JP2005189570A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005189570A JP2005189570A JP2003431856A JP2003431856A JP2005189570A JP 2005189570 A JP2005189570 A JP 2005189570A JP 2003431856 A JP2003431856 A JP 2003431856A JP 2003431856 A JP2003431856 A JP 2003431856A JP 2005189570 A JP2005189570 A JP 2005189570A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- storage capacitor
- line
- liquid crystal
- potential
- pixel electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【課題】 反射画素と透過(半透過)画素を有する液晶表示装置において反射画素−透過(半透過)画素間の階調差を無くし、視認性を良好なものとする。
【解決手段】 信号線SLと、走査線GLと、反射領域Arと、透過領域Atと、反射領域内における蓄積容量線CsrLと、透過領域内における蓄積容量線CstLと、反射領域Ar及び透過領域At内に形成されたトランジスタTrと、反射領域内ArにおいてトランジスタTrに接続された反射型画素電極及び第1蓄積容量Csrと、透過領域内AtにおいてトランジスタTrに接続された透過型画素電極及び第2蓄積容量Cstと、を備える。第2蓄積容量Cstは、第1蓄積容量Csrよりも容量サイズが大きい。
【選択図】 図1
【解決手段】 信号線SLと、走査線GLと、反射領域Arと、透過領域Atと、反射領域内における蓄積容量線CsrLと、透過領域内における蓄積容量線CstLと、反射領域Ar及び透過領域At内に形成されたトランジスタTrと、反射領域内ArにおいてトランジスタTrに接続された反射型画素電極及び第1蓄積容量Csrと、透過領域内AtにおいてトランジスタTrに接続された透過型画素電極及び第2蓄積容量Cstと、を備える。第2蓄積容量Cstは、第1蓄積容量Csrよりも容量サイズが大きい。
【選択図】 図1
Description
本発明は、液晶表示装置に関し、特に光反射方式による光反射表示領域と光透過方式による光透過表示領域の両表示領域を併有する液晶表示装置に関する。
明るい場所でも暗い場所でも良好な視認性を確保するために光反射表示領域と光透過表示領域の両表示領域を併有する液晶表示装置がある(例えば、特許文献1参照。)。
光反射表示領域及び光透過表示領域の両表示領域を併有し、かつ携帯に適する液晶表示装置もある(例えば、特許文献2参照。)。
しかし、光反射領域の光反射画素と光透過領域の光透過画素とではセルギャップが異なるために電圧−透過率曲線が異なることに起因して、同一電圧を印加しても階調が同じにならないという問題がある。
しかし、光反射領域の光反射画素と光透過領域の光透過画素とではセルギャップが異なるために電圧−透過率曲線が異なることに起因して、同一電圧を印加しても階調が同じにならないという問題がある。
光反射画素と光透過画素との階調差を補正するためには、DAC回路の出力の階調設定を変更すれば良いが、単一のIC等を用いる場合、階調設定変更のために複数の抵抗が必要となってしまう。
特開2002−303863号公報
特開2003−216116号公報
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、光反射画素と光透過画素との階調差を基板上で補正することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
本発明の特徴は、液晶表示装置であって、画像信号を供給する信号線と、信号線とほぼ直交して配列され、走査信号を供給する走査線と、光反射方式によって表示される第1表示領域と、光透過方式によって表示される第2表示領域と、第1表示領域内において走査線とほぼ平行して配列された第1蓄積容量線と、第2表示領域内において走査線とほぼ平行して配列された第2蓄積容量線と、第1表示領域及び第2表示領域内において走査線と信号線との各交差部に形成されたスイッチング素子と、第1表示領域内においてスイッチング素子に接続された光反射型の画素電極と、第2表示領域内においてスイッチング素子に接続された光透過型の画素電極と、第1表示領域内において一端がスイッチング素子に接続され、他端が第1蓄積容量線に接続された第1蓄積容量と、第2表示領域内において一端がスイッチング素子に接続され、他端が第2蓄積容量線に接続され、第1蓄積容量よりも容量サイズが大きい第2蓄積容量と、を備えることにある。
本発明の特徴によれば、透過(半透過)領域の蓄積容量を反射領域の蓄積容量よりも大きくすることによって、透過(半透過)領域と反射領域の電圧−透過率特性をほぼ同じにすることが可能になる。
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明するが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。
図1は実施例1における液晶表示装置の単位画素の構成を示す回路図である。図1を参照して、具体的な構成について説明する。図1に示すように、実施例1における液晶表示装置の表示領域Aは、反射領域Arと透過領域Atとで構成されている。反射領域Arは光反射方式で表示を行う反射画素電極(不図示)を備え、透過領域Atは光透過方式で表示を行う透過画素電極(不図示)を備える。反射画素電極は、導電性光反射膜を所定形状にパターニングすることによって得られる。
透過領域は、反射光による表示も可能な、反射・透過併用領域であることが好ましい。反射・透過併用領域の半透過画素電極は、導電性光反射膜に入射光を透過させるための1以上の開口を設けて、所定形状にパターニングすることによって得られる。
透過画素電極の代わりに、半透過画素電極を用いることによって、明るい場所での視認性を向上させることが可能となる。
各単位画素には、信号線SLと、信号線SLにほぼ直交して配列した走査線GLと、走査線GLにほぼ平行して配列した蓄積容量線CsrL又はCstLと、信号線SLと走査線GLとの交点近傍に配置された薄膜トランジスタ(Tin Film Transistor)で構成される画素トランジスタTrと、画素トランジスタTrに接続された画素電極(不図示)と、一端が画素トランジスタTrに接続され、他端が蓄積容量線CsrLに接続された蓄積容量Csrと、一端が画素トランジスタTrに接続され、他端が蓄積容量線CstLに接続された蓄積容量Cstと、で主に構成されている。そして、反射領域Arの蓄積容量Csrの容量サイズは、透過領域(又は半透過領域)Atの蓄積容量Cstの容量サイズよりも小さい。
画素トランジスタTrは、多結晶シリコンで形成することが好ましい。画素トランジスタTrを多結晶シリコンで形成することによってスイッチング素子を小さくすることができ、透過画素の開口率を向上させることが可能になる。
蓄積容量Csr又はCstに接続されている蓄積容量線CsrL又はCstLの電位を振ることによって画素電極電位Vpixを変化させ、液晶印加電圧ΔVsigを決定する。蓄積容量の電位の変化ΔVcsによる画素電極電位Vpixの変化量ΔVは、
ΔV=ΔVcs*(Ccs/(Ccs+Cclc+寄生容量))
Ccs:蓄積容量の容量サイズ、Cclc:液晶の容量サイズ
となる。
ΔV=ΔVcs*(Ccs/(Ccs+Cclc+寄生容量))
Ccs:蓄積容量の容量サイズ、Cclc:液晶の容量サイズ
となる。
このため、蓄積容量の容量サイズCcsを大きいと電圧−透過率特性は緩やかになり、蓄積容量の容量サイズCcsが小さいと電圧−透過率特性は急峻になる。
図2(a)は信号線電位Vs、走査線電位Vg、対向電極電位Vcom、蓄積容量電位Vcsの関係を示す電圧波形図である。図2(b)はさらに画素電極電位Vpix、蓄積容量の電位の変化ΔVcsによる画素電極電位Vpixの変化量ΔV、液晶印加電圧ΔVsigの関係を示す電圧波形図である。
図2(a)に示すように、
第nフレームでは、信号線電位VsがVsH、蓄積容量電位VcsがVcsL、走査線電位VgがVgLの状態にあり、
第(n+1)フレームでは、走査線電位がVgLからVgHを経てVgLへ戻った後に、蓄積容量電位がVcsLからVcsHへ変化し、その後、信号線電位がVsHからVsLへ変化し、
第(n+2)フレームでは、走査線電位がVgLからVgHを経てVgLへ戻った後に、蓄積容量電位がVcsHからVcsLへ変化し、その後、信号線電位がVsLからVsHへ変化する、という電位変化が繰り返される。
第nフレームでは、信号線電位VsがVsH、蓄積容量電位VcsがVcsL、走査線電位VgがVgLの状態にあり、
第(n+1)フレームでは、走査線電位がVgLからVgHを経てVgLへ戻った後に、蓄積容量電位がVcsLからVcsHへ変化し、その後、信号線電位がVsHからVsLへ変化し、
第(n+2)フレームでは、走査線電位がVgLからVgHを経てVgLへ戻った後に、蓄積容量電位がVcsHからVcsLへ変化し、その後、信号線電位がVsLからVsHへ変化する、という電位変化が繰り返される。
図2(b)に示すように、図2(a)に示した電位変化の結果、
第(n+1)フレームでは、走査線電位がVgLからVgHへ変化すると、画素電極電位VpixがVsHへ変化し、走査線電位がVgHからVgLへ戻っても、画素電極電位VpixはほぼVsHのままである。そして、蓄積容量電位がVcsLからVcsHへ変化すると、画素電極電位Vpixは(VsH+ΔV)となる。信号線電位がVsHからVsLへ変化しても、画素電極電位Vpixはほぼ(VsH+ΔV)のままである。
第(n+1)フレームでは、走査線電位がVgLからVgHへ変化すると、画素電極電位VpixがVsHへ変化し、走査線電位がVgHからVgLへ戻っても、画素電極電位VpixはほぼVsHのままである。そして、蓄積容量電位がVcsLからVcsHへ変化すると、画素電極電位Vpixは(VsH+ΔV)となる。信号線電位がVsHからVsLへ変化しても、画素電極電位Vpixはほぼ(VsH+ΔV)のままである。
第(n+2)フレームでは、走査線電位がVgLからVgHへ変化すると、画素電極電位VpixがVsLへ変化し、走査線電位がVgHからVgLへ戻っても、画素電極電位VpixはほぼVsLのままである。そして、蓄積容量電位がVcsHからVcsLへ変化すると、画素電極電位Vpixは(VsL−ΔV)となる。信号線電位がVsLからVsHへ変化しても、画素電極電位Vpixはほぼ(VsL−ΔV)のままである。
図3は、実施例1における液晶表示装置の全体の構成を示す回路図である。図3に示すように、信号線SLは信号線駆動回路11に接続され、走査線GLは走査線駆動回路12に接続され、反射領域Arの蓄積容量線CsrLは第1蓄積容量線駆動回路13に接続され、透過領域Atの蓄積容量線CstLは第2蓄積容量線駆動回路14に接続され、信号線駆動回路11と走査線駆動回路12と第1蓄積容量線駆動回路13と第2蓄積容量線駆動回路14とはコントローラ15に接続されている。
図4(a)は通常の透過画素及び反射画素の電圧−透過率特性を示す図、図4(b)は反射画素の蓄積容量の容量サイズCcsrを小さくすることによって反射画素の電圧−透過率特性が、透過画素の電圧−透過率特性とほぼ同じになることを示す図である。
反射画素と透過画素の両方を持つ液晶表示装置では、通常、図4(a)に示すように、透過画素より反射画素の方が電圧−透過率特性が緩やかな方向にシフトする。
しかし、実施例1においては、反射画素の蓄積容量の容量サイズCcsrを、透過画素の蓄積容量の容量サイズCcstより小さくすることによって、図4(b)に示すように、反射画素の電圧−透過率特性を、透過画素の電圧−透過率特性とほぼ同じにすることができる。
なお、
反射領域における画素電位の変動量をΔVr、蓄積容量電位の変動量をΔVcsrとし、 透過領域における画素電位の変動量をΔVt、蓄積容量電位の変動量をΔVcstとし、液晶容量の容量サイズをCclcすると、
ΔVr=ΔVcsr*(Ccsr/(Ccsr+Cclc+寄生容量))
ΔVt=ΔVcst*(Ccst/(Ccst+Cclc+寄生容量))
となる。
反射領域における画素電位の変動量をΔVr、蓄積容量電位の変動量をΔVcsrとし、 透過領域における画素電位の変動量をΔVt、蓄積容量電位の変動量をΔVcstとし、液晶容量の容量サイズをCclcすると、
ΔVr=ΔVcsr*(Ccsr/(Ccsr+Cclc+寄生容量))
ΔVt=ΔVcst*(Ccst/(Ccst+Cclc+寄生容量))
となる。
仮に、ΔVcsr=ΔVcst
であるとすると、
Ccsr<Ccst
であるから
(Ccsr/(Ccsr+Cclc+寄生容量))<(Ccst/(Ccst+Cclc+寄生容量))
となり、
ΔVr<ΔVt
となる。
であるとすると、
Ccsr<Ccst
であるから
(Ccsr/(Ccsr+Cclc+寄生容量))<(Ccst/(Ccst+Cclc+寄生容量))
となり、
ΔVr<ΔVt
となる。
反射領域と透過領域の階調を同じにするためには、
ΔVr=ΔVt
つまり、
ΔVcsr*(Ccsr/(Ccsr+Cclc+寄生容量))=ΔVcst*(Ccst/(Ccst+Cclc+寄生容量))
とする必要がある。
ΔVr=ΔVt
つまり、
ΔVcsr*(Ccsr/(Ccsr+Cclc+寄生容量))=ΔVcst*(Ccst/(Ccst+Cclc+寄生容量))
とする必要がある。
すなわち、
ΔVcsr>ΔVcst
とする必要がある。
ΔVcsr>ΔVcst
とする必要がある。
このため、反射領域における蓄積容量電位(つまり、第1蓄積容量線駆動回路の出力)の高電位をVcrH、低電位をVcrLとし、
透過領域における蓄積容量電位(つまり、第2蓄積容量線駆動回路の出力)の高電位をVctH、低電位をVctLとした場合、
これらVcsH、VcsL、VctH及びVctL間に
(VcrH−VcrL)>(VctH−VctL)
という関係が成立するように調整する必要がある。
透過領域における蓄積容量電位(つまり、第2蓄積容量線駆動回路の出力)の高電位をVctH、低電位をVctLとした場合、
これらVcsH、VcsL、VctH及びVctL間に
(VcrH−VcrL)>(VctH−VctL)
という関係が成立するように調整する必要がある。
11…信号線駆動回路、12…走査線駆動回路、13…第1蓄積容量線駆動回路、
14…第2蓄積容量線駆動回路、15…コントローラ、
A…表示領域、Ar…反射領域、At…透過(半透過)領域、
SL…信号線、GL…走査線、CsrL,CstL…蓄積容量線、
Tr…画素トランジスタ、Csr,Cst…蓄積容量、Clc…液晶容量、
Vs…信号線電位、Vg…走査線電位、Vcom…対向電極電位、
Vcs…蓄積容量電位、Vpix…画素電極電位、ΔVsig…液晶印加電圧
ΔV…蓄積容量電位の影響による画素電極電位の変化量
14…第2蓄積容量線駆動回路、15…コントローラ、
A…表示領域、Ar…反射領域、At…透過(半透過)領域、
SL…信号線、GL…走査線、CsrL,CstL…蓄積容量線、
Tr…画素トランジスタ、Csr,Cst…蓄積容量、Clc…液晶容量、
Vs…信号線電位、Vg…走査線電位、Vcom…対向電極電位、
Vcs…蓄積容量電位、Vpix…画素電極電位、ΔVsig…液晶印加電圧
ΔV…蓄積容量電位の影響による画素電極電位の変化量
Claims (4)
- 画像信号を供給する信号線と、
前記信号線とほぼ直交して配列され、走査信号を供給する走査線と、
光反射方式によって表示される第1表示領域と、
光透過方式によって表示される第2表示領域と、
前記第1表示領域内に配列された第1蓄積容量線と、
前記第2表示領域内に配列された第2蓄積容量線と、
前記第1表示領域及び前記第2表示領域内において前記走査線と前記信号線との各交差部に形成されたスイッチング素子と、
前記第1表示領域内において前記スイッチング素子に接続された光反射型の画素電極と、
前記第2表示領域内において前記スイッチング素子に接続された光透過型の画素電極と、
前記第1表示領域内において一端が前記スイッチング素子に接続され、他端が前記第1蓄積容量線に接続された第1蓄積容量と、
前記第2表示領域内において一端が前記スイッチング素子に接続され、他端が前記第2蓄積容量線に接続され、前記第1蓄積容量よりも容量サイズが大きい第2蓄積容量と、を備える液晶表示装置。 - 前記光透過型の画素電極が、光透過方式によって表示可能であり、かつ光反射方式によっても表示可能な半透過型の画素電極である請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記信号線に前記画像信号を供給する信号線駆動回路と、
前記走査線に前記走査信号を供給する走査線駆動回路と、
前記第1蓄積容量線に接続され第1高電位VcrHと第1低電位VcrLとを印加する第1蓄積容量線駆動回路と、
前記第2蓄積容量線に接続され第2高電位VctHと第2低電位VctLとを印加する第2蓄積容量線駆動回路と、を備え
前記第1高電位VcrH、前記第1低電位VcrL、前記第2高電位VctH及び前記第2低電位VctLの間には
(VcrH−VcrL)>(VctH−VctL)
の関係が成立する請求項1又は2記載の液晶表示装置。 - 前記スイッチング素子が、多結晶シリコンで形成される薄膜トランジスタである請求項1乃至3記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003431856A JP2005189570A (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003431856A JP2005189570A (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005189570A true JP2005189570A (ja) | 2005-07-14 |
Family
ID=34789737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003431856A Pending JP2005189570A (ja) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005189570A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007078813A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 平面表示装置 |
WO2008007610A1 (fr) * | 2006-07-13 | 2008-01-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif d'affichage à cristaux liquides |
JP2008170652A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Nec Lcd Technologies Ltd | 半透過型液晶表示装置 |
US8018538B2 (en) | 2007-04-13 | 2011-09-13 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Transflective liquid crystal display device |
KR101218311B1 (ko) * | 2006-03-31 | 2013-01-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판과 이의 제조 방법, 이를 구비한 표시 장치 및구동 방법 |
-
2003
- 2003-12-26 JP JP2003431856A patent/JP2005189570A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007078813A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 平面表示装置 |
KR101218311B1 (ko) * | 2006-03-31 | 2013-01-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판과 이의 제조 방법, 이를 구비한 표시 장치 및구동 방법 |
WO2008007610A1 (fr) * | 2006-07-13 | 2008-01-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif d'affichage à cristaux liquides |
JP2008170652A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Nec Lcd Technologies Ltd | 半透過型液晶表示装置 |
US8466860B2 (en) | 2007-01-10 | 2013-06-18 | Nlt Technologies, Ltd. | Transflective type LCD device having excellent image quality |
US9093035B2 (en) | 2007-01-10 | 2015-07-28 | Nlt Technologies, Ltd. | Transflective type LCD device having excellent image quality |
US8018538B2 (en) | 2007-04-13 | 2011-09-13 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Transflective liquid crystal display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1959419B1 (en) | Driving method and driving apparatus of liquid crystal display | |
US7019728B2 (en) | LCD for speeding initial bend state, driver and method thereof | |
US8390552B2 (en) | Display device, and circuit and method for driving the same | |
KR101243789B1 (ko) | 액정표시장치 및 그의 구동 방법 | |
US8624821B2 (en) | Liquid crystal display device and fabricating method and driving method thereof | |
US20090009459A1 (en) | Display Device and Method for Driving Same | |
KR101657023B1 (ko) | 표시 장치 및 그 구동 방법 | |
US7948471B2 (en) | Liquid crystal device displaying and sensing images and method of driving the same | |
US20080218463A1 (en) | Display device and method for driving the same | |
JP2008040488A (ja) | 液晶表示装置 | |
US20110134150A1 (en) | Display device and method of driving display device | |
KR20050042812A (ko) | 가시 플리커 감소 방법 및 반투과반사형 디스플레이 장치 | |
JP2002506540A (ja) | ディスプレイ装置 | |
US7839371B2 (en) | Liquid crystal display device, method of driving the same, and method of manufacturing the same | |
JP2008139753A (ja) | 液晶表示装置 | |
KR100389715B1 (ko) | 액정 표시 장치의 구동 회로 | |
TWI396170B (zh) | 液晶顯示器、顯示系統以及驅動液晶顯示器之方法 | |
US20080252804A1 (en) | Liquid crystal display device | |
JP2001255851A (ja) | 液晶表示装置 | |
US8098343B2 (en) | Liquid crystal display and pixel unit thereof | |
US20100007591A1 (en) | Pixel unit for a display device and driving method thereof | |
JP2005189570A (ja) | 液晶表示装置 | |
US10732443B2 (en) | Display device having a shutter panel and method of operating the same | |
US20040239609A1 (en) | Liquid crystal display, method and apparatus for driving the same | |
KR100552278B1 (ko) | 게이트 신호를 가변하는 액정 표시 장치 |