KR102032597B1 - 액정 디스플레이 장치 - Google Patents

액정 디스플레이 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102032597B1
KR102032597B1 KR1020160056538A KR20160056538A KR102032597B1 KR 102032597 B1 KR102032597 B1 KR 102032597B1 KR 1020160056538 A KR1020160056538 A KR 1020160056538A KR 20160056538 A KR20160056538 A KR 20160056538A KR 102032597 B1 KR102032597 B1 KR 102032597B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
light reflection
layer
light
pixel
Prior art date
Application number
KR1020160056538A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160131962A (ko
Inventor
이일하
황지영
이승헌
오동현
김기환
서한민
박찬형
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Publication of KR20160131962A publication Critical patent/KR20160131962A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102032597B1 publication Critical patent/KR102032597B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/08—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 light absorbing layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/38—Anti-reflection arrangements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 명세서는 액정 디스플레이 장치에 관한 것이다.

Description

액정 디스플레이 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
본 출원은 2015년 5월 6일에 한국 특허청에 제출된 한국특허출원 제10-2015-0063331호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 액정 디스플레이 장치에 관한 것이다.
액정 디스플레이 장치는 최근 멀티 미디어 사회에서 사용되는 가장 중요한 디스플레이 장치로서, 휴대 전화로부터 컴퓨터용 모니터, 노트북, 텔레비전(Television)에 이르기까지 폭 넓게 이용되고 있다. 액정 디스플레이 장치로는 2장의 직교한 편광판 사이에 네마틱(Nematic) 액정을 트위스트(Twist) 배열시킨 액상 결정층을 개재시킨 다음, 전계를 기판에 대하여 수직인 방향에 걸리게 하는 TN 모드가 있다. 이러한 TN 모드 방식에서는 검은색 표시시 액정이 기판에 수직한 방향으로 배향하기 때문에, 경사진 시야각에서 액정 분자에 의한 복굴절이 발생하고 빛 누출이 일어난다.
이러한 TN 모드 방식의 시야각 문제를 해결하기 위해서, 하나의 기판 상에 두개의 전극을 형성하고 두 전극 사이에서 발생하는 횡전계로 액정의 방향자를 조절하는 IPS 모드(In-Plane Switching Mode)가 도입되었다. 즉, IPS 모드 방식은 면상 스위칭 액정 디스플레이 또는 횡전계방식 액정 디스플레이라고도 불리우며, 액정이 배치되는 셀 내에 전극을 같은 면상에 배치함으로써 액정이 수직방향으로 정렬되는 것이 아니라 전극의 횡방향 면에 평행하게 정렬되도록 한다.
이와 같은 액정 디스플레이 장치의 경우, 각 화소의 박막트랜지스터의 전극 및 배선 라인은 금속으로 형성되며, 이에 따른 높은 광반사도에 의하여 디스플레이의 화면에 방해가 될 수 있는 문제가 있다.
한국 공개공보: 10-2006-0130502
본 명세서는 액정 디스플레이 장치의 배선 전극에 의한 눈부심 현상을 제어하여, 고화질의 디스플레이 구현이 가능한 액정 디스플레이 장치 및 이의 제조방법을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는,
기판;
상기 기판 상에 서로 교차하여 구비되는 복수의 게이트 라인 및 복수의 데이터 라인;
상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인에 의하여 구획되는 복수의 화소 영역;
각각의 상기 화소 영역의 일측에 구비되는 박막트랜지스터;
상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 라인과 연결되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 상기 게이트 전극과 절연되어 구비되는 반도체층, 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 소스 전극, 및 상기 화소 전극 또는 공통 전극과 전기적으로 연결되는 드레인 전극을 포함하고,
각각의 상기 화소 영역 상에 구비되는 컬러필터층;
각각의 상기 화소 영역에 구비된 화소 전극 및 상기 화소 전극에 대응하여 구비되는 공통 전극; 및
상기 게이트 전극, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인 중 적어도 하나의 일면 상에 구비되는 광반사 저감층을 포함하며,
상기 광반사 저감층은 하기 식 1의 값이 0.004 이상 0.22 이하를 만족하는 것인 액정 디스플레이 장치를 제공한다.
[식 1]
Figure 112016044048236-pat00001
식 1에 있어서, k는 광반사 저감층의 소멸계수를 의미하고, t는 광반사 저감층의 두께를 의미하며, λ는 빛의 파장을 의미한다.
본 명세서에 따른 액정 디스플레이 장치는 배선 전극에 의한 광반사율을 제어하여 고화질의 디스플레이 구현이 가능하다.
도 1은 본 명세서의 일 화소 영역의 예시를 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 액정 디스플레이 장치의 단면을 도시한 것이다.
도 3은 실시예 1의 광반사저감층의 파장에 따른 n, k 값을 나타낸 그래프이다.
도 4는 비교예 1의 MoTi층의 파장에 따른 n, k 값을 나타낸 그래프이다.
도 5는 실시예 1 과 비교예 1의 반사율을 비교한 것이다.
도 6은 실시예 13의 반사율을 나타낸 것이다.
도 7은 실시예 14의 반사율을 나타낸 것이다.
도 8 및 9는 실시예 15에서 제조된 구조로 구현한 반사율 및 광학 상수 값을 나타낸 것이다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서에서, 디스플레이 장치란 TV나 컴퓨터용 모니터 등을 통틀어 일컫는 말로서, 화상을 형성하는 디스플레이 소자 및 디스플레이 소자를 지지하는 케이스를 포함한다.
종래의 디스플레이 장치에서는 빛의 반사, 빛샘 현상 등을 방지하기 위하여, 블랙 매트릭스(black matrix)가 적용되어 왔다. 최근에는, 컬러필터를 박막 트랜지스터와 함께 어레이 기판에 형성한 컬러필터 온 박막 트랜지스터(Color Filter on TFT Array, COT 또는 COA)라는 구조를 도입함으로써, 전술한 블랙 매트릭스를 사용하지 않는 구조가 개발되고 있다. 상기 블랙 매트릭스를 사용하지 않는 구조의 도입에 의하여, 디스플레이 장치의 투과율 향상, 휘도 향상, 백라이트 효율성 개선 등의 효과를 얻을 수 있다. 그러나, 상기 블랙 매트릭스를 사용하지 않는 구조의 경우에는 디스플레이 장치 내에 포함되는 금속 전극이 노출될 수 있는 영역이 많아져서, 상기 금속 전극의 색상 및 반사 특성으로 인한 문제점이 발생하게 된다. 특히, 최근에는 디스플레이 장치가 대형화되고, 해상도가 증가하므로, 전술한 디스플레이 장치 내에 포함되는 금속 전극에 의한 반사, 색상 특성을 저감시킬 수 있는 기술이 요구되고 있다.
이에 본 발명자들은, 금속과 같은 도전성층을 포함하는 디스플레이 장치에 있어서, 상기 도전성층의 시인성은 상기 도전성층에 의한 광반사 및 회절 특성이 주요한 영향을 미친다는 사실을 밝혀내었으며, 이를 개선하고자 하였다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 액정 디스플레이 장치는 게이트 전극, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 같은 배선 전극 상에 광반사 저감층을 도입하여, 배선 전극의 높은 반사도에 따른 시인성 저하를 크게 개선할 수 있다.
나아가, 상기 광반사 저감층을 이용하는 경우, 박막트랜지스터에 대응하는 영역 상에 블랙 매트릭스를 형성하지 않아도 되는 장점도 있다.
구체적으로, 상기 광반사 저감층은 흡광성을 가지기 때문에 배선 전극 자체로 입사되는 빛과 화소 전극 및 공통 전극으로부터 반사되는 빛의 양을 감소시킴으로써 배선 전극에 의한 광반사도를 낮출 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는, 기판;
상기 기판 상에 서로 교차하여 구비되는 복수의 게이트 라인 및 복수의 데이터 라인;
상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인에 의하여 구획되는 복수의 화소 영역;
각각의 상기 화소 영역의 일측에 구비되는 박막트랜지스터;
상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 라인과 연결되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 상기 게이트 전극과 절연되어 구비되는 반도체층, 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 소스 전극, 및 상기 화소 전극 또는 공통 전극과 전기적으로 연결되는 드레인 전극을 포함하고,
각각의 상기 화소 영역 상에 구비되는 컬러필터층;
각각의 상기 화소 영역에 구비된 화소 전극 및 상기 화소 전극에 대응하여 구비되는 공통 전극; 및
상기 게이트 전극, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인 중 적어도 하나의 일면 상에 구비되는 광반사 저감층을 포함하며,
상기 광반사 저감층은 하기 식 1의 값이 0.004 이상 0.22 이하를 만족하는 것인 액정 디스플레이 장치를 제공한다.
[식 1]
Figure 112016044048236-pat00002
식 1에 있어서, k는 광반사 저감층의 소멸계수를 의미하고, t는 광반사 저감층의 두께를 의미하며, λ는 빛의 파장을 의미한다.
상기 광반사 저감층이 구비된 전극에 외부 광이 입사하는 경우, 상기 광반사 저감층의 표면에서 반사되는 1차 반사광이 존재하고, 상기 광반사 저감층을 통과하여 하부의 전극 표면에서 반사되는 2차 반사광이 존재한다.
상기 광반사 저감층은 상기 1차 반사광과 상기 2차 반사광의 소멸 간섭을 통하여 광반사도를 낮출 수 있다.
본 발명자들은 상기 식 1의 값이 0.004 이상 0.22 이하를 만족하는 광반사 저감층을 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극에 접하여 구비하는 경우, 소멸 간섭을 통하여 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극의 광반사도를 획기적으로 낮추어 디스플레이의 높은 해상도를 구현할 수 있음을 밝혀내었다.
구체적으로, 상기 1차 반사광과 상기 2차 반사광이 180도의 위상 차이가 되어 소멸 간섭이 되는 조건은 하기 식 2와 같다.
[식 2]
Figure 112016044048236-pat00003
상기 식 2에 있어서, t는 광반사 저감층의 두께를 의미하고, λ는 빛의 파장을 의미하며, n는 광반사 저감층의 굴절율을 의미한고, N은 1, 3, 5와 같은 임의의 홀수를 의미한다.
상기 소멸 간섭의 되는 조건에서의 1차 반사율은 하기 식 3과 같이 구해질 수 있다.
[식 3]
Figure 112016044048236-pat00004
상기 식 3에 있어서, n은 광반사 저감층의 굴절율을 의미하고, k는 광반사 저감층의 소멸계수를 의미한다.
나아가, 상기 소멸 간섭의 되는 조건에서의 2차 반사율은 하기 식 4와 같이 구해질 수 있다.
[식 4]
Figure 112016044048236-pat00005
상기 식 4에 있어서, Rmetal은 화소전극 또는 공통 전극 표면의 반사도를 의미하고, R1은 광반사 저감층에서의 1차 반사율을 의미하며, Io은 입사되는 빛의 세기를 의미하고, n은 광반사 저감층의 굴절율을 의미하며, k는 광반사 저감층의 소멸 계수를 의미하고, N은 N은 1, 3, 5와 같은 임의의 홀수를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 1차 반사율과 상기 2차 반사율의 차이의 절대값은 0.13 이상 0.42 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 λ는 550 ㎚ 일 수 있다. 즉, 550 ㎚ 파장의 빛일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인은 배선 전극으로 통칭될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인의 기판과 인접하는 면의 반대 측면 상에 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층의 두께는 5 nm 이상 100 nm 이하, 더욱 바람직하게는 10 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층의 두께는 20 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하일 수 있다.
상기 광반사 저감층의 두께가 10 ㎚ 미만인 경우, 상기 배선 전극의 광반사도를 충분히 제어하지 못하는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 상기 광반사 저감층의 두께가 100 ㎚ 초과인 경우, 상기 광반사 저감층을 패턴화하기 곤란한 문제가 발생할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층의 소멸계수(k)는 550 ㎚파장의 빛에서 0.1 이상 2 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층의 소멸계수(k)는 550 ㎚파장의 빛에서 0.4 이상 2 이하일 수 있다.
상기 소멸계수가 상기 범위 내인 경우, 상기 배선 전극의 광반사도를 효과적으로 제어할 수 있으며, 이에 따라 상기 액정 디스플레이 장치의 시인성이 더욱 더 개선될 수 있다.
상기 소멸계수는 당업계에 알려진 Ellipsometer 측정장비 등을 이용하여 측정할 수 있다.
상기 소멸계수 k는 흡수계수(Absorption Coefficient)라고도 하며, 특정 파장에서 대상 물질이 빛을 얼마나 강하게 흡수하는지를 정의할 수 있는 척도가 될 수 있다. 이에 따라서 들어온 빛이 두께 t의 광반사 저감층을 지나며, k의 정도에 따라 1차 흡수가 일어나며, 하부의 전극층에 의하여 반사된 빛이 다시 두께 t의 광반사 저감층을 지나며 2차 흡수가 일어난 후 외부 반사가 일어나게 된다. 따라서, 광반사 저감층의 두께 및 흡수 계수의 값은 전체 반사율에 영향을 끼치는 중요한 인자로 작용하게 된다. 그러므로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층의 흡수계수 k와 두께 t의 일정 범위 내에서 광반사를 저감할 수 있는 영역을 식 1을 통하여 나타내었다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층의 굴절율(n)은 550 ㎚ 파장의 빛에서 2 이상 3 이하일 수 있다.
소멸계수(k)와 함께 굴절율(n)을 가지는 광반사 저감층의 재료에서 1차 반사가 일어나게 되는데 이때 1차 반사를 결정하는 주요 인자는 굴절율(n)과 흡수계수(k)이다. 따라서, 굴절율(n)과 흡수계수(k)는 서로 밀접한 관련을 가지고 있으며 상기 범위 내에서 그 효과가 극대화 될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층이 구비된 배선 전극의 광반사도는 50% 이하, 더욱 바람직하게는 40 % 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속 산질화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속 산질화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 주재료로 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속 산질화물은 Cu, Al, Mo, Ti, Ag, Ni, Mn, Au, Cr 및 Co로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 금속으로부터 유래된 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 구리 산화물, 구리 질화물 및 구리 산질화물로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물 및 알루미늄 산질화물로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 구리-망간 산화물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 구리-망간 산질화물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 구리-니켈 산화물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 구리-니켈 산질화물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 몰리브데늄-티타늄 산화물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 몰리브데늄-티타늄 산질화물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 단일층으로 이루어질 수도 있고, 2층 이상의 복수층으로 이루어질 수도 있다. 상기 광반사 저감층은 무채색(無彩色) 계열의 색상을 띠는 것이 바람직하나 특별이 이에 한정되지는 않는다. 이 때, 무채색 계열의 색상이라 함은 물체의 표면에 입사(入射)하는 빛이 선택 흡수되지 않고, 각 성분의 파장(波長)에 대해 골고루 반사 흡수될 때에 나타나는 색을 의미한다.
도 1은 본 명세서의 일 화소 영역의 예시를 도시한 것이다. 구체적으로, 도 1은 기판 상에 구비된 복수의 게이트 라인(101a, 101b)과 복수의 데이터라인(201a, 201b)에 의하여 구획되는 화소 영역 및 화소 영역 내에 구비된 박막트랜지스터(301)을 나타낸 것이다. 또한, 화소 영역 내에 게이트 라인(101b)은 게이트 전극(310)과 연결되고, 데이터 라인(201a)는 소스 전극(330)과 연결되고, 드레인 전극(340)은 화소 영역 내의 공통전극(미도시) 또는 화소 전극(미도시)과 연결된다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 액정 디스플레이 소자의 단면을 도시한 것이다. 구체적으로, 기판상에 게이트 전극(310), 반도체층(320), 소스 전극(330) 및 드레인 전극(340)으로 이루어진 박막 트랜지스터(301)가 구비되고, 게이트 전극과 연결된 게이트 라인(미도시)과 데이터 라인(201)에 의하여 화소 영역이 구획되고, 화소 영역 내에 각각 컬러필터층(510, 520)이 구비되며, 각 화소 영역 내의 컬러필터층(510, 520) 상에 공통 전극(601) 및 화소 전극(701)이 나란하게 구비된 후, 액정 배향층(901)이 구비된다. 도 2는 액정 배향층(901) 상에 구비되는 액정층은 미도시 하였다. 나아가, 도 2는 게이트 전극(301), 소스 전극(330), 드레인 전극(340), 게이트 라인(미도시), 데이터 라인(201) 상에 광반사 저감층(801)이 구비된 것을 도시하였다. 다만, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 액정 디스플레이 장치는 도 2에 도시된 구조 외에 다양한 구조로의 적용이 가능하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극은 각각 복수의 전도성 라인을 포함하고, 상기 화소 영역 내에서 상기 화소 전극과 상기 공통 전극은 서로 평행하게 구비될 수 있다.
구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극은 각 화소 영역 내에 교대로 구비될 수 있다. 이에 따라, 각각의 화소 영역 내에서 수평 전계를 형성하여 액정 분자를 구동시킬 수 있다.
상기 공통 전극은 액정 구동을 위한 기준 전압인 공통 전압이 공급되며, 이에 따라, 화소 전압 신호가 공급된 화소 전극과 공통 전압이 공급된 공통전극 사이에는 수평 전계를 형성하여 수평 방향으로 배열된 액정 분자들이 유전 이방성에 의해 회전하게 된다. 그리고, 액정 분자들의 회전 정도에 따라 화소 영역을 투과하는 광투과율이 달라지게 됨으로써 화상을 구현할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극 중 적어도 하나의 전극은 상기 컬러필터층의 중첩부 상에 구비될 수 있다.
각각의 화소 영역 내에 구비되는 컬러필터층은 적색, 녹색 또는 청색의 컬러필터층일 수 있다. 또한, 경우에 따라서는 백색의 컬러필터층이 어느 하나의 화소 영역 내에 구비될 수 있다. 적색 컬러필터층, 녹색 컬러필터층, 청색의 컬러필터층, 백색의 컬러필터층은 각각 하나의 단위 화소를 이루고, 하나의 단위 화소는 상기 적색 컬러필터층, 녹색 컬러필터층 및 청색 컬러필터층를 투과하여 방출되는 색상의 빛을 통해 영상을 표시할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 라인으로부터 분기하는 게이트 전극 및 상기 게이트 전극 상에 절연층을 개재하여 구비되는 반도체층을 구비한다. 나아가, 상기 반도체층은 오믹 컨택층을 개재하여 소스 전극 및 드레인 전극과 연결되고, 상기 소스 전극은 상기 데이터 라인과 연결된다.
상기 게이트 라인은 게이트 드라이버로부터의 스캔 신호를 공급하고, 상기 데이터 라인은 데이터 드라이버로부터의 비디오 신호를 공급한다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 다만, 이하의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위를 한정하기 위한 것은 아니다.
실시예 1
유리 (Glass) 기재 상에 MoTi (50:50 at%) 합금 타겟 (target)을 이용하여 스퍼터링 (sputtering) 방법에 의하여 두께 30 nm인 MoTi층을 형성하고, 그 상부에 MoTi (50:50 at%) 타겟을 이용하여 반응성 스퍼터링 (Reactive sputtering) 방법으로 두께 40 nm 인 MoTi 산질화물층을 형성하였다. 증착된 막의 반사율은 9.4 % 이었다.
광 흡수 계수 (k) 값을 얻기 위하여 유리 (Glass) 기재 상에 MoTi 산질화물 단일 층을 상기와 동일한 방법으로 형성하였다. 그 후 ellipsometer를 이용하여 굴절률 및 광 흡수 계수를 측정하였다. 380 ~ 1000 nm 파장에서의 n, k값은 도 3과 같으며, 550 nm 에서의 광 흡수 계수 값은 0.43 이다. 식 1에 대입하게 되면 0.031로 계산되었다.
실시예 2 내지 12
실시예 2 내지 12의 경우 MacLeod program을 통하여 광학 시뮬레이션을 진행하였다. 실시예 1의 광학 상수 값을 프로그램 상에 대입하여 MoTi 산질화물층이 각각의 두께를 가질 경우 반사율 값을 얻었으며, 그 값을 하기 표 1에 나타내었다.
MoTi 산질화물층 두께(nm) 식 1의 값 반사율(%)
실시예 2 5.5 0.0043 52
실시예 3 10 0.0078 46
실시예 4 15 0.0117 39
실시예 5 20 0.0156 31
실시예 6 25 0.0195 23
실시예 7 30 0.0235 18
실시예 8 35 0.0274 14
실시예 9 60 0.0469 17
실시예 10 70 0.0547 23
실시예 11 80 0.0625 27
실시예 12 100 0.078 31
비교예 1
유리 (Glass) 기재 상에 MoTi (50:50 at%) 합금 타겟 (target)을 이용하여 스퍼터링 (sputtering) 방법에 의하여 두께 30 nm인 MoTi층을 형성하였다. 증착된 막의 반사율은 52 % 이었다. 광 흡수 계수 (k) 값을 얻기 위하여 유리 (Glass) 기재 상에 MoTi 단일 층을 상기와 동일한 방법으로 형성하였다. 그 후 ellipsometer를 이용하여 굴절률 및 광 흡수 계수를 측정하였다. 380 ~ 1000 nm 파장에서의 n, k값은 도 4와 같으며, 550 nm 에서의 광 흡수 계수 값은 3.18 이다. 식 1에 대입하게 되면 0.23으로 계산되었다. 실시예 1과 비교예 1의 반사율을 비교한 그래프를 도 5에 나타내었다.
비교예 2
MoTi 산질화물층의 두께를 4 nm로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하였다. 식 1의 값은 0.003으로 계산되었다. 반사율은 53 %이었다.
실시예 13
유리(Glass) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 도전성층으로 두께 60nm인 Cu층을 형성하고, MoTi(50:50 at%) 합금 타겟(target)을 이용하여 반응성 직류 전원 스퍼터링(Reactive DC sputtering) 방법으로 두께 35nm인 MoTiaNxOy(0 < a ≤ 2, 0 < x ≤ 3, 0 < y ≤ 2)를 포함하는 광반사 저감층을 형성하였다. 파장에 따른 전반사율을 Solidspec 3700(UV-Vis spectrophotometer, Shimadzu社)를 사용하여 측정하여 그 결과를 도 6에 나타내었다. 광반사 저감층의 식의 1의 값은 0.059이었다.
실시예 14
유리(Glass) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 제1 도전성층으로 두께 60nm인 Cu층을 형성하고, MoTi(50:50 at%) 합금 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 제2 도전성층으로 두께 20nm인 MoTi층을 형성하며, 동일한 타겟을 이용하여 반응성 직류 전원 스퍼터링(Reactive DC sputtering) 방법으로 두께 35nm인 MoTiaNxOy(0 < a ≤ 2, 0 < x ≤ 3, 0 < y ≤ 2)를 포함하는 광반사 저감층을 형성하였다. 파장에 따른 전반사율을 Solidspec 3700(UV-Vis spectrophotometer, Shimadzu社)를 사용하여 측정하여 그 결과를 도 7에 나타내었다. 광반사 저감층의 식의 1의 값은 0.059이었다.
실시예 15
MoTi층 대신 Al을 증착한 Al층을 사용하고, MoTi 산질화물 대신 알루미늄 산질화물(k=1.24)을 사용하여 두께 87nm로 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하였다. 이 때의 식 1의 값은 0.2 이고, 반사율은 ~ 28 % 이었다. 도 8 및 9는 본 구조로 구현한 반사율 및 광학 상수 값을 나타낸다.
상기 실시예들 및 비교예들의 실험결과를 통하여, 본원 청구범위에 기재된 구조에서 우수한 광반사 저감층의 효과를 나타낼 수 있음을 확인할 수 있었다.
101a, 101b: 게이트 라인
201, 201a, 201b: 데이터 라인
301: 박막트랜지스터
310: 게이트 전극
320: 반도체층
330: 소스 전극
340: 드레인 전극
401: 기판
510, 520: 컬러필터층
601: 공통 전극
701: 화소 전극
801: 광반사 저감층
901: 액정 배향층
1010, 1020, 1030: 절연층

Claims (8)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 서로 교차하여 구비되는 복수의 게이트 라인 및 복수의 데이터 라인;
    상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인에 의하여 구획되는 복수의 화소 영역;
    각각의 상기 화소 영역의 일측에 구비되는 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 라인과 연결되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 상기 게이트 전극과 절연되어 구비되는 반도체층, 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 소스 전극, 및 화소 전극 또는 공통 전극과 전기적으로 연결되는 드레인 전극을 포함하고,
    각각의 상기 화소 영역 상에 구비되는 컬러필터층;
    각각의 상기 화소 영역에 구비된 상기 화소 전극 및 상기 화소 전극에 대응하여 구비되는 공통 전극; 및
    상기 게이트 전극, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인 중 적어도 하나의 일면 상에 구비되는 광반사 저감층을 포함하며,
    상기 광반사 저감층은 하기 식 1의 값이 0.004 이상 0.22 이하를 만족하는 것이고,
    상기 광반사 저감층은 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속 산질화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이며,
    상기 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속 산질화물은 MoTi로부터 유래된 것인 액정 디스플레이 장치:
    [식 1]
    Figure 112019083440711-pat00006

    식 1에 있어서, k는 광반사 저감층의 소멸계수를 의미하고, t는 광반사 저감층의 두께를 의미하며, λ는 빛의 파장을 의미한다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 광반사 저감층의 두께는 10 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하인 것인 액정 디스플레이 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 광반사 저감층의 소멸계수(k)는 550 ㎚ 파장의 빛에서 0.1 이상 2 이하인 것인 액정 디스플레이 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 광반사 저감층의 굴절율(n)은 550 ㎚ 파장의 빛에서 2 이상 3 이하인 것인 액정 디스플레이 장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 광반사 저감층이 구비된 전극의 광반사도는 50 % 이하인 것인 액정 디스플레이 장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 화소 전극 및 상기 공통 전극은 각각 복수의 전도성 라인을 포함하고, 상기 화소 영역 내에서 상기 화소 전극과 상기 공통 전극은 서로 평행하게 구비되는 것인 액정 디스플레이 장치.
KR1020160056538A 2015-05-06 2016-05-09 액정 디스플레이 장치 KR102032597B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20150063331 2015-05-06
KR1020150063331 2015-05-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160131962A KR20160131962A (ko) 2016-11-16
KR102032597B1 true KR102032597B1 (ko) 2019-10-15

Family

ID=57217905

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160056538A KR102032597B1 (ko) 2015-05-06 2016-05-09 액정 디스플레이 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10133135B2 (ko)
KR (1) KR102032597B1 (ko)
CN (1) CN107850811A (ko)
WO (1) WO2016178547A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102556021B1 (ko) * 2017-10-13 2023-07-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102594844B1 (ko) * 2018-04-10 2023-10-27 주식회사 엘지화학 장식 부재
US20200091378A1 (en) * 2018-09-18 2020-03-19 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display apparatus
CN109119452A (zh) * 2018-09-18 2019-01-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
JP2020140181A (ja) * 2019-03-01 2020-09-03 凸版印刷株式会社 液晶表示装置
CN110850656A (zh) * 2019-11-29 2020-02-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN111025805A (zh) * 2019-12-13 2020-04-17 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及装置
GB2590428A (en) * 2019-12-17 2021-06-30 Flexanable Ltd Semiconductor devices
WO2022163546A1 (ja) * 2021-01-27 2022-08-04 Ａｇｃ株式会社 光学薄膜積層体及びその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006195317A (ja) * 2005-01-17 2006-07-27 Seiko Epson Corp 表示装置、表示装置の製造方法及び電子機器
JP2009294633A (ja) * 2007-09-26 2009-12-17 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI300508B (en) * 2003-01-13 2008-09-01 Toppoly Optoelectronics Corp Liquid crystal display
KR101100674B1 (ko) * 2004-06-30 2012-01-03 엘지디스플레이 주식회사 씨오티 구조 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법
KR20060032034A (ko) * 2004-10-11 2006-04-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치
US7605895B2 (en) 2005-06-14 2009-10-20 Lg Chem, Ltd. IPS mode liquid crystal display using two sheets of biaxial negative retardation film and a plate
KR20080052768A (ko) * 2006-12-08 2008-06-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP5024786B2 (ja) * 2007-04-13 2012-09-12 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 半透過型液晶表示装置
KR20100019666A (ko) * 2008-08-11 2010-02-19 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판, 이를 포함하는 액정 표시 장치, 그리고 액정 표시 장치의 제조 방법
KR101592919B1 (ko) * 2009-12-16 2016-02-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR101857248B1 (ko) * 2011-03-21 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN202033562U (zh) 2011-04-29 2011-11-09 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示器阵列基板
KR101929834B1 (ko) 2011-07-25 2018-12-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이를 갖는 액정 표시 장치, 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR101921163B1 (ko) * 2011-07-30 2018-11-23 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치 및 이의 제조 방법
US9204535B2 (en) * 2012-04-18 2015-12-01 Lg Chem, Ltd. Conductive structure and method for manufacturing same
KR101936773B1 (ko) 2012-07-03 2019-01-09 엘지디스플레이 주식회사 액정 디스플레이 장치의 제조방법
TWI545595B (zh) * 2013-11-20 2016-08-11 Ｌｇ化學股份有限公司 導電結構體及其製造方法
KR102230943B1 (ko) * 2014-08-14 2021-03-24 엘지디스플레이 주식회사 광흡수층을 포함하는 유기발광 표시장치 및 이를 제조하는 방법
CN104536194A (zh) * 2015-01-04 2015-04-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
US11926558B2 (en) * 2015-03-27 2024-03-12 Lg Chem Ltd. Conductive structure, manufacturing method therefor, and electrode comprising conductive structure
WO2016175641A1 (ko) * 2015-04-30 2016-11-03 주식회사 엘지화학 액정 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
WO2016182282A1 (ko) * 2015-05-08 2016-11-17 주식회사 엘지화학 박막트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006195317A (ja) * 2005-01-17 2006-07-27 Seiko Epson Corp 表示装置、表示装置の製造方法及び電子機器
JP2009294633A (ja) * 2007-09-26 2009-12-17 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10133135B2 (en) 2018-11-20
CN107850811A (zh) 2018-03-27
KR20160131962A (ko) 2016-11-16
WO2016178547A8 (ko) 2018-01-04
WO2016178547A1 (ko) 2016-11-10
US20180149935A1 (en) 2018-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102032597B1 (ko) 액정 디스플레이 장치
JP3971778B2 (ja) 表示装置
US8259269B2 (en) Liquid crystal display device with pixel electrode or common electrode having slit like aperture with increasing width
KR102030227B1 (ko) 박막트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP4002105B2 (ja) 液晶表示装置
KR101299575B1 (ko) 트랜스플렉티브 액정 디스플레이와 그 제조방법, 컴퓨터
US8482704B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR101112537B1 (ko) 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판
US20100157236A1 (en) Reflective-transmissive type liquid crystal display device
US20070263143A1 (en) Liquid Crystal Display Device
US20120120328A1 (en) Transflective Liquid Crystal Displays Using Transverse Electric Field Effect
US20080055525A1 (en) Liquid crystal display device
KR20060114921A (ko) 액정 표시 장치
KR20160129783A (ko) 액정 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20150033822A (ko) 표시기판 및 이를 포함하는 표시패널
KR100915235B1 (ko) 반투과형 액정 표시 장치
US7692745B2 (en) Transflective liquid crystal display device having particular pixel electrodes and counter electrodes arrangement
US10025137B2 (en) Liquid crystal display device having transmitting region and reflecting region
US20120188496A1 (en) Liquid crystal display panel
KR101415573B1 (ko) 액정표시장치
KR100848210B1 (ko) 표시 장치
JP4711439B2 (ja) 表示装置
KR20060038078A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 다중 도메인액정 표시 장치
KR20050121881A (ko) 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판
KR20050078810A (ko) 액정 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant