KR102115564B1 - 표시기판 및 이를 포함하는 표시패널 - Google Patents

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Abstract

표시기판은 상측으로부터 외부광이 입사되고, 제1 굴절률을 가지는 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 하측에 배치되고, 상기 제1 굴절률과 다른 제2 굴절률을 가지는 절연층, 상기 절연층의 하측에 배치된 화소전극, 및 상기 절연층과 계면을 형성하고, 상기 제1 굴절률보다 크고 상기 제2 굴절률보다 작은 제3 굴절률을 가지는 제1 보상층을 포함한다. 상기 계면으로부터 상기 외부광이 반사되고, 상기 계면으로부터 반사된 광은 상기 절연층의 고유 반사 스펙트럼으로부터 변형된 스펙트럼으로부터 변형된 스펙트럼을 갖는다.

Description

표시기판 및 이를 포함하는 표시패널{DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME}
본 발명은 표시기판 및 이를 포함하는 표시패널에 관한 것으로, 상세하게는 표시품질이 향상된 표시기판 및 이를 포함하는 표시패널에 관한 것이다.
두께가 크고 전력소모가 많은 음극선관 표시장치를 대체하기 위해 평면형 표시장치가 개발되었다. 상기 평면형 표시장치는 유기 발광 표시장치, 액정 표시장치, 및 플라스마 표시장치 등이 있다.
상기 표시장치들은 복수 개의 화소들과 상기 복수 개의 화소들에 신호를 제공하는 복수 개의 신호배선들을 포함한다. 상기 복수 개의 화소들 각각은 상기 복수 개의 신호배선들 중 대응하는 신호배선에 연결된 박막 트랜지스터를 포함한다. 상기 복수 개의 화소들 각각은 상기 대응하는 신호배선으로부터 인가된 데이터 전압에 대응하게 동작한다. 상기 복수 개의 화소들의 동작에 따라 목적하는 영상이 생성된다.
따라서, 본 발명은 절연막에 의한 색상 왜곡현상을 방지할 수 있는 표시기판 및 이를 포함하는 표시패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 표시기판은, 상측으로부터 외부광이 입사되고, 제1 굴절률을 가지는 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 하측에 배치되고, 상기 제1 굴절률과 다른 제2 굴절률을 가지는 제1 절연층, 상기 제1 절연층의 하측에 배치된 화소전극, 및 상기 제1 절연층 및 상기 베이스 기판 사이에 배치되어 상기 제1 절연층과 계면을 형성하고, 상기 제1 굴절률보다 크고 상기 제2 굴절률보다 작은 제3 굴절률을 가지는 제1 보상층을 포함하고, 상기 계면으로부터 상기 외부광의 일부가 반사되고, 상기 계면으로부터 반사된 광은 상기 제1 절연층의 고유 반사 스펙트럼으로부터 변형된 반사 스펙트럼을 갖는다.
본 발명에 따른 표시기판은 상기 베이스 기판 및 상기 제1 절연층 사이에 배치된 복수 개의 신호배선들을 더 포함하고, 상기 제1 보상층은 상기 신호배선들 및 상기 베이스 기판 사이에 배치된다.
본 발명에 따른 표시기판은 상기 제1 절연층 및 상기 화소전극 사이에 배치되는 제2 보상층을 더 포함하고, 상기 제2 보상층의 굴절률은 상기 제2 보상층에 인접하는 층의 굴절률들의 사이 값일 수 있다.
본 발명에 따른 표시기판은 상기 제1 절연층 및 상기 화소전극 사이에 배치되어 상기 제2 보상층과 계면을 형성하는 제2 절연층을 더 포함하고, 상기 제2 보상층의 굴절률은 상기 제2 절연층의 굴절률보다 크고, 상기 화소전극의 굴절률보다 작다.
상기 제1 절연층은 실리콘나이트라이드를 포함하고, 상기 제1 보상층은 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있다.
상기 제1 보상층의 두께는 800~1500Å일 수 있고, 상기 화소전극의 두께는 1100~1300Å일 수 있다.
본 발명에 따른 표시기판은 상기 화소전극의 하측에 배치되고, 상기 화소전극과 다른 전압을 인가받는 공통전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 표시기판은 상측으로부터 외부광이 입사되는 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 하측에 배치되고, 제1 굴절률을 갖는 절연층, 상기 절연층의 하측에 배치되고, 제2 굴절률을 갖는 화소전극, 및 상기 절연층 및 상기 화소전극 사이에 배치되어 상기 절연층과 계면을 형성하고, 상기 제1 굴절률보다 크고 상기 제2 굴절률보다 작은 제3 굴절률을 가지는 제1 보상층을 포함한다. 상기 계면으로부터 상기 외부광의 일부가 반사되고, 상기 계면으로부터 반사된 광은 상기 절연층의 고유 반사 스펙트럼으로부터 변형된 반사 스펙트럼을 갖는다.
본 발명에 따른 표시기판은 상기 화소전극 및 상기 제1 보상층 사이에 배치되어 상기 제1 보상층과 계면을 형성하고, 제4 굴절률을 갖는 유기층을 더 포함하고, 상기 제3 굴절률은 상기 제4 굴절률보다 작다. 상기 유기층은 적어도 하나의 컬러를 포함하는 컬러필터층일 수 있다.
본 발명에 따른 표시패널은 외부 광이 입사되고, 반사광이 출사되는 제1 표시기판, 및 상기 제1 표시기판의 하측에 배치되는 제2 표시기판을 포함한다.
상기 제1 표시기판은, 상측으로 상기 외부 광이 입사되고, 제1 굴절률을 가지는 제1 베이스 기판, 상기 제1 베이스 기판의 하측에 배치되고, 상기 제1 굴절률과 다른 제2 굴절률을 가지는 제1 절연층, 상기 절연층 하측에 배치된 제1 전극, 및 상기 절연층과 계면을 형성하고, 상기 제1 굴절률보다 크고 상기 제2 굴절률보다 작은 제3 굴절률을 가지는 제1 보상층을 포함한다.
상기 계면으로부터 상기 외부광이 반사되고, 상기 계면으로부터 반사된 광은 상기 제1 절연층의 고유반사 스펙트럼으로부터 변형된 스펙트럼을 갖는다. 상기 제1 전극은 1100~1300Å의 두께를 가질 수 있다. 상기 제1 보상층은 상기 제1 절연층 및 상기 제1 전극 사이에 배치될 수 있다.
본 발명에 따른 표시패널은 상기 제1 절연층 및 상기 제1 전극 사이에 배치된 제2 절연층을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 표시패널은 상기 제2 절연층 및 상기 제1 전극 사이에 배치되고, 상기 제2 절연층과 계면을 형성하는 제2 보상층을 더 포함하고, 상기 제2 보상층의 굴절률은 상기 제2 절연층의 굴절률 및 상기 제1 전극의 굴절률의 사이값을 가질 수 있다.
본 발명에 따른 표시패널은 상기 제2 보상층 및 상기 제1 전극 사이에 배치되어 상기 제2 보상층과 계면을 형성하는 유기층을 더 포함하고, 상기 제2 보상층의 굴절률은 상기 제2 절연층의 굴절률 및 상기 유기층의 굴절률의 사이값을 가질 수 있다. 상기 유기층은 컬러필터층으로 이용될 수 있다.
상기 제2 표시기판은, 상기 제1 베이스 기판의 하측에 배치된 제2 베이스 기판, 및 상기 제2 베이스 기판 상부에 배치되고, 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극을 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 표시패널은 상기 제1 표시기판 및 상기 제2 표시기판 사이에 배치된 액정층을 더 포함할 수 있다.
상술한 바에 따르면, 투과영역에 중첩하는 영역에 배치된 절연막의 상측 또는 하측에 실리콘옥시나이트라이드를 포함하는 보상층을 더 배치함으로써, 절연막의 반사 스펙트럼이 모든 파장대에서 균일하게 나타난다. 따라서, 특정 파장을 가진 색상이 두드러지거나, 색 저하현상이 방지되어 균일한 표시품질을 가진 표시기판 및 이를 포함하는 표시패널이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 블럭도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시패널의 부분 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 부분 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 5a는 보상층이 포함되지 않은 실시예의 부분 단면도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시기판의 부분의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 보상층의 두께별 반사 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 총 반사 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 총 반사 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 일부를 도시한 단면도이다.
도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 반사 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시기판의 일부를 도시한 단면도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 블럭도이다. 도 2는 도 1에 도시된 표시패널의 부분 사시도이다.
도 1에 도시된 것과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(DP), 신호제어부(100), 게이트 구동부(200), 데이터 구동부(300)를 포함한다. 상기 표시패널(DP)은 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 액정 표시패널(liquid crystal display panel), 유기발광 표시패널(organic light emitting display panel), 전기영동 표시패널(electrophoretic display panel), 및 일렉트로웨팅 표시패널(electrowetting display panel) 등이 채용될 수 있다.
상기 표시패널(DP)은 복수 개의 신호배선들 및 상기 복수 개의 신호배선들에 연결된 복수 개의 화소들(PX11~PXnm)을 포함한다. 상기 복수 개의 신호배선들은 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn) 및 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)을 포함한다. 상기 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)은 제1 방향(DR1)으로 연장되며 제2 방향(DR2)으로 배열된다. 상기 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)은 상기 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)과 절연되게 교차한다. 별도로 도시되지는 않았으나, 상기 복수 개의 신호배선들은 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)에 대응하게 구비된 복수 개의 공통 라인을 더 포함할 수 있다.
상기 복수 개의 화소들(PX11~PXnm)은 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 상기 복수 개의 화소들(PX11~PXnm) 각각은 상기 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn) 및 상기 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm) 중 대응하는 게이트 라인 및 대응하는 데이터 라인에 연결된다.
본 실시예에서는 액정 표시패널을 포함하는 액정 표시장치를 예시적으로 설명한다. 이 때, 상기 표시장치는 미도시된 백라이트 유닛을 더 포함할 수 있다. 상기 액정표시패널(DP)은 VA(Vertical Alignment)모드, PVA(Patterned Vertical Alignment) 모드, IPS(In-Plane Switching) 모드 또는 FFS(Fringe-Field Switching) 모드, 및 PLS(Plane to Line Switching) 모드 등 중 어느 하나의 패널일 수 있다. 본 실시예에서 상기 액정표시패널(DP)은 특정한 모드의 패널로 제한되지 않는다.
상기 신호제어부(100)는 입력 영상신호들(RGB)을 수신하고, 상기 입력 영상신호들(RGB)을 상기 액정표시패널(DP)의 동작에 부합하는 영상데이터들(R'G'B')로 변환한다. 또한, 상기 신호제어부(100)는 각종 제어신호(CS), 예를 들면 수직동기신호, 수평동기신호, 메인 클럭신호, 및 데이터 인에이블신호 등을 입력받고, 제1 및 제2 제어신호들(CONT1, CONT2)를 출력한다.
상기 게이트 구동부(200)는 상기 제1 제어신호(CONT1)에 응답하여 상기 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)에 게이트 신호들을 출력한다. 상기 제1 제어신호(CONT1)는 상기 게이트 구동부(200)의 동작을 개시하는 수직개시신호, 게이트 전압의 출력 시기를 결정하는 게이트 클럭신호 및 상기 게이트 전압의 온 펄스폭을 결정하는 출력 인에이블 신호 등을 포함한다.
상기 데이터 구동부(300)는 상기 제2 제어신호(CONT2) 및 상기 영상데이터들(R'G'B')을 수신한다. 상기 데이터 구동부(300)는 상기 영상데이터들(R'G'B')을 데이터 전압들로 변환하여 상기 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)에 제공한다.
상기 제2 제어신호(CONT2)는 상기 데이터 구동부(300)의 동작을 개시하는 수평개시신호, 상기 데이터 전압들의 극성을 반전시키는 반전신호 및 상기 데이터 구동부(300)로부터 상기 데이터 전압들이 출력되는 시기를 결정하는 출력지시신호 등을 포함한다.
도 2에 도시된 것과 같이, 상기 액정표시패널(DP)은 제1 표시기판(DS1)과 제2 표시기판(DS2)을 포함한다. 상기 제1 표시기판(DS1)과 상기 제2 표시기판(DS2)은 두께 방향(DR3, 이하 제3 방향)으로 서로 이격되어 배치된다. 상기 제1 표시기판(DS1)과 상기 제2 표시기판(DS2)은 실런트(미도시)에 의해 상기 제1 표시기판(DS1)과 상기 제2 표시기판(DS2)의 테두리에서 결합될 수 있다.
상기 제1 표시기판(DS1)과 상기 제2 표시기판(DS2) 사이에 액정층(LCL)이 배치된다. 상기 제1 표시기판(DS1)의 상측으로 외부광이 입사될 수 있다. 입사된 외부광은 상기 제1 표시기판(DS1) 및 상기 제2 표시기판(DS2) 각각에 도달하여 소정의 파장을 가진 광으로 반사될 수 있다.
상기 표시패널(DP)은 복수 개의 투과영역들(TA)과 상기 복수 개의 투과영역들(TA)에 인접한 차광영역(SA)으로 구분된다. 상기 복수 개의 투과영역들(TA)은 상기 백라이트 유닛으로부터 생성된 광을 통과시킨다. 상기 차광영역(SA)은 상기 백라이트 유닛으로부터 생성된 광을 차단시킨다.
도 1에 도시된 상기 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn), 및 상기 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)은 상기 제1 표시기판(DS1)에 배치된다. 상기 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn) 및 상기 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)은 상기 차광영역(SA)에 중첩하게 배치된다. 상기 복수 개의 화소들(PX11~PXnm)은 상기 복수 개의 투과영역들(TA)에 각각 대응하게 배치된다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 부분 평면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다. 도 3에서는 일 화소(PXij)에 대응하는 영역을 도시하였다. 도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'에 대응하는 단면을 도시하였고, 설명의 편의를 위해 상기 제1 표시기판(DS1)의 일부분만을 도시하였다.
도 3 및 도 4에 도시된 것과 같이, 상기 제1 표시기판(DS1)은 제1 베이스 기판(SUB1), 복수 개의 게이트 라인들(GLi-1, GLi), 복수 개의 데이터 라인들(DLj, DLj+1), 및 절연층들(GI, OL)을 포함한다.
상기 제1 베이스 기판(SUB1)과 후술하는 제2 베이스 기판(SUB2) 사이에 상기 화소(PXij)가 배치된다. 상기 화소(PXij)는 상기 제1 베이스 기판(SUB1)의 하측에 배치될 수 있다.
상기 제1 베이스 기판(SUB1)은 서로 대향하는 내측면(IS) 및 외측면(ES)을 포함한다. 상기 내측면(IS)에는 상기 게이트 라인들(GLi-1, GLi) 및 상기 데이터 라인들(DLj, DLj+1)이 배치되고, 상기 외측면(ES)에는 외부 광이 입사된다. 상기 입사된 외부광은 상기 제1 베이스 기판(SUB1)을 관통하여 상기 소자들로부터 반사된다. 제1 베이스 기판(SUB1)은 유리 기판, 플라스틱 기판, 실리콘 기판 등과 같은 투명한 기판일 수 있다.
상기 화소(PXij)는 박막 트랜지스터(TFT), 및 제1 전극(PE)을 포함한다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 차광영역(CA)에 중첩하게 배치된다. 상기 제1 전극(PE)은 상기 차광영역(CA)에 인접하는 투과영역들(TA) 중 대응하는 투과영역에 중첩하게 배치된다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(GE)과 상기 게이트 라인(GLi)이상기 제1 베이스 기판(SUB1)의 내측면(IS) 상에 배치된다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 게이트 라인(GLi)에 연결된다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 게이트 라인(GLi)과 동일한 물질로 구성되고, 동일한 층 구조를 가질 수 있다.
상기 게이트 전극(GE)과 상기 게이트 라인(GLi)은 저반사 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 게이트 전극(GE)과 상기 게이트 라인(GLi)은 티타늄, 인듐아연산화물, 인듐주석산화물, 구리, 이들의 합금, 또는 각각의 합금을 포함한다. 또한, 상기 게이트 전극(GE)과 상기 게이트 라인(GLi)은 상술한 물질들 중 적어도 하나 이상의 물질을 포함하는 다층구조를 가질 수 있다. 상술한 물질들을 포함한 상기 게이트 전극(GE), 및 상기 게이트 라인(GLi)은 낮은 외부 광의 반사율을 가진다.
상기 게이트 전극(GE)의 하측에 절연층(GI)이 배치된다. 상기 절연층(GI)은 복수 개의 절연막들로 구성될 수 있다. 상기 절연층(GI)은 상기 게이트 전극(GE)을 다른 구성들로부터 절연시킨다. 본 실시예에서, 상기 절연층(GI)은 게이트 절연막에 대응된다.
상기 절연층(GI)은 상기 게이트 전극(GE) 및 상기 게이트 라인(GLi-1)을 커버한다. 상기 게이트 절연막(GI)은 유기물 또는 무기물을 포함한다. 상기 게이트 절연막(GI)은 다층구조를 가질 수 있다. 상기 게이트 절연막(GI)은 실리콘 무기물을 포함할 수 있다. 상기 실리콘 무기물은 실리콘옥사이드 및 실리콘 나이트라이드 중 적어도 어느 하나를 포함한다.
상기 게이트 절연막(GI) 상에 상기 데이터 라인들(DLj, DLj+1)이 배치된다. 상기 데이터 라인들(DLj, DLj+1)은 구리(Cu), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 이들의 합금, 또는 각각의 합금을 포함한다. 상기 데이터 라인들(DLj, DLj+1)은 각각 다른 금속층을 포함하는 다층구조를 가질 수 있다.
상기 데이터 라인들(DLj, DLj+1) 중 어느 하나의 데이터 라인(DLi)에 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(SE)이 연결된다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 데이터 라인들(DLj, DLj+1)과 동일한 물질로 구성되고, 동일한 층 구조를 가질 수 있다.
상기 게이트 절연막(GI)의 하측에 상기 게이트 전극(GE)과 중첩하는 반도체층(AL)이배치된다. 상기 게이트 절연막(GI)의 하측에 상기 소스 전극(SE)과 이격되어 배치된 드레인 전극(DE)이 배치된다. 상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE)은 상기 반도체층(AL)에 각각 중첩한다.
상기 게이트 절연막(GI) 및 상기 제1 베이스 기판(SUB1)의 사이에 보상층(CL)이 배치된다. 상기 보상층(CL)은 상기 제1 베이스 기판(SUB1)의 내측면(IS)에 배치되고, 상기 게이트 절연막(GI)과 계면을 형성한다. 상기 보상층(CL)은 상기 제1 베이스 기판(SUB1)의 전면을 커버할 수 있다. 상기 보상층(CL)은 무기물을 포함한다. 예컨대, 상기 보상층(CL)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있다.
상기 보상층(CL)은 인접하여 배치된 상기 제1 베이스 기판(SUB1)의 굴절률보다 크고, 상기 게이트 절연막(GI)의 굴절률보다 작은 굴절률을 가진다. 상기 보상층(CL)은 상기 보상층(CL)에 인접하는 두 층 사이의 굴절률 차이를 보상한다.
상기 보상층(CL)은 다양한 두께로 형성될 수 있다. 상기 보상층의 두께(DIF)는 인접하는 층의 구성물질 및 상기 보상층(CL)을 구성하는 물질에 따라 달라질 수 있다. 예컨대, 상기 보상층(CL)이 실리콘옥시나이트라이드를 포함하고, 상기 게이트 절연막(GI)이 실리콘나이트라이드를 포함하는 경우, 상기 보상층(CL)의 두께(DIF)는 600Å~1200Å의 범위를 가질 수 있다.
그러나, 이에 한정되지 않고, 상기 보상층(CL) 및 상기 보상층(CL)과 인접하는 구성들의 재료를 변경함으로써, 다양한 두께로 제어할 수 있다. 상술한 굴절률 및 두께를 가진 상기 보상층(CL)은 상기 게이트 절연막(GI)으로부터 반사되는 광의 스펙트럼에 영향을 미친다. 이에 관해서는 후술하기로 한다.
상기 게이트 절연막(GI)의 하측에 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE), 및 상기 데이터 라인들(DLj, DLj+1)을 커버하는 유기층(OL)이 배치된다. 상기 유기층(OL)은 상기 제1 전극(PE)이 배치될 면을 평탄화시킨다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 유기층(OL)은 컬러필터층일 수 있다. 이 때, 상기 컬러필터층은 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 동일한 제1 베이스 기판(SUB1) 상에 배치된다. 상기 유기층은 상기 복수 개의 화소들마다 각각 다른 색상을 가진 컬러패턴들(R, G, B)을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 컬러들은 각각 적색, 녹색, 청색, 흰색 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
도시되지 않았으나, 상기 게이트 절연막(GI) 및 상기 유기층(OL) 사이에 패시베이션층(미도시)이 더 배치될 수 있다. 상기 패시베이션층은 무기물로 구성될 수 있다. 상기 패시베이션층은 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE), 및 상기 데이터 라인들(DLj, DLj+1, DLj+2)을 커버하여 다른 구성들로부터 보호한다.
상기 제1 전극(PE)은 상기 유기층(OL) 또는 상기 패시베이션층(미도시)의 하측에 배치된다. 상기 제1 전극(PE)은 상기 투과영역(TA)에 중첩한다. 상기 제1 전극(PE)은 투명한 전도성 물질로 구성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 전극(PE)은 인듐징크옥사이드, 인듐갈륨옥사이드, 또는 인듐갈륨징크옥사이드를 포함할 수 있다. 상술한 물질들로 구성된 상기 제1 전극(PE)은 상기 투과영역(TA)의 투과율을 향상시킨다.
상기 제1 전극(PE)은 다양한 두께로 형성될 수 있다. 상기 제1 전극의 두께(DPE)는 상기 제1 전극(PE)을 구성하는 물질 및 상기 제1 전극(PE)에 인접하는 층의 구성물질에 따라 다를 수 있다. 상기 구성물질들은 각 층들의 굴절률에 영향을 미친다. 예컨대, 1100~1300Å의 범위의 두께(DPE)를 갖는 상기 제1 전극(PE)을 포함하는 표시패널(DP)은 반사율이 저하되는 효과를 나타낼 수 있다. 그러나, 상기 제1 전극(PE)은 이에 한정되지 않고, 다양한 두께를 가질 수 있다. 이에 관해서는 후술한다.
도 4에 도시된 것과 같이, 상기 제1 전극(PE)은 컨택홀(CH1)을 통해 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(DE)에 연결된다. 본 실시예에서, 상기 제1 전극(PE)은 화소 전극으로 설명된다. 상기 컨택홀(CH1)은 상기 유기층(OL)을 관통한다. 도시되지 않았으나, 상기 화소 전극(PE) 상에는 상기 화소 전극(PE)을 보호하는 보호층(미도시) 및 배향층(미도시)이 더 포함될 수 있다.
도시되지 않았으나, 상기 유기층(OL) 및 상기 제1 전극(PE) 사이에 캡핑층(capping layer)이 더 배치될 수 있다. 상기 캡핑층은 유기물 또는 무기물로 구성될 수 있다. 예컨대, 상기 캡핑층은 유기물로 구성되어 상기 유기층(OL)을 평탄화시키는 오버코트층(overcoat layer)일 수 있다. 또는, 상기 캡핑층은 무기물로 구성되어 상기 유기층(OL) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 보호하는 패시베이션막(passivation layer)일 수 있다.
상기 제1 표시기판(DS1)의 하측에는 제2 표시기판(DS2)이 배치된다. 상기 제2 표시기판(DS2)은 제2 베이스 기판(SUB2), 차광패턴층(BPL), 및 제2 전극(CE)을 포함한다. 그러나, 이는 예시적으로 기재한 것이고, 상기 차광패턴층(BPL) 및 상기 제2 전극(CE)은 상기 제1 표시기판(DS1)에 배치될 수 있다.
상기 차광패턴층(BPL) 및 상기 제2 전극(CE)은 상기 제2 베이스 기판(SUB2)의 상기 제1 표시기판(DS1)과 마주하는 일측에 배치된다. 상기 제2 베이스 기판(SUB2)은 상기 제1 베이스 기판(SUB1)과 동일한 물질로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 차광패턴층(BPL)은 복수 개의 차광패턴들을 포함한다. 상기 차광패턴들이 배치된 영역은 상기 차광영역(SA)으로 정의되고, 상기 차광패턴들과 중첩하지 않는 영역은 상기 투과영역들(TA)로 정의된다. 상기 차광패턴들은 상기 데이터 라인들(DLj, DLj+1), 상기 게이트 라인들(GLi-1, GLi), 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)에 중첩한다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 차광패턴층(BPL)은 블랙매트릭스(black matrix)로 설명될 수 있다.
상기 차광패턴층(BPL)은 상기 제2 베이스 기판(SUB2)으로 투과되는 상기 백라이트 유닛(미도시)의 광이 상기 데이터 라인들(DLj, DLj+1), 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된 영역으로 입사되는 것을 차단한다. 또한, 상기 차광패턴층(BPL)은 상기 제1 베이스 기판(SUB1)으로부터 입사되어 상기 제2 베이스 기판(SUB2)에 도달한 외부광이 상기 제2 베이스 기판(SUB2)에 의해 반사되는 것을 차단한다.
도시되지 않았으나, 상기 차광패턴층(BPL) 상에는 평탄화막이 더 배치될 수 있다. 상기 평탄화막은 상기 차광패턴층(BPL)을 평탄화시킨다. 상기 차광패턴층(BPL) 또는 상기 평탄화막(미도시) 상에는 제2 전극(CE)이 배치된다. 다만, 다른 실시예에서, 상기 제2 전극(CE)은 상기 제1 표시기판(DS1)에 배치될 수 있다.
상기 제2 전극(CE)은 상기 제1 전극(PE)에 대향되어 배치된다. 상기 제2 전극(CE)은 상기 제1 전극(PE)과 함께 전계를 형성한다. 본 실시예에서, 상기 제2 전극(CE)은 공통전극(CE)으로 설명될 수 있다.
상기 공통전극(CE)은 상기 제2 베이스 기판(SUB2)의 전면에 배치될 수 있다. 도시되지 않았으나, 상기 공통전극(CE) 상에는 상기 공통전극(CE)을 보호하는 보호층(미도시) 및 배향층(미도시)이 더 배치될 수 있다.
상기 제1 표시기판(DS1) 및 상기 제2 표시기판(DS2) 사이에는 액정층(LCL)이 배치된다. 상기 액정층(LCL)은 스페이서(미도시)에 의해 상기 제1 표시기판(DS1) 및 상기 제2 표시기판(DS2) 사이에 봉입될 수 있다. 상기 액정층(LCL)은 상기 화소전극(PE) 및 상기 공통전극(CE) 사이의 전계에 의해 액정의 방향성이 제어된다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 라인(GLi)에 인가된 게이트 신호에 응답하여 상기 어느 하나의 데이터 라인(DLi)에 인가된 상기 데이터 전압을 출력한다. 상기 화소전극(PE)은 상기 데이터 전압에 대응하는 화소전압을 수신하고, 상기 공통전극(CE)은 공통전압을 수신한다. 상기 화소전극(PE)과 상기 공통전극(CE)은 수직전계를 형성한다. 상기 수직전계에 의해 상기 액정층(CLC)에 포함된 방향자들의 배열이 변화된다.
도시하지 않았으나, 다른 실시예에서, 예컨대, PLS모드(Plane to Line Switching mode)에서 상기 공통전극(CE)은 상기 제1 표시기판(DS1)에 배치될 수 있다. 이 때, 상기 화소전극(PE)과 상기 공통전극(CE)은 횡전계를 형성한다. 상기 횡전계에 의해 상기 액정층(LCL)에 포함된 방향자들의 배열이 변화될 수 있다. 이 때, 상기 화소전극(PE) 또는 상기 공통전극(CE)은 복수 개의 슬릿들(미도시)을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 본 발명에 따른 표시패널은 하나의 표시기판만을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 표시기판(DS1)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결된 유기발광소자를 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 표시패널은 하나의 표시기판만으로도 본 발명에 따른 효과를 가진 표시패널을 제공할 수 있다.
도 5a는 보상층이 포함되지 않은 실시예의 부분 단면도이다. 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시기판의 부분의 단면도이다. 도 5a 및 도 5b는 도 4의 AA에 대응하는 부분을 도시하였다. 도 5a 및 도 5b에서는 용이한 설명을 위해, 상기 보상층(CL)이 포함된 실시예와 상기 보상층(CL)이 포함되지 않은 실시예를 비교하여 도시하였다.
도 5a 및 도 5b에 도시된 것과 같이, 상기 제1 표시기판(DS1)의 외측면으로 입사된 외부광은 상기 제1 표시기판(DS1)에 포함된 구성들에 의해 소정의 파장을 가지는 반사광들로 반사된다. 상기 반사광들은 서로 간섭 등을 통해 상호작용한다. 상기 투과영역들(TA)로부터 반사되는 반사광들은 표시패널로부터 반사된 반사광들 중 가장 큰 비중을 차지한다.
도 5a에 도시된 것과 같이, 상기 보상층(CL)이 포함되지 않은 표시기판에 있어서, 상기 제1 베이스 기판(SUB1)과 상기 절연층(GI)은 계면(IF1)을 형성한다. 상기 제1 베이스 기판(SUB1)으로부터 입사된 외부광은 일부가 상기 제1 베이스 기판(SUB1)을 지나 상기 제1 베이스 기판(SUB1)과 상기 절연층(GI) 사이에 형성된 계면으로부터 반사되어 제1 반사광(L1)을 발생시킨다.
이와 달리, 본 발명에 따른 표시기판은 상기 제1 베이스 기판(SUB1) 및 상기 절연층(GI) 사이에 배치된 보상층(CL)을 포함한다. 따라서, 도 5b에 도시된 것과 같이, 상기 보상층(CL)은 상기 제1 베이스 기판(SUB1)과 계면(IF2)을 형성하고, 상기 절연층(GI)과도 계면(IF3)을 형성한다.
상기 제1 베이스 기판(SUB1)으로부터 입사된 외부광의 일부는 상기 제1 베이스 기판(SUB1)을 지나 상기 제1 베이스 기판(SUB1)과 상기 보상층(CL) 사이에 형성된 계면(IF2)으로부터 반사될 수 있다. 상기 제1 베이스 기판(SUB1) 및 상기 보상층(CL) 사이의 계면(IF2)에서는 제2 반사광(L2)이 출사된다. 상기 입사된 외부광의 또 다른 일부는 상기 보상층(CL)을 지나 상기 보상층(CL)과 상기 절연층(GI) 사이에 형성된 계면(IF3)으로부터 반사되어 제3 반사광(L3)을 발생시킨다.
계면으로부터 반사되는 광은 파장에 따라 반사율이 달라지는 반사 스펙트럼을 가진다. 상기 반사 스펙트럼은 계면을 형성하는 각 층간의 굴절률 차이에 따라 달라질 수 있다. 일반적으로 상기 반사 스펙트럼은 계면을 형성하는 두 층 사이의 굴절률 차이가 클수록 파장에 따른 반사율의 차이가 커진다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시기판은 상기 보상층(CL)을 더 포함한다. 상기 보상층(CL)은 인접하는 두 층들의 굴절률들의 사이값을 굴절률로 가지는 물질을 포함한다. 예컨대, 상기 제1 베이스 기판(SUB1)이 굴절률이 약 1.5인 유리기판이고, 상기 절연층(GI)이 굴절률이 약 1.8인 실리콘질화물을 포함하는 경우, 상기 보상층(CL)은 약 1.5~1.8의 굴절률을 가지는 물질로 구성될 수 있다. 예컨대, 상기 보상층(CL)은 약 1.6의 굴절률을 가지는 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있다.
상기 보상층(CL)은 인접하는 두 층 사이의 굴절률 차이를 보상한다. 상기 제1 반사광(L1)은 0.3 이상의 굴절률 차이를 가지는 계면으로부터 반사되므로, 반사 스펙트럼이 대체적으로 불균일한 곡선이 나타난다. 상기 제2 반사광(L2) 및 상기 제3 반사광(L3)은 0.3보다 작은 굴절률 차이를 가지는 계면으로부터 반사된다. 따라서, 상기 보상층(CL)은 인접하는 절연층들의 굴절률 차이를 완화시키고, 파장에 따라 균일한 반사율을 가지는 반사 스펙트럼을 발생시킨다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시기판의 반사율은 상술한 바와 같이, 구성물질에 따라 달라지지만, 상기 보상층(CL)의 두께에 의해서도 달라질 수 있다. 인접하는 층들의 두께나 구성물질을 변경시키는 것은 제조공정에 있어서 용이하지 않다. 본 발명에 따른 표시기판은 추가된 구성인 상기 보상층(CL)의 구성물질 및 두께를 제어함으로써, 반사율이 저하되고 표시품질이 향상될 수 있다. 이에 관하여 이하, 도면들을 참조하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 보상층(CL)의 두께별 반사 스펙트럼을 도시한 그래프이다. 도 6에서는 실리콘옥시나이트라이드를 포함하고, 각각 600Å, 900Å, 1200Å, 1500Å, 2000Å, 3000Å의 두께를 가지는 보상층들의 각 반사스펙트럼들(PL1 내지 PL6)을 도시하였다. 상기 파장은 가시광 영역 파장 범위(380~780nm)내로 한정하여 도시하였다.
1500Å이상의 두께를 가지는 보상층들의 반사 스펙트럼들(PL4, PL5, PL6)은 상기 가시광 영역에서 적어도 하나의 피크(peak) 반사율을 가진다. 예컨대, 상기 1500Å의 두께를 가지는 보상층의 반사 스펙트럼(PL4)은 약 480nm 파장대에서 가장 높은 피크 반사율을 가지고, 480nm 전후로 반사율이 저하된다.
상기 2000Å의 두께를 가지는 보상층의 반사 스펙트럼(PL5)은 약 640nm 파장대에서 가장 높은 피크 반사율을 가지고, 640nm 전후로 반사율이 저하된다. 3000Å의 두께를 가지는 보상층의 반사 스펙트럼(PL6)는 약 480nm 파장대에서 가장 높은 피크 반사율을 가지고, 약 630nm 파장대에서 가장 낮은 반전된 피크 반사율을 가진다.
상술한 피크 반사율은, 특정 파장대에서 인접하는 파장영역 대의 반사율보다 높거나 낮은 반사율을 가지는 경우에 나타난다. 상기 피크 반사율은 광의 보강간섭에 의해 발생된다. 상기 피크 반사율이 나타나는 파장대의 반사광은 가시광 영역 내에서 불균일하게 반사된다. 따라서, 균일한 휘도 변화를 나타내기 어렵고, 특정 색상의 광이 두드러지게 나타나기도 하여 표시패널의 표시품질이 저하된다.
이와 달리, 상기 1200Å이하의 두께를 가지는 보상층들의 반사 스펙트럼들(PL1, PL2, PL3)에서는 상기 피크 반사율이 나타나지 않는다. 600Å의 두께를 가진 보상층의 반사 스펙트럼(PL1)는 상기 가시광 영역 내에서 거의 선형적으로 반사율이 증가하는 경향을 보인다. 900Å의 두께를 가진 보상층의 반사 스펙트럼(PL2)는 상기 가시광영역에서 점차적으로 반사율이 감소하는 경향을 보이고, 약 580nm 파장대에서 다시 서서히 증가하는 경향을 보인다. 1200Å의 두께를 가진 보상층의 반사 스펙트럼(PL3)는 상기 가시광영역 내에서 반사율이 점차적으로 감소하는 경향을 보인다.
또한, 상기 1200Å이하의 두께를 가지는 보상층들의 반사 스펙트럼들(PL1, PL2, PL3)은 550nm 파장대에서 다른 반사 스펙트럼들(PL4, PL5, PL6)에 비해 낮은 반사율을 보인다. 상기 550nm 파장대의 광은 그린 계열의 컬러를 가진다.
일반적으로 사용자는 530nm~600nm 범위의 파장영역대의 광에 민감하게 반응한다. 이에 따라, 디스플레이 패널을 볼 때, 녹색을 띤 얼룩을 시인하거나, 녹색이 두드러지게 느껴지는 현상(greenish)이 나타나기 쉽다.
600Å~1200Å의 두께를 가지는 보상층은 최소 반사율을 가지는 파장영역이 서로 다르다. 최소 반사율을 가지는 파장영역을 선택하여 표시패널의 색감을 조절할 수 있다. 예컨대, 상기 600Å의 두께를 가지는 보상층은 블루 또는 바이올렛 컬러 계열(약 380nm~500nm)의 색상을 가진 광의 반사율을 감소시킨다.
상기 900Å의 두께를 가지는 보상층은 그린컬러 계열(약 500nm~680nm)의 색상을 가진 광의 반사율을 감소시킨다. 상기 1200Å의 두께를 가지는 보상층은 레드컬러 계열(약 630nm~780nm)의 색상을 가진 광의 반사율을 감소시킨다.
본 발명에 따른 보상층이 600Å~1200Å의 두께를 가지는 경우, 도 6에 도시된 것과 같이, 가시광선 파장영역 내에서 균일한 반사율 분포를 가진다. 또한, 600Å~1200Å의 두께를 가지는 보상층의 반사 스펙트럼은 그린컬러 파장대에서 낮은 반사율을 보인다. 따라서, 본 발명에 따르면, 반사율 저하 효과와 동시에, 컬러를 보정하여 표시품질이 개선된 표시패널이 제공될 수 있다.
도 7A는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 총 반사 스펙트럼을 도시한 그래프이다. 도 7A에서는 용이한 설명을 위해, 상기 보상층(CL)이 포함되지 않은 표시패널의 반사 스펙트럼(PL-R: 이하, 제1 반사 스펙트럼)과 상기 보상층(CL)이 포함된 표시패널의 반사 스펙트럼(PL-P: 이하, 제2 반사 스펙트럼)을 함께 도시하였다. 도 7A에서 상기 보상층(CL)은 실리콘옥시나이트라이드를 포함하고, 1000Å의 두께로 형성되었다.
도 7A에 도시된 것과 같이, 상기 제1 반사 스펙트럼(PL-R)과 상기 제2 반사 스펙트럼(PL-P)은 전체적인 플롯 형상 및 각 파장에 따른 반사율이 대체로 비슷한 경향을 보인다. 다만, 약 500nm~700nm 파장 범위에서 상기 제2 반사 스펙트럼(PL-P)은 상기 제1 반사 스펙트럼(PL-R)보다 낮은 반사율을 보인다.
상기 제1 반사 스펙트럼(PL-R)은 베이스 기판(SUB1: 도 4 참조) 및 절연층(GI: 도 4 참조) 사이에 형성된 계면으로부터 반사된 광의 스펙트럼을 포함한다. 이와 달리, 상기 제2 반사 스펙트럼(PL-P)은 상기 베이스 기판(SUB1)과 상기 절연층(GI) 사이에 상기 보상층(CL)이 추가된 실시예로부터 도출된 것이다.
본 발명에 따른 표시패널은 상기 베이스 기판(SUB1) 및 상기 절연층(GI)이 계면을 형성하지 않는다. 따라서, 상기 제2 반사 스펙트럼(PL-P)은 상기 베이스 기판(SUB1) 및 상기 절연층(GI) 사이에 형성된 계면으로부터 반사된 광의 스펙트럼을 포함하지 않는다. 상기 제2 반사 스펙트럼(PL-P)은 상기 베이스 기판(SUB1)과 상기 보상층(CL) 사이의 계면으로부터 반사된 광과 상기 보상층(CL) 및 상기 절연층(GI) 사이의 계면으로부터 반사된 광이 합성된 광의 스펙트럼을 포함한다.
상술한 바와 같이, 상기 보상층(CL)은 계면을 형성하는 두 층들 사이의 굴절률을 가진다. 상기 보상층(CL)의 굴절률은 상기 베이스 기판(SUB1)의 굴절률보다 크고 상기 절연층(GI)의 굴절률보다 작다. 상기 보상층(CL)을 더 포함함으로써, 상기 베이스 기판(SUB1) 및 상기 절연층(GI) 사이의 굴절률 차이가 완화된다.
상기 절연층(GI)의 상면으로부터 반사되는 광의 스펙트럼은, 상기 절연층(GI)의 상면과 계면을 형성하는 구성의 굴절률에 따라 달라진다. 상기 반사광의 스펙트럼은 상기 절연층(GI) 상에 상기 베이스 기판(SUB1)이 배치한 경우와 상기 절연층(GI) 상에 상기 보상층(CL)이 배치된 경우가 서로 다르다. 두 층간 굴절률의 차이가 작아질수록, 두 층 사이의 계면에서 반사되는 반사광의 반사율은 감소된다.
도 7a에 도시된 것과 같이, 본 발명에 따른 표시패널은 상기 보상층(CL)을 더 포함함으로써, 상기 500nm~700nm 파장 범위의 굴절률이 감소된다. 상기 500nm~700nm 파장 범위의 광은 그린 계열 내지 블루 계열의 컬러를 가진다. 본 발명에 따른 표시패널은 특히, 시청자에게 민감한 그린계열 광의 반사율을 감소시켜, 표시품질이 개선될 수 있다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 반사 스펙트럼을 도시한 것이다. 도 7b에서는 용이한 설명을 위해, 서로 다른 두께를 가진 보상층을 포함하는 표시패널의 반사 스펙트럼들을 함께 도시하였다.
도 7b에서는 약 1.78의 굴절율을 가지고 4100Å 의 두께를 가진 절연층(GI), 약 1.6의 굴절율을 가지고 3.2um의 두께를 가진 색상층(CF)을 포함하는 실시예에 대하여 보상층(CL)을 변화시켜 실험하였다. 상기 보상층(CL)은 약 1.55의 굴절율을 가지도록 실리콘나이트라이드의 조성비를 형성하였고, 각각 700Å, 800Å, 1000Å, 1500Å, 및 1600Å의 두께를 가진 실시예들을 도시하였다.
도 7b에 도시된 것과 같이, 상기 보상층(CL)을 포함하지 않는 표시패널을 레퍼런스 스펙트럼으로 할 때, 상기 보상층(CL)을 포함하지 않는 표시패널의 반사 스펙트럼은 가시영역 파장내에서 진폭이 가장 큰 플롯을 나타낸다. 이와 달리, 상기 보상층(CL)을 포함하는 스펙트럼들은 상기 레퍼런스 스펙트럼보다는 진폭이 감소된 플롯을 나타낸다. 이를 통해, 상기 보상층(CL)을 더 포함함으로써, 표시패널의 반사스펙트럼 개선 효과가 발생한다는 것을 알 수 있다.
상술한 바와 같이, 보상층(CL)의 두께가 달라짐에 따라 보상층(CL)의 고유 굴절율(도 6참조)도 달라진다. 상기 보상층(CL)의 고유 굴절율은 표시패널에 반영되어, 인접하는 절연층들의 반사스펙트럼을 변화시킨다. 또한, 보상층(CL)의 두께가 달라짐에 따라 낮은 진폭을 나타내는 파장영역도 달라진다. 따라서, 보상층(CL)의 두께 조절을 통해, 표시패널에서 반사되는 색상이 보정될 수 있다.
도 7b에 도시된 것과 같이, 상술한 1000Å의 두께를 가진 보상층(CL)을 포함하는 표시패널의 반사스펙트럼이 여러 파장영역에 걸쳐 진폭의 변화가 가장 완만하다. 즉, 본 실시예에서 1000Å의 두께를 가진 보상층(CL)이 표시패널의 반사스펙트럼을 가장 균일하게 제어한다.
그러나 일반적으로 반사율 저하와 색보정효과는 서로 비례되거나 반비례하지 않고, 서로 독립적인 패턴을 보인다. 예컨대, 700Å의 두께를 가진 보상층을 포함하는 표시패널은 레퍼런스 표시패널에 비해 전체적으로 균일한 반사율을 얻을 수는 있지만, 480nm 영역 및 630nm이후 파장영역대에서는 반사율이 증가된다. 따라서, 상기 파장영역에 해당하는 색상이 두드러지게 발생할 수 있다.
상기 보상층(CL)은 표시패널의 전체적인 반사 스펙트럼을 고르게 유지시키지만, 두께조절을 통해 특정 색상에 대해 선택적으로 반사를 저하시키거나 보강시킬 수 있다. 예컨대, 도 7b를 참조할 때, 반사율 저하를 개선시키면서도, 그리니시(greenish)효과를 저하시키는 반사 스펙트럼은 800Å~1500Å일 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 표시패널은 상기 보상층(CL)을 더 포함함으로써, 기본적으로 전체적인 반사 스펙트럼을 균일하게 개선시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 표시패널은 상기 보상층(CL)의 두께를 다양하게 조절함으로써 반사율 개선과 함께 선택적인 색보정이 가능하므로, 표시패널의 표시품질이 향상된다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 일부를 도시한 단면도이고, 도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 반사 스펙트럼을 도시한 그래프이다. 도 8a에는 도 4의 BB에 대응되는 부분의 단면도를 도시하였고, 도 8b에는 시뮬레이션을 통해 얻어진 상기 표시패널의 반사 스펙트럼을 도시하였다.
도 8a에 도시된 것과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널에 있어서, 보상층(CL)은 절연층 및 제1 전극(PE) 사이에 배치될 수 있다. 상기 보상층(CL)은 상기 절연층 및 상기 제1 전극(PE) 각각과 계면을 형성한다.
상기 절연층은 복수 개의 절연막들을 포함할 수 있다. 상기 복수 개의 절연막들은 게이트 절연막(GI) 및 패시베이션막(PS)을 포함한다. 도시되지 않았으나, 상기 패시베이션막(PS)은 박막 트랜지스터(TFT: 도 4 참조)를 커버한다. 상기 패시베이션막(PS)의 하측에는 유기층(OL)이 배치된다. 상기 유기층(OL)은 상기 패시베이션막(PS)을 평탄화시키는 오버코트층(overcoat layer)일 수 있다. 또는, 상기 유기층(OL)은 컬러를 가진 컬러필터층일 수 있다.
상기 보상층(CL)은 계면을 형성하는 상기 패시베이션막(PS)과 상기 제1 전극(PE) 사이의 굴절률 차이를 보상한다. 상기 보상층(CL)은 상기 보상층(CL)과 계면을 형성하는 두 층을 구성하는 물질들의 굴절률에 따라 구성물질이 결정될 수 있다. 상기 보상층(CL)의 굴절률은 상기 패시베이션막(PS)의 굴절률 및 상기 제1 전극(PE)의 굴절률의 사이값을 가진다.
예컨대, 상기 패시베이션막(PS)이 실리콘나이트라이드를 포함하고, 상기 제1 전극(ITO)이 인듐주석산화물을 포함하는 경우, 상기 보상층(CL)은 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있다. 실리콘옥시나이트라이드를 포함하는 보상층(CL)은 질소원자의 구성비율에 따라 굴절률이 조절될 수 있다. 따라서, 상기 보상층(CL)은 상기 실리콘나이트라이드 및 상기 인듐주석산화물 사이의 범위 내에서 다양한 굴절률을 가질 수 있다.
도 8b에는 상기 보상층(CL)이 적용되지 않은 절연층으로부터 반사된 광의 반사 스펙트럼(PL-R: 이하 제3 반사 스펙트럼)과 상기 보상층(CL)이 적용된 절연층으로부터 반사된 광의 반사 스펙트럼(PL-P: 이하, 제4 반사 스펙트럼)을 함께 도시하였다.
도 8b에 도시된 것과 같이, 상기 제3 반사 스펙트럼(PL-R)은 가시광 영역 내에서 대체적으로 두 개의 피크 반사율을 가지는 사인함수 형태의 곡선을 가진다. 대체적으로 상기 제3 반사 스펙트럼(PL-R)은 약 480nm 파장대와 약 700nm 파장대에서 최대 반사율을 가진다.
이와 달리, 상기 제4 반사 스펙트럼(PL-P)은 상기 제3 반사 스펙트럼(PL-R)과 비교할 때, 하나 피크 반사율을 가진다. 상기 제4 반사 스펙트럼(PL-P)의 피크 반사율은 약 600nm의 파장대에서 나타난다. 상기 제4 반사 스펙트럼(PL-P)의 피크 반사율이 나타나는 약 600nm의 파장대는, 상기 제3 반사 스펙트럼(PL-R)에서 나타나는 두 개의 피크 반사율의 사이인 골 영역에 해당된다.
상기 제4 반사 스펙트럼(PL-P)은 상기 제3 반사 스펙트럼(PL-R)의 피크 반사율이 나타나는 약 480nm 파장대와 약 700nm 파장대에서 반사율이 크게 낮아진다. 상기 제 4 반사 스펙트럼(PL-P)의 피크 반사율이 나타나는 600nm의 파장영역에서의 반사율은 다른 파장영역대의 반사율과 차이가 크지 않다.
대체적으로 상기 제4 반사 스펙트럼(PL-P)은 상기 제3 반사스펙트럼(PL-R)의 곡선에 반전된 형태의 곡선을 보여준다. 상기 제4 반사 스펙트럼(PL-P)은 상기 가시광 영역 내에서 전반적으로 반사율의 차이가 크지 않은 브로드한 곡선 형태를 보인다.
상기 제3 반사 스펙트럼(PL-R)은 상기 패시베이션막(PS)과 상기 제1 전극(PE)이 형성하는 계면으로부터 반사된 광의 스펙트럼을 포함한다. 도 8a에 도시된 것과 같이, 본 발명에 따른 표시패널에 있어서, 상기 패시베이션막(PS)과 상기 제1 전극(PE)은 계면을 형성하지 않는다. 따라서, 상기 제4 반사 스펙트럼(PL-P)은 상기 패시베이션막(PS)과 상기 제1 전극(PE)은 계면으로부터 반사된 광의 스펙트럼을 포함하지 않는다.
상기 제4 반사 스펙트럼(PL-P)은 상기 패시베이션막(PS)과 상기 보상층(CL) 사이의 계면으로부터 반사된 광 및 상기 보상층(CL)과 상기 제1 전극(PE) 사이의 계면으로부터 반사된 광이 합성된 광의 스펙트럼을 포함한다. 상기 합성된 광은 상기 제3 반사 스펙트럼(PL-R)을 변형시킨다. 상술한 바와 같이, 상기 보상층(CL)은 상기 패시베이션막(PS)과 상기 제1 전극(PE) 사이의 굴절률 차이를 보상하여 표시패널의 반사율을 저하시킨다.
도 9a 및 도 9b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시기판의 일부를 도시한 단면도이다. 도 9a 및 도 9b에서는 도 4의 BB에 대응하는 부분의 단면도를 도시하였다. 한 편, 도 1 내지 도 8에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 9a 및 도 9b에 도시된 것과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시기판은 복수 개의 보상층들(CL1, CL2)을 포함할 수 있다. 상기 복수 개의 보상층들(CL1, CL2)은 각각 절연층과 인접하여 배치된다.
제1 베이스 기판(SUB1) 및 게이트 절연막(GI) 사이에 제1 보상층(CL1)이 배치된다. 상기 제1 보상층(CL1)은 상기 제1 베이스 기판(SUB1)의 굴절률 및 상기 게이트 절연막(GI)의 굴절률 차이를 보상한다. 상기 제1 보상층(CL1)의 굴절률은 상기 제1 베이스 기판(SUB1)의 굴절률보다 크고, 상기 게이트 절연막(GI)의 굴절률보다 작다.
상기 제1 보상층(CL1)은 상기 게이트 절연막(GI)과 계면을 형성한다. 상기 계면으로부터 반사되는 광의 스펙트럼은 상기 절연층(GI)의 고유반사 스펙트럼을 변형시킨다.
도 9a에 도시된 것과 같이, 상기 게이트 절연막(GI)의 하측에는 패시베이션막(PS), 및 제1 전극(PE)이 배치된다. 상기 제2 보상층(CL2)은 상기 제1 전극(PE) 및 상기 패시베이션막(PS) 사이에 배치된다. 상기 제2 보상층(CL2)은 상기 패시베이션막(PS)의 굴절률 및 상기 제1 전극(PE)의 굴절률 차이를 보상한다.
상기 제2 보상층(CL2)은 상기 제1 전극(PE)의 굴절률 및 상기 패시베이션막(PS)의 굴절률의 사이값을 굴절률로 가진다. 일반적으로 상기 제1 전극(PE)의 굴절률이 상기 패시베이션막(PS)의 굴절률보다 크다. 따라서, 상기 제2 보상층(CL2)의 굴절률은 상기 패시베이션막(PS)의 굴절률보다 크고, 상기 제1 전극(PE)의 굴절률보다 작다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 상기 제1 전극(PE)의 굴절률이 상기 패시베이션막(PS)의 굴절률보다 작다면, 상기 제2 보상층(CL2)의 굴절률은 상기 패시베이션막(PS)의 굴절률보다 작고, 상기 제1 전극(PE)의 굴절률보다 클 수 있다.
도 9b에 도시된 것과 같이, 상기 표시기판은 상기 패시베이션막(PS) 및 상기 제1 전극(PE) 사이에 배치된 유기층(OL)을 더 포함할 수 있따. 상기 패시베이션막(PS) 및 상기 유기층(OL) 사이에 제2 보상층(CL2)이 배치된다. 상기 제2 보상층(CL2)은 상기 패시베이션막(PS)의 굴절률 및 상기 유기층(OL)의 굴절률 차이를 보상한다. 상기 제2 보상층(CL2)의 굴절률은 상기 유기층(OL)의 굴절률보다 크고, 상기 패시베이션막(PS)의 굴절률보다 작다.
상기 제2 보상층(CL2)은 상기 패시베이션막(PS)과 계면을 형성한다. 상기 계면으로부터 반사되는 광의 스펙트럼은 상기 절연층(PS)의 고유반사 스펙트럼을 변형시킨다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시기판은 상기 제1 전극(PE)의 두께를 조절하여 표시패널의 반사율을 저하시킬 수 있다. 이에 관한 시뮬레이션 결과를 하기 표에 나타내었다.
구조 반사율(%, 400~780nm)
AVG. 450nm 550nm 650nm
제1 실시예 10.6 19.7 10.5 8.9
제2 실시예 10.0 8.3 11.0 5.5
제3 실시예 7.9 5.5 6.2 8.9
표 1에는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 순차적으로 배치된 게이트 절연막 및 패시베이션막, 상기 패시베이션막 상에 배치된 유기층, 상기 유기층 상에 배치된 화소전극, 상기 화소전극 상에 배치된 액정층, 및 상기 액정층 상에 배치된 컬러필터층을 포함하는 표시패널에 대하여 시뮬레이션을 시행한 결과를 기재하였다.
표 1에는 보상층이 개재되지 않고, 550Å의 두께를 가진 화소전극을 포함하는 실시예(이하, 제1 실시예), 상기 제1 보상층(CL1) 및 상기 제2 보상층(CL2)이 포함된 실시예(이하, 제2 실시예), 및 상기 제2 실시예에서 상기 화소전극의 두께가 1250Å인 실시예(이하, 제3 실시예)의 반사율을 비교하여 기재하였다. 표 1에 기재된 평균 반사율(AVG.)은 가시광영역 파장범위(400~780nm)내를 기준으로 도출된 것이다.
표 1에 기재된 바와 같이, 제1 실시예의 평균 반사율과 상기 제2 실시예의 평균 반사율 자체는 큰 차이가 없다. 그러나, 상술한 바와 같이, 시청자가 주로 인식하는 그린 및 블루 계열의 파장영역, 예컨대, 450~650nm의 영역에서 반사율이 큰 폭으로 감소되었음을 알 수 있다.
또한, 표 1을 참조할 때, 상기 제3 실시예는 상기 제1 실시예 및 상기 제2 실시예보다 평균 반사율이 감소되었다. 650nm파장의 반사율은 증가하였으나, 상기 제1 실시예와 비슷하고, 그린계열이 강하게 나타나는 450nm 및 550nm 파장영역의 반사율은 크게 감소하였다. 따라서, 본 발명에 따른 표시패널은 상기 보상층을 더 포함하고, 상기 화소전극의 두께를 제어함으로써, 향상된 저반사 표시패널을 구현할 수 있다.
도 4를 참조할 때, 본 발명에 따른 표시패널은 상기 제1 표시기판(DS1) 및 상기 제2 표시기판(DS2)을 각각 제조하고, 제조된 상기 제1 표시기판(DS1) 및 상기 제2 표시기판(DS2)을 정렬 및 합착하여 형성된다. 제조된 상기 제1 표시기판(DS1)은 상면이 상기 액정층(LCL) 상에 배치되도록 정렬시킨다.
도 9a 및 도 9b를 참조할 때, 상기 제1 베이스 기판(SUB1) 상에 상기 제1 보상층(CL1)을 형성한다. 상기 제1 보상층(CL1)은 상기 제1 베이스 기판(SUB1)보다 굴절률이 높고 및 상기 절연층(GI)보다 굴절률이 낮은 유기물 또는 무기물로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 보상층(CL1)은 실리콘옥시나이트라이드(SION)로 형성될 수 있다. 상기 제1 보상층(CL1)은 증착방법, 스퍼터링방법 등에 의해 형성될 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다.
예컨대, 상기 제1 보상층(CL1)은 화학기상증착방법에 의해 형성될 수 있다. 상기 제1 베이스 기판(SUB1)을 챔버에 배치시키고, 질소(N2)가스를 주입한다. 상기 질소(N2)가스는 상기 제1 베이스 기판(SUB1)의 구성물질인 실리콘옥사이드(SIO2)와 반응한다. 상기 제1 베이스 기판(SUB1) 상에 형성된 실리콘옥시나이트라이드 박막층은 상기 제1 보상층(CL1)이 된다. 또는 본 발명의 다른 실시예에서, 상기 실리콘옥시나이트라이드 박막층은 상기 제1 베이스 기판(SUB1) 상에 실리콘질화물(SiNx)을 형성하고, 산화질소(N2O)가스를 주입하여 형성될 수 있다.
상기 질소가스의 농도와 챔버의 압력을 조절하여 상기 실리콘옥시나이트라이드의 구성비를 조절할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널은 상기 구성비를 조절함으로써, 상기 제1 보상층(CL1)의 굴절률을 제어할 수 있다.
상기 제1 보상층(CL1) 상에 게이트절연막(GI)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 증착, 노광, 현상 등을 통해 형성될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 용이하게 얻을 수 있는 방법으로 형성된다. 예컨대, 상기 게이트 절연막(GI)은 실리콘나이트라이드로 형성될 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(TFT) 상에 상기 패시베이션막(PS)이 배치된다. 도 9에 도시된 실시예와 다른 실시예에서, 상기 패시베이션막(PS)은 생략될 수 있다. 상기 패시베이션막(PS)은 상기 차광영역(SA)에서 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 커버한다. 상기 투과영역(TA)에서는 상기 게이트절연막(GI)을 커버한다. 상기 패시베이션막(PS)은 무기물 또는 유기물을 도포하여 패터닝하거나, 증착공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 패시베이션막(PS) 상에 상기 제2 보상층(CL2)을 형성한다. 상기 제2 보상층(CL2)은 증착방법, 스퍼터링 방법 등을 포함하는 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 패시베이션막(PS)이 실리콘나이트라이드로 형성된 경우, 상기 제2 보상층(CL2)은 상기 패시베이션막(PS) 상에 산화질소(N2O)가스를 주입하여 형성된 실리콘옥시나이트라이드 박막층일 수 있다. 또는, 본 발명의 다른 실시예에서, 상기 패시베이션막(PS)은 실리콘옥사이드를 포함하고, 상기 실리콘옥시나이트라이드 박막층은 상기 패시베이션막(PS) 상에 질소가스를 주입하여 형성될 수 있다.
상기 제2 보상층(CL2)은 상기 산화질소 가스의 주입량과 압력등을 조절하여 상기 실리콘옥시나이트라이드의 구성비를 조절할 수 있다. 본 발명에 따른 표시패널은 상기 실리콘옥시나이트라이드의 구성비를 조절함으로써, 상기 제2 보상층(CL2)의 굴절률을 제어한다.
상기 제2 보상층(CL2) 상에 상기 유기층(OL)이 형성될 수 있다. 상기 유기층(OL)은 상기 제2 보상층(CL2)의 표면을 평탄화시킨다. 또한, 컬러를 포함하는 유기물로 상기 유기층(OL)을 형성하는 경우, 상기 박막 트랜지스터(TFT) 상에 컬러필터가 배치된 COT(Colorfiter on TFT)구조를 가진 표시패널이 형성될 수 있다.
상기 유기층(OL) 상에는 상기 화소전극(PE)이 형성된다. 상기 유기층(OL)과 상기 화소전극(PE) 사이에는 캡핑층(Capping layer)이 더 형성될 수 있다. 상기 화소전극(PE)은 투명한 전도성 산화물, 투과율이 높은 금속층으로 형성될 수 있다. 상기 화소전극(PE)은 패터닝, 증착방법 등을 포함하는 다양한 방법으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 화소전극(PE)은 다양한 두께로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 화소전극(PE)은 상기 투과영역(TA)에 대응하는 마스크를 이용하고, 선택적 패터닝을 통해, 1100~1300Å의 두께범위로 형성될 수 있다. 상기 화소전극(PE) 상에는 상기 화소전극(PE)을 보호하기 위한 보호층이 형성될 수 있고, 폴리이미드와 같은 고분자로 구성된 배향막(미도시)이 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 제2 표시기판(DS2) 상에는 차광패턴층(BPL)이 형성된다. 상기 차광패턴층(BPL)은 상기 박막 트랜지스터(TFT) 및 복수 개의 신호배선들을 커버하는 복수 개의 차광패턴들을 포함할 수 있다. 상기 차광패턴층(BPL)은 투과율이 낮은 물질로 형성된다. 상기 차광패턴층(BPL)은 투과율이 낮은 금속, 또는 블랙 수지물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 차광패턴층(BPL)은 크롬(Chrome), 크롬/크롬옥사이드 이중막, 카본 안료, 그라파이트 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 차광패턴층(BPL)의 상기 차광패턴들에 인접하여 컬러를 가진 유기패턴층이 배치될 수 있다. 상기 유기패턴층은 상기 투과영역(TA)에 중첩하여 형성된다. 상기 유기패턴층은 컬러를 갖는 안료를 포함한다. 상기 유기패턴층은 투과영역들마다 다른 컬러를 표현할 수 있다.
상기 차광패턴층(BPL) 상에 제2 전극(CE)이 형성된다. 상기 제2 전극(CE)은 투명한 전도성 물질로 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(CE)은 상기 전도성 물질을 상기 제2 표시기판(DS2) 전면에 증착 또는 스퍼터링 하거나, 일부영역을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(CE) 상에는 유기물 또는 무기물로 구성된 보호층이 더 포함될 수 있고, 폴리이미드 등을 포함하는 배향막이 형성될 수 있다.
상기 제2 표시기판(DS2) 상에 상기 제1 표시기판(DS1)을 배치시키고, 상기 제1 표시기판(DS1) 및 상기 제2 표시기판(DS2)을 결합시킨다. 상기 제1 표시기판(DS1) 및 상기 제2 표시기판(DS2)은 실런트(silant)와 같은 결합부재를 통해 결합된다. 상기 제1 표시기판(DS1) 및 상기 제2 표시기판(DS2) 사이에는 액정이 주입되어 상기 액정층(LCL)이 형성된다.
본 발명에 따른 표시패널에 포함된 보상층은 절연층 및 상기 절연층과 인접하는 다른 층 사이의 굴절률 차이를 보상한다. 상술한 굴절률 보상을 통해, 표시패널의 반사율이 저하되고, 균일한 반사 스펙트럼이 구현된다. 또한, 전극 두께를 조절하여 표시품질이 향상된 표시패널이 제공될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
TFT: 박막 트랜지스터 DS1: 제1 표시기판
DS2: 제2 표시기판 CL: 보상층
OL: 유기층 IF1, IF2, IF3: 계면들
L1, L2, L3: 반사광들 PS: 패시베이션막

Claims (20)

  1. 상측으로부터 외부광이 입사되고, 제1 굴절률을 가지는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판의 하측에 배치되고, 상기 제1 굴절률과 다른 제2 굴절률을 가지는 제1 절연층;
    상기 제1 절연층의 하측에 배치된 화소전극; 및
    상기 제1 절연층 및 상기 베이스 기판 사이에 배치되어 상기 제1 절연층과 계면을 형성하고, 상기 제1 굴절률보다 크고 상기 제2 굴절률보다 작은 제3 굴절률을 가지는 제1 보상층을 포함하고,
    상기 계면으로부터 상기 외부광의 일부가 반사되고, 상기 계면으로부터 반사된 광은 상기 제1 절연층의 고유 반사 스펙트럼으로부터 변형된 반사 스펙트럼을 갖는 표시기판.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 베이스 기판 및 상기 제1 절연층 사이에 배치된 복수 개의 신호배선들을 더 포함하고,
    상기 제1 보상층은 상기 신호배선들 및 상기 베이스 기판 사이에 배치된 것을 특징으로 하는 표시기판.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 절연층 및 상기 화소전극 사이에 배치되는 제2 보상층을 더 포함하고,
    상기 제2 보상층의 굴절률은 상기 제2 보상층의 바로 위에 배치된 층의 굴절률과 상기 제2 보상층의 바로 아래에 배치된 층의 굴절률의 사이값인 것을 특징으로 하는 표시기판.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 절연층 및 상기 화소전극 사이에 배치되어 상기 제2 보상층과 계면을 형성하는 제2 절연층을 더 포함하고,
    상기 제2 보상층의 굴절률은 상기 제2 절연층의 굴절률보다 크고, 상기 화소전극의 굴절률보다 작은 것을 특징으로 하는 표시기판.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 절연층은 실리콘나이트라이드를 포함하고,
    상기 제1 보상층은 실리콘옥시나이트라이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 보상층의 두께는 800Å~1500Å인 것을 특징으로 하는 표시기판.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 화소전극의 두께는 1100Å~1300Å인 것을 특징으로 하는 표시기판.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 화소전극의 하측에 배치되고, 상기 화소전극과 다른 전압을 인가받는 공통전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판.
  9. 상측으로부터 외부광이 입사되는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판의 하측에 배치되고, 제1 굴절률을 갖는 절연층;
    상기 절연층의 하측에 배치되고, 제2 굴절률을 갖는 화소전극; 및
    상기 절연층 및 상기 화소전극 사이에 배치되어 상기 절연층과 계면을 형성하고, 상기 제1 굴절률보다 크고 상기 제2 굴절률보다 작은 제3 굴절률을 가지는 제1 보상층을 포함하고,
    상기 계면으로부터 상기 외부광의 일부가 반사되고, 상기 계면으로부터 반사된 광은 상기 절연층의 고유 반사 스펙트럼으로부터 변형된 반사 스펙트럼을 갖는 표시기판.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 화소전극 및 상기 제1 보상층 사이에 배치되어 상기 제1 보상층과 계면을 형성하고, 제4 굴절률을 갖는 유기층을 더 포함하고,
    상기 제3 굴절률은 상기 제4 굴절률보다 작은 것을 특징으로 하는 표시기판.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 유기층은 적어도 하나의 컬러를 포함하는 컬러필터층인것을 특징으로 하는 표시기판.
  12. 외부 광이 입사되고, 반사광이 출사되는 제1 표시기판; 및
    상기 제1 표시기판의 하측에 배치되는 제2 표시기판을 포함하고,
    상기 제1 표시기판은,
    상측으로 상기 외부 광이 입사되고, 제1 굴절률을 가지는 제1 베이스 기판;
    상기 제1 베이스 기판의 하측에 배치되고, 상기 제1 굴절률과 다른 제2 굴절률을 가지는 제1 절연층;
    상기 제1 절연층 하측에 배치된 제1 전극; 및
    상기 제1 절연층과 계면을 형성하고, 상기 제1 굴절률보다 크고 상기 제2 굴절률보다 작은 제3 굴절률을 가지는 제1 보상층을 포함하고,
    상기 계면으로부터 상기 외부광의 일부가 반사되고, 상기 계면으로부터 반사된 광은 상기 제1 절연층의 고유반사 스펙트럼으로부터 변형된 스펙트럼을 갖는 것을 특징으로 하는 표시패널.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 전극은 1100Å~1300Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 표시패널.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 보상층은 상기 제1 절연층 및 상기 제1 전극 사이에 배치된 것을 특징으로 하는 표시패널.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 절연층 및 상기 제1 전극 사이에 배치된 제2 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제2 절연층 및 상기 제1 전극 사이에 배치되고, 상기 제2 절연층과 계면을 형성하는 제2 보상층을 더 포함하고,
    상기 제2 보상층의 굴절률은 상기 제2 절연층의 굴절률 및 상기 제1 전극의 굴절률의 사이값을 갖는 것을 특징으로 하는 표시패널.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제2 보상층 및 상기 제1 전극 사이에 배치되어 상기 제2 보상층과 계면을 형성하는 유기층을 더 포함하고,
    상기 제2 보상층의 굴절률은 상기 제2 절연층의 굴절률 및 상기 유기층의 굴절률의 사이값을 갖는 것을 특징으로 하는 표시패널.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 유기층은 컬러필터층으로 이용되는 것을 특징으로 하는 표시패널.
  19. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 표시기판은,
    상기 제1 베이스 기판의 하측에 배치된 제2 베이스 기판; 및
    상기 제2 베이스 기판 상부에 배치되고, 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제1 표시기판 및 상기 제2 표시기판 사이에 배치된 액정층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.

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