TW202018473A

TW202018473A - 觸控顯示裝置

Info

Publication number: TW202018473A
Application number: TW107139210A
Authority: TW
Inventors: 鄭文騰
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2018-11-05
Filing date: 2018-11-05
Publication date: 2020-05-16
Also published as: TWI676924B; CN110221725A

Abstract

一種觸控顯示裝置，包含陣列基板、顯示介質層、濾光層、第一透光氧化層、第二透光氧化層、透光導電層以及觸控面板。顯示介質層設置在陣列基板之上。濾光層設置在顯示介質層之上。第一透光氧化層設置在濾光層之上，並具有第一折射率。第二透光氧化層設置在第一透光氧化層之上，並具有第二折射率，且第一折射率大於第二折射率。透光導電層設置在第二透光氧化層之上，其中透光導電層的厚度介於1000埃(Å)與3000埃(Å)之間。觸控面板設置在透光導電層之上。

Description

觸控顯示裝置

本揭露內容是關於一種觸控顯示裝置。

隨著電子產品設計的發展日漸茁壯，許多具有高機能性的電子產品也漸漸被開發出來。以提供使用者顯示畫面的產品來說，其產品趨向讓使用者可直接在顯示畫面進行觸控操作，以利操作過程可更直觀，也因此相關產品的發展性也備受看好。

具體來說，這類電子產品可藉由將顯示面板與觸控面板結合於一起來實現，其中觸控面板係可透過探測電性訊號的變化來判斷使用者的觸控位置，像是電阻變化或是電容變化。然而，隨著電子產品的尺寸有更動或是觸控精度需求提升，這些電性訊號受到其他訊號干擾的程度也可能升高，使得使用者的觸控體驗會受到影響，因此，在觸控方面與減少受到干擾的議題已成為相關領域的發展方向之一。

本揭露內容之一實施方式提供一種觸控顯示裝置，包含陣列基板、顯示介質層、濾光層、第一透光氧化層、第二透光氧化層、透光導電層以及觸控面板。顯示介質層設置在陣列基板之上。濾光層設置在顯示介質層之上。第一透光氧化層設置在濾光層之上，並具有第一折射率。第二透光氧化層設置在第一透光氧化層之上，並具有第二折射率，且第一折射率大於第二折射率。透光導電層設置在第二透光氧化層之上，其中透光導電層的厚度介於1000埃(Å)與3000埃(Å)之間。觸控面板設置在透光導電層之上。

於部分實施方式中，透光導電層的材料包含氧化銦錫，且透光導電層的厚度介於1100埃(Å)與1600埃(Å)之間。

於部分實施方式中，第一透光氧化層的厚度介於80埃(Å)與200埃(Å)之間，而第二透光氧化層的厚度介於250埃(Å)與400埃(Å)之間。

於部分實施方式中，透光導電層的材料包含氧化銦錫，且透光導電層的厚度介於2550埃(Å)與2850埃(Å)之間。

於部分實施方式中，第一透光氧化層的厚度介於100埃(Å)與220埃(Å)之間，而第二透光氧化層的厚度介於200埃(Å)與400埃(Å)之間。

於部分實施方式中，第一折射率介於2.1與2.5之間，而第二折射率介於1.4與1.6之間。

於部分實施方式中，第一透光氧化層的材料包含五氧化二鈮(Nb₂O₅)，而第二透光氧化層的材料包含二氧化矽(SiO₂)。

於部分實施方式中，第二透光氧化層疊置在第一透光氧化層上並形成交界面，透光導電層疊置在第二透光氧化層上並形成交界面，透光導電層的材料包含氧化銦錫，且透光導電層具有第三折射率，其中第三折射率介於第一折射率與第二折射率之間。

於部分實施方式中，觸控顯示裝置更包含第一偏光層以及第二偏光層。第一偏光層連接陣列基板。第二偏光層設置在透光導電層與觸控面板之間。

本揭露內容之一實施方式提供一種觸控顯示裝置，包含陣列基板、顯示介質層、濾光層、第一透光氧化層、第二透光氧化層、透光導電層以及觸控面板。顯示介質層，設置於陣列基板之上。濾光層設置在顯示介質層之上。第一透光氧化層設置在濾光層之上，並具有第一折射率。第二透光氧化層設置在第一透光氧化層之上，並具有第二折射率，且第一折射率大於第二折射率。透光導電層設置於第二透光氧化層之上，並具有厚度T，且A-B≦T≦A+C，其中A為厚度參考值，B為第一厚度變化值，C為第二厚度變化值，其中當透光導電層的厚度T落在A-B至A之間的時候，透光導電層的厚度T與透光率呈正相關，而當透光導電層的厚度落在A至A+C之間的時候，透光導電層的厚度T與透光率呈負相關。觸控面板設置於透光導電層之上。

透過上述配置，觸控顯示裝置提供可影像顯示以及觸控操作功能，而配置在觸控面板之下的透明導電層可屏蔽電性訊號，從而提升訊號雜訊比。在使用氧化銦錫形成厚度大於1000埃(Å)的透光導電層的狀況下，可使透光導電層的片電阻小於60(Ω/□)，以利進一步提升訊號雜訊比的效果。而在使用氧化銦錫形成厚度小於3000埃(Å)的透光導電層的狀況下，可因薄膜干涉現象，形成透光率大於84%的透光導電層，以適於觸控顯示裝置的顯示需求。因此，厚度介於1000埃(Å)與3000埃(Å)之間的透光導電層可在適於顯示需求的條件下，達到進一步提升訊號雜訊比的效果。

100‧‧‧觸控顯示裝置

102‧‧‧第一偏光層

110‧‧‧陣列基板

112‧‧‧顯示介質層

114‧‧‧間隙物

116‧‧‧濾光層

120‧‧‧光學匹配層

122‧‧‧第一透光氧化層

124‧‧‧第二透光氧化層

126‧‧‧透光導電層

128‧‧‧第二偏光層

130‧‧‧膠體層

132‧‧‧觸控面板

I1‧‧‧第一區間

I2‧‧‧第二區間

T、TA、TB‧‧‧厚度

第1圖為依據本揭露內容的部分實施方式繪示觸控顯示裝置的側視示意圖。

第2圖繪示第1圖的透光導電層的厚度與其對光線穿透率的關係圖。

以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節為非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。在本文中，使用第一、第二與第三等等之詞彙，為用於辨別不同元件、區域、層，而非用以限制本揭露內容。

本揭露內容的觸控顯示裝置可透過整合於一起的顯示面板與觸控面板提供顯示及觸控功能，其中觸控顯示裝置更包含配置在顯示面板與觸控面板之間的透明導電層，以屏蔽來自顯示面板發出的電性訊號，從而提升觸控顯示裝置的訊號雜訊比(S/N)。

請參照第1圖，第1圖為依據本揭露內容的部分實施方式繪示觸控顯示裝置100的側視示意圖。觸控顯示裝置100包含第一偏光層102、陣列基板110、顯示介質層112、間隙物114、濾光層116、光學匹配層120、透光導電層126、第二偏光層128、膠體層130以及觸控面板132。

第一偏光層102連接陣列基板110，且觸控顯示裝置100可更包含背光模組(未繪示)，配置以使第一偏光層102位在背光模組與陣列基板110之間，並用以朝著第一偏光層102發射光線。陣列基板110可包含薄膜電晶體及畫素電極(未繪示)，且薄膜電晶體電性連接畫素電極，以透過薄膜電晶體施加電壓予畫素電極，從而耦合出電場。

顯示介質層112設置在陣列基板110之上，並具有顯示介質，例如像是液晶分子。顯示介質層112的顯示介質可藉由陣列基板110的畫素電極所耦合出的電場來控制，從而控制是否使自第一偏光層102向上行進的光線穿過。

濾光層116設置在顯示介質層112之上，且間隙物114設置在陣列基板110與濾光層116之間。間隙物114可配置以使陣列基板110與濾光層116之間存在間距，從而提供足夠的空間來將顯示介質填充於使陣列基板110與濾光層116之間。濾光層116可包含不同顏色的色阻，例如紅色色阻、綠色色阻及藍色色阻，以使自顯示介質層112通過濾光層116的光線可帶有相因應的顏色，從而使觸控顯示裝置100提供影像。此外，觸控顯示裝置100可更包含遮光層(未繪示)，例如黑色矩陣，並與濾光層116共同設置在顯示介質層112之上，以利區隔濾光層116的各色色阻，並遮蔽位在顯示介質層112下方的層體或元件的可視性。

光學匹配層120設置在濾光層116之上，而透光導電層126設置在光學匹配層120之上。光學匹配層120包含第一透光氧化層122與第二透光氧化層124，第一透光氧化層122設置在濾光層116之上，而第二透光氧化層124設置在第一透光氧化層122之上。具體來說，濾光層116可包含透光基板，例如玻璃基板，其中遮光層與各色色阻可形成在透光基板的表面上，而光學匹配層120可形成在透光基板的另一側的表面上。

第一透光氧化層122的材料包含金屬氧化物，像是五氧化二鈮(Nb₂O₅)、二氧化鈦(TiO₂)或其他類似物。第二透光氧化層124的材料包含非金屬氧化物，像是二氧化矽(SiO₂)或其他類似物。透光導電層126的材料包含金屬氧化物，像是氧化銦錫(ITO)或其他類似物。第二偏光層128設置在透光導電層126之上，且透過膠體層130連接觸控面板132，即第二偏光層128會位在透光導電層126與觸控面板132之間。此外，膠體層130可包含光學膠。

使用者可藉由觸控面板132進行對觸控顯示裝置100的觸控操作，其中於進行操作期間，透光導電層126可屏蔽來自其下方層體或元件的電性訊號，以避免這些電性訊號干擾觸控面板132解析使用者的觸控位置，從而避免觸控面板 132對使用者的觸控位置產生誤判。對此，由於透光導電層126為用來屏蔽電性訊號，故在部分實施方式中，透光導電層126以俯視觀之的形狀可以是一個完整填滿的圖案，例如圓形、矩形或其他多邊形，即其形狀輪廓內的面積與表面積會是相同的。

透光導電層126提供的屏蔽效果會與其阻抗有關，舉例來說，透光導電層126的阻抗會與觸控面板132的訊號雜訊比呈負相關。也就是說，可透過降低透光導電層126的阻抗來提升觸控面板132的訊號雜訊比，從而提升觸控面板132對觸控操作的判斷精度。

透光導電層126的阻抗會與其厚度T有相關性，例如透光導電層126的阻抗會與其厚度T呈現負相關，因此可藉由增厚透光導電層126來降低其阻抗。在透光導電層126的材料包含氧化銦錫，且其厚度T大於1000埃(Å)的情況下，可致使透光導電層126的片電阻小於60(Ω/□)，以利於提升屏蔽電性訊號的效果。另一方面，透光導電層126的厚度T也與其穿透率有相關性，而穿透率又會與觸控顯示裝置100呈現的影像品質有相關性。對此，在使用氧化銦錫形成厚度T介於1000埃(Å)與3000埃(Å)之間的透光導電層126時，可因薄膜干涉現象，形成透光率適於顯示需求的透光導電層126。

進一步來說，請看到第2圖，第2圖繪示第1圖的透光導電層126的厚度T與其對光線穿透率的關係圖，其中橫軸為透光導電層的厚度，單位為埃(Å)，而縱軸為透光導電層對光線的穿透率，單位為百分比(%)。如第2圖所示，由氧化銦錫形成的透光導電層在其厚度小於3000埃(Å)的情況下，其對光線穿透率會呈現波動起伏，此波動起伏係因薄膜干涉現象而導致，其中穿透率在厚度約1300埃(Å)處及約2700埃(Å)處會有極大值。

在此，所述的「極大值」意思為，在透光導電層的厚度符合「A-B≦透光導電層的厚度T≦A+C」區間，其中A為厚度參考值；B為第一厚度變化值；C為第二厚度變化值的情況下，當透光導電層的厚度T落在A-B至A之間的時候，透光導電層的厚度T與透光率呈正相關，而當透光導電層的厚度落在A至A+C之間的時候，透光導電層的厚度T與透光率呈負相關。

具體來說，厚度參考值A可以是約1300埃(Å)，第一厚度變化值B可以是約600埃(Å)，第二厚度變化值C可以是約700埃(Å)，使得區間為：700埃(Å)≦透光導電層的厚度T≦2000埃(Å)。此時，當透光導電層的厚度在700埃(Å)至1300埃(Å)時，大致會是呈現厚度與透光率呈正相關，而當透光導電層的厚度在1300埃(Å)至2000埃(Å)時，大致會是呈現厚度與透光率呈負相關，而在正相關與負相關的交界點附近的穿透率可大於85%。例如，當透光導電層的厚度介於1100埃(Å)與1600埃(Å)之間的時候，其穿透率會介於86%至92%之間，如第一區間I1所示。

此外，厚度參考值A也可以是約2700埃(Å)，第一厚度變化值B可以是約700埃(Å)，第二厚度變化值C可以是約700埃(Å)，使得區間為：2000埃(Å)≦透光導電層的厚度T ≦3400埃(Å)。此時，當透光導電層的厚度在2000埃(Å)至2700埃(Å)時，大致會是呈現厚度與透光率呈正相關，而當透光導電層的厚度在2700埃(Å)至3400埃(Å)時，大致會是呈現厚度與透光率呈負相關，而在正相關與負相關的交界點附近的穿透率可大於84%。例如，當透光導電層的厚度介於2550埃(Å)與2850埃(Å)之間的時候，其穿透率會介於85%至88%之間，如第二區間I2所示。

請回到第1圖。由前述可知，厚度T介於1000埃(Å)與3000埃(Å)之間的透光導電層126可因薄膜干涉現象，致使穿透率仍大於84%，也因此，厚度T介於1000埃(Å)與3000埃(Å)之間的透光導電層126可在穿透率不致於影響影像品質的情況下，達到屏蔽電性訊號的效果。對此，於部分實施方式中，透光導電層126的厚度T可以是介於1100埃(Å)與1600埃(Å)之間，而穿透率為介於86%至92%之間，且片電阻為大於0(Ω/□)並小於60(Ω/□)。於其他實施方式中，透光導電層126的厚度T也可以是介於2550埃(Å)與2850埃(Å)之間，而穿透率會介於86%至92%之間，且片電阻為大於0(Ω/□)並小於30(Ω/□)。

另一方面，位在濾光層116與透光導電層126之間的光學匹配層120可提供透光導電層126光學校正的效果，從而防止透光導電層126因其厚度T超過1000埃(Å)而導致觸控顯示裝置100所呈現的影像有色偏現象。具體來說，光學匹配層120可藉由其層體的折射率差異而達到補償色偏的效果，在此，所述「補償色偏」意思為，對於自濾光層116依序穿過光學匹配層120及透光導電層126的光線而言，此光線在色域在CIE 1976(L*,a*,b*)色彩空間上，於座標a*的位置以及於座標b*的位置可藉由光學匹配層120的補償效果而更接近0。

具體而言，第一透光氧化層122具有第一折射率，第二透光氧化層124具有第二折射率，且第一折射率大於第二折射率。於部分實施方式中，第一折射率可介於2.1與2.5之間，第二折射率可介於1.4與1.6之間，而在透光導電層126是由氧化銦錫形成的情況下，透光導電層126具有第三折射率，且介於1.7與2.1之間，即第三折射率會介於第一折射率與第二折射率之間。第一透光氧化層122的厚度TA及第二透光氧化層124的厚度TB分別為小於1000埃(Å)，且可因應透光導電層126的厚度T調整，從而利於達到補償色偏的效果。舉例來說，在透光導電層126的厚度T介於1100埃(Å)與1600埃(Å)之間的實施方式中，第一透光氧化層122的厚度TA介於80埃(Å)與200埃(Å)之間，第二透光氧化層124的厚度TB介於250埃(Å)與400埃(Å)之間。而在透光導電層126的厚度T介於2550埃(Å)與2850埃(Å)之間的實施方式中，第一透光氧化層122的厚度TA介於100埃(Å)與220埃(Å)之間，第二透光氧化層124的厚度TB介於200埃(Å)與400埃(Å)之間。透過上述配置，第一透光氧化層122的厚度TA及第二透光氧化層124的厚度TB分別為小於1000埃(Å)的情況下，配合相因應的折射率配置，可使光學匹配層120對透光導電層126達到補償色偏的效果。

此外，透光導電層126可直接疊置在光學匹配層 120上並與其連接，以利進一步補償色偏。進一步來說，第一透光氧化層122、第二透光氧化層124以及透光導電層126可採層疊的方式依序疊置，其中第二透光氧化層124可疊置在第一透光氧化層122上並形成交界面，而透光導電層126可疊置在第二透光氧化層124上並形成交界面。

對於不同的觸控判斷精度需求，可對應選用上述不同厚度範圍的透光導電層126。而雖厚度介於1100埃(Å)與1600埃(Å)之間的透光導電層126與厚度介於2550埃(Å)與2850埃(Å)之間的透光導電層126在第2圖所示的穿透率極大值(分別約為90%與88%)處有差異，然而，在透光導電層126之上設置有第二偏光層128的情況下，由於穿過透光導電層126的光線會再穿過第二偏光層128，故兩種厚度區間的穿透率差距會再縮減。另一方面，雖上述觸控顯示裝置100是採用顯示介質層112與濾光層116的組合來提供影像顯示功能，然而，本揭露內容不以此為限，於其他實施方式中，顯示介質層112與濾光層116的組合也可置換為其他顯示元件，像是置換為電致發光元件，例如微二極體發光元件、量子點發光元件或其他類似元件。

綜上所述，本揭露內容的觸控顯示裝置提供影像顯示以及觸控操作功能，其中觸控操作功能係由觸控面板實現。此外，觸控顯示裝置更包含透明導電層，透明導電層配置在觸控面板之下並可屏蔽電性訊號，從而提升訊號雜訊比。在使用氧化銦錫形成厚度大於1000埃(Å)的透光導電層的狀況下，可使透光導電層的片電阻小於60(Ω/□)，以利進一步提升訊號雜訊比的效果。而在使用氧化銦錫形成厚度小於3000埃(Å)的透光導電層的狀況下，可因薄膜干涉現象，形成透光率大於84%的透光導電層，以適於觸控顯示裝置的顯示需求。此外，觸控顯示裝置可更包含光學匹配層，其中光學匹配層配置在透光導電層之下，並包含至少兩層透光氧化層，此兩層透光氧化層的折射率不同，且也異於透光導電層的折射率，以達到對透光導電層達到補償色偏的效果。

雖然本發明已以多種實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。