JP4332697B2 - スパッタターゲット - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路及び高密度集積回路などの製造工程において使用される位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの位相シフト膜の形成に用いられるスパッタターゲットに関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
LSI、VLSI等の高密度半導体集積回路やCCD(電荷結合素子)、LCD(液晶表示素子)用のカラーフィルター及び磁気ヘッド等の微細加工には、フォトマスクを使ったフォトリソグラフィー技術が用いられている。そして、このフォトマスクを作製するためにフォトマスクブランクが使用され、このフォトマスクブランクとしては、通常、石英ガラス等の透光性基板上にクロムからなる遮光膜を設けたものが使用されている。
【0003】
しかし、近年の更なるパターン微細化の要求に応えるため、露光波長の短波長化が進むと同時に位相シフトリソグラフィー技術が採用され始めている。位相シフトリソグラフィーは光リソグラフィーの解像度を上げる技術のひとつであり、フォトマスクを透過する露光光間に位相差を与えることにより透過光相互の干渉を利用して解像度を飛躍的に向上できるようにしたものである。
【0004】
また、位相シフトマスクには、レベンソン型、補助パターン型、自己整合型などのタイプが知られており、近年研究開発が活発に行われているが、この位相シフトマスクの一つとしていわゆるハーフトーン型位相シフトマスクと呼ばれる位相シフトマスクがあり、徐々に実用化され始めている。
【0005】
この位相シフトマスク(ハーフトーン型位相シフトマスク)は、例えば、図4(A),(B)に示したように、基板1上に位相シフト膜2をパターン形成してなるもので、位相シフト膜の存在しない基板露出部(第1の光透過部)1aとマスク上のパターン部分を形成している位相シフター部(第2の光透過部)2aとにおいて、両者を透過してくる光の位相差を図4(B)に示したように180度とすることで、パターン境界部分の光の干渉により、干渉した部分で光強度はゼロとなり、転写像のコントラストを向上させることができるものである。また、位相シフト法を用いることにより、必要な解像度を得る際の焦点深度を増大させることが可能となり、クロム膜等からなる一般的な露光パターンを持つ通常のマスクを用いた場合に比べて、解像度の改善と露光プロセスのマージンを向上させることが可能なものである。
【0006】
上記位相シフトマスクは、位相シフター部の光透過特性によって、完全透過型位相シフトマスクと、ハーフトーン型位相シフトマスクとに実用的には大別することができる。完全透過型位相シフトマスクは、位相シフター部の光透過率が基板と同等であり、露光波長に対し透明なマスクである。一方、ハーフトーン型位相シフトマスクは、位相シフター部の光透過率が基板露出部の数%〜数十%程度のものである。
【0007】
図1にハーフトーン型位相シフトマスクブランク、図2にハーフトーン型位相シフトマスクの基本的な構造をそれぞれ示す。図1に示したハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、露光光に対して透明な基板1上にハーフトーン型位相シフト膜2を形成したものである。また、図2に示したハーフトーン型位相シフトマスクは、上記シフト膜2をパターニングして、マスク上のパターン部分を形成するハーフトーン型位相シフター部2aと、位相シフト膜が存在しない基板露出部1aを形成したものである。
【0008】
ここで、位相シフター部2aを透過した露光光は基板露出部1aを透過した露光光に対して位相がシフトされる(図4(A),(B)参照)。また、位相シフター部2aを透過した露光光が被転写基板上のレジストに対しては感光しない程度の光強度になるように、位相シフター部2aの透過率は設定されている。従って、位相シフター部2aは露光光を実質的に遮光する機能を有する。
【0009】
上記ハーフトーン型位相シフトマスクとしては、構造が簡単な単層型のハーフトーン型位相シフトマスクが提案されており、このような単層型のハーフトーン型位相シフトマスクとして、モリブデンシリサイド酸化物(MoSiO)、モリブデンシリサイド酸化窒化物(MoSiON)からなる位相シフト膜を有するものなどが提案されている(特開平7−140635号公報等)。
【0010】
このような位相シフトマスクを作製する方法としては、位相シフトマスクブランクをリソグラフィー法によりパターン形成する方法が用いられる。このリソグラフィー法は、位相シフトマスクブランク上にレジストを塗布し、電子線又は紫外線により所望の部分のレジストを感光後に現像し、位相シフト膜表面を露出させた後、パターニングされたレジスト膜をマスクとして所望の部分の位相シフト膜をエッチングして基板を露出させる。その後、レジスト膜を剥離することにより位相シフトマスクが得られるものである。
【0011】
上述したように、近年の更なるパターンの微細化の要求に応えるためのハーフトーン型位相シフトマスクとして、主にMoSiONやMoSiOを主成分とする位相シフト膜用いられている。しかしながら、上記位相シフト膜は、膜応力が大きいために、成膜前後及びその後のプロセスを経たパターン形成前後でのマスク基板の平坦度(フラットネス)が大きく変化し、微細化を達成できる高精度なハーフトーン型位相シフトマスクを製造することは難しかった。
【0012】
また、位相シフト膜としては、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素等を主成分とする位相シフト膜も知られている(特許第3172527号公報)が、この場合、位相シフト膜の形成には、絶縁体である窒化ケイ素をターゲットとして用いるため、スパッタリング方法としてRF(高周波)スパッタリング法を適用しなければならないが、RFスパッタリング法では、DCスパッタリング法に比べて成膜速度が遅いために、位相シフトマスクブランク製造のスループットが悪くなるだけでなく、ターゲット近傍のプラズマ空間がDCスパッタリングの場合と比較して大きくなるため、ターゲット近傍の内壁部からパーティクルが発生し、このパーティクルが成膜途中の位相シフト膜中に混入し、欠陥が多くなるという問題もあった。
【0013】
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、成膜前後又はパターン形成前後の平坦度(フラットネス)の変化が小さい位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク、即ち、膜応力の小さい位相シフト膜を有する位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクを製造するため用いられるスパッタターゲットを提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、位相シフトマスクの位相シフト膜を形成するためのスパッタターゲットとして、絶縁体である窒化ケイ素にモリブデン及びジルコニウムから選ばれる一つ以上の遷移金属を添加して導電性を持たせてやると、パルスDCスパッタリングのスパッタターゲットとして適用でき、更に上記遷移金属の添加量が0.01〜4%(原子比)であるスパッタターゲットを用いてスパッタリングすることにより、膜応力が十分軽減した位相シフト膜が形成できることを見出し、本発明をなすに至った。
【0015】
即ち、本発明は、下記のスパッタターゲットを提供する。
請求項1:
パルスDCスパッタリング(周波数25〜250kHz)により位相シフトマスクブランクの位相シフト膜を形成するためのスパッタターゲットであって、窒化ケイ素にモリブデン及びジルコニウムから選ばれる一つ以上の遷移金属を添加してなり、窒化ケイ素を主成分とし、モリブデン及びジルコニウムから選ばれる一つ以上の遷移金属を0.01〜4%(原子比)含有し、比抵抗が10Ωcm以下であることを特徴とするスパッタターゲット。
【0016】
以下、本発明について更に詳しく説明する。
本発明のスパッタターゲットは窒化ケイ素を主成分とし、微量の遷移金属を含有するものであり、例えば、窒化ケイ素粉末と遷移金属粉末とを所定の組成になるように混合し焼結することにより作製することができる。
【0017】
上記遷移金属としては、クロム、モリブデン、タングステン、タンタル、チタン、ジルコニウム及びハフニウムの中から選ばれる1つ以上を添加することが好ましく、特にモリブデン、ジルコニウムが好ましい。
【0018】
また、上記遷移金属の添加量は、0.01〜4%(原子比)、好ましくは0.1〜3%(原子比)である。遷移金属の添加量が0.01%未満であるとターゲットの導電性が不十分となり、放電が不安定となる。また、遷移金属の添加量が5%を超えると形成した位相シフト膜の膜応力が大きくなり、成膜前後又はパターン形成前後における基板の平坦度が大きく変化するため、高精度な位相シフトマスクを製造することができなくなる。
【0019】
更に、本発明のスパッタターゲットは、比抵抗が10Ωcm以下のものである。比抵抗が10Ωcmを超えると、ターゲットの導電性が不十分で放電が起こらなかったり、放電が不安定になったりする。
【0020】
本発明においては、上述のスパッタターゲットを用い、パルスDCスパッタリングにより透明基板上に位相シフト膜を形成して位相シフトマスクブランクを製造する。
【0021】
この場合、パルスDCスパッタリングの周波数は25〜250kHz、好ましくは50〜200kHzである。また、上記周波数以外のパルスDCスパッタリング条件は特に限定されないが、位相シフト膜を成膜する際に用いるスパッタリングガスとして、アルゴン等の不活性ガスのみ、或いは窒素原子及び/又は酸素原子を含むガス、炭素原子を含むガス及びフッ素原子を含むガスから選ばれる1種以上の反応性ガスと不活性ガスとの混合ガスを用いることが好ましい。
【0022】
上記、反応性ガスとしては、例えば窒素、酸素、二酸化窒素、一酸化窒素、亜酸化窒素、一酸化炭素、二酸化炭素、メタン、弗化ケイ素などが挙げられる。
【0023】
また、得られる位相シフト膜は、露光波長(KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー等)に対して位相を180度反転させ、かつ所望の膜厚および透過率を達成できるような屈折率及び吸収係数となる膜組成を持つように、適宜添加ガス種及びその流量を調整することで所望の位相シフト膜が形成される。
【0024】
なお、成膜される位相シフト膜の透過率を上げたいときには膜中に酸素及び窒素が多く取り込まれるようにスパッタリングガスに添加する酸素や窒素を含むガス量を増やす方法で調整することができる。
【0025】
本発明に係る位相シフト膜は、露光光における透過率が数%〜数十%(特に3%〜40%であることが好ましい)であり、位相シフター部を透過した光の位相が透明基板のみを透過した光に対して180±5度の位相差を有することが好ましい。なお、透明基板は、使用する露光波長に対して透明な基板であれば特に制限はない。透明基板としては、石英基板、蛍石、その他各種ガラス基板(例えば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス等)などが挙げられる。
【0026】
次に、本発明の位相シフトマスクブランクを用いて図2に示したような位相シフトマスクを製造する場合は、図3(A)に示したように、透明基板1上に位相シフト膜2を形成した後、位相シフト膜2上にレジスト膜3を形成し、図3(B)に示したように、レジスト膜3をパターニングし、更に、図3(C)に示したように、位相シフト膜2をエッチングした後、図3(D)に示したように、レジスト膜3を剥離する方法が採用し得る。この場合、レジスト膜の塗布、パターニング(露光、現像)、レジスト膜の除去は、公知の方法によって行うことができる。
【0027】
上記方法により形成された位相シフト膜は、特に200nm以下の露光波長に対する屈折率および吸収係数特性から、ArFエキシマレーザー用のハーフトーン型位相シフトマスクとして優れた特性を有する。
【0028】
また、本発明の上記位相シフトマスクブランクの位相シフト膜の膜応力は500MPa以下、特に300MPa以下であることから、これから得られる位相シフトマスクは、低欠陥であるばかりでなく、低膜応力を反映し高精度なものである。
【0029】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
【0030】
[実施例1]
6インチ角形石英基板上に、ケイ素と窒素のモル比が3:4である窒化ケイ素Si3N4からなる粉末に対して原子比が0.5%となるようにモリブデンを添加したものをスパッタターゲットとし、スパッタリングガスとしてアルゴンガスを用い、放電中のガス圧0.25Pa、投入電力200W、成膜温度120℃、周波数100kHzでのパルスDCスパタリング法により、位相差が約180度になるように位相シフト膜(膜厚65nm)を形成し、SiNを主成分とし、微量のMoを含む位相シフト膜を有する位相シフトマスクブランクを得た。
【0031】
得られた位相シフトマスクブランクの透過率は波長193nmの光に対して17.3%であり、ハーフトン型位相シフトマスクとして要求される数%〜数十%の範囲を十分に満たしていた。
また、成膜前後の基板の平坦度変化から算出される位相シフト膜の膜応力は211MPaであった。結果を表1に示す。
【0032】
なお、波長193nmにおける位相差及び透過率は、レーザーテック社製MPM−193で測定し、基板の平坦度はニデック社製FT−900で測定した(以下の実施例、比較例において同じ)。
【0033】
次に、上記薄膜上に電子線レジスト膜を形成し、パターン露光、現像によりレジスト膜を形成後、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、薄膜部分を除去し、位相シフト薄膜のL&Sパターンを得た。レジストを剥離後、80℃の濃硫酸に15分間浸漬して洗浄、純水でリンスして位相シフトマスクを得た。この位相シフト膜のL&SパターンをSEMにて観察したところ良好なパターンが形成されていた。
【0034】
[実施例2]
モリブデンの添加量を1.0%とした以外は実施例1と同様に位相シフト膜(膜厚67nm)を形成し、SiNを主成分とし、微量のMoを含む位相シフト膜を有する位相シフトマスクブランクを得た。
【0035】
得られた位相シフトマスクブランクの透過率は波長193nmの光に対して13.8%であり、ハーフトン型位相シフトマスクとして要求される数%〜数十%の範囲を十分に満たしていた。
また、成膜前後のマスク基板の平坦度変化から算出される位相シフト膜の膜応力は203MPaであった。結果を表1に示す。
【0036】
次に、上記薄膜上に電子線レジスト膜を形成し、パターン露光、現像によりレジスト膜を形成後、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、薄膜部分を除去し、位相シフト薄膜のL&Sパターンを得た。レジストを剥離後、80℃の濃硫酸に15分間浸漬して洗浄、純水でリンスして位相シフトマスクを得た。この位相シフト膜のL&SパターンをSEMにて観察したところ良好なパターンが形成されていた。
【0037】
[実施例3]
窒化ケイ素Si3N4に対し、モリブデンの代わりにジルコニウムを原子比で4%となるように加えたこと以外は実施例1と同様に位相シフト膜(膜厚63nm)を形成し、SiNを主成分とし、微量のZrを含む位相シフト膜を有する位相シフトマスクブランクを得た。
【0038】
得られた位相シフトマスクブランクの透過率は波長193nmの光に対して11.4%であり、ハーフトン型位相シフトマスクとして要求される数%〜数十%の範囲を十分に満たしていた。
また、成膜前後のマスク基板の平坦度変化から算出される膜応力は192MPaであった。結果を表1に示す。
【0039】
次に、上記薄膜上に電子線レジスト膜を形成し、パターン露光、現像によりレジスト膜を形成後、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、薄膜部分を除去し、位相シフト薄膜のL&Sパターンを得た。レジストを剥離後、80℃の濃硫酸に15分間浸漬して洗浄、純水でリンスして位相シフトマスクを得た。この位相シフト膜のL&SパターンをSEMにて観察したところ良好なパターンが形成されていた。
【0040】
[比較例1]
窒化ケイ素Si3N4に対し、原子比で40%のモリブデンを添加し、スパッタリングガスに更に反応性ガスとして酸素を添加した以外は実施例1と同様に位相シフト膜(膜厚82nm)を形成し、MoSiONの位相シフト膜を有する位相シフトマスクブランクを得た。
【0041】
得られた位相シフトマスクブランクの透過率は波長193nmの光に対して2.3%であり、また、成膜前後のマスク基板の平坦度変化から算出される膜応力は672MPaであり、成膜前後におけるマスク基板の平坦度が大きく変化した。結果を表1に示す。
【0042】
次に、上記薄膜上に電子線レジスト膜を形成し、パターン露光、現像によりレジスト膜を形成後、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、薄膜部分を除去し、位相シフト薄膜のL&Sパターンを得た。レジストを剥離後、80℃の濃硫酸に15分間浸漬して洗浄、純水でリンスして位相シフトマスクを得た。この位相シフトマスクの平坦度を測定したところ、平坦度は前記成膜後の値と比較して更に変化していた。
【0043】
【表1】
【0044】
上記より、比較例では膜応力が大きく、微細なパターンにおいては大きな寸法変動が生じるものであるのに対し、実施例の位相シフト膜は、応力が比較例の3分の1程度であり、寸法精度の高い位相シフトマスクを与える位相シフトマスクブランクであることがわかる。
【0045】
【発明の効果】
本発明によれば、位相シフト膜をスッパタリング法で製造する際、スパッタターゲットとして窒化ケイ素を主成分とし、微量の遷移金属を添加したスパッタターゲットを用いることにより、パルスDCスパッタリングの適用が可能となり、上記スパッタターゲットを用い、パルスDCスパッタリングにて位相シフト膜を成膜することで、低欠陥、高スループットであるだけでなく、従来に比べて膜応力の小さい位相シフト膜を形成でき、高精度な位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る位相シフトマスクブランクの断面図である。
【図2】本発明の一実施例に係る位相シフトマスクの断面図である。
【図3】位相シフトマスクの製造法を示した説明図であり、(A)はレジスト膜を形成した状態、(B)はレジスト膜をパターンニングした状態、(C)は位相シフト膜のエッチングを行った状態、(D)はレジスト膜を除去した状態の概略断面図である。
【図4】(A),(B)はハーフトーン型位相シフトマスクの原理を説明する図であり、(B)は(A)のX部の部分拡大図である。
【符号の説明】
1 基板
1a 基板露出部
2 位相シフト膜
2a 位相シフター部
3 レジスト膜
Claims (1)
- パルスDCスパッタリング(周波数25〜250kHz)により位相シフトマスクブランクの位相シフト膜を形成するためのスパッタターゲットであって、窒化ケイ素にモリブデン及びジルコニウムから選ばれる一つ以上の遷移金属を添加してなり、窒化ケイ素を主成分とし、モリブデン及びジルコニウムから選ばれる一つ以上の遷移金属を0.01〜4%(原子比)含有し、比抵抗が10Ωcm以下であることを特徴とするスパッタターゲット。
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