JP2020027301A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】コントラスト性能の低下を抑制する。【解決手段】表示装置１１は、第１基板１１Ａと、第１基板１１Ａに対して対向配置される第２基板１１Ｂと、第１基板１１Ａ及び第２基板１１Ｂの板面内においてマトリクス状に並んで配される複数の画素ＰＸと、第２基板１１Ｂに設けられて板面に沿う第１方向に沿って延在する第１配線１７と、第１基板１１Ａに設けられて板面に沿い且つ第１方向と交差する第２方向に沿って延在していて第１方向について隣り合う画素ＰＸの間に介在する第１遮光部２１と、第２基板１１Ｂに設けられて第１方向に沿って延在していて第２方向について隣り合う画素ＰＸの間に介在し且つ第１配線１７と重畳するよう配される第２遮光部２２と、を備える。【選択図】図２

Description

本発明は、表示装置に関する。

従来、表示装置の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。この表示装置は、対向基板上に遮光部として２層の着色層を積層した膜（赤色の着色層と青色の着色層との積層膜、あるいは赤色の着色層と緑色の着色層との積層膜）を素子基板のＴＦＴと重なるよう形成する構成を有する。

特開２０１５−１３５５３１号公報

上記した特許文献１に記載された表示装置によれば、遮光マスク（ブラックマトリクス）が不要となるので、製造工程が削減される、という効果が得られる。しかしながら、上記した表示装置では、異なる色を呈する着色層を積層することで遮光を図るようにしているため、遮光マスクに比べると、遮光性能が十分とは言えず、光漏れが生じ易くなっており、光漏れに起因するコントラスト性能の低下が生じ易いという問題があった。

本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、コントラスト性能の低下を抑制することを目的とする。

（１）本発明の一実施形態は、第１基板と、前記第１基板に対して対向配置される第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の板面内においてマトリクス状に並んで配される複数の画素と、前記第２基板に設けられて前記板面に沿う第１方向に沿って延在する第１配線と、前記第１基板に設けられて前記板面に沿い且つ前記第１方向と交差する第２方向に沿って延在していて前記第１方向について隣り合う前記画素の間に介在する第１遮光部と、前記第２基板に設けられて前記第１方向に沿って延在していて前記第２方向について隣り合う前記画素の間に介在し且つ前記第１配線と重畳するよう配される第２遮光部と、を備える表示装置である。

（２）また、本発明のある実施形態は、上記（１）の構成に加え、前記第２基板に設けられ前記第２方向に沿って延在する第２配線を備えており、前記第１遮光部は、前記第２配線と重畳するよう配される表示装置である。

（３）また、本発明のある実施形態は、上記（２）の構成に加え、前記第２基板に設けられ前記第１配線及び前記第２配線に接続される薄膜トランジスタを備えており、前記第２遮光部は、前記薄膜トランジスタの少なくとも一部と重畳するよう配される表示装置である。

（４）また、本発明のある実施形態は、上記（３）の構成に加え、前記薄膜トランジスタは、前記第１配線に接続されるゲート電極と、前記第２配線に接続されるソース領域と、前記ゲート電極に対して絶縁膜を介して下層側に少なくとも一部が重畳するよう配されて前記ソース領域に接続されるチャネル領域と、前記チャネル領域における前記ソース領域側とは反対側に接続されるドレイン領域と、を有しており、前記第２遮光部は、前記薄膜トランジスタのうち少なくとも前記チャネル領域に対して下層側にて重畳するよう配される表示装置である。

（５）また、本発明のある実施形態は、上記（３）または上記（４）の構成に加え、前記画素は、前記第１基板に設けられるカラーフィルタと、前記第２基板に前記カラーフィルタと重畳するよう設けられて前記薄膜トランジスタに接続される画素電極と、からなり、前記第２遮光部は、前記薄膜トランジスタと前記画素電極との接続部分と重畳するよう配される表示装置である。

（６）また、本発明のある実施形態は、上記（１）から上記（５）のいずれか１つの構成に加え、前記第１基板と前記第２基板との間に介在していてその間の間隔を保持するスペーサを備えており、前記第２遮光部は、前記スペーサと重畳するよう配されている表示装置である。

（７）また、本発明のある実施形態は、上記（１）から上記（６）のいずれか１つの構成に加え、前記第２遮光部は、前記第１方向について前記第１配線に並行しつつ延在する非分割構造とされる表示装置である。

（８）また、本発明のある実施形態は、上記（１）から上記（７）のいずれか１つの構成に加え、前記第２遮光部は、前記第１方向について並ぶ複数の分割第２遮光部からなる表示装置である。

（９）また、本発明のある実施形態は、上記（８）の構成に加え、前記第２遮光部は、前記分割第２遮光部における前記第１方向についての長さが、複数の前記画素における前記第１方向についての配列ピッチと一致するよう設けられる表示装置である。

（１０）また、本発明のある実施形態は、上記（８）の構成に加え、複数の前記画素には、赤色を呈する赤色画素と、緑色を呈する緑色画素と、青色を呈する青色画素と、が含まれていて、前記第１方向について続けて並ぶ前記赤色画素、前記緑色画素及び前記青色画素により１つの表示画素が構成されており、前記第２遮光部は、前記分割第２遮光部における前記第１方向についての長さが、前記表示画素における前記第１方向についての配列ピッチの整数倍と一致するよう設けられる表示装置である。

（１１）また、本発明のある実施形態は、上記（１０）の構成に加え、前記第２遮光部は、前記分割第２遮光部における前記第１方向についての長さが、前記表示画素における前記第１方向についての配列ピッチと一致するよう設けられる表示装置である。

（１２）また、本発明のある実施形態は、上記（８）から上記（１１）のいずれか１つの構成に加え、前記第２遮光部は、複数の前記分割第２遮光部における分割位置が前記第１遮光部と重畳するよう配されている表示装置である。

本発明によれば、コントラスト性能の低下を抑制することができる。

本発明の実施形態１に係る液晶表示装置を構成する液晶パネルとフレキシブル基板と制御回路基板との接続構成を示す概略平面図 液晶パネルを構成するアレイ基板の表示領域における画素配列を概略的に示す平面図 液晶パネルを構成するＣＦ基板の表示領域における画素配列を概略的に示す平面図 アレイ基板の表示領域における配線構成を示す平面図 ＣＦ基板の表示領域における構成を示す平面図 液晶パネルにおける図４のＡ−Ａ線断面図 液晶パネルにおける図４のＢ−Ｂ線断面図 液晶パネルにおける図４のＣ−Ｃ線断面図 液晶パネルにおける図４のＤ−Ｄ線断面図 本発明の実施形態２に係る液晶パネルを構成するアレイ基板の表示領域における画素配列を概略的に示す平面図 本発明の実施形態３に係る液晶パネルを構成するアレイ基板の表示領域における画素配列を概略的に示す平面図 本発明の実施形態４に係る液晶パネルを構成するアレイ基板の表示領域における画素配列を概略的に示す平面図 本発明の実施形態５に係る液晶パネルを構成するアレイ基板の表示領域における画素配列を概略的に示す平面図 アレイ基板の表示領域における配線構成を示す平面図 液晶パネルにおける図１４のＡ−Ａ線断面図 液晶パネルにおける図１４のＤ−Ｄ線断面図

＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１から図９によって説明する。本実施形態では、液晶表示装置１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、上下方向については、図６から図９を基準とし、且つ同図上側を表側とするとともに同図下側を裏側とする。

図１は、液晶表示装置１０を構成する液晶パネル１１などの平面図である。液晶表示装置１０は、図１に示すように、画像を表示可能な液晶パネル（表示パネル、表示装置）１１と、液晶パネル１１に対して裏側に配されて液晶パネル１１に表示のための光を照射する外部光源であるバックライト装置（図示せず）と、を有する。液晶パネル１１には、表示駆動を行うためのドライバ１２と、フレキシブル基板（外部接続部品）１４と、がＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を介して実装されている。フレキシブル基板１４には、ドライバ１２に対して各種入力信号を外部から供給する制御回路基板（外部の信号供給源）１３が接続されている。本実施形態の液晶表示装置１０は、好ましくは例えばヘッドマウントディスプレイ（HMD:Head-Mounted Display）などに用いられるものであり、その画面サイズは例えば０．数インチから数インチ程度とされる。

液晶パネル１１は、図１に示すように、その板面（表示面）のうち、中央側が画像を表示可能な表示領域（アクティブエリア）ＡＡとされ、その外周側が平面に視て枠状（額縁状）をなす非表示領域（ノンアクティブエリア）ＮＡＡとされる。なお、図１では、一点鎖線が表示領域ＡＡの外形を表しており、当該一点鎖線よりも外側の領域が非表示領域ＮＡＡとなっている。液晶パネル１１は、ガラス製の一対の基板１１Ａ，１１Ｂを少なくとも有しており、そのうち表側（正面側）がＣＦ基板（第１基板、対向基板）１１Ａとされ、裏側（背面側）がアレイ基板（第２基板、薄膜トランジスタ基板、アクティブマトリクス基板）１１Ｂとされる。なお、両基板１１Ａ，１１Ｂの外面側には、それぞれ図示しない偏光板が貼り付けられている。

図２は、アレイ基板１１Ｂの表示領域ＡＡにおける画素配列を概略的に示す図である。アレイ基板１１Ｂの表示領域ＡＡにおける内面側には、図２に示すように、スイッチング素子であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１５及び画素電極１６が多数個ずつマトリクス状（行列状）に並んで設けられる。ＴＦＴ１５及び画素電極１６の周りには、格子状をなすゲート配線（第１配線、走査配線）１７及びソース配線（第２配線、信号配線、データ線）１８が取り囲むようにして配設されている。ゲート配線１７は、Ｘ軸方向（第１方向）に沿ってほぼ直線状に延在するのに対し、ソース配線１８は、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向（第２方向）に沿ってほぼ直線状に延在している。なお、ＴＦＴ１５の詳しい構成については後に説明する。

画素電極１６は、図２に示すように、一対ずつのゲート配線１７及びソース配線１８により囲まれた縦長の概ね方形の領域に配されている。画素電極１６には、自身の長辺部分に沿って延在する複数（図２では３本）のスリット１６Ａが開口形成されている。アレイ基板１１Ｂにおける画素電極１６よりも下層側には、画素電極１６と重畳する形で概ねベタ状の共通電極１９が形成されている（図６を参照）。互いに重畳する画素電極１６と共通電極１９との間に電位差が生じると、画素電極１６におけるスリット１６Ａの端部と共通電極１９との間には、主に水平電界が発生するものとされる。つまり、本実施形態に係る液晶パネル１１は、動作モードがＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードとされる。

図３は、ＣＦ基板１１Ａの表示領域ＡＡにおける画素配列を概略的に示す図である。ＣＦ基板１１Ａの表示領域ＡＡにおける内面側には、図３に示すように、カラーフィルタ２０が設けられている。カラーフィルタ２０には、赤色を呈していて赤色の波長領域（約６００ｎｍ〜約７８０ｎｍ）に属する赤色光を選択的に透過する赤色カラーフィルタ２０Ｒと、青色を呈していて青色の波長領域（約４２０ｎｍ〜約５００ｎｍ）に属する青色光を選択的に透過する青色カラーフィルタ２０Ｂと、緑色を呈していて緑色の波長領域（約５００ｎｍ〜約５７０ｎｍ）に属する緑色光を選択的に透過する緑色カラーフィルタ２０Ｇと、の三色が含まれている。カラーフィルタ２０は、赤色カラーフィルタ２０Ｒ、緑色カラーフィルタ２０Ｇ及び青色カラーフィルタ２０Ｂの組がＸ軸方向に沿って繰り返し並ぶ配列とされる。カラーフィルタ２０は、各色のカラーフィルタ２０Ｒ，２０Ｇ，２０ＢがそれぞれＹ軸方向に沿って延在することで、全体としてストライプ状に配列されている。カラーフィルタ２０は、アレイ基板１１Ｂ側の各画素電極１６と平面に視て重畳する配置とされており、各画素電極１６と共に画素ＰＸを構成している。画素ＰＸは、液晶パネル１１の板面内においてＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って複数個ずつ並んで配されている。画素ＰＸには、赤色カラーフィルタ２０Ｒを含んでいて赤色を呈する赤色画素ＲＰＸと、青色カラーフィルタ２０Ｂを含んでいて青色を呈する青色画素ＢＰＸと、緑色カラーフィルタ２０Ｇを含んでいて緑色を呈する緑色画素ＧＰＸと、が含まれる。Ｘ軸方向に沿って連続的に並ぶ１組の赤色画素ＲＰＸ、青色画素ＢＰＸ及び緑色画素ＧＰＸによって１つの表示画素ＤＰＸが構成されるとともに、各色の画素ＲＰＸ，ＢＰＸ，ＧＰＸの表示階調に応じて表示画素ＤＰＸのカラー表示がなされるようになっている。本実施形態に係る液晶パネル１１は、好ましくはヘッドマウントディスプレイに用いられるものであることから、極めて高い精細度となっており、Ｘ軸方向についての画素ＰＸの配列ピッチは、例えば８μｍ程度となっている。これに対し、ゲート配線１７やソース配線１８の線幅は、例えば１．５μｍ程度となっている。

上記したようにＸ軸方向及びＹ軸方向について複数ずつマトリクス状に並ぶ画素ＰＸは、図２及び図３に示すように、隣り合うもの同士が次述する第１遮光部２１及び第２遮光部２２により仕切られることで、互いを光が行き交う事態が生じ難くされている。なお、図２及び図４では、第１遮光部２１を二点鎖線により示すとともに、第２遮光部２２を網掛け状にして示している。そして、本実施形態では、第１遮光部２１は、ＣＦ基板１１Ａ側に設けられるのに対し、第２遮光部２２は、アレイ基板１１Ｂ側に設けられている。詳しくは、第１遮光部２１は、図３に示すように、Ｙ軸方向に沿って延在していてＸ軸方向について隣り合う画素ＰＸの間を仕切る形で配されており、Ｘ軸方向について画素ＰＸの短辺寸法分（Ｘ軸方向についての画素ＰＸの配列ピッチ分）の間隔を空けて複数が並んで配されている。第１遮光部２１は、アレイ基板１１Ｂ側のソース配線１８と重畳するよう配されており、その幅寸法がソース配線１８の幅寸法よりも大きくされている。一方、第２遮光部２２は、図２に示すように、Ｘ軸方向に沿って延在していてＹ軸方向について隣り合う画素ＰＸの間を仕切る形で配されており、Ｙ軸方向について画素ＰＸの長辺寸法分（Ｙ軸方向についての画素ＰＸの配列ピッチ分）の間隔を空けて複数が並んで配されている。第２遮光部２２は、ゲート配線１７と重畳するよう配されており、その幅寸法がゲート配線１７の幅寸法よりも大きくされている。

ここで、従来では、第１遮光部及び第２遮光部をＣＦ基板１１Ａ側のみに設けるのが一般的であり、そのような構成では、高精細化に伴って画素ＰＸが小型化されると、次の問題が生じるおそれがある。すなわち、例えば感光性材料からなる膜をフォトマスクを介して露光し現像することで、第１遮光部及び第２遮光部をパターニングするフォトリソグラフィ法を採った場合、上記した画素ＰＸの小型化が露光に係る解像限界を超えて進行すると、第１遮光部及び第２遮光部の開口範囲を制御するのが困難になり、画素ＰＸの開口率が著しく低下することが懸念される。より具体的には、方形状の画素電極１６に対して第１遮光部及び第２遮光部の開口は、四隅の角部が丸みを帯びた仕上がりとなり、それにより画素ＰＸの開口率の低下が生じていた。なお、第１遮光部及び第２遮光部を印刷法などにより形成する場合にも同様に画素ＰＸの開口率の著しい低下が懸念される。その点、Ｙ軸方向に沿って延在していてＸ軸方向について隣り合う画素ＰＸの間に介在する第１遮光部２１をＣＦ基板１１Ａに、Ｘ軸方向に沿って延在していてＹ軸方向について隣り合う画素ＰＸの間に介在する第２遮光部２２をアレイ基板１１Ｂに、それぞれ設けるようにしているので、高精細化に伴って画素ＰＸの小型化が進行した場合でも、第１遮光部２１及び第２遮光部２２の形成方法を問わず、画素ＰＸの開口範囲を適切に制御することができる。これにより、画素ＰＸの開口率が徒に低下する事態が生じ難くなる。また、アレイ基板１１Ｂに設けられたゲート配線１７における両側縁では光の散乱が生じることが懸念されるものの、このゲート配線１７に対して第２遮光部２２が重畳するよう配されているので、ゲート配線１７における両側縁にて散乱光が生じた場合でも、その散乱光を第２遮光部２２により遮ることができる。これにより、コントラスト性能の低下がより好適に抑制される。また、アレイ基板１１Ｂに設けられたソース配線１８における両側縁では光の散乱が生じることが懸念されるものの、このソース配線１８に対して第１遮光部２１が重畳するよう配されているので、ソース配線１８における両側縁にて散乱光が生じた場合でも、その散乱光を第１遮光部２１により遮ることができる。これにより、コントラスト性能の低下がより好適に抑制される。しかも、ゲート配線１７及びソース配線１８の線幅に係る設計自由度が高くなるとともに、第１遮光部２１及び第２遮光部２２に係る遮光範囲の設計自由度が高くなる。

図４を用いてＴＦＴ１５の構成を説明する。図４は、アレイ基板１１Ｂの表示領域ＡＡにおける配線構成を示す平面図である。ＴＦＴ１５は、図４に示すように、ゲート配線１７に接続されるゲート電極１５Ａと、ソース配線１８に接続されるソース領域１５Ｂと、画素電極１６に接続されるドレイン領域１５Ｃと、ソース領域１５Ｂ及びドレイン領域１５Ｃに接続されるチャネル領域１５Ｄと、を有する。ＴＦＴ１５は、ゲート配線１７に供給される走査信号に基づいて駆動される。すると、ソース配線１８に供給される画像信号に係る電位がチャネル領域１５Ｄを介してドレイン領域１５Ｃに供給され、もって画素電極１６が画像信号に係る電位に充電される。ゲート電極１５Ａは、ゲート配線１７のうち、後述するチャネル領域１５Ｄと重畳する部分からなる。ソース領域１５Ｂは、Ｙ軸方向に沿って延在するとともに全域にわたってソース配線１８と重畳するよう配されている。ドレイン領域１５Ｃは、Ｙ軸方向に沿って延在するとともにその大部分が画素電極１６と重畳するよう配されている。ドレイン領域１５Ｃは、詳しくは後述するが接続電極３６を介して画素電極１６に接続されている。チャネル領域１５Ｄは、平面に視てチャンネル型をなしていて、その一端側がソース領域１５Ｂに、他端側がドレイン領域１５Ｃに、それぞれ連ねられている。チャネル領域１５Ｄは、Ｙ軸方向に沿って延在する一対の部分がゲート配線１７と重畳しており、ゲート配線１７に対する一対の重畳部位がそれぞれソース領域１５Ｂ及びドレイン領域１５Ｃに連ねられている。チャネル領域１５Ｄは、Ｘ軸方向に沿って延在する部分が接続対象となる画素電極１６に対してＹ軸方向についてゲート配線１７を挟んで反対側に配されている。また、アレイ基板１１Ｂのうち、ゲート配線１７とソース配線１８との交差箇所には、ＣＦ基板１１Ａ側に設けられたスペーサ２３が当接可能とされる。スペーサ２３に関しては後に改めて説明する。図４においてＸ軸方向に沿って並ぶ３つの画素ＰＸは、同図の左側から順に赤色画素ＲＰＸ、緑色画素ＧＰＸ及び青色画素ＢＰＸである。図４に示されるアレイ基板１１Ｂと対向配置されるＣＦ基板１１Ａの表示領域ＡＡにおける平面図は図５に示される通りである。

次に、ＣＦ基板１１Ａ及びアレイ基板１１Ｂの内面側に既知のフォトリソグラフィ法などによって積層形成された各種の膜の具体的な積層順などについて図６及び図７を用いて詳しく説明する。図６は、ＴＦＴ１５を切断した断面図である。図７は、接続電極３６を切断した断面図である。なお、両基板１１Ａ，１１Ｂの間には、液晶層１１Ｃが挟み込まれている。先にアレイ基板１１Ｂ側の積層構造について説明する。アレイ基板１１Ｂには、図６に示すように、下層側から順に、第１金属膜（遮光膜）２４、第１絶縁膜（ベースコート膜）２５、半導体膜２６、第２絶縁膜２７、第２金属膜（ゲート金属膜）２８、第３絶縁膜２９、第３金属膜（ソース金属膜）３０、第４絶縁膜３１、第１透明電極膜３２、第５絶縁膜３３、第２透明電極膜３４、アレイ側配向膜３５が少なくとも積層形成されている。

第１金属膜２４、第２金属膜２８及び第３金属膜３０は、いずれも１種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされることで導電性及び遮光性を有している。第１金属膜２４は、図６に示すように、第２遮光部２２などを構成する。第２金属膜２８は、ゲート配線１７やＴＦＴ１５のゲート電極１５Ａなどを構成する。第３金属膜３０は、ソース配線１８や接続電極３６などを構成する。第１絶縁膜２５、第２絶縁膜２７、第３絶縁膜２９、第４絶縁膜３１及び第５絶縁膜３３は、いずれも無機絶縁材料（無機樹脂材料）の一種であるＳｉＯ_２（酸化シリコン、シリコン酸化物）やＳｉＮ_ｘ（窒化シリコン）などからなる。これらの中の第２絶縁膜２７及び第３絶縁膜２９のうち、ソース配線１８及びソース領域１５Ｂの重畳箇所と、ドレイン領域１５Ｃ及び接続電極３６の重畳箇所と、には、重畳箇所同士を接続するためのコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２がそれぞれ開口形成されている。また、第４絶縁膜３１及び第５絶縁膜３３のうち、接続電極３６及び画素電極１６の重畳箇所には、図７に示すように、重畳箇所同士を接続するためのコンタクトホールＣＨ３が開口形成されている。

半導体膜２６は、多結晶化されたシリコン薄膜（多結晶シリコン薄膜）の一種であるＣＧシリコン（Continuous Grain Silicon）薄膜からなる。ＣＧシリコン薄膜は、例えばアモルファスシリコン薄膜に金属材料を添加し、５５０℃以下程度の低温で短時間の熱処理を行うことで形成されており、それによりシリコン結晶の結晶粒界における原子配列に連続性を有している。半導体膜２６は、図６に示すように、表示領域ＡＡにおいてＴＦＴ１５の配置に応じて島状にパターニングされており、ＴＦＴ１５のソース領域１５Ｂ、ドレイン領域１５Ｃ及びチャネル領域１５Ｄを構成する。第１透明電極膜３２及び第２透明電極膜３４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明電極材料からなる。第１透明電極膜３２は、共通電極１９を構成し、第２透明電極膜３４は、画素電極１６を構成する。アレイ側配向膜３５は、ポリイミドなどの配向材料からなり、その表面にラビング処理または光配向処理が施されている。

続いて、ＣＦ基板１１Ａ側の積層構造について説明する。ＣＦ基板１１Ａには、図６に示すように、下層側から順に、遮光膜（遮光レジスト膜）３７、カラーレジスト膜３８、オーバーコート膜３９、フォトレジスト膜４０、ＣＦ側配向膜４１が少なくとも積層形成されている。遮光膜３７は、感光性を有していて黒色を呈する遮光材料（カーボンブラックなど）からなり、第１遮光部２１を構成する。カラーレジスト膜３８は、感光性を有する着色材料からなり、各色のカラーフィルタ２０を構成する。オーバーコート膜３９は、有機絶縁材料（有機樹脂材料）からなり、ＣＦ基板１１Ａの表面を平坦化する機能を有する。フォトレジスト膜４０は、感光性を有する有機絶縁材料（有機樹脂材料）からなり、スペーサ２３を構成する。スペーサ２３は、液晶層１１Ｃを貫いて突出先端部がアレイ基板１１Ｂの内面に当接されることで、液晶層１１Ｃの厚み（セルギャップ）を一定に保持する機能と有する。また、ＣＦ側配向膜４１は、アレイ側配向膜３５と同様に、ポリイミドなどの配向材料からなり、その表面にラビング処理または光配向処理が施されている。

次に、主に図８及び図９を用いて第１遮光部２１及び第２遮光部２２の詳しい構成について説明する。図８は、第１遮光部２１を切断した断面図である。図９は、第２遮光部２２を切断した断面図である。第１遮光部２１は、図４及び図８に示すように、Ｘ軸方向についてソース配線１８と中心位置が一致するよう配されるとともに、幅寸法がソース配線１８の線幅よりも大きくされている。第１遮光部２１は、Ｙ軸方向についてソース配線１８に並行しつつ延在する非分割構造とされており、ソース配線１８に対して全長・全幅にわたって重畳配置されている。

第２遮光部２２は、図４及び図９に示すように、Ｙ軸方向についてゲート配線１７と中心位置が一致するよう配されるとともに、幅寸法がゲート配線１７の線幅よりも大きくされている。第２遮光部２２は、Ｘ軸方向についてゲート配線１７に並行しつつ延在する非分割構造とされており、ゲート配線１７に対して全長・全幅にわたって切れ目無く重畳配置されている。これにより、ゲート配線１７に起因する光漏れが第２遮光部２２により高い確実性をもって防がれ、コントラスト性能の低下がより好適に抑制される。このように第２遮光部２２は、ゲート配線１７のほぼ全域に対して重畳するよう配されているので、ゲート配線１７とソース配線１８との交差部位に配されるスペーサ２３とも重畳するよう配されている。このスペーサ２３付近では、スペーサ２３による屈折光などにより光漏れが生じることが懸念されるものの、スペーサ２３に対して第２遮光部２２が重畳配置されることで、スペーサ２３付近に生じ得る漏れ光を第２遮光部２２により遮ることができる。これにより、コントラスト性能の低下がより好適に抑制される。

さらには、第２遮光部２２は、図４及び図９に示すように、ゲート配線１７に加えて、ＴＦＴ１５の全域、画素電極１６の一部及びスペーサ２３の全域に対して重畳するよう配されている。詳しくは、第２遮光部２２は、ＴＦＴ１５を構成するゲート電極１５Ａ、ソース領域１５Ｂ、ドレイン領域１５Ｃ及びチャネル領域１５Ｄの全てに対して重畳する配置とされる。第２遮光部２２は、チャネル領域１５Ｄを構成する半導体膜２６に対して第１絶縁膜２５を介して下層側に配される第１金属膜２４からなるので、チャネル領域１５Ｄに対して下層側から照射されるバックライト装置などからの光を第２遮光部２２により遮ることができる。これにより、チャネル領域１５Ｄには、光の照射に伴う不用意な電荷移動が生じ難くなるので、ＴＦＴ１５に動作不良などが生じ難くなる。第２遮光部２２は、ソース領域１５Ｂ及びソース配線１８を接続するコンタクトホールＣＨ１やドレイン領域１５Ｃ及び接続電極３６を接続するコンタクトホールＣＨ２（接続部分）に対しても重畳するよう配されているので、これらのコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２に起因してアレイ基板１１Ｂの表面に生じる凹凸によって生じる漏れ光を第２遮光部２２により遮ることができる。これにより、コントラスト性能の低下がより好適に抑制される。第２遮光部２２は、ドレイン領域１５Ｃに対して接続される接続電極３６の全域に対して重畳する配置とされているので、接続電極３６及び画素電極１６を接続するコンタクトホールＣＨ３（接続部分）に対しても重畳するよう配されている。従って、コンタクトホールＣＨ３に起因してアレイ基板１１Ｂの表面に生じる凹凸によって生じる漏れ光を第２遮光部２２により遮ることができる。これにより、コントラスト性能の低下がより好適に抑制される。

以上説明したように本実施形態の液晶パネル（表示装置）１１は、ＣＦ基板（第１基板）１１Ａと、ＣＦ基板１１Ａに対して対向配置されるアレイ基板（第２基板）１１Ｂと、ＣＦ基板１１Ａ及びアレイ基板１１Ｂの板面内においてマトリクス状に並んで配される複数の画素ＰＸと、アレイ基板１１Ｂに設けられて板面に沿う第１方向に沿って延在するゲート配線（第１配線）１７と、ＣＦ基板１１Ａに設けられて板面に沿い且つ第１方向と交差する第２方向に沿って延在していて第１方向について隣り合う画素ＰＸの間に介在する第１遮光部２１と、アレイ基板１１Ｂに設けられて第１方向に沿って延在していて第２方向について隣り合う画素ＰＸの間に介在し且つゲート配線１７と重畳するよう配される第２遮光部２２と、を備える。

このようにすれば、第１方向について隣り合う画素ＰＸの間に第１遮光部２１が、第２方向について隣り合う画素ＰＸの間に第２遮光部２２が、それぞれ介在することで、第１方向及び第２方向についてそれぞれ隣り合う画素ＰＸの間で光が行き交い難くなる。従来のように異なる色を呈する着色層を積層することで遮光を図る場合に比べると、第１遮光部２１及び第２遮光部２２の遮光性能が十分に得られる。これにより、コントラスト性能の低下が抑制される。

ところで、仮に第１遮光部及び第２遮光部をＣＦ基板１１Ａ側のみに設けるようにした場合には、高精細化に伴って画素ＰＸが小型化されると、次の問題が生じるおそれがある。すなわち、例えば感光性材料からなる膜をフォトマスクを介して露光し現像することで、第１遮光部及び第２遮光部をパターニングするフォトリソグラフィ法を採った場合、上記した画素ＰＸの小型化が露光に係る解像限界を超えて進行すると、第１遮光部及び第２遮光部の開口範囲を制御するのが困難になり、画素ＰＸの開口率が著しく低下することが懸念される。なお、第１遮光部及び第２遮光部を印刷法などにより形成する場合にも同様に画素ＰＸの開口率の著しい低下が懸念される。その点、第２方向に沿って延在していて第１方向について隣り合う画素ＰＸの間に介在する第１遮光部２１をＣＦ基板１１Ａに、第１方向に沿って延在していて第２方向について隣り合う画素ＰＸの間に介在する第２遮光部２２をアレイ基板１１Ｂに、それぞれ設けるようにしているので、高精細化に伴って画素ＰＸの小型化が進行した場合でも、第１遮光部２１及び第２遮光部２２の形成方法を問わず、画素ＰＸの開口範囲を適切に制御することができる。これにより、画素ＰＸの開口率が徒に低下する事態が生じ難くなる。また、アレイ基板１１Ｂに設けられたゲート配線１７における両側縁では光の散乱が生じることが懸念されるものの、このゲート配線１７に対して第２遮光部２２が重畳するよう配されているので、ゲート配線１７における両側縁にて散乱光が生じた場合でも、その散乱光を第２遮光部２２により遮ることができる。これにより、コントラスト性能の低下がより好適に抑制される。しかも、ゲート配線１７の線幅に係る設計自由度が高くなるとともに、第２遮光部２２に係る遮光範囲の設計自由度が高くなる。

また、アレイ基板１１Ｂに設けられ第２方向に沿って延在するソース配線（第２配線）１８を備えており、第１遮光部２１は、ソース配線１８と重畳するよう配される。アレイ基板１１Ｂに設けられたソース配線１８における両側縁では光の散乱が生じることが懸念されるものの、このソース配線１８に対して第１遮光部２１が重畳するよう配されているので、ソース配線１８における両側縁にて散乱光が生じた場合でも、その散乱光を第１遮光部２１により遮ることができる。これにより、コントラスト性能の低下がより好適に抑制される。しかも、ソース配線１８の線幅に係る設計自由度が高くなるとともに、第１遮光部２１に係る遮光範囲の設計自由度が高くなる。

また、アレイ基板１１Ｂに設けられゲート配線１７及びソース配線１８に接続されるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１５を備えており、第２遮光部２２は、ＴＦＴ１５の少なくとも一部と重畳するよう配される。アレイ基板１１ＢのうちＴＦＴ１５が設けられた箇所の表面には、ＴＦＴ１５に起因する凹凸が生じ易く、その凹凸に起因して光漏れが生じることが懸念される。その点、遮光範囲に係る設計自由度が高い第２遮光部２２がＴＦＴ１５の少なくとも一部と重畳するよう配されることで、ＴＦＴ１５付近に生じ得る光漏れが抑制される。これにより、コントラスト性能の低下がより好適に抑制される。

また、ＴＦＴ１５は、ゲート配線１７に接続されるゲート電極１５Ａと、ソース配線１８に接続されるソース領域１５Ｂと、ゲート電極１５Ａに対して第２絶縁膜（絶縁膜）２７を介して下層側に少なくとも一部が重畳するよう配されてソース領域１５Ｂに接続されるチャネル領域１５Ｄと、チャネル領域１５Ｄにおけるソース領域１５Ｂ側とは反対側に接続されるドレイン領域１５Ｃと、を有しており、第２遮光部２２は、ＴＦＴ１５のうち少なくともチャネル領域１５Ｄに対して下層側にて重畳するよう配される。このようにすれば、ゲート配線１７により伝送される信号によりゲート電極１５Ａが通電されると、ＴＦＴ１５が駆動され、ソース配線１８により伝送される信号がソース領域１５Ｂからチャネル領域１５Ｄを介してドレイン領域１５Ｃへと供給される。ここで、チャネル領域１５Ｄは、ゲート電極１５Ａに対して第２絶縁膜２７を介して下層側に少なくとも一部が重畳するよう配されているため、チャネル領域１５Ｄに対して下層側から光が照射されると、チャネル領域１５Ｄに不用意な電荷移動が生じるおそれがある。その点、第２遮光部２２がチャネル領域１５Ｄに対して下層側にて重畳するよう配されているので、チャネル領域１５Ｄに対して下層側から照射される光を第２遮光部２２により遮ることができる。これにより、チャネル領域１５Ｄに不用意な電荷移動が生じ難くなるので、ＴＦＴ１５に動作不良などが生じ難くなる。

また、画素ＰＸは、ＣＦ基板１１Ａに設けられるカラーフィルタ２０と、アレイ基板１１Ｂにカラーフィルタ２０と重畳するよう設けられてＴＦＴ１５に接続される画素電極１６と、からなり、第２遮光部２２は、ＴＦＴ１５と画素電極１６との接続部分（コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３）と重畳するよう配される。アレイ基板１１ＢのうちＴＦＴ１５と画素電極１６との接続部分の表面には、接続部分に起因する凹凸が生じ易く、その凹凸に起因して光漏れが生じることが懸念される。その点、遮光範囲に係る設計自由度が高い第２遮光部２２が上記した接続部分と重畳するよう配されることで、接続部分付近に生じ得る光漏れが抑制される。これにより、コントラスト性能の低下がより好適に抑制される。

また、ＣＦ基板１１Ａとアレイ基板１１Ｂとの間に介在していてその間の間隔を保持するスペーサ２３を備えており、第２遮光部２２は、スペーサ２３と重畳するよう配されている。ＣＦ基板１１Ａとアレイ基板１１Ｂとの間に介在するスペーサ２３付近では、スペーサ２３による屈折光などにより光漏れが生じることが懸念される。その点、遮光範囲に係る設計自由度が高い第２遮光部２２がスペーサ２３と重畳するよう配されることで、スペーサ２３付近に生じ得る光漏れが抑制される。これにより、コントラスト性能の低下がより好適に抑制される。

また、第２遮光部２２は、第１方向についてゲート配線１７に並行しつつ延在する非分割構造とされる。このようにすれば、ゲート配線１７に対して第２遮光部２２が第１方向について切れ目無く重畳することになる。これにより、ゲート配線１７に起因する光漏れが第２遮光部２２により高い確実性をもって防がれ、コントラスト性能の低下がより好適に抑制される。

＜実施形態２＞
本発明の実施形態２を図１０によって説明する。この実施形態２では、第２遮光部１２２の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る第２遮光部１２２は、図１０に示すように、分割構造とされる。詳しくは、第２遮光部１２２は、ゲート配線１１７の延在方向であるＸ軸方向について並ぶ複数の分割第２遮光部４２からなる。複数の分割第２遮光部４２は、Ｘ軸方向についての長さ寸法が、Ｘ軸方向に沿って並ぶ複数の画素ＰＸの配列ピッチとほぼ一致している。第２遮光部１２２は、Ｘ軸方向について隣り合う分割第２遮光部４２の間の位置（分割位置）が、Ｘ軸方向について隣り合う画素ＰＸの間の位置と一致するよう配されている。第２遮光部１２２の分割数、つまり第２遮光部１２２を構成する分割第２遮光部４２の数は、Ｘ軸方向についての画素ＰＸの並び数と一致している。このようにすれば、仮にある分割第２遮光部４２に外部から不用意に信号が入力された場合でも、その分割第２遮光部４２から隣り合う分割第２遮光部４２に信号が伝送されるのが避けられる。特に、第２遮光部１２２がＸ軸方向に沿って並ぶ複数の画素ＰＸに対して個別に対応付けられるよう複数の分割第２遮光部４２に分割されているので、仮にある分割第２遮光部４２に外部から不用意に信号が入力された場合でも、その信号により画素ＰＸに及ぼされる悪影響が最小限に抑えられる。これにより、第２遮光部１２２と重畳するゲート配線１１７などにノイズなどの影響が及び難くなる。また、第２遮光部１２２は、Ｘ軸方向について隣り合う分割第２遮光部４２の間の位置が、第１遮光部１２１と重畳するよう配されているので、隣り合う分割第２遮光部４２の間から生じ得る漏れ光が第１遮光部１２１により遮られる。これにより、コントラスト性能の低下がより好適に抑制される。

以上説明したように本実施形態によれば、第２遮光部１２２は、第１方向について並ぶ複数の分割第２遮光部４２からなる。このようにすれば、仮にある分割第２遮光部４２に外部から不用意に信号が入力された場合でも、その分割第２遮光部４２から隣り合う分割第２遮光部４２に信号が伝送されるのが避けられる。これにより、第２遮光部１２２と重畳するゲート配線１１７などにノイズなどの影響が及び難くなる。

また、第２遮光部１２２は、分割第２遮光部４２における第１方向についての長さが、複数の画素ＰＸにおける第１方向についての配列ピッチと一致するよう設けられる。このようにすれば、第２遮光部１２２が画素ＰＸ毎に複数の分割第２遮光部４２に分割されているので、仮にある分割第２遮光部４２に外部から不用意に信号が入力された場合でも、その信号により画素ＰＸに及ぼされる悪影響が最小限に抑えられる。

また、第２遮光部１２２は、複数の分割第２遮光部４２における分割位置が第１遮光部１２１と重畳するよう配されている。このようにすれば、隣り合う分割第２遮光部４２の間から生じ得る漏れ光を第１遮光部１２１により遮ることができる。これにより、コントラスト性能の低下がより好適に抑制される。

＜実施形態３＞
本発明の実施形態３を図１１によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態２から第２遮光部２２２の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る第２遮光部２２２は、図１１に示すように、分割第２遮光部２４２におけるＸ軸方向についての長さが、表示画素ＤＰＸにおけるＸ軸方向についての配列ピッチの整数倍と一致するよう設けられる。具体的には、本実施形態では、分割第２遮光部２４２におけるＸ軸方向についての長さが、表示画素ＤＰＸにおけるＸ軸方向についての配列ピッチの１倍とされている。つまり、分割第２遮光部２４２は、Ｘ軸方向について続けて並ぶ赤色画素ＲＰＸ、緑色画素ＧＰＸ及び青色画素ＢＰＸの３つの画素ＰＸに跨がる形成範囲を有している。第２遮光部２２２の分割数は、Ｘ軸方向についての画素ＰＸの並び数の約１／３と一致している。このようにすれば、仮にある分割第２遮光部２４２に外部から不用意に信号が入力された場合でも、その信号により表示画素ＤＰＸに及ぼされる悪影響がより好適に抑制される。

以上説明したように本実施形態によれば、複数の画素ＰＸには、赤色を呈する赤色画素ＲＰＸと、緑色を呈する緑色画素ＧＰＸと、青色を呈する青色画素ＢＰＸと、が含まれていて、第１方向について続けて並ぶ赤色画素ＲＰＸ、緑色画素ＧＰＸ及び青色画素ＢＰＸにより１つの表示画素ＤＰＸが構成されており、第２遮光部２２２は、分割第２遮光部２４２における第１方向についての長さが、表示画素ＤＰＸにおける第１方向についての配列ピッチの整数倍と一致するよう設けられる。このようにすれば、第１方向について続けて並ぶ赤色画素ＲＰＸ、緑色画素ＧＰＸ及び青色画素ＢＰＸがそれぞれ所定の階調で表示されることで、１つの表示画素ＤＰＸによるカラー表示が行われる。第２遮光部２２２が１つまたは複数の表示画素ＤＰＸ毎に複数の分割第２遮光部２４２に分割されているので、仮にある分割第２遮光部２４２に外部から不用意に信号が入力された場合でも、その信号により表示画素ＤＰＸに及ぼされる悪影響が十分に抑制される。

また、第２遮光部２２２は、分割第２遮光部２４２における第１方向についての長さが、表示画素ＤＰＸにおける第１方向についての配列ピッチと一致するよう設けられる。このようにすれば、第２遮光部２２２が１つの表示画素ＤＰＸ毎に複数の分割第２遮光部２４２に分割されているので、仮にある分割第２遮光部２４２に外部から不用意に信号が入力された場合でも、その信号により表示画素ＤＰＸに及ぼされる悪影響がより好適に抑制される。

＜実施形態４＞
本発明の実施形態４を図１２によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態３から第２遮光部３２２の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態３と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る第２遮光部３２２は、図１２に示すように、分割第２遮光部３４２におけるＸ軸方向についての長さが、表示画素ＤＰＸにおけるＸ軸方向についての配列ピッチの２倍と一致するよう設けられる。つまり、分割第２遮光部３４２は、Ｘ軸方向について続けて並ぶ２つの表示画素ＤＰＸに跨がる形成範囲、さらに言い換えるとＸ軸方向について続けて並ぶ赤色画素ＲＰＸ、緑色画素ＧＰＸ及び青色画素ＢＰＸの６つの画素ＰＸに跨がる形成範囲を有している。第２遮光部３２２の分割数は、Ｘ軸方向についての画素ＰＸの並び数の約１／６と一致している。このように、第２遮光部３２２が２つの表示画素ＤＰＸ毎に複数の分割第２遮光部３４２に分割されているので、仮にある分割第２遮光部３４２に外部から不用意に信号が入力された場合でも、その信号により表示画素ＤＰＸに及ぼされる悪影響が十分に抑制される。

＜実施形態５＞
本発明の実施形態５を図１３から図１６によって説明する。この実施形態５では、上記した実施形態１から第２遮光部４２２などの構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係るアレイ基板４１１Ｂには、図１３及び図１４に示すように、ソース配線４１８などを構成する第３金属膜４３０よりも上層側に配される第４金属膜４３が設けられており、この第４金属膜４３により第２遮光部４２２が構成されている。これに対し、第１金属膜４２４は、ＴＦＴ４１５のチャネル領域４１５Ｄにおける一部と重畳する第３遮光部４４を構成している。なお、図１３及び図１４では、第２遮光部４２２と第３遮光部４４とを異なる網掛け状にして図示している。詳しくは、第２遮光部４２２を構成する第４金属膜４３は、図１５及び図１６に示すように、第３金属膜４３０に対して上層側に積層される第６絶縁膜４５を介して上層側に配されている。従って、第４金属膜４３は、下層側の第６絶縁膜４５により第３金属膜４３０とは絶縁状態に保たれ、上層側の第４絶縁膜４３１により第１透明電極膜４３２とは絶縁状態に保たれている。第２遮光部４２２の構成は、第４金属膜４３からなる点を除いては、上記した実施形態１に記載した通りである。

第３遮光部４４は、図１４及び図１５に示すように、ＴＦＴ４１５のチャネル領域４１５Ｄのうちのゲート配線４１７（ゲート電極４１５Ａ）と重畳する一対の重畳部に対して選択的に重畳するよう形成されている。ここで、ゲート電極４１５Ａがゲート配線４１７に伝送される走査信号に基づく電位になると、チャネル領域４１５Ｄのうちのゲート電極４１５Ａに対する一対の重畳部において電荷の移動が促進されることになる。従って、チャネル領域４１５Ｄにおける上記した一対の重畳部に対して下層側から光が照射されて不用意な電荷移動が生じると、ＴＦＴ４１５の動作に悪影響が特に及び易い。その点、第１金属膜４２４からなる第３遮光部４４は、チャネル領域４１５Ｄにおける上記した一対の重畳部に対して選択的に重畳するよう配されることで、チャネル領域４１５Ｄにおける上記した一対の重畳部に照射され得る光を遮ることができる。これにより、チャネル領域４１５Ｄに不用意な電荷移動が生じ難くなり、ＴＦＴ４１５を適切に動作させることができる。なお、第２遮光部４２２は、第３遮光部４４に対しても重畳する配置となっている。

＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。

（１）上記した実施形態５に記載した構成を、実施形態２の構成に組み合わせることも可能である。つまり、第４金属膜からなる第２遮光部が、複数の分割第２遮光部に分割され、その分割数がＸ軸方向についての画素の並び数と一致する構成であっても構わない。

（２）上記した実施形態５に記載した構成を、実施形態３の構成に組み合わせることも可能である。つまり、第４金属膜からなる第２遮光部が、複数の分割第２遮光部に分割され、その分割数がＸ軸方向についての画素の並び数の約１／３と一致する構成であっても構わない。

（３）上記した実施形態５に記載した構成を、実施形態４の構成に組み合わせることも可能である。つまり、第４金属膜からなる第２遮光部が、複数の分割第２遮光部に分割され、その分割数がＸ軸方向についての画素の並び数の約１／６と一致する構成であっても構わない。

（４）上記した実施形態１〜４では、第１金属膜からなる第２遮光部が専ら遮光機能を有する場合を示したが、例えば第２遮光部をゲート配線に対して電気的に接続し、ゲート配線に伝送される走査信号が第２遮光部にも供給されるようにしても構わない。このようにすれば、ＴＦＴのチャネル領域には、第２金属膜からなるゲート電極に加え、第１金属膜からなる第２遮光部からも電界が印加されることになるので、電荷の流通量を増加させる上で好適となる。

（５）上記した実施形態２〜４以外にも、分割第２遮光部におけるＸ軸方向についての具体的な形成範囲は、適宜に変更可能である。例えば、分割第２遮光部が２つ、４つ、５つ、７つなどの画素に跨がる長さで形成されていても構わない。また、分割第２遮光部が３つ以上の表示画素に跨がる長さで形成されていても構わない。

（６）上記した各実施形態では、第２遮光部がＴＦＴの全域に対して重畳するよう配される場合を示したが、第２遮光部がＴＦＴの一部とは非重畳となる配置であっても構わない。その場合でも、第２遮光部が第１金属膜からなる場合には、第２遮光部は、チャネル領域のうちのゲート電極と重畳する部分に対して重畳するのが好ましい。

（７）上記した各実施形態以外にも、スペーサの具体的な平面配置は適宜に変更可能である。その場合でも、第２遮光部がスペーサに対して重畳する配置とされるのが好ましいが、必ずしもその限りではない。

（８）上記した各実施形態以外にも、表示画素を構成する赤色画素、緑色画素及び青色画素（カラーフィルタを構成する赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタ）の具体的な並び順は適宜に変更可能である。

（９）上記した各実施形態では、第１遮光部を構成する遮光膜が感光性を有する材料からなる場合を示したが、遮光膜が非感光性材料からなるようにしてもよい。

（１０）上記した各実施形態では、第１遮光部を構成する遮光膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングする場合を示したが、シルクスクリーン法などの印刷法により遮光膜を形成することも可能である。

（１１）上記した各実施形態以外にも、ＴＦＴの具体的な構成は適宜に変更可能である。具体的には、ＴＦＴのチャネル領域とゲート配線との重畳箇所数が１つのみまたは３つ以上であっても構わない。また、第３金属膜からなる接続電極を省略し、ＴＦＴのドレイン領域を画素電極に対してコンタクトホールを通して直接的に接続する構成を採ることも可能である。

（１２）上記した各実施形態以外にも、液晶パネルの表示モードは、ＴＮモード、ＶＡモード、ＩＰＳモードなどであっても構わない。

（１３）上記した各実施形態以外にも、画素電極に設けられたスリットの具体的な平面形状や設置数などは適宜に変更可能である。

（１４）上記した各実施形態では、画素電極側にスリットを設けた場合を示したが、共通電極側にスリットを設けることも可能である。

（１５）上記した各実施形態では、第１透明電極膜が共通電極を、第２透明電極膜が画素電極を、それぞれ構成する場合を示したが、第１透明電極膜が画素電極を、第２透明電極膜が共通電極を、それぞれ構成するようにしても構わない。

（１６）上記した各実施形態では、透過型の液晶パネルを備える液晶表示装置を例示したが、反射型の液晶パネルや半透過型の液晶パネルを備える液晶表示装置であっても構わない。

（１７）上記した各実施形態では、アレイ基板においてＴＦＴがマトリクス状に平面配置された場合を示したが、ＴＦＴがジグザグ状に平面配置されていても構わない。

（１８）上記した各実施形態では、半導体膜がシリコン薄膜からなる場合を示したが、半導体膜がアモルファスシリコンまたは酸化物半導体からなるようにしてもよい。

（１９）上記した各実施形態では、液晶パネルについて例示したが、他の種類の表示パネル（有機ＥＬ表示パネル、ＥＰＤ（マイクロカプセル型電気泳動方式のディスプレイパネル）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）表示パネルなど）であっても構わない。

（２０）上記した各実施形態では、ヘッドマウントディスプレイに用いられる液晶表示装置を例示したが、他の用途に用いられる液晶表示装置であっても構わない。また、液晶パネルにおける画面サイズや画素の配列ピッチなどは適宜に変更可能である。

１１…液晶パネル（表示装置）、１１Ａ…ＣＦ基板（第１基板）、１１Ｂ，４１１Ｂ…アレイ基板（第２基板）、１５，４１５…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、１５Ａ，４１５Ａ…ゲート電極、１５Ｂ…ソース領域、１５Ｃ…ドレイン領域、１５Ｄ，４１５Ｄ…チャネル領域、１６…画素電極、１７，１１７，４１７…ゲート配線（第１配線）、１８，４１８…ソース配線（第２配線）、２０…カラーフィルタ、２１，１２１…第１遮光部、２２，１２２，２２２，３２２，４２２…第２遮光部、２３…スペーサ、２７…第２絶縁膜（絶縁膜）、４２，３４２…分割第２遮光部、ＢＰＸ…青色画素、ＤＰＸ…表示画素、ＧＰＸ…緑色画素、ＰＸ…画素、ＲＰＸ…赤色画素

Claims (12)

1. 第１基板と、
   前記第１基板に対して対向配置される第２基板と、
   前記第１基板及び前記第２基板の板面内においてマトリクス状に並んで配される複数の画素と、
   前記第２基板に設けられて前記板面に沿う第１方向に沿って延在する第１配線と、
   前記第１基板に設けられて前記板面に沿い且つ前記第１方向と交差する第２方向に沿って延在していて前記第１方向について隣り合う前記画素の間に介在する第１遮光部と、
   前記第２基板に設けられて前記第１方向に沿って延在していて前記第２方向について隣り合う前記画素の間に介在し且つ前記第１配線と重畳するよう配される第２遮光部と、を備える表示装置。
2. 前記第２基板に設けられ前記第２方向に沿って延在する第２配線を備えており、
   前記第１遮光部は、前記第２配線と重畳するよう配される請求項１記載の表示装置。
3. 前記第２基板に設けられ前記第１配線及び前記第２配線に接続される薄膜トランジスタを備えており、
   前記第２遮光部は、前記薄膜トランジスタの少なくとも一部と重畳するよう配される請求項２記載の表示装置。
4. 前記薄膜トランジスタは、前記第１配線に接続されるゲート電極と、前記第２配線に接続されるソース領域と、前記ゲート電極に対して絶縁膜を介して下層側に少なくとも一部が重畳するよう配されて前記ソース領域に接続されるチャネル領域と、前記チャネル領域における前記ソース領域側とは反対側に接続されるドレイン領域と、を有しており、
   前記第２遮光部は、前記薄膜トランジスタのうち少なくとも前記チャネル領域に対して下層側にて重畳するよう配される請求項３記載の表示装置。
5. 前記画素は、前記第１基板に設けられるカラーフィルタと、前記第２基板に前記カラーフィルタと重畳するよう設けられて前記薄膜トランジスタに接続される画素電極と、からなり、
   前記第２遮光部は、前記薄膜トランジスタと前記画素電極との接続部分と重畳するよう配される請求項３または請求項４記載の表示装置。
6. 前記第１基板と前記第２基板との間に介在していてその間の間隔を保持するスペーサを備えており、
   前記第２遮光部は、前記スペーサと重畳するよう配されている請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記第２遮光部は、前記第１方向について前記第１配線に並行しつつ延在する非分割構造とされる請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記第２遮光部は、前記第１方向について並ぶ複数の分割第２遮光部からなる請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記第２遮光部は、前記分割第２遮光部における前記第１方向についての長さが、複数の前記画素における前記第１方向についての配列ピッチと一致するよう設けられる請求項８記載の表示装置。
10. 複数の前記画素には、赤色を呈する赤色画素と、緑色を呈する緑色画素と、青色を呈する青色画素と、が含まれていて、前記第１方向について続けて並ぶ前記赤色画素、前記緑色画素及び前記青色画素により１つの表示画素が構成されており、
    前記第２遮光部は、前記分割第２遮光部における前記第１方向についての長さが、前記表示画素における前記第１方向についての配列ピッチの整数倍と一致するよう設けられる請求項８記載の表示装置。
11. 前記第２遮光部は、前記分割第２遮光部における前記第１方向についての長さが、前記表示画素における前記第１方向についての配列ピッチと一致するよう設けられる請求項１０記載の表示装置。
12. 前記第２遮光部は、複数の前記分割第２遮光部における分割位置が前記第１遮光部と重畳するよう配されている請求項８記載の表示装置。

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