設定することで、図１に示す第１お
よび第２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎの各透過光の光量（強
度）を略同一にできるとともに、第１の光透過領域Ｔａ
の透過光と第２の光透過領域Ｔｎの透過光との位相差を
実質１８０°にすることが可能となる。以下、そのこと
について詳細に説明する。
【００６７】図２は、露光光にｉ線を用いた場合に、図
１に示す構造におけるシリコン窒化膜３とシリコン酸化
膜５との膜厚を変化させた場合の第１の光透過領域Ｔａ
の透過率の変化をシミュレーションした結果を示す透過
率の等高線図である。
１に示す構造におけるシリコン窒化膜３とシリコン酸化
膜５との膜厚を変化させた場合の第１の光透過領域Ｔａ
の透過率の変化をシミュレーションした結果を示す透過
率の等高線図である。
【００６８】なお、このシミュレーションは、図１に示
すシリコン窒化膜３とシリコン酸化膜５とを以下の方法
で形成して行なったものである。シリコン窒化膜３は、
ＬＰＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Depositio
n）法により７００℃でＳｉＣｌ2 Ｈ2 とＮＨ3 とを原
料として形成したものである。またシリコン酸化膜５
は、ＬＰＣＶＤ法により、８００℃でＳｉＨ4 とＮ2 Ｏ
とを原料として形成したものである。このように形成し
たシリコン窒化膜３とシリコン酸化膜５とのｉ線に対す
る各屈折率の実部ｎと虚部ｋとは、シリコン窒化膜３に
ついてはｎ＝２．０９、ｋ＝０．０００であり、シリコ
ン酸化膜５についてはｎ＝１．４７、ｋ＝０．０００で
ある。これらの屈折率の値はエリプソンメトリーによる
実測値である。
すシリコン窒化膜３とシリコン酸化膜５とを以下の方法
で形成して行なったものである。シリコン窒化膜３は、
ＬＰＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Depositio
n）法により７００℃でＳｉＣｌ2 Ｈ2 とＮＨ3 とを原
料として形成したものである。またシリコン酸化膜５
は、ＬＰＣＶＤ法により、８００℃でＳｉＨ4 とＮ2 Ｏ
とを原料として形成したものである。このように形成し
たシリコン窒化膜３とシリコン酸化膜５とのｉ線に対す
る各屈折率の実部ｎと虚部ｋとは、シリコン窒化膜３に
ついてはｎ＝２．０９、ｋ＝０．０００であり、シリコ
ン酸化膜５についてはｎ＝１．４７、ｋ＝０．０００で
ある。これらの屈折率の値はエリプソンメトリーによる
実測値である。
【００６９】図２より、透明基板上にシリコン酸化膜と
シリコン窒化膜との２層を積層して形成した場合、それ
ぞれの膜厚の変化により透過率が変化することがわか
る。シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の一方の膜厚
を固定し、他方の膜厚を変化させるとき、透過率のピー
ク値およびボトム値は固定した膜厚に依存するが、変化
させている膜厚に対して周期的に変化する。このような
変化より、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の各膜
厚を適切に選ぶことで、透明基板上に膜が形成されてい
ない場合（図１の光透過領域Ｔｎ）と略同一の透過率を
得ることが可能であると予想される。
シリコン窒化膜との２層を積層して形成した場合、それ
ぞれの膜厚の変化により透過率が変化することがわか
る。シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の一方の膜厚
を固定し、他方の膜厚を変化させるとき、透過率のピー
ク値およびボトム値は固定した膜厚に依存するが、変化
させている膜厚に対して周期的に変化する。このような
変化より、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜の各膜
厚を適切に選ぶことで、透明基板上に膜が形成されてい
ない場合（図１の光透過領域Ｔｎ）と略同一の透過率を
得ることが可能であると予想される。
【００７０】他方、このシリコン酸化膜とシリコン窒化
膜との２層をレベンソン型位相シフトマスクの位相シフ
タとして適用する場合、第１の光透過領域Ｔａと第２の
光透過領域Ｔｎとを透過する透過光の位相差が実質上１
８０°であることが不可欠である。ここで、下に示した
式（１）は、図１に示したシリコン窒化膜３およびシリ
コン酸化膜５の各膜厚ｔN 、ｔO と屈折率ｎN 、ｎO と
に対して、上記の略１８０°の位相差の条件を満たすた
めの要求を示すものである。なお、ｎair は大気の屈折
率であり、通常は1 である。
膜との２層をレベンソン型位相シフトマスクの位相シフ
タとして適用する場合、第１の光透過領域Ｔａと第２の
光透過領域Ｔｎとを透過する透過光の位相差が実質上１
８０°であることが不可欠である。ここで、下に示した
式（１）は、図１に示したシリコン窒化膜３およびシリ
コン酸化膜５の各膜厚ｔN 、ｔO と屈折率ｎN 、ｎO と
に対して、上記の略１８０°の位相差の条件を満たすた
めの要求を示すものである。なお、ｎair は大気の屈折
率であり、通常は1 である。
【００７１】
【数５】
【００７２】すなわち、この式（１）を満たし、かつ図
１に示す第１の光透過領域Ｔａと第２の光領域Ｔｎとの
透過率が同一となるシリコン窒化膜とシリコン酸化膜の
膜厚を求めれば必要な特性を有する所望の膜構成が得ら
れる。
１に示す第１の光透過領域Ｔａと第２の光領域Ｔｎとの
透過率が同一となるシリコン窒化膜とシリコン酸化膜の
膜厚を求めれば必要な特性を有する所望の膜構成が得ら
れる。
【００７３】図３（ａ）は上式（１）の関係を満たすシ
リコン窒化膜とシリコン酸化膜との膜厚の関係を示すグ
ラフである。また図３（ｂ）は、上式（１）の関係を満
たすようにシリコン窒化膜とシリコン酸化膜との膜厚を
変化させた場合のシリコン窒化膜の膜厚と透過率との関
係を示すグラフである。
リコン窒化膜とシリコン酸化膜との膜厚の関係を示すグ
ラフである。また図３（ｂ）は、上式（１）の関係を満
たすようにシリコン窒化膜とシリコン酸化膜との膜厚を
変化させた場合のシリコン窒化膜の膜厚と透過率との関
係を示すグラフである。
【００７４】図３（ｂ）には、石英よりなる透明基板１
のみの透過率（９６％）のレベルを示している。ここで
透過率曲線が９６％のレベルに交わる点は、図１におけ
る第１の光透過領域Ｔａの透過率が第２の光透過領域Ｔ
ｎの透過率と同一になることを示している。
のみの透過率（９６％）のレベルを示している。ここで
透過率曲線が９６％のレベルに交わる点は、図１におけ
る第１の光透過領域Ｔａの透過率が第２の光透過領域Ｔ
ｎの透過率と同一になることを示している。
【００７５】つまり、これらの交点に対応するシリコン
窒化膜３とシリコン酸化膜５との膜厚を選ぶことによ
り、図１において第１の光透過領域Ｔａと第２の光透過
領域Ｔｎとの透過率が同一で、かつ第１および第２の光
透過領域Ｔａ、Ｔｎの位相差が１８０°となる位相シフ
トマスクが得られる。
窒化膜３とシリコン酸化膜５との膜厚を選ぶことによ
り、図１において第１の光透過領域Ｔａと第２の光透過
領域Ｔｎとの透過率が同一で、かつ第１および第２の光
透過領域Ｔａ、Ｔｎの位相差が１８０°となる位相シフ
トマスクが得られる。
【００７６】さらに、実際の製造工程を考慮した場合、
図１においてシリコン窒化膜３とシリコン酸化膜５との
膜厚の和が小さい方が望ましい。それは以下の理由に基
づく。
図１においてシリコン窒化膜３とシリコン酸化膜５との
膜厚の和が小さい方が望ましい。それは以下の理由に基
づく。
【００７７】通常、被エッチング膜をエッチングにより
完全に除去する場合には、被エッチング膜の膜厚の２０
〜３０％程度のオーバエッチングが施される。このオー
バエッチングは、残渣の発生を防止し、この残渣による
位相シフトマスクの欠陥の発生を防止するために行なわ
れる。ここで、シリコン窒化膜３とシリコン酸化膜５と
の膜厚の和が大きくなった場合、この２層に施されるエ
ッチングのオーバエッチング量が大きくなってしまう。
つまり、シリコン窒化膜３とシリコン酸化膜５との除去
時に透明基板１に施されるエッチング量が多くなってし
まう。このため、シリコン窒化膜３とシリコン酸化膜５
とが除去される第２の光透過領域Ｔｎでは必要以上に透
明基板がエッチング除去されてしまう。これにより、第
１の光透過領域Ｔａと第２の光透過領域Ｔｎとの間のオ
ーバエッチングによる位相誤差が大きくなってしまう。
完全に除去する場合には、被エッチング膜の膜厚の２０
〜３０％程度のオーバエッチングが施される。このオー
バエッチングは、残渣の発生を防止し、この残渣による
位相シフトマスクの欠陥の発生を防止するために行なわ
れる。ここで、シリコン窒化膜３とシリコン酸化膜５と
の膜厚の和が大きくなった場合、この２層に施されるエ
ッチングのオーバエッチング量が大きくなってしまう。
つまり、シリコン窒化膜３とシリコン酸化膜５との除去
時に透明基板１に施されるエッチング量が多くなってし
まう。このため、シリコン窒化膜３とシリコン酸化膜５
とが除去される第２の光透過領域Ｔｎでは必要以上に透
明基板がエッチング除去されてしまう。これにより、第
１の光透過領域Ｔａと第２の光透過領域Ｔｎとの間のオ
ーバエッチングによる位相誤差が大きくなってしまう。
【００７８】またシリコン窒化膜３とシリコン酸化膜５
との膜厚の和が大きくなると、この２層３、５の積層構
造よりなるパターンのアスペクト比（高さ／幅）が大き
くなってしまう。これにより、洗浄などの工程で容易に
パターンが剥がれてしまうため、洗浄が困難となってし
まう。
との膜厚の和が大きくなると、この２層３、５の積層構
造よりなるパターンのアスペクト比（高さ／幅）が大き
くなってしまう。これにより、洗浄などの工程で容易に
パターンが剥がれてしまうため、洗浄が困難となってし
まう。
【００７９】さらに、シリコン窒化膜３とシリコン酸化
膜５との膜厚の和が大きくなると、図１における第１の
光透過領域Ｔａにおける透過光の透過量が幾何学的な効
果により大きく減少してしまう。
膜５との膜厚の和が大きくなると、図１における第１の
光透過領域Ｔａにおける透過光の透過量が幾何学的な効
果により大きく減少してしまう。
【００８０】これらの点を考えると、シリコン窒化膜３
とシリコン酸化膜５との膜厚の和は小さい方がよい。そ
して、この膜厚の和を小さくするには、図３（ａ），
（ｂ）より屈折率の高いシリコン窒化膜３の膜厚を最大
にすればよいことがわかる。これは、図３（ａ）と図３
（ｂ）とからシリコン窒化膜３の膜厚ｔN が１５７０Å
で、シリコン酸化膜５の膜厚ｔO が２４０Åであること
に対応する。このとき、シリコン窒化膜３とシリコン酸
化膜５との合計膜厚は１８１０Åとなり、たとえば従来
のシフタ膜の膜厚４０００Åに比べて２分の１以下に段
差を小さくすることができている。
とシリコン酸化膜５との膜厚の和は小さい方がよい。そ
して、この膜厚の和を小さくするには、図３（ａ），
（ｂ）より屈折率の高いシリコン窒化膜３の膜厚を最大
にすればよいことがわかる。これは、図３（ａ）と図３
（ｂ）とからシリコン窒化膜３の膜厚ｔN が１５７０Å
で、シリコン酸化膜５の膜厚ｔO が２４０Åであること
に対応する。このとき、シリコン窒化膜３とシリコン酸
化膜５との合計膜厚は１８１０Åとなり、たとえば従来
のシフタ膜の膜厚４０００Åに比べて２分の１以下に段
差を小さくすることができている。
【００８１】次に、この膜厚の許容範囲について考察し
た。 まず、透過光の強度差のみから膜厚の許容範囲を考
察した。
た。 まず、透過光の強度差のみから膜厚の許容範囲を考
察した。
【００８２】通常、ＬＳＩ（Large Scale Integrated C
ircuit）製造における転写では、ステッパの露光量、レ
ジストの感度、基板の反射などの変動に対してレジスト
の寸法があまり変化しないようにプロセスを組立てるこ
とにより、露光量を１０％変化させたときのレジスト寸
法の変化が１０％以下となることが条件となっている。
レジスト寸法の全体の寸法の変化が１０％以内であるた
め、図１における第１の光透過領域Ｔａに対応するレジ
ストパターンと第２の光透過領域Ｔｎに対応するレジス
トパターンとの寸法差、つまりシフタ有無による寸法差
を±２％以内に抑える必要がある。この条件の下で、シ
フタ有無による寸法差を±２％以内に抑えるには、第１
の光透過領域Ｔａと第２の光透過領域Ｔｎとの透過光の
強度差が±５％以内であればよい。
ircuit）製造における転写では、ステッパの露光量、レ
ジストの感度、基板の反射などの変動に対してレジスト
の寸法があまり変化しないようにプロセスを組立てるこ
とにより、露光量を１０％変化させたときのレジスト寸
法の変化が１０％以下となることが条件となっている。
レジスト寸法の全体の寸法の変化が１０％以内であるた
め、図１における第１の光透過領域Ｔａに対応するレジ
ストパターンと第２の光透過領域Ｔｎに対応するレジス
トパターンとの寸法差、つまりシフタ有無による寸法差
を±２％以内に抑える必要がある。この条件の下で、シ
フタ有無による寸法差を±２％以内に抑えるには、第１
の光透過領域Ｔａと第２の光透過領域Ｔｎとの透過光の
強度差が±５％以内であればよい。
【００８３】このため、透過光の強度差のみを考慮した
場合には、図３（ｂ）より、ｉ線に対して、シリコン窒
化膜３の膜厚ｔN は１３２０Å以上１９７０Å以下とな
り、シリコン酸化膜５の膜厚ｔO は０Å以上８４０Å以
下となる。
場合には、図３（ｂ）より、ｉ線に対して、シリコン窒
化膜３の膜厚ｔN は１３２０Å以上１９７０Å以下とな
り、シリコン酸化膜５の膜厚ｔO は０Å以上８４０Å以
下となる。
【００８４】 また位相差のみから膜厚の許容範囲を
考察した。この場合、レジストの寸法変動の許容範囲
は、フォーカスレンジ１．５μｍの範囲では、シフタ有
無による最大のレジスト寸法差が±２％の範囲内にある
こととなる。転写実験を行なった結果、位相差が±５°
の範囲内の場合には、レジストの寸法変動の許容範囲内
にあることが判明した。ここで位相差は、単に膜厚の変
化割合によるため、膜厚の許容範囲は、膜厚ｔ×（±５
°／１８０°）で求められる。よって、ｉ線に対してシ
リコン窒化膜３の膜厚ｔN は１５７０±４４Åであり、
シリコン酸化膜５の膜厚ｔO は２４０±７Åとなる。た
だし、この膜厚の許容範囲は、シリコン窒化膜３とシリ
コン酸化膜５とが同じ方向に同じ割合で膜厚が変化した
ときに生じる位相差を考えたものである。このため、た
とえばシリコン窒化膜３の膜厚ｔN を理想値に固定し、
シリコン酸化膜５の膜厚ｔO を変化させた場合には、シ
リコン窒化膜３の膜厚ｔN は１５７０±４７Åとなり、
シリコン酸化膜５の膜厚ｔO は２４０±１０８Åとな
る。
考察した。この場合、レジストの寸法変動の許容範囲
は、フォーカスレンジ１．５μｍの範囲では、シフタ有
無による最大のレジスト寸法差が±２％の範囲内にある
こととなる。転写実験を行なった結果、位相差が±５°
の範囲内の場合には、レジストの寸法変動の許容範囲内
にあることが判明した。ここで位相差は、単に膜厚の変
化割合によるため、膜厚の許容範囲は、膜厚ｔ×（±５
°／１８０°）で求められる。よって、ｉ線に対してシ
リコン窒化膜３の膜厚ｔN は１５７０±４４Åであり、
シリコン酸化膜５の膜厚ｔO は２４０±７Åとなる。た
だし、この膜厚の許容範囲は、シリコン窒化膜３とシリ
コン酸化膜５とが同じ方向に同じ割合で膜厚が変化した
ときに生じる位相差を考えたものである。このため、た
とえばシリコン窒化膜３の膜厚ｔN を理想値に固定し、
シリコン酸化膜５の膜厚ｔO を変化させた場合には、シ
リコン窒化膜３の膜厚ｔN は１５７０±４７Åとなり、
シリコン酸化膜５の膜厚ｔO は２４０±１０８Åとな
る。
【００８５】以上の、の考察より、シリコン窒化膜
３とシリコン酸化膜５との膜厚の重複範囲を取ると、シ
リコン窒化膜３の膜厚ｔN は１５７０±４７Åとなり、
シリコン酸化膜５の膜厚ｔO は２４０±１０８Åとな
る。以上より、この膜厚の範囲内であれば、図１におい
て遮光領域Ｓを挟んで隣り合う光透過領域Ｔａ、Ｔｎか
ら透過された各透過光の光量は互いに等しく、かつ各透
過光の位相は実質上１８０°異なる。さらに、シリコン
窒化膜とシリコン酸化膜との膜厚の和を小さくすること
ができるため、オーバエッチングによる位相誤差を小さ
くでき、洗浄などの工程時にパターンの剥がれを防止で
き、かつ透過光の光量が幾何学的な効果により減少する
ことも防止できる。
３とシリコン酸化膜５との膜厚の重複範囲を取ると、シ
リコン窒化膜３の膜厚ｔN は１５７０±４７Åとなり、
シリコン酸化膜５の膜厚ｔO は２４０±１０８Åとな
る。以上より、この膜厚の範囲内であれば、図１におい
て遮光領域Ｓを挟んで隣り合う光透過領域Ｔａ、Ｔｎか
ら透過された各透過光の光量は互いに等しく、かつ各透
過光の位相は実質上１８０°異なる。さらに、シリコン
窒化膜とシリコン酸化膜との膜厚の和を小さくすること
ができるため、オーバエッチングによる位相誤差を小さ
くでき、洗浄などの工程時にパターンの剥がれを防止で
き、かつ透過光の光量が幾何学的な効果により減少する
ことも防止できる。
【００８６】なお、ｉ線に対してシリコン窒化膜３の屈
折率ｎN は２．０９±０．０３であり、シリコン酸化膜
５の屈折率ｎO は１．４７±０．０３であった。
折率ｎN は２．０９±０．０３であり、シリコン酸化膜
５の屈折率ｎO は１．４７±０．０３であった。
【００８７】次に露光光がＫｒＦエキシマ光の場合につ
いても、図４および図５（ａ）、（ｂ）を用いて、上述
のｉ線と同様にしてシリコン窒化膜３とシリコン酸化膜
５との膜厚許容範囲を考察した。
いても、図４および図５（ａ）、（ｂ）を用いて、上述
のｉ線と同様にしてシリコン窒化膜３とシリコン酸化膜
５との膜厚許容範囲を考察した。
【００８８】 まず、上記と同様に透過光の強度差の
みを考慮すると、シリコン窒化膜３の膜厚ｔN は７４０
Å以上８７０Å以下であり、シリコン酸化膜５の膜厚ｔ
O は２６０Å以上５８０Å以下である。
みを考慮すると、シリコン窒化膜３の膜厚ｔN は７４０
Å以上８７０Å以下であり、シリコン酸化膜５の膜厚ｔ
O は２６０Å以上５８０Å以下である。
【００８９】 また位相差のみを考慮し、かつシリコ
ン窒化膜３とシリコン酸化膜５との膜厚ｔN 、ｔO が同
じ方向に同じ割合で変化する場合には、シリコン窒化膜
３の膜厚ｔN は８００±２２Åであり、シリコン酸化膜
５の膜厚ｔO は４４０±１１Åである。
ン窒化膜３とシリコン酸化膜５との膜厚ｔN 、ｔO が同
じ方向に同じ割合で変化する場合には、シリコン窒化膜
３の膜厚ｔN は８００±２２Åであり、シリコン酸化膜
５の膜厚ｔO は４４０±１１Åである。
【００９０】さらに位相差のみを考慮し、かつシリコン
窒化膜３の膜厚ｔN を理想値に固定してシリコン酸化膜
５の膜厚ｔO を変化させた場合には、シリコン窒化膜３
の膜厚ｔN は８００±２６Åであり、シリコン酸化膜５
の膜厚ｔO は４４０±６７Åである。
窒化膜３の膜厚ｔN を理想値に固定してシリコン酸化膜
５の膜厚ｔO を変化させた場合には、シリコン窒化膜３
の膜厚ｔN は８００±２６Åであり、シリコン酸化膜５
の膜厚ｔO は４４０±６７Åである。
【００９１】以上のとの考察より、膜厚の重複範囲
を取ると、シリコン窒化膜３の膜厚ｔN は８００±２６
Åであり、シリコン酸化膜５の膜厚ｔO は４４０±６７
Åである。この膜厚の範囲内であれば、ｉ線の場合と同
様、図１における遮光領域Ｓを挟んで隣り合う光透過領
域Ｔａ、Ｔｎから透過された各透過光の光量は互いに等
しく、かつ各透過光の位相は実質上１８０°異ならせる
ことができる。さらに、シリコン窒化膜３とシリコン酸
化膜５との膜厚の和を小さくすることができるため、オ
ーバエッチングによる位相誤差を小さくでき、洗浄など
の工程時にパターンの剥がれを防止でき、かつ透過光の
光量が幾何学的な効果により減少することも防止でき
る。
を取ると、シリコン窒化膜３の膜厚ｔN は８００±２６
Åであり、シリコン酸化膜５の膜厚ｔO は４４０±６７
Åである。この膜厚の範囲内であれば、ｉ線の場合と同
様、図１における遮光領域Ｓを挟んで隣り合う光透過領
域Ｔａ、Ｔｎから透過された各透過光の光量は互いに等
しく、かつ各透過光の位相は実質上１８０°異ならせる
ことができる。さらに、シリコン窒化膜３とシリコン酸
化膜５との膜厚の和を小さくすることができるため、オ
ーバエッチングによる位相誤差を小さくでき、洗浄など
の工程時にパターンの剥がれを防止でき、かつ透過光の
光量が幾何学的な効果により減少することも防止でき
る。
【００９２】なお、ＫｒＦエキシマ光に対して、シリコ
ン窒化膜３の屈折率ｎN は２．２７±０．０４であり、
シリコン酸化膜５の屈折率ｎO は１．５１±０．０３で
あった。
ン窒化膜３の屈折率ｎN は２．２７±０．０４であり、
シリコン酸化膜５の屈折率ｎO は１．５１±０．０３で
あった。
【００９３】なお、上述した膜厚許容範囲は、式（１）
においてｍ＝１の場合について考察したが、ｍ＝３の場
合についても考察した。この結果、ｍ＝３のときにはシ
リコン窒化膜とシリコン酸化膜との膜厚の関係およびシ
リコン窒化膜の膜厚と透過率Ｔとの関係は図６（ａ）、
（ｂ）に示すようになった。
においてｍ＝１の場合について考察したが、ｍ＝３の場
合についても考察した。この結果、ｍ＝３のときにはシ
リコン窒化膜とシリコン酸化膜との膜厚の関係およびシ
リコン窒化膜の膜厚と透過率Ｔとの関係は図６（ａ）、
（ｂ）に示すようになった。
【００９４】特に図６（ａ）と図５（ａ）とを比較し
て、シリコン窒化膜の膜厚とシリコン酸化膜の膜厚との
和は、ｍ＝１のときよりもｍ＝３のときの方が大きくな
ることがわかる。このため、位相シフトマスクのシリコ
ン窒化膜とシリコン酸化膜との積層膜による段差を小さ
くするには、式（１）においてはｍ＝１が好ましいこと
が判明した。
て、シリコン窒化膜の膜厚とシリコン酸化膜の膜厚との
和は、ｍ＝１のときよりもｍ＝３のときの方が大きくな
ることがわかる。このため、位相シフトマスクのシリコ
ン窒化膜とシリコン酸化膜との積層膜による段差を小さ
くするには、式（１）においてはｍ＝１が好ましいこと
が判明した。
【００９５】また図１に示す本実施の形態の位相シフト
マスクでは、位相シフタとして、シリコン窒化膜３とシ
リコン酸化膜５との積層膜を用いている。このため、シ
フタの残り欠陥の修正を容易かつ正確に行なうことがで
きるとともに、シフタの残り欠陥の正確な検出が可能と
なる。以下、そのことについて詳細に説明する。
マスクでは、位相シフタとして、シリコン窒化膜３とシ
リコン酸化膜５との積層膜を用いている。このため、シ
フタの残り欠陥の修正を容易かつ正確に行なうことがで
きるとともに、シフタの残り欠陥の正確な検出が可能と
なる。以下、そのことについて詳細に説明する。
【００９６】図７に示すように、位相シフタ部３０１と
透明基板３０１とが一体化された位相シフトマスクにお
いては、シフタ残り欠陥３０１ａは、透明基板３０１と
同一の材料で形成されることになる。
透明基板３０１とが一体化された位相シフトマスクにお
いては、シフタ残り欠陥３０１ａは、透明基板３０１と
同一の材料で形成されることになる。
【００９７】このシフタ残り欠陥の修正方法として、現
在最有力に考えられているのは、ガスアシストＦＩＢ
（Focussed Ion Beam ）である。この方法は、キセノン
フロライド（ＸｅＦ）などのガスを流しながらガリウム
（Ｇａ）イオンビームを小さく成形してシフタ残り欠陥
３０１ａに照射することで局所的なエッチングを施すも
のである。
在最有力に考えられているのは、ガスアシストＦＩＢ
（Focussed Ion Beam ）である。この方法は、キセノン
フロライド（ＸｅＦ）などのガスを流しながらガリウム
（Ｇａ）イオンビームを小さく成形してシフタ残り欠陥
３０１ａに照射することで局所的なエッチングを施すも
のである。
【００９８】しかし、図７に示すように、位相シフタ部
と透明基板３０１とが同一材料より形成された場合に
は、シフタ残り欠陥３０１ａと透明基板３０１との選択
比が原理的に取れなくなってしまう。このため、図８に
示すようにイオンビーム３００を照射すると、シフタ残
り欠陥３０１ａ以外の本来正常な基板部分までもがエッ
チングされてしまう。また、シフタ残り欠陥３０１ａと
基板３０１との選択比が原理的に取れないため、イオン
ビーム３００によるエッチングの正確な停止が困難であ
る。このため、大きな位相誤差が生じたりするなど多く
の欠点があるため、現状では実用化は困難であると考え
られている。
と透明基板３０１とが同一材料より形成された場合に
は、シフタ残り欠陥３０１ａと透明基板３０１との選択
比が原理的に取れなくなってしまう。このため、図８に
示すようにイオンビーム３００を照射すると、シフタ残
り欠陥３０１ａ以外の本来正常な基板部分までもがエッ
チングされてしまう。また、シフタ残り欠陥３０１ａと
基板３０１との選択比が原理的に取れないため、イオン
ビーム３００によるエッチングの正確な停止が困難であ
る。このため、大きな位相誤差が生じたりするなど多く
の欠点があるため、現状では実用化は困難であると考え
られている。
【００９９】一方、本実施の形態の位相シフトマスクで
は、位相シフタが、透明基板１と異なる材料よりなるシ
リコン窒化膜３とシリコン酸化膜５とからなっている。
このため、図９に示すように位相シフタのシフタ残り欠
陥３ａが生じた場合でも、ガスアシストＦＩＢに使用す
るガスをＣＨＦ3 、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ8 などのＣＦ系のガ
スとすると、透明基板１とシフタ残り欠陥３ａとの選択
比の高いエッチングが可能となる。よって、図７および
図８に示す従来例に比べ、本実施の形態の位相シフトマ
スクの構造では、欠陥修正を容易かつ正確に行なうこと
ができる。
は、位相シフタが、透明基板１と異なる材料よりなるシ
リコン窒化膜３とシリコン酸化膜５とからなっている。
このため、図９に示すように位相シフタのシフタ残り欠
陥３ａが生じた場合でも、ガスアシストＦＩＢに使用す
るガスをＣＨＦ3 、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ8 などのＣＦ系のガ
スとすると、透明基板１とシフタ残り欠陥３ａとの選択
比の高いエッチングが可能となる。よって、図７および
図８に示す従来例に比べ、本実施の形態の位相シフトマ
スクの構造では、欠陥修正を容易かつ正確に行なうこと
ができる。
【０１００】また図１０に示す従来の位相シフトマスク
のように、位相シフタ部と透明基板とが一体的に形成さ
れている場合において、シフタ残り欠陥３０１ｂがエッ
ジのない滑らかな形状となる場合もある。この場合に
は、欠陥検査器の顕微鏡像において、散乱による光の減
衰がないため、シフタ残り欠陥３０１ｂの顕微鏡像のコ
ントラストが現れず、シフタ残り欠陥３０１ｂの検出が
不可能であった。
のように、位相シフタ部と透明基板とが一体的に形成さ
れている場合において、シフタ残り欠陥３０１ｂがエッ
ジのない滑らかな形状となる場合もある。この場合に
は、欠陥検査器の顕微鏡像において、散乱による光の減
衰がないため、シフタ残り欠陥３０１ｂの顕微鏡像のコ
ントラストが現れず、シフタ残り欠陥３０１ｂの検出が
不可能であった。
【０１０１】一方、本実施の形態の位相シフトマスクで
は、図９に示すようにシフタ残り欠陥３ａは透明基板１
の材質と異なるシリコン窒化膜より形成されることにな
る。
は、図９に示すようにシフタ残り欠陥３ａは透明基板１
の材質と異なるシリコン窒化膜より形成されることにな
る。
【０１０２】ここで、シリコン窒化膜の透過率は、図１
１に示すように２００ｎｍ以下の波長においては急激に
低下するが、シリコン酸化膜の透過率は１７０ｎｍまで
十分な透過率を有する。すなわち、１７０〜２００ｎｍ
の波長の光を用いて透過光による欠陥検査を行なえば、
たとえ図９に示すシフタ残り欠陥３ａの形状が滑らかで
あっても、シリコン窒化膜よりなるシフタ残り欠陥３ａ
の存在する部分は十分に暗くなり、存在しない部分との
間に十分なコントラストを得ることが可能となる。
１に示すように２００ｎｍ以下の波長においては急激に
低下するが、シリコン酸化膜の透過率は１７０ｎｍまで
十分な透過率を有する。すなわち、１７０〜２００ｎｍ
の波長の光を用いて透過光による欠陥検査を行なえば、
たとえ図９に示すシフタ残り欠陥３ａの形状が滑らかで
あっても、シリコン窒化膜よりなるシフタ残り欠陥３ａ
の存在する部分は十分に暗くなり、存在しない部分との
間に十分なコントラストを得ることが可能となる。
【０１０３】以上より、本実施の形態の位相シフトマス
クの構成においては、１７０〜２００ｎｍの波長を有す
る光による欠陥検査により、従来では不可能であった滑
らかな形状を持つシフタ残り欠陥の検出が可能となる。
クの構成においては、１７０〜２００ｎｍの波長を有す
る光による欠陥検査により、従来では不可能であった滑
らかな形状を持つシフタ残り欠陥の検出が可能となる。
【０１０４】次に、本実施の形態の位相シフトマスクの
製造方法の一例について以下に説明する。
製造方法の一例について以下に説明する。
【０１０５】図１２〜図１７は、本発明の実施の形態１
における位相シフトマスクの製造方法の一例を工程順に
示す概略断面図である。まず図１２を参照して、石英よ
りなる透明基板１の表面上にシリコン窒化膜３と、シリ
コン酸化膜５と、酸化クロム（ＣｒＯ）膜７ａと、クロ
ム（Ｃｒ）膜７ｂと、酸化クロム膜７ｃと、ＥＢ（Elec
ton Beam）レジスト９ａとが順に形成される。
における位相シフトマスクの製造方法の一例を工程順に
示す概略断面図である。まず図１２を参照して、石英よ
りなる透明基板１の表面上にシリコン窒化膜３と、シリ
コン酸化膜５と、酸化クロム（ＣｒＯ）膜７ａと、クロ
ム（Ｃｒ）膜７ｂと、酸化クロム膜７ｃと、ＥＢ（Elec
ton Beam）レジスト９ａとが順に形成される。
【０１０６】ここでシリコン窒化膜３は、６００〜８０
０℃の温度でのＬＰＣＶＤ法により、１５７０±４７Å
の膜厚で形成される。またこのシリコン窒化膜３は、２
５０〜４５０℃の温度でのプラズマＣＶＤ法により形成
されてもよい。
０℃の温度でのＬＰＣＶＤ法により、１５７０±４７Å
の膜厚で形成される。またこのシリコン窒化膜３は、２
５０〜４５０℃の温度でのプラズマＣＶＤ法により形成
されてもよい。
【０１０７】シリコン酸化膜５は、たとえば６００〜８
００℃の温度でのＬＰＣＶＤ法により、２４０±１０８
Åの膜厚で形成される。またこのシリコン酸化膜５は、
２５０〜４５０℃の温度でのプラズマＣＶＤ法により形
成されてもよい。
００℃の温度でのＬＰＣＶＤ法により、２４０±１０８
Åの膜厚で形成される。またこのシリコン酸化膜５は、
２５０〜４５０℃の温度でのプラズマＣＶＤ法により形
成されてもよい。
【０１０８】酸化クロム膜７ａはたとえば３００Åで、
クロム膜７ｂは８００Åで、酸化クロム膜７ｃは３００
Åで、ＥＢレジスト９ａは５０００Åの膜厚で各々形成
される。このようにして位相シフトマスク用ブランクス
が準備される。
クロム膜７ｂは８００Åで、酸化クロム膜７ｃは３００
Åで、ＥＢレジスト９ａは５０００Åの膜厚で各々形成
される。このようにして位相シフトマスク用ブランクス
が準備される。
【０１０９】図１３を参照して、ＥＢ描画により遮光パ
ターンに対応するレジストパターン９ａが形成される。
このレジストパターン９ａをマスクとしてウエットエッ
チングにより、クロム３層膜７ａ、７ｂ、７ｃがパター
ニングされ、遮光パターン７が形成される。この後、レ
ジストパターン９ａが除去され、遮光パターン７の欠陥
が検査、修正される。
ターンに対応するレジストパターン９ａが形成される。
このレジストパターン９ａをマスクとしてウエットエッ
チングにより、クロム３層膜７ａ、７ｂ、７ｃがパター
ニングされ、遮光パターン７が形成される。この後、レ
ジストパターン９ａが除去され、遮光パターン７の欠陥
が検査、修正される。
【０１１０】図１４を参照して、位相シフタ作成のため
にＥＢレジスト９ｂが塗布され、ＥＢ描画によりパター
ニングされる。
にＥＢレジスト９ｂが塗布され、ＥＢ描画によりパター
ニングされる。
【０１１１】図１５を参照して、ＥＢレジスト９ｂと遮
光パターン７とをマスクとして、バッファ弗酸（ＨＦ）
溶液によりシリコン酸化膜５にウエットエッチングが施
される。これにより、シリコン窒化膜３の表面が露出す
るとともに、遮光パターン７の下面に接するシリコン酸
化膜５も除去され、シリコン酸化膜５の側壁５ａはラウ
ンド形状となる。
光パターン７とをマスクとして、バッファ弗酸（ＨＦ）
溶液によりシリコン酸化膜５にウエットエッチングが施
される。これにより、シリコン窒化膜３の表面が露出す
るとともに、遮光パターン７の下面に接するシリコン酸
化膜５も除去され、シリコン酸化膜５の側壁５ａはラウ
ンド形状となる。
【０１１２】図１６を参照して、さらにＣＨＦ3 、
Ｏ2 、Ａｒなどの混合ガスもしくはＣＨＦ3 、ＣＯ2 、
Ａｒなどの混合ガスによるＣＦ系のＲＩＥ（Reactive I
on Etching）により、露出するシリコン窒化膜３の表面
に異方性エッチングが施される。このとき、透明基板１
の表面からの残膜が０．０２〜０．０４μｍとなるよう
にこのエッチングが停止される。このエッチングによ
り、シリコン窒化膜３に溝３ａが形成される。この後、
ＥＢレジストパターン９ｂが除去される。
Ｏ2 、Ａｒなどの混合ガスもしくはＣＨＦ3 、ＣＯ2 、
Ａｒなどの混合ガスによるＣＦ系のＲＩＥ（Reactive I
on Etching）により、露出するシリコン窒化膜３の表面
に異方性エッチングが施される。このとき、透明基板１
の表面からの残膜が０．０２〜０．０４μｍとなるよう
にこのエッチングが停止される。このエッチングによ
り、シリコン窒化膜３に溝３ａが形成される。この後、
ＥＢレジストパターン９ｂが除去される。
【０１１３】次に、Ｈ3 ＰＯ4 （リン酸）が８７％、Ｈ
2 Ｏが１３％の割合で混合されたリン酸水溶液を１６０
℃に加熱した、いわゆる熱リン酸により、溝３ａの内壁
面に等方性エッチングが施される。
2 Ｏが１３％の割合で混合されたリン酸水溶液を１６０
℃に加熱した、いわゆる熱リン酸により、溝３ａの内壁
面に等方性エッチングが施される。
【０１１４】図１７を参照して、このエッチングによ
り、透明基板１の表面が露出するとともに、シリコン酸
化膜５の下面に接するシリコン窒化膜３が除去される。
これにより、シリコン窒化膜３の側壁３ｂがラウンド形
状となる。この後、シフタの欠陥検査および修正が行な
われて位相シフトマスクが完成する。
り、透明基板１の表面が露出するとともに、シリコン酸
化膜５の下面に接するシリコン窒化膜３が除去される。
これにより、シリコン窒化膜３の側壁３ｂがラウンド形
状となる。この後、シフタの欠陥検査および修正が行な
われて位相シフトマスクが完成する。
【０１１５】次に、この製造方法の特徴について説明す
る。この製造方法では、図１２に示すようにアルミナの
代わりにシリコン窒化膜３が用いられている。このシリ
コン窒化膜３は、上述したように、ＣＶＤ法により１０
００°以下の温度で成膜することができる。このため、
アルミナをスパッタ法で形成するときのように大きな溶
融物が透明基板１上に落ちることはない。またアルミナ
をＣＶＤ法により形成するときのように１０００℃以上
の高温にすることによる透明基板１の歪みも防止でき
る。よって、欠陥が少なく、かつ解像度の高い位相シフ
トマスクを得ることができる。
る。この製造方法では、図１２に示すようにアルミナの
代わりにシリコン窒化膜３が用いられている。このシリ
コン窒化膜３は、上述したように、ＣＶＤ法により１０
００°以下の温度で成膜することができる。このため、
アルミナをスパッタ法で形成するときのように大きな溶
融物が透明基板１上に落ちることはない。またアルミナ
をＣＶＤ法により形成するときのように１０００℃以上
の高温にすることによる透明基板１の歪みも防止でき
る。よって、欠陥が少なく、かつ解像度の高い位相シフ
トマスクを得ることができる。
【０１１６】この製造方法では、図１６と図１７との工
程において、熱リン酸によるウエットエッチングが施さ
れる。この熱リン酸は、シリコン窒化膜のシリコン酸化
膜に対するエッチング選択比（ＳｉＮ／ＳｉＯ）が非常
に大きい（＞１０００）。すなわち、この熱リン酸によ
るシリコン窒化膜３のウエットエッチングでは、透明基
板１がほぼ理想的なエッチングストッパとして働く。こ
のため、高選択のＲＩＥを用いたときより、シリコン窒
化膜３のみで十分正確にエッチングを停止させることが
できる。よって、エッチングの選択比が小さいことに起
因する位相誤差を全く発生させないことが可能である。
したがって高精度の位相シフトマスクの作成が可能とな
る。
程において、熱リン酸によるウエットエッチングが施さ
れる。この熱リン酸は、シリコン窒化膜のシリコン酸化
膜に対するエッチング選択比（ＳｉＮ／ＳｉＯ）が非常
に大きい（＞１０００）。すなわち、この熱リン酸によ
るシリコン窒化膜３のウエットエッチングでは、透明基
板１がほぼ理想的なエッチングストッパとして働く。こ
のため、高選択のＲＩＥを用いたときより、シリコン窒
化膜３のみで十分正確にエッチングを停止させることが
できる。よって、エッチングの選択比が小さいことに起
因する位相誤差を全く発生させないことが可能である。
したがって高精度の位相シフトマスクの作成が可能とな
る。
【０１１７】また、熱リン酸によるウエットエッチング
を施すことで、図１７に示すようにシリコン窒化膜３の
側壁３ｂは、遮光パターン７の端面から遮光パターン７
の下側へ寸法ｄ2 だけ回り込む。このため、斜めに入射
してシフタ層３、５を透過し、透過光Ａ0 を打消す位相
となった透過光Ａ1 は遮光パターン７によってその進行
が妨げられる。よって、透過光Ａ1 のように斜めに入射
した光によって透過光Ａ0 の光が打消されることがなく
なるため、透過光の強度が低下することが防止される。
この効果は、熱リン酸によるエッチング量を適切に選ぶ
ことにより、より効果的に得られる。
を施すことで、図１７に示すようにシリコン窒化膜３の
側壁３ｂは、遮光パターン７の端面から遮光パターン７
の下側へ寸法ｄ2 だけ回り込む。このため、斜めに入射
してシフタ層３、５を透過し、透過光Ａ0 を打消す位相
となった透過光Ａ1 は遮光パターン７によってその進行
が妨げられる。よって、透過光Ａ1 のように斜めに入射
した光によって透過光Ａ0 の光が打消されることがなく
なるため、透過光の強度が低下することが防止される。
この効果は、熱リン酸によるエッチング量を適切に選ぶ
ことにより、より効果的に得られる。
【０１１８】さらに、たとえばシリコン酸化膜５のエッ
チング時などに図１８に示すようにごみなどの残留物５
ｄが残った場合、シリコン窒化膜３の異方性エッチング
時にシフタ残り欠陥３ｄが生じてしまう。しかし、熱リ
ン酸による等方性エッチングを用いることで、この微小
なシフタ残り欠陥３ｄを図１９に示すように自動的に消
滅させることができる。このため、プロセス完了時（検
査／修正前）の欠陥を大幅に低減することが可能であ
る。
チング時などに図１８に示すようにごみなどの残留物５
ｄが残った場合、シリコン窒化膜３の異方性エッチング
時にシフタ残り欠陥３ｄが生じてしまう。しかし、熱リ
ン酸による等方性エッチングを用いることで、この微小
なシフタ残り欠陥３ｄを図１９に示すように自動的に消
滅させることができる。このため、プロセス完了時（検
査／修正前）の欠陥を大幅に低減することが可能であ
る。
【０１１９】実施の形態２ 図２０は、本発明の実施の形態２における位相シフトマ
スクの構成を示す概略断面図である。図２０を参照し
て、透明基板１の表面上に、第１の透過領域Ｔａを覆い
かつ第２の透過領域Ｔｎを露出するようにシリコン窒化
膜３が形成されている。このシリコン窒化膜３の側壁３
ｆは、ラウンド形状を有している。シリコン酸化膜５
は、第１の光透過領域Ｔａではシリコン窒化膜３上を覆
うように、かつ第２の光透過領域Ｔｎでは透明基板１の
表面を覆うように形成されている。遮光膜７は、第１の
光透過領域Ｔａと第２の光透過領域Ｔｎとの間に挟まれ
る遮光領域Ｓにおいて透明基板１上を覆うように形成さ
れている。この遮光膜７は、酸化クロム膜７ａと、クロ
ム膜７ｂと、酸化クロム膜７ｃとの３層積層構造よりな
っている。
スクの構成を示す概略断面図である。図２０を参照し
て、透明基板１の表面上に、第１の透過領域Ｔａを覆い
かつ第２の透過領域Ｔｎを露出するようにシリコン窒化
膜３が形成されている。このシリコン窒化膜３の側壁３
ｆは、ラウンド形状を有している。シリコン酸化膜５
は、第１の光透過領域Ｔａではシリコン窒化膜３上を覆
うように、かつ第２の光透過領域Ｔｎでは透明基板１の
表面を覆うように形成されている。遮光膜７は、第１の
光透過領域Ｔａと第２の光透過領域Ｔｎとの間に挟まれ
る遮光領域Ｓにおいて透明基板１上を覆うように形成さ
れている。この遮光膜７は、酸化クロム膜７ａと、クロ
ム膜７ｂと、酸化クロム膜７ｃとの３層積層構造よりな
っている。
【０１２０】露光光にｉ線を用いる場合には、シリコン
窒化膜３は１６８０±４７Åの膜厚に設定され、シリコ
ン酸化膜５は６５０±１５０Åの膜厚に設定される。ま
た、露光光にＫｒＦエキシマ光を用いる場合には、シリ
コン窒化膜３は９８０±２６Åの膜厚に設定され、シリ
コン酸化膜５は４２０±１００Åの膜厚に設定される。
なお、この膜厚は、実施の形態１と同様にして求められ
たものである。
窒化膜３は１６８０±４７Åの膜厚に設定され、シリコ
ン酸化膜５は６５０±１５０Åの膜厚に設定される。ま
た、露光光にＫｒＦエキシマ光を用いる場合には、シリ
コン窒化膜３は９８０±２６Åの膜厚に設定され、シリ
コン酸化膜５は４２０±１００Åの膜厚に設定される。
なお、この膜厚は、実施の形態１と同様にして求められ
たものである。
【０１２１】このようにシリコン窒化膜３とシリコン酸
化膜５との膜厚を規定したことにより、第１および第２
の光透過領域Ｔａ、Ｔｎの透過光量が略同一で、かつ第
１および第２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎを透過した各透過
光の位相差が実質上１８０°となる位相シフトマスクが
得られる。
化膜５との膜厚を規定したことにより、第１および第２
の光透過領域Ｔａ、Ｔｎの透過光量が略同一で、かつ第
１および第２の光透過領域Ｔａ、Ｔｎを透過した各透過
光の位相差が実質上１８０°となる位相シフトマスクが
得られる。
【０１２２】また、実施の形態１と同様、シリコン窒化
膜３とシリコン酸化膜５との膜厚の和を小さくすること
ができるため、オーバエッチングによる位相誤差を小さ
くでき、洗浄などの工程時にパターンの剥がれを防止で
き、かつ透過光の光量が幾何学的な効果により減少する
ことも防止できる。
膜３とシリコン酸化膜５との膜厚の和を小さくすること
ができるため、オーバエッチングによる位相誤差を小さ
くでき、洗浄などの工程時にパターンの剥がれを防止で
き、かつ透過光の光量が幾何学的な効果により減少する
ことも防止できる。
【０１２３】次に、本実施の形態の位相シフトマスクの
製造方法について説明する。図２１〜図２４は、本発明
の実施の形態２における位相シフトマスクの製造方法の
一例を工程順に示す概略断面図である。
製造方法について説明する。図２１〜図２４は、本発明
の実施の形態２における位相シフトマスクの製造方法の
一例を工程順に示す概略断面図である。
【０１２４】まず図２１を参照して、石英基板１上に、
シリコン窒化膜３とクロム膜１１とＥＢレジスト９ｃと
が順に積層して形成される。ここで、シリコン窒化膜３
は、たとえば６００〜８００℃の温度でのＬＰＣＶＤ法
により、１６８０±４７Åの膜厚で形成される。またシ
リコン窒化膜３は、２５０〜４５０℃の温度でのプラズ
マＣＶＤ法により形成されてもよい。またクロム膜１１
は、たとえば１０００Åの膜厚で、ＥＢレジスト９ｃは
５０００Åの膜厚で形成される。
シリコン窒化膜３とクロム膜１１とＥＢレジスト９ｃと
が順に積層して形成される。ここで、シリコン窒化膜３
は、たとえば６００〜８００℃の温度でのＬＰＣＶＤ法
により、１６８０±４７Åの膜厚で形成される。またシ
リコン窒化膜３は、２５０〜４５０℃の温度でのプラズ
マＣＶＤ法により形成されてもよい。またクロム膜１１
は、たとえば１０００Åの膜厚で、ＥＢレジスト９ｃは
５０００Åの膜厚で形成される。
【０１２５】このようにして、位相シフトマスク用ブラ
ンクスが準備される。次にＥＢレジスト９ｃがＥＢ描画
によりパターニングされる。このレジストパターンをマ
スクとして、クロム膜１１にウエットエッチングが施さ
れる。なお、クロム膜１１の代わりに不純物が導入され
たシリコン膜が１０００Åの膜厚で形成されてもよい。
この後、レジストパターン９ｃが除去され、クロム膜の
欠陥が修正される。
ンクスが準備される。次にＥＢレジスト９ｃがＥＢ描画
によりパターニングされる。このレジストパターンをマ
スクとして、クロム膜１１にウエットエッチングが施さ
れる。なお、クロム膜１１の代わりに不純物が導入され
たシリコン膜が１０００Åの膜厚で形成されてもよい。
この後、レジストパターン９ｃが除去され、クロム膜の
欠陥が修正される。
【０１２６】図２２を参照して、上記のウエットエッチ
ングにより、クロム膜パターン１１が形成される。この
クロム膜パターン１１をマスクとして、上述したいわゆ
る熱リン酸によりシリコン窒化膜３にウエットエッチン
グが施される。
ングにより、クロム膜パターン１１が形成される。この
クロム膜パターン１１をマスクとして、上述したいわゆ
る熱リン酸によりシリコン窒化膜３にウエットエッチン
グが施される。
【０１２７】図２３を参照して、このウエットエッチン
グにより、透明基板１の表面が露出するように、かつク
ロム膜パターン１１の下側へ回り込むようにシリコン窒
化膜３が除去される。これにより、シリコン窒化膜３の
側壁３ｆはラウンド形状となる。この後、希弗酸でわず
かに（≦１００Å）エッチングが施される。このエッチ
ングは、シリコン窒化膜３の膜厚の形成誤差による位相
誤差を補正することを目的としている。
グにより、透明基板１の表面が露出するように、かつク
ロム膜パターン１１の下側へ回り込むようにシリコン窒
化膜３が除去される。これにより、シリコン窒化膜３の
側壁３ｆはラウンド形状となる。この後、希弗酸でわず
かに（≦１００Å）エッチングが施される。このエッチ
ングは、シリコン窒化膜３の膜厚の形成誤差による位相
誤差を補正することを目的としている。
【０１２８】この後、クロム膜パターン１１がウエット
エッチングにより全面除去される。図２４を参照して、
シリコン酸化膜５が、たとえば６００〜８００℃の温度
でのＬＰＣＶＤ法により、６５０±１５０Åの膜厚で形
成される。またシリコン酸化膜５は、２５０〜４５０℃
の温度でのプラズマＣＶＤ法により形成されてもよい。
このシリコン酸化膜５上に、たとえば３００Åの膜厚の
酸化クロム膜７ａと、８００Åの膜厚のクロム膜７ｂ
と、３００Åの酸化クロム膜７ｃとが順に積層して形成
される。
エッチングにより全面除去される。図２４を参照して、
シリコン酸化膜５が、たとえば６００〜８００℃の温度
でのＬＰＣＶＤ法により、６５０±１５０Åの膜厚で形
成される。またシリコン酸化膜５は、２５０〜４５０℃
の温度でのプラズマＣＶＤ法により形成されてもよい。
このシリコン酸化膜５上に、たとえば３００Åの膜厚の
酸化クロム膜７ａと、８００Åの膜厚のクロム膜７ｂ
と、３００Åの酸化クロム膜７ｃとが順に積層して形成
される。
【０１２９】この後、ＥＢレジスト（図示せず）が塗布
された後、パターニングされる。このレジストパターン
をマスクとしてクロム３層膜７ａ、７ｂ、７ｃがウエッ
トエッチングによりパターニングされる。この後、レジ
ストパターンが除去され、クロム膜７ａ、７ｂ、７ｃの
欠陥検査、修正が行なわれて、図２０に示す位相シフト
マスクが完成する。
された後、パターニングされる。このレジストパターン
をマスクとしてクロム３層膜７ａ、７ｂ、７ｃがウエッ
トエッチングによりパターニングされる。この後、レジ
ストパターンが除去され、クロム膜７ａ、７ｂ、７ｃの
欠陥検査、修正が行なわれて、図２０に示す位相シフト
マスクが完成する。
【０１３０】次に、この製造方法の特徴について説明す
る。この製造方法では、図２１に示すようにアルミナの
代わりにシリコン窒化膜３が用いられる。このシリコン
窒化膜３は、ＣＶＤ法でそれほど高温にすることなく成
膜できる。このため、アルミナをスパッタ法で形成する
ときのように大きな溶融物が透明基板１上に落ちること
はない。また、アルミナをＣＶＤ法で形成するときのよ
うに１０００℃以上の高温にすることにより透明基板１
が歪んだりすることもない。よって、欠陥が少なく、か
つ解像度の高い位相シフトマスクを得ることができる。
る。この製造方法では、図２１に示すようにアルミナの
代わりにシリコン窒化膜３が用いられる。このシリコン
窒化膜３は、ＣＶＤ法でそれほど高温にすることなく成
膜できる。このため、アルミナをスパッタ法で形成する
ときのように大きな溶融物が透明基板１上に落ちること
はない。また、アルミナをＣＶＤ法で形成するときのよ
うに１０００℃以上の高温にすることにより透明基板１
が歪んだりすることもない。よって、欠陥が少なく、か
つ解像度の高い位相シフトマスクを得ることができる。
【０１３１】また図２２と図２３との工程において熱リ
ン酸によるウエットエッチングが施される。このため、
実施の形態１で説明したと同様、透明基板１で熱リン酸
によるウエットエッチングが完全に停止するため、高精
度の位相シフトマスクを作成することが可能となる。
ン酸によるウエットエッチングが施される。このため、
実施の形態１で説明したと同様、透明基板１で熱リン酸
によるウエットエッチングが完全に停止するため、高精
度の位相シフトマスクを作成することが可能となる。
【０１３２】また図２１と図２２との工程で、クロム膜
パターン１１形成時に図２５に示すようにごみなどの残
留物１１ａが生ずる場合がある。この状態でシリコン窒
化膜３に異方性エッチングが施された場合には、残留物
１１ａの真下に位置するシリコン窒化膜３が残存し、シ
フタの残り欠陥が生ずることとなる。これに対して本実
施の形態の製造方法では、この異方性エッチングの後、
熱リン酸によるウエットエッチングが行なわれる。この
ため、図２６に示すように残留物１１ａの下層のシリコ
ン窒化膜３も除去される。
パターン１１形成時に図２５に示すようにごみなどの残
留物１１ａが生ずる場合がある。この状態でシリコン窒
化膜３に異方性エッチングが施された場合には、残留物
１１ａの真下に位置するシリコン窒化膜３が残存し、シ
フタの残り欠陥が生ずることとなる。これに対して本実
施の形態の製造方法では、この異方性エッチングの後、
熱リン酸によるウエットエッチングが行なわれる。この
ため、図２６に示すように残留物１１ａの下層のシリコ
ン窒化膜３も除去される。
【０１３３】すなわち、等方性エッチングでは、エッチ
ャントの回り込み性がよいため、残留物１１ａの下側に
までエッチャントが回り込む。よって、残留物１１ａの
下側領域に分布するシリコン窒化膜３が除去され、残留
物１１ａはその下層を失ってシリコン窒化膜３から脱落
する。よって、本実施の形態の製造方法によれば残り欠
陥が生じにくく、それにより良好な解像度を有する高精
度な位相シフトマスクを得ることができる。
ャントの回り込み性がよいため、残留物１１ａの下側に
までエッチャントが回り込む。よって、残留物１１ａの
下側領域に分布するシリコン窒化膜３が除去され、残留
物１１ａはその下層を失ってシリコン窒化膜３から脱落
する。よって、本実施の形態の製造方法によれば残り欠
陥が生じにくく、それにより良好な解像度を有する高精
度な位相シフトマスクを得ることができる。
【０１３４】また熱リン酸によるウエットエッチングを
用いることで、＜１Å／ｓｅｃの制御が可能で位相誤差
補正を高精度に行なうことが可能となる。
用いることで、＜１Å／ｓｅｃの制御が可能で位相誤差
補正を高精度に行なうことが可能となる。
【０１３５】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【０１３６】
【発明の効果】本発明の１の局面に従う位相シフトマス
クでは、アルミナの代わりにシリコン窒化膜が用いられ
ている。このシリコン窒化膜はＣＶＤ法でそれほど高温
にすることなく成膜することができる。このため、アル
ミナをスパッタ法で形成するときのように、大きな溶融
物が透明基板上に落ちることはない。また、アルミナを
ＣＶＤ法で形成するときのように、１０００℃以上の高
温にすることにより透明基板が歪んだりすることもな
い。よって、欠陥が少なく、かつ解像度の高い位相シフ
トマスクを得ることができる。
クでは、アルミナの代わりにシリコン窒化膜が用いられ
ている。このシリコン窒化膜はＣＶＤ法でそれほど高温
にすることなく成膜することができる。このため、アル
ミナをスパッタ法で形成するときのように、大きな溶融
物が透明基板上に落ちることはない。また、アルミナを
ＣＶＤ法で形成するときのように、１０００℃以上の高
温にすることにより透明基板が歪んだりすることもな
い。よって、欠陥が少なく、かつ解像度の高い位相シフ
トマスクを得ることができる。
【０１３７】また、シリコン酸化膜およびシリコン窒化
膜の膜厚を適正に制御することにより、遮光領域を挟ん
で隣り合う光透過領域から透過された各透過光の位相は
実質上１８０°異なり、かつ各透過光の光量は互いに等
しくすることができる。これにより、高精度な位相シフ
トマスクを得ることができる。
膜の膜厚を適正に制御することにより、遮光領域を挟ん
で隣り合う光透過領域から透過された各透過光の位相は
実質上１８０°異なり、かつ各透過光の光量は互いに等
しくすることができる。これにより、高精度な位相シフ
トマスクを得ることができる。
【０１３８】本発明の他の局面に従う位相シフトマスク
でも、１の局面と同様、アルミナの代わりにシリコン窒
化膜が用いられているため、欠陥が少なく、かつ解像度
の高い位相シフトマスクを得ることができる。
でも、１の局面と同様、アルミナの代わりにシリコン窒
化膜が用いられているため、欠陥が少なく、かつ解像度
の高い位相シフトマスクを得ることができる。
【０１３９】また、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜と
の膜厚を適正に制御することにより、遮光領域を挟んで
隣り合う光透過領域から透過された各透過光の位相は実
質上１８０°異なり、かつ各透過光の光量は互いに等し
くすることができる。これにより、高精度な位相シフト
マスクを得ることができる。
の膜厚を適正に制御することにより、遮光領域を挟んで
隣り合う光透過領域から透過された各透過光の位相は実
質上１８０°異なり、かつ各透過光の光量は互いに等し
くすることができる。これにより、高精度な位相シフト
マスクを得ることができる。
【０１４０】本発明の他の局面に位相シフトマスク用ブ
ランクスを用いて位相シフトマスクを製造することによ
り、遮光領域を挟んで隣り合う光透過領域から透過され
た各透過光の位相は実質上１８０°異なり、かつ各透過
光の光量は互いに等しくすることができる。これにより
高精度な位相シフトマスクを得ることができる。
ランクスを用いて位相シフトマスクを製造することによ
り、遮光領域を挟んで隣り合う光透過領域から透過され
た各透過光の位相は実質上１８０°異なり、かつ各透過
光の光量は互いに等しくすることができる。これにより
高精度な位相シフトマスクを得ることができる。
【０１４１】また本発明の１および他の局面に従う位相
シフトマスクの製造方法では、アルミナの代わりにシリ
コン窒化膜を用いているため、上述したように欠陥が少
なく、かつ解像度の高い位相シフトマスクを得ることが
できる。
シフトマスクの製造方法では、アルミナの代わりにシリ
コン窒化膜を用いているため、上述したように欠陥が少
なく、かつ解像度の高い位相シフトマスクを得ることが
できる。
【０１４２】また、遮光領域を挟んで隣り合う光透過領
域から透過された各透過光の位相は実質上１８０°異な
り、かつ各透過光の光量は互いに等しくすることができ
る。これにより、高精度な位相シフトマスクを得ること
ができる。
域から透過された各透過光の位相は実質上１８０°異な
り、かつ各透過光の光量は互いに等しくすることができ
る。これにより、高精度な位相シフトマスクを得ること
ができる。
【図１】 本発明の実施の形態１における位相シフトマ
スクの構成を概略的に示す断面図である。
スクの構成を概略的に示す断面図である。
【図２】 露光光にｉ線を用いた場合の図１に示す位相
シフトマスクのシリコン窒化膜とシリコン酸化膜との膜
厚を変化させた場合の第１の光透過領域Ｔａの透過率を
シミュレーションした結果を示す透過率の等高線図であ
る。
シフトマスクのシリコン窒化膜とシリコン酸化膜との膜
厚を変化させた場合の第１の光透過領域Ｔａの透過率を
シミュレーションした結果を示す透過率の等高線図であ
る。
【図３】 図１において第１および第２の光透過領域Ｔ
ａ、Ｔｎの位相差が１８０°となるときのシリコン窒化
膜の膜厚とシリコン酸化膜の膜厚との関係を示すグラフ
（ａ）と、シリコン窒化膜の膜厚と透過率Ｔとの関係を
示すグラフ（ｂ）である。
ａ、Ｔｎの位相差が１８０°となるときのシリコン窒化
膜の膜厚とシリコン酸化膜の膜厚との関係を示すグラフ
（ａ）と、シリコン窒化膜の膜厚と透過率Ｔとの関係を
示すグラフ（ｂ）である。
【図４】 露光光にＫｒＦエキシマ光を用いた場合に図
１に示すシリコン窒化膜とシリコン酸化膜との膜厚を変
化させたときの透過率をシミュレーションした結果を示
す透過率の等高線図である。
１に示すシリコン窒化膜とシリコン酸化膜との膜厚を変
化させたときの透過率をシミュレーションした結果を示
す透過率の等高線図である。
【図５】 図１において第１および第２の光透過領域Ｔ
ａ、Ｔｎの透明光の位相差が１８０°となるときのシリ
コン窒化膜とシリコン酸化膜との膜厚の関係を示すグラ
フ（ａ）と、シリコン窒化膜の膜厚と透過率Ｔとの関係
を示すグラフ（ｂ）である。
ａ、Ｔｎの透明光の位相差が１８０°となるときのシリ
コン窒化膜とシリコン酸化膜との膜厚の関係を示すグラ
フ（ａ）と、シリコン窒化膜の膜厚と透過率Ｔとの関係
を示すグラフ（ｂ）である。
【図６】 図１において第１および第２の光透過領域Ｔ
ａ、Ｔｎの透過光の位相差が１８０°となるときのシリ
コン窒化膜とシリコン酸化膜との膜厚の関係を示すグラ
フ（ａ）と、シリコン窒化膜の膜厚と透過率Ｔとの関係
を示すグラフ（ｂ）である。
ａ、Ｔｎの透過光の位相差が１８０°となるときのシリ
コン窒化膜とシリコン酸化膜との膜厚の関係を示すグラ
フ（ａ）と、シリコン窒化膜の膜厚と透過率Ｔとの関係
を示すグラフ（ｂ）である。
【図７】 位相シフタ部と透明基板とが同一材料により
一体的に形成された場合の残り欠陥の問題を説明するた
めの第１工程図である。
一体的に形成された場合の残り欠陥の問題を説明するた
めの第１工程図である。
【図８】 位相シフタ部と透明基板とが同一材料により
一体的に形成された場合の残り欠陥の問題を説明するた
めの第２工程図である。
一体的に形成された場合の残り欠陥の問題を説明するた
めの第２工程図である。
【図９】 本発明の実施の形態１における位相シフトマ
スクにおいて残り欠陥の問題を解消できることを説明す
るための概略断面図である。
スクにおいて残り欠陥の問題を解消できることを説明す
るための概略断面図である。
【図１０】 なだらかな残り欠陥により生ずる問題点を
説明するための概略断面図である。
説明するための概略断面図である。
【図１１】 シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との波長
λと透過率Ｔとの関係を示すグラフである。
λと透過率Ｔとの関係を示すグラフである。
【図１２】 本発明の実施の形態１における位相シフト
マスクの製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
マスクの製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図１３】 本発明の実施の形態１における位相シフト
マスクの製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
マスクの製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図１４】 本発明の実施の形態１における位相シフト
マスクの製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
マスクの製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図１５】 本発明の実施の形態１における位相シフト
マスクの製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
マスクの製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図１６】 本発明の実施の形態１における位相シフト
マスクの製造方法の第５工程を示す概略断面図である。
マスクの製造方法の第５工程を示す概略断面図である。
【図１７】 本発明の実施の形態１における位相シフト
マスクの製造方法の第６工程を示す概略断面図である。
マスクの製造方法の第６工程を示す概略断面図である。
【図１８】 本発明の実施の形態１における位相シフト
マスクの製造方法では残り欠陥を容易に除去できること
を説明するための第１工程図である。
マスクの製造方法では残り欠陥を容易に除去できること
を説明するための第１工程図である。
【図１９】 本発明の実施の形態１における位相シフト
マスクの製造方法では残り欠陥を容易に除去できること
を説明するための第２工程図である。
マスクの製造方法では残り欠陥を容易に除去できること
を説明するための第２工程図である。
【図２０】 本発明の実施の形態２における位相シフト
マスクの構成を概略的に示す断面図である。
マスクの構成を概略的に示す断面図である。
【図２１】 本発明の実施の形態２における位相シフト
マスクの製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
マスクの製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図２２】 本発明の実施の形態２における位相シフト
マスクの製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
マスクの製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図２３】 本発明の実施の形態２における位相シフト
マスクの製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
マスクの製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図２４】 本発明の実施の形態２における位相シフト
マスクの製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
マスクの製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図２５】 本発明の実施の形態２における位相シフト
マスクの製造方法では、残り欠陥を容易に除去できるこ
とを説明するための第１工程図である。
マスクの製造方法では、残り欠陥を容易に除去できるこ
とを説明するための第１工程図である。
【図２６】 本発明の実施の形態２における位相シフト
マスクの製造方法では、残り欠陥を容易に除去できるこ
とを説明するための第２工程図である。
マスクの製造方法では、残り欠陥を容易に除去できるこ
とを説明するための第２工程図である。
【図２７】 通常のフォトマスクを使用したときのマス
ク断面、マスク上の電場およびウェハ上の光強度につい
て説明するための図である。
ク断面、マスク上の電場およびウェハ上の光強度につい
て説明するための図である。
【図２８】 レベンソン方式の位相シフトマスクを使用
したときのマスク断面、マスク上の電場およびウェハ上
の光強度について説明するための図である。
したときのマスク断面、マスク上の電場およびウェハ上
の光強度について説明するための図である。
【図２９】 従来の位相シフトマスクの構成を概略的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３０】 特開平７−１５９９７１号公報に示された
位相シフトマスクの概略断面図である。
位相シフトマスクの概略断面図である。
【図３１】 特開平７−７２６１２号公報に示された位
相シフトマスクの概略断面図である。
相シフトマスクの概略断面図である。
１ 透明基板、３ シリコン窒化膜、５ シリコン酸化
膜、７ 遮光膜。
膜、７ 遮光膜。
Claims (19)
- 【請求項１】 露光光を透過する第１の光透過領域と、
前記第１の光透過領域と遮光領域を挟んで隣り合いかつ
前記第１の光透過領域を透過する露光光の位相と異なっ
た位相で露光光を透過する第２の光透過領域とを有する
位相シフトマスクであって、 主表面を有する透明基板と、 前記第１の光透過領域において前記透明基板の主表面上
を覆いかつ前記第２の光透過領域において前記透明基板
の主表面を露出するように形成されたシリコン窒化膜
と、 前記第１の光透過領域において前記透明基板の主表面上
を覆うように前記シリコン窒化膜と積層され、かつ前記
第２の光透過領域において前記透明基板の主表面を露出
するように形成されたシリコン酸化膜と、 前記遮光領域において前記透明基板の主表面上を覆う遮
光膜とを備えた、位相シフトマスク。 - 【請求項２】 前記シリコン窒化膜は前記透明基板の主
表面に直接接して形成されており、 前記シリコン酸化膜は前記シリコン窒化膜に直接接して
形成されている、請求項１に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項３】 前記シリコン窒化膜の膜厚と屈折率とを
ｔN とｎN とし、前記シリコン酸化膜の膜厚と屈折率と
をｔO とｎO とし、前記露光光の波長をλとしたとき、 【数１】 の関係を満たすことを特徴とする、請求項１に記載の位
相シフトマスク。 - 【請求項４】 前記任意の正の奇数ｍが１であることを
特徴とする、請求項３に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項５】 前記露光光がｉ線のとき、前記シリコン
酸化膜の膜厚は２４０±１０８Å、屈折率は１．４７±
０．０３であり、前記シリコン窒化膜の膜厚は１５７０
±４７Å、屈折率は２．０９±０．０３である、請求項
１に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項６】 前記露光光がＫｒＦエキシマ光のとき、
前記シリコン酸化膜の膜厚は４４０±６７Å、屈折率は
１．５１±０．０３であり、前記シリコン窒化膜の膜厚
は８００±２６Å、屈折率は２．２７±０．０４であ
る、請求項１に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項７】 露光光を透過する第１の光透過領域と、
前記第１の光透過領域と遮光領域を挟んで隣り合いかつ
前記第１の光透過領域を透過する露光光の位相と異なっ
た位相で露光光を透過する第２の光透過領域とを有する
位相シフトマスクであって、 主表面を有する透明基板と、 前記第１の光透過領域において前記透明基板の主表面上
を覆いかつ前記第２の光透過領域において前記透明基板
の主表面を露出するように形成されたシリコン窒化膜
と、 前記第１の光透過領域において前記透明基板の主表面上
を覆うように前記シリコン窒化膜上に形成され、かつ前
記第２の光透過領域において前記透明基板の主表面上を
覆うシリコン酸化膜と、 前記遮光領域において前記透明基板の主表面上を覆う遮
光膜とを備えた、位相シフトマスク。 - 【請求項８】 前記露光光がｉ線のとき、前記シリコン
酸化膜の膜厚は６５０±１５０Å、屈折率は１．４７±
０．０３であり、前記シリコン窒化膜の膜厚は１６８０
±４７Å、屈折率は２．０９±０．０３である、請求項
７に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項９】 前記露光光がＫｒＦエキシマ光のとき、
前記シリコン酸化膜の膜厚は４２０±１００Å、屈折率
は１．４７±０．０３であり、前記シリコン窒化膜の膜
厚は９８０±２６Å、屈折率は２．２７±０．０４であ
る、請求項７に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項１０】 露光光を透過する第１の光透過領域
と、前記第１の光透過領域と遮光領域を挟んで隣り合い
かつ前記第１の光透過領域を透過する露光光の位相と異
なった位相で露光光を透過する第２の光透過領域とを有
する位相シフトマスク用ブランクスであって、 主表面を有する透明基板と、 前記透明基板の主表面に直接接して形成されたシリコン
窒化膜と、 前記シリコン窒化膜に直接接して形成されたシリコン酸
化膜と、 前記シリコン酸化膜に直接接して形成された遮光膜とを
備え、 前記シリコン窒化膜の膜厚と屈折率とをｔN とｎN と
し、前記シリコン酸化膜の膜厚と屈折率とをｔO とｎO
とし、前記露光光の波長をλとしたとき、 【数２】 の関係を満たすことを特徴とする、位相シフトマスク用
ブランクス。 - 【請求項１１】 前記任意の正の奇数ｍが１であること
を特徴とする、請求項１０に記載の位相シフトマスク用
ブランクス。 - 【請求項１２】 前記露光光がｉ線のとき、前記シリコ
ン酸化膜の膜厚は２４０±１０８Åであり、屈折率は
１．４７±０．０３であり、前記シリコン窒化膜の膜厚
は１５７０±４７Å、屈折率は２．０９±０．０３であ
る、請求項１０に記載の位相シフトマスク用ブランク
ス。 - 【請求項１３】 前記露光光がＫｒＦエキシマ光のと
き、前記シリコン酸化膜の膜厚は４４０±６７Å、屈折
率は１．５１±０．０３であり、前記シリコン窒化膜の
膜厚は８００±２６Å、屈折率は２．２７±０．０４で
ある、請求項１０に記載の位相シフトマスク用ブランク
ス。 - 【請求項１４】 露光光を透過する第１の光透過領域
と、前記第１の光透過領域と遮光領域を挟んで隣り合い
かつ前記第１の光透過領域を透過する露光光の位相と異
なった位相で露光光を透過する第２の光透過領域とを有
する位相シフトマスクの製造方法であって、 透明基板の主表面上にシリコン窒化膜とシリコン酸化膜
とを順次形成する工程と、 前記遮光領域内の前記シリコン酸化膜を覆い、かつ前記
第１および第２の光透過領域の前記シリコン酸化膜を露
出するように遮光膜を形成する工程と、 前記第２の光透過領域の前記シリコン酸化膜の表面を露
出させた状態で前記シリコン窒化膜の表面が露出するま
で前記シリコン酸化膜の表面に等方性エッチングを施す
工程と、 露出した前記シリコン窒化膜の表面に異方性エッチング
を施して、前記シリコン窒化膜に、底壁面が前記シリコ
ン窒化膜よりなる溝を形成する工程と、 前記溝の底壁面において前記透明基板の表面が露出する
まで前記溝の内壁面に、加熱したリン酸溶液で等方性エ
ッチングを施す工程とを備えた、位相シフトマスクの製
造方法。 - 【請求項１５】 前記シリコン窒化膜は、６００℃以上
８００℃以下の温度での減圧ＣＶＤ法により形成され、
前記シリコン酸化膜は６００℃以上８００℃以下の温度
での減圧ＣＶＤ法により形成されることを特徴とする、
請求項１４に記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項１６】 前記シリコン窒化膜は２５０℃以上４
５０℃以下の温度でのプラズマＣＶＤ法により形成さ
れ、前記シリコン酸化膜は２５０℃以上４５０℃以下の
温度でのプラズマＣＶＤ法により形成されることを特徴
とする、請求項１４に記載の位相シフトマスクの製造方
法。 - 【請求項１７】 露光光を透過する第１の光透過領域
と、前記第１の光透過領域と遮光領域を挟んで隣り合い
かつ前記第１の光透過領域を透過する露光光の位相と異
なった位相で露光光を透過する第２の光透過領域とを有
する位相シフトマスクの製造方法であって、 透明基板の主表面上にシリコン窒化膜を形成する工程
と、 前記第２の光透過領域の前記シリコン窒化膜の表面を露
出させた状態で前記透明基板の表面が露出するまで前記
シリコン窒化膜の表面に、加熱したリン酸溶液で等方性
エッチングを施す工程と、 前記第１の光透過領域において前記シリコン窒化膜上を
覆うように、かつ前記第２の光透過領域において前記透
明基板の露出した主表面上を覆うようにシリコン酸化膜
を形成する工程と、 前記遮光領域において前記シリコン酸化膜上を覆い、か
つ前記第１および第２の光透過領域において前記シリコ
ン酸化膜を露出させるように遮光膜を形成する工程とを
備えた、位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項１８】 前記シリコン窒化膜は６００℃以上８
００℃以下の温度での減圧ＣＶＤ法により形成され、前
記シリコン酸化膜は６００℃以上８００℃以下の温度で
の減圧ＣＶＤ法により形成されることを特徴とする、請
求項１７に記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項１９】 前記シリコン窒化膜は２５０℃以上４
５０℃以下の温度でのプラズマＣＶＤ法により形成さ
れ、前記シリコン酸化膜は２５０℃以上４５０℃以下の
温度でのプラズマＣＶＤ法により形成されることを特徴
とする、請求項１７に記載の位相シフトマスクの製造方
法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12005296A JPH09304912A (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 位相シフトマスク、位相シフトマスク用ブランクスおよび位相シフトマスクの製造方法 |
| TW085112357A TW337556B (en) | 1996-05-15 | 1996-10-09 | Phase shifting light shade, the phase shifting light shade frame and its manufacturing method |
| DE69606979T DE69606979T2 (de) | 1996-05-15 | 1996-10-23 | Phasenverschiebungsmaske, Rohteil für eine solche Maske und Verfahren zur Herstellung einer solchen Maske |
| DE69622438T DE69622438T2 (de) | 1996-05-15 | 1996-10-23 | Phasenverschiebungsmaske und Verfahren zur Herstellung einer solchen Maske |
| EP96117021A EP0807851B1 (en) | 1996-05-15 | 1996-10-23 | Phase shift mask, blank for phase shift mask, and method of manufacturing phase shift mask |
| EP98118148A EP0922997B1 (en) | 1996-05-15 | 1996-10-23 | Phase shift mask and method of manufacturing phase shift mask |
| US08/745,556 US5902702A (en) | 1996-05-15 | 1996-11-12 | Phase shift mask, blank for phase shift mask, and method of manufacturing phase shift mask |
| KR1019970000586A KR100230714B1 (ko) | 1996-05-15 | 1997-01-11 | 위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크용 블랭크 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법 |
| KR1019990019568A KR100231493B1 (ko) | 1996-05-15 | 1999-05-29 | 위상 시프트 마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12005296A JPH09304912A (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 位相シフトマスク、位相シフトマスク用ブランクスおよび位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09304912A true JPH09304912A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14776707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12005296A Pending JPH09304912A (ja) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 位相シフトマスク、位相シフトマスク用ブランクスおよび位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5902702A (ja) |
| EP (2) | EP0807851B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09304912A (ja) |
| KR (1) | KR100230714B1 (ja) |
| DE (2) | DE69622438T2 (ja) |
| TW (1) | TW337556B (ja) |
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