JP2020140181A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
例えば利用者が視認する側から表示装置に入射する光が表示装置内で利用者側へ反射すると、反射光により表示画面に表示されている画像の視認性が劣る原因となる。
第3態様による液晶表示装置は、上記第2態様による液晶表示装置において、前記第3金属層は、クロム、モリブデン、アルミニウム、および、銀のいずれかの金属材料により形成された金属層であって、前記反射抑制層は、シリコンにより形成された厚さ10nm以上40nm以下の薄膜である。
第11態様による液晶表示装置は、上記第1乃至第10態様のいずれかによる液晶表示装置において、前記ブラックマトリクスは前記第2金属層と対向する位置に配置されていない。
図1は、第1実施形態の液晶表示装置の一構成例を概略的に示す図である。
本実施形態の液晶表示装置は、液晶表示パネル100と、液晶表示パネル100の動作を制御する制御回路200と、を備えている。また、液晶表示装置は、液晶表示パネル100の背面側に配置されたバックライト(図示せず)をさらに備えていてもよい。
制御回路200は、外部から入力された画像データに基づいて、液晶表示パネル100の動作を制御する回路である。液晶表示パネル100は、例えば、アレイ基板(第1基板)10(図2に示す)と、アレイ基板10と対向して配置された対向基板(第2基板)20(図2に示す)と、アレイ基板10と対向基板20との間に保持された液晶層LQとを備えている。
図3は、図1に示す線B−Bにおける、液晶表示パネルの断面の一例を概略的に示す図である。
なお、図2および図3では、第2電極E2が図示しない配向膜を介して液晶層LQと接触する構成(TOPコモン)が開示されているが、第1電極E1が配向膜を介して液晶層LQと接触する構成でも構わない。いずれの場合も、画素スイッチSPを介して対応するソース線S1、S2、…から第1電極E1へ所定の電圧が印加され、第2電極E2に共通の電圧が印加される。その結果、第1電極E1と第2電極E2との電位差により生じる電界により、液晶の配向状態が制御される。
偏光板11は、透明基板12の一方の主面側に配置されている。偏光板11は、例えば直線偏光板であって、透過軸が所定の方向となるように透明基板12の一方の主面に固定されている。
第2電極E2上には図示されない配向膜が塗布されている。配向膜の表面には所定のラビング処理がなされている。
透明基板22は、ガラスやアクリル等の透明な絶縁材料により形成された絶縁基板である。
カラーフィルタ層CF上には図示されない配向膜が塗布されている。配向膜の表面には所定のラビング処理がなされている。
図4は、第1実施形態の液晶表示装置における干渉体のシリコン層の厚さによる光の反射率の変化の一例を示す図である。
ここでは、厚さ100nmのクロム(Cr)により形成した遮光層13Aのみの干渉体13を設けた第1実施例と、厚さ100nmのクロム(Cr)により形成した遮光層13Aと、この遮光層13A上に厚さ15nmのアモルファスシリコンにより形成した反射抑制層13Bと、を備えた干渉体13を含む第2実施例と、厚さ100nmのクロム(Cr)により形成した遮光層13Aと、この遮光層13A上に厚さ20nmのアモルファスシリコンにより形成した反射抑制層13Bと、を備えた干渉体13を含む第3実施例と、厚さ100nmのクロム(Cr)により形成した遮光層13Aと、この遮光層13A上に厚さ25nmのシリコンにより形成した反射抑制層13Bと、を備えた干渉体13を含む第4実施例とについて、光の波長に対する反射率を測定している。
すなわち、本実施形態の液晶表示装置によれば、対向基板20側から液晶表示装置に入射した光がソース線Sおよびゲート線G等の金属配線にて反射されることを抑制し、視認性の高い液晶表示装置を提供することができる。
次に、第2実施形態の液晶表示装置について図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明において、上述の第1実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の液晶表示装置は、ゲート線Gおよびゲート線Gの上層に配置された干渉体13の構成が上述の第1実施形態と異なっている。
本実施形態の液晶表示装置は、液晶表示パネルの背面側(アレイ基板側)から強い光が照射される環境において利用されることを想定し、背面側から照射される光が画素スイッチSPに入射することを回避し、画素スイッチSPにてリーク電流が発生しないように構成されている。
次に、第3実施形態の液晶表示装置について図面を参照して詳細に説明する。
図6は、図1に示す線A−Aにおける、液晶表示パネルの断面の他の例を概略的に示す図である。
本実施形態の液晶表示装置は、干渉体13を備えず、ソース線S上に絶縁層や遮光層等を介することなく反射抑制層15が配置されている点が上述の第1実施形態と異なっている。
例えば、ソース線Sをクロム(Cr)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)のいずれかにより形成したときには、膜厚が10nm以上40nm以下のシリコンにより反射抑制層15を形成することにより、対向基板20側から入射した光が、ソース線Sにて反射することを抑制することができる。
上記構成により、本実施形態の液晶表示装置によれば、対向基板20側から液晶表示装置に入射した光がソース線Sおよびゲート線G等の金属層にて反射されることを抑制し、視認性の高い液晶表示装置を提供することができる。
次に、第4実施形態の液晶表示装置について図面を参照して詳細に説明する。
図7は、図1に示す線B−Bにおける、液晶表示パネルの断面の他の例を概略的に示す図である。
例えば、遮光層16をクロム(Cr)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)のいずれかにより形成したときには、膜厚が10nm以上40nm以下のシリコンにより反射抑制層16Bを形成することにより、対向基板20側から入射した光が、遮光層16にて反射することを抑制することができる。
なお、上述の実施形態ではFFS方式により液晶の配向状態を制御する液晶表示装置に適用する例について説明したが、他の方式を採用する液晶表示装置に本発明を提供してもよい。その場合であっても、液晶表示パネルの金属層よりも上層に反射抑制層を配置することにより、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、上記の実施形態では、液晶表示パネル100の背面側(アレイ基板10)側にバックライトが配置されるときの液晶表示装置について説明したが、バックライトが対向基板20側から液晶表示パネル100を照射する構成であっても構わない。
Claims (11)
- 第1及び第2基板と、
前記第1及び第2基板間に保持された液晶層と、を備え、
前記第1基板は、マトリクス状に配置された表示画素のそれぞれに対応するように配置された第1電極と、前記第1電極と対向するように設けられた第2電極と、前記第1電極が配列する行に沿って配置された第1金属層と、前記第1電極が配列する列に沿って配置された第2金属層と、前記第1金属層および前記第2金属層よりも上層において前記第1金属層および前記第2金属層の少なくともいずれかと対向する位置に配置された反射抑制層と、を備え、
前記第2基板は、前記第1金属層および前記第2金属層の少なくともいずれかと対向する位置に配置されたブラックマトリクスを備え、
前記反射抑制層は、シリコンまたは一酸化シリコンにより形成された薄膜である、液晶表示装置。 - 前記第1金属層および前記第2金属層の少なくともいずれかの上層において、絶縁層を介して配置された第3金属層をさらに備え、前記反射抑制層は前記第3金属層上に配置されている、請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記第3金属層は、クロム、モリブデン、アルミニウム、および、銀のいずれかの金属材料により形成された金属層であって、前記反射抑制層は、シリコンにより形成された厚さ10nm以上40nm以下の薄膜である、請求項2記載の液晶表示装置。
- 前記第3金属層は、クロムおよびモリブデンのいずれかの金属材料により形成された金属層であって、前記反射抑制層は、一酸化シリコンにより形成された厚さ40nm以上70nm以下の薄膜である、請求項2記載の液晶表示装置。
- 前記反射抑制層は前記第2金属層上に配置されている、請求項1又は請求項2記載の液晶表示装置。
- 前記第2金属層は、クロム、モリブデン、アルミニウム、および、銀のいずれかの金属材料により形成された金属層であって、前記反射抑制層は、シリコンにより形成された厚さ10nm以上40nm以下の薄膜である、請求項5記載の液晶表示装置。
- 前記第2金属層は、クロムおよびモリブデンのいずれかの金属材料により形成された金属層であって、前記反射抑制層は、一酸化シリコンにより形成された厚さ40nm以上70nm以下の薄膜である、請求項5記載の液晶表示装置。
- 前記第1金属層上において絶縁層を介して配置された半導体と、少なくとも前記半導体と対向する位置において、絶縁層を介して前記第1金属層の下層に配置された第4金属層と、を更に備え、
前記反射抑制層は前記第4金属層上に配置されている、請求項1、請求項2、又は請求項5記載の液晶表示装置。 - 前記第4金属層は、クロム、モリブデン、アルミニウム、および、銀のいずれかの金属材料により形成された金属層であって、前記反射抑制層は、シリコンにより形成された厚さ10nm以上40nm以下の薄膜である、請求項8記載の液晶表示装置。
- 前記第4金属層は、クロムおよびモリブデンのいずれかの金属材料により形成された金属層であって、前記反射抑制層は、一酸化シリコンにより形成された厚さ40nm以上70nm以下の薄膜である、請求項8記載の液晶表示装置。
- 前記ブラックマトリクスは前記第2金属層と対向する位置に配置されていない、請求項1乃至請求項10のいずれか一項記載の液晶表示装置。
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