JP5024786B2 - 半透過型液晶表示装置 - Google Patents
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Description
置に比して、低消費電力化や、薄型化、軽量化の面では優位である。しかし、周囲の光を表示光源とするため、周囲が暗いときには、コントラストや視認性が低下するという欠点を有している。
半透過型液晶表示装置は、単位画素内に、透過領域と反射領域とを有する。透過領域は、バックライト光源からの光を透過し、バックライト光源を表示光源とする。反射領域は、反射板を有しており、反射板によって反射された外部からの光を表示光源とする。半透過型液晶表示装置では、周囲が明るいときには、バックライト光源を消灯し、反射領域により画像を表示することで、低消費電力化を実現できる。また、周囲が暗いときには、バックライト光源を点灯し、透過領域により画像表示を行うことで、周囲が暗くなったときでも画像表示が可能である。
更に、IPSモードの液晶表示装置は、同一基板上に形成された画素電極及び共通電極を有し、液晶層に、横方向の電界を印加する。IPSモードの液晶表示装置は、液晶分子を、基板平行方向に回転させて画像の表示を行うことにより、例えば、TNモードの液晶表示装置に比して、高視野角を実現できる。
又、反射領域521の液晶層503の厚みは、絶縁層516が存在するために、透過領域522の液晶層503の厚みの半分となっている。また、背面側基板501の偏光板(第1偏光板)の外側(下側)には透過表示の光源として作用するバックライト504が設けられている。
まず、反射領域521では、液晶層503には第2偏光板を通過した90°方向(縦方向)の直線偏光(以下「90°直線偏光」という)が入射する。液晶層503では液晶層503に入射した直線偏光の光学軸と、液晶分子の長軸方向が一致しているため、90°直線偏光のまま液晶層503を通過し、反射板515で反射する。直線偏光の場合、反射しても直線偏光のままなので、90°直線偏光のまま、再度、液晶層503に入射する。更に90°直線偏光のまま液晶層503を出射して第2偏光板に入射するが、第2偏光板の偏光軸も90°のため、第2偏光板を通過する。よって、電圧を印加しない場合、反射領域521は、白表示となる。
まず、反射領域521では、液晶層503に第2偏光板を通過した90°方向(縦方向)の直線偏光が入射する。液晶層503は電圧を印加されることにより、液晶層503における液晶の長軸方向を基板面内で0°から45°に変化する。液晶層503では、入射光の偏光方向と液晶分子の長軸方向とが45°ずれており、液晶のリタデーションがλ/4に設定されているため、液晶層503に入射した縦方向の直線偏光は、右回りの円偏光状態となって反射板515に入射する。この右周りの円偏光は、反射板515で反射し、左周りの円偏光状態となる。液晶層503に入射した左周りの円偏光は、液晶層503を再び通過し、横方向(0°方向)の直線偏光となって、第2偏光板に入射する。第2偏光板の偏光軸は90°のため、反射板515が反射した光を通過させることができず、黒表示となる。
例えば、上記のIPS半透過型液晶表示装置では、反射領域の共通電極に入力する信号(以下「反射共通信号」という)と透過領域の共通電極に入力する信号(以下「透過共通信号」という)とを相互に逆位相とすることにより、反射領域および透過領域それぞれに対して異なる電圧の印加を行うことができる。
又、1フレーム期間内で各液晶層に印加する電圧を保持するためには画素電極の電位が共通電極の電位に追従して変化しなければならず、透過領域と反射領域で保持する電圧は異なるため、蓄積容量を反射領域と透過領域それぞれに設ける必要がある。
この特許文献1では、反射および透過領域それぞれに対応した2つのTFT(Thin Film Transistor)と、反射および透過領域それぞれに対応した第1および2の共通電極が設けられている。この2つの共通電極に対して相互に反転した信号を入力することにより、液晶層の反射領域と透過領域とが駆動される。
又、トランジスタおよび蓄積容量を反射領域と透過領域それぞれに対応して設け、反射領域と透過領域にそれぞれにトランジスタTrと、蓄積容量線CsrL,CstLを配した液晶表示装置が開示されている(特許文献2)。この特許文献2では、反射領域の画素電極とCsrLとで反射領域の蓄積容量が形成され、透過領域の画素電極とCstLとで透過領域の蓄積容量が形成され、反射領域および透過領域それぞれに蓄積容量が独立して形成されている。これにより、反射領域と透過領域の画素電極に異なる電位を与えることができる。
又、透過領域の蓄積容量を反射領域の反射板の下層に形成することにより、液晶表示装置の開口率を高めることができる。
本発明は、上記従来例の有する不都合を改善し、半透過型液晶表示装置における光漏れを抑制し視認性の高い半透過型液晶表示装置を提供することを、その目的とする。
これにより、走査線が反射板の電位に影響を与えるのを抑制することができ、このため反射領域のコントラストおよび視認性を向上することができる。
この部分に、液晶の駆動時に透過領域の上部や下部で生じるディスクリネーションを抑制する構造を付与することで、透過領域の視認性を向上させることができる。
又、前記各単位画素の液晶層を駆動する方式としてIPS(in-plane switching)、FFS(Field Fringe Switching)、VA(Vertically Aligned)、またはTN(Twisted Nematic)の何れかひとつの方式を利用してもよい。
以下、本発明における半透過型液晶表示装置に係る第1の実施形態について添付の図面を参照して説明する。
ここで、図2に示すように、データ線32、反射画素電極A35、および透過画素電極A36それぞれの有する突起部を相互に接続するスイッチング手段(以下「TFT」という)が形成される(図2の破線円部)。
次に、図1に示すように、絶縁層12の観察者側を反射画素電極A35および透過画素電極A36を含んで絶縁層で覆うことにより、反射領域21および透過領域22に絶縁層13が形成される。
次に、図1および3に示すように、有機膜層14の観察者側の面に、反射画素電極A35にオーバーラップさせて反射板23を形成する。つまり、観察者側から見て反射画素電極A35に重なるように反射板23を配置する。これにより、反射板1の背面側と反射画素電極A35との間に容量Cal1が形成される。又、有機膜層14の観察者側の面に、透過画素電極A36にオーバーラップさせて反射板24を形成する。つまり、観察者側から見て透過画素電極A36に重なるように反射板24を配置する。これにより、反射板24の背面側と透過画素電極A36との間に容量Cal2が形成される。
又、透過領域22の平坦化膜層15の観察者側の面にも同様に、くし歯状の形状を有する反射共通電極B47および反射画素電極B45を、それぞれの突起部を透過領域の内側に向け対向して配置する。これにより、透過領域22では、くし歯の長手方向に対して直交する方向に透過画素電極B46と透過共通電極B48とが交互に配置される。
このとき、図5に示すように、反射板の下層側には反射及び透過領域それぞれに対応した蓄積容量Cst1およびCst2が形成される。この場合も反射画素電極A35および透過画素電極A36が絶縁層13と有機膜層14を挟んで反射板と対向して配置されるため、それぞれの画素電極と反射板との間でCal1とCal2の容量結合が生じる。
換言すると、反射板23と24とが電気的に分離されていない場合、上述の図19(A)および(B)で示された反射板1および2の電位が足し合わせられることにより、図6(A)に示すように、電位が(ここでは5Vに)固定されるとみなすことができる(反射板電位)。この場合、反射領域21では、走査線信号電位の非選択期間において、反射共通信号電位が5Vになったときの反射画素電極電位が10Vよりも小さくなる(矢印※1)。これは液晶に十分な電圧の印加ができないことを示し、これにより表示に光漏れが生じ得る。
換言すると、透過領域22では、図6(B)に示されるように、走査線信号電位の非選択期間において、透過共通信号電位が0Vになったときの透過画素電極電位が0Vよりも大きくなる(矢印※2)。この場合も十分な電圧の遮断が行われていないため、表示に光漏れが生じると考えられる。
(式)ΔV=V×Cal/(Cst+Cal)
と表すことができる。
図7に透過率と印加電圧の関係を示したグラフの一例を示す。透過率が上がり始めるのは、図7に示されるように、液晶に0.5V以上の電圧が印加された場合であるとみなすことができる。この値(ここでは0.5V)を閾値電圧と呼ぶ。従って、透過領域22で黒表示時にオフセット電圧が閾値電圧よりも大きい場合には、液晶の配向に変化が生じて光漏れが発生する。又、反射領域21でも同様にオフセット電圧の影響により液晶に十分な電圧を印加できなくなるために光漏れが発生する。
ここでは、反射領域21および透過領域22に対応して、TFT60および61が形成されている。TFT60及び61は、それぞれゲートを走査線31に接続し、ソース・ドレインの一方をデータ線32に接続する。又、TFT60及び61は、それぞれ、ソース・ドレインの他方を反射画素電極A35及び透過画素電極A36に接続する。尚、スイッチング手段としては、TFT以外にMIM等の他のスイッチング手段を用いてもよい。
これにより、走査線31の選択期間で生じた画素電極と共通電極との電位差が非選択期間においても保たれる
と共に、オフセット電位の発生を抑制し、画素の表示における光漏れを抑制することができる。
次に、本発明における第2実施形態の液晶表示装置について説明する。ここで、前述した第1実施形態と同一の部分については、同一の符号を付するものとする。
この第2実施形態は、システム機器構成部分は前述した第1実施形態とほぼ同一の構成を備えており、第一実施形態において電気的に分離された反射板23、24を、反射板25に代えて備えた点が第1実施形態の場合と相違する。
以下、これを詳述する。
ここで、データ線32、反射画素電極A35、および透過画素電極A36それぞれの有する突起部を相互に接続するスイッチング手段(以下「TFT」という)が形成される(図2の破線円部)。
次に、図10に示すように、絶縁層12の観察者側を反射画素電極A35および透過画素電極A36を含んで絶縁層で覆うことにより、反射領域21および透過領域22に絶縁層13が形成される。
次に、図10および11に示すように、有機膜層14の観察者側の面に、反射画素電極A35および透過画素電極A36にオーバーラップさせて反射板25を形成する。つまり、観察者側から見て反射画素電極A35と透過画素電極A36とに重なるように反射板25を配置する。これにより、反射板25の背面側と反射画素電極A35および透過画素電極A36との間(絶縁層13と有機膜層14との境界面)にそれぞれ容量Cal1およびCal2が形成される。尚、反射板25は、散乱効果を高めるために、断面形状が凹凸パターンを有して形成される。
又、透過領域22の平坦化膜層15の観察者側の面にも同様に、くし歯状の形状を有する反射共通電極B47および反射画素電極B45を、それぞれの突起部を透過領域の内側に向け対向して配置する。これにより、透過領域22では、くし歯の長手方向に対して直交する方向に透過画素電極B46と透過共通電極B48とが交互に配置される。
又、前記反射画素電極と前記反射板とで形成される容量値C3と、前記反射画素電極と前記反射共通電極とで形成される反射蓄積容量の値C4とが3<C4/C3の関係を満たす。
更に、前記透過画素電極と前記反射板とで形成される容量値C5と、前記透過画素電極と前記透過共通電極とで形成される透過蓄積容量の値C6とが3<C6/C5の関係を満たす。
反射領域21および透過領域22の蓄積容量Cst1およびCst2(以下総称として「Cst」という)は、容量Cal1およびCal2(以下総称として「Cal」という)を介して接続されているため、相互にオフセット電圧が生じる。ここで、CstとCalの容量比(Cst/Cal)と、透過画素電極A36および透過共通電極A38との間に発生するオフセット電圧(ΔV)の関係の一例が、図14(A)に示されている。これによると、Cst/Calの値が大きくなるにつれて、オフセット電圧(ΔV)が抑制される。
例えば、容量(CstとCal)の比の値(Cst/Cal)を3以上に設定した場合、ΔVは0.7V以下の値を示す。これは、予め設定された閾値電圧より小さいため、透過領域22の光漏れは抑制される。
そこで、反射板の面積が反射及び透過領域21、22それぞれの蓄積容量Cst1、Cst2を形成する電極の面積の2倍である場合、有機膜層の膜厚とオフセット電圧との関係から、オフセット電圧を閾値電圧の0.7Vより小さくするための有機膜層の膜厚は、図14(C)に示されるように、0.5μm以上である。
これにより、本実施形態の液晶表示装置は、反射板を電気的な分離がされていない構成であっても、オフセット電圧を抑制し、光漏れによる視認性の悪化を抑制することができる。
次に、本発明に係る第3の実施形態の半透過型液晶表示装置について説明する。ここで、前述した第1および2実施形態と同一の部分については、同一の符号を付するものとする。
又、前記走査線31と同一平面上(同一層)の反射領域21内に反射共通電極Aを、この反射共通電極A37の透過領域22側に透過共通電極A38を配置した構成となっている。これにより、TFTも走査線31の配置された側に形成される。その他の半透過型液晶表示装置構成部分は、前述した第2実施形態とほぼ同一の構成を備えている。
上述のように、観察者側から見て反射板が走査線31と重ならない、反射領域21の端部に走査線31を配置することにより、反射板の背面側(下層側)を走査線31が通過しないため、走査線31から生じる電界が反射板の電位に与える影響を軽減することができる。
これにより、反射領域21の液晶層には、基板に対してより水平な方向に電位(電界)を印加することができる。このため反射領域のコントラストおよび視認性が向上し得る。
次に、本発明に係る半透過型液晶表示装置の第4の実施形態について説明する。ここで、前述した第1、2および3実施形態と同一の部分については、同一の符号を付するものとする。
上述のように、第1〜3実施形態では、反射領域21および透過領域22の蓄積容量は、反射板の下層で、且つ反射板に重なる位置に具備されているが、本実施形態では、反射板に重ならない位置に透過領域22の蓄積容量の一部を備えた点が他の実施形態の場合と相違する。
12,13,516 絶縁層
14 有機膜層
15 平坦化膜層
16,503 液晶層
18,501 背面側基板
19,502 観察者側基板
21,521 反射領域
22,522 透過領域
23,24,25,515 反射板
31 走査線
32 データ線
35 反射画素電極A
36 透過画素電極A
37 反射共通電極A
38 透過共通電極A
45 反射画素電極B
46 透過画素電極B
47 反射共通電極B
48 透過共通電極B
60,61 TFT
504 バックライト
511 画素電極
512 共通電極
Claims (7)
- 背面側基板と観察者側基板とこの両基板に狭持された液晶層とを備え、観察者側からの光を反射する反射領域と背面側からの光を透過する透過領域を有し前記液晶層を駆動する単位画素からなる半透過型液晶表示装置において、
前記反射領域に電気的に分離された一対の反射板1および2を形成し、
前記反射領域および透過領域に対してそれぞれデータ信号で駆動する反射画素電極および透過画素電極を前記反射板1および2の背面基板側に備え、
この反射および透過画素電極との間でそれぞれ蓄積容量を形成する反射共通電極および透過共通電極を前記反射および透過画素電極の背面基板側に併設したことを特徴とする半透過型液晶表示装置。 - 背面側基板と観察者側基板とこの両基板に狭持された液晶層とを備え、観察者側からの光を反射する反射板を備えた反射領域と背面側からの光を透過する透過領域を有し前記液晶層を駆動する単位画素からなる半透過型液晶表示装置において、
前記反射領域および透過領域に対してそれぞれデータ信号で駆動する反射画素電極および透過画素電極を前記反射板の背面基板側に備え、この反射および透過画素電極との間でそれぞれ蓄積容量を形成する反射共通電極および透過共通電極を前記反射および透過画素電極の背面基板側に併設し、
前記反射および透過共通電極と前記反射および透過画素電極との間で形成される容量値をC1、前記反射および透過画素電極と前記反射板との間で形成される容量値をC2、QをC2/(C1+C2)として、
前記反射及び透過共通電極と前記反射板との間の電位差Vと、前記Qの値とが0.5>V×Q
の関係を満たすことを特徴とする半透過型液晶表示装置。 - 前記請求項1又は2に記載の半透過型液晶表示装置において、
前記反射画素電極と前記反射板とで形成される容量の値C3と、前記反射画素電極と前記反射共通電極とで形成される反射蓄積容量の値C4とが3<C4/C3の関係を満たすことを特徴とする半透過型液晶表示装置。 - 前記請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半透過型液晶表示装置において、
前記透過画素電極と前記反射板とで形成される容量の値C5と、前記透過画素電極と前記透過共通電極とで形成される透過蓄積容量の値C6とが3<C6/C5の関係を満たすことを特徴とする半透過型液晶表示装置。 - 前記請求項1又は2に記載の半透過型液晶表示装置において、
各単位画素に走査信号を供給する走査線を、前記単位画素内の反射領域で透過領域から遠い側の端部に配置したことを特徴とする半透過型液晶表示装置。 - 前記請求項2に記載の半透過型液晶表示装置において、
前記透過画素電極および透過共通電極の一部を前記反射板に重ならない前記透過領域の端部に備えたことを特徴とする半透過型液晶表示装置。 - 前記請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半透過型液晶表示装置において、
前記各単位画素の液晶層を駆動する方式として横電界方式を利用することを特徴とする半透過型液晶表示装置。
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