JP2989156B2 - スパッタターゲット、該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
スパッタターゲット、該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法Info
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- JP2989156B2 JP2989156B2 JP9804697A JP9804697A JP2989156B2 JP 2989156 B2 JP2989156 B2 JP 2989156B2 JP 9804697 A JP9804697 A JP 9804697A JP 9804697 A JP9804697 A JP 9804697A JP 2989156 B2 JP2989156 B2 JP 2989156B2
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタターゲット、
及び該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブ
ランク及び位相シフトマスクの製造方法等に関する。
及び該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブ
ランク及び位相シフトマスクの製造方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、フォトリソグラフィーに要求され
る二つの重要な特性である高解像度化と焦点深度の確保
は相反する関係にあり、露光装置のレンズの高ＮＡ化、
短波長化だけでは実用解像度を向上できないことが明ら
かにされた（月刊Semiconductor World 1990.12、応用
物理第６０巻第１１月号（１９９１）等）。
る二つの重要な特性である高解像度化と焦点深度の確保
は相反する関係にあり、露光装置のレンズの高ＮＡ化、
短波長化だけでは実用解像度を向上できないことが明ら
かにされた（月刊Semiconductor World 1990.12、応用
物理第６０巻第１１月号（１９９１）等）。
【０００３】このような状況下、次世代のフォトリソグ
ラフィー技術として位相シフトリソグラフィーが注目を
集めている。位相シフトリソグラフィーは、光学系には
変更を加えず、マスクだけの変更で光リソグラフィーの
解像度を向上させる方法であり、フォトマスクを透過す
る露光光間に位相差を与えることにより透過光相互の干
渉を利用して解像度を飛躍的に向上できるようにしたも
のである。
ラフィー技術として位相シフトリソグラフィーが注目を
集めている。位相シフトリソグラフィーは、光学系には
変更を加えず、マスクだけの変更で光リソグラフィーの
解像度を向上させる方法であり、フォトマスクを透過す
る露光光間に位相差を与えることにより透過光相互の干
渉を利用して解像度を飛躍的に向上できるようにしたも
のである。
【０００４】位相シフトマスクは、光強度情報と位相情
報とを併有するマスクであり、レベンソン（Levenson）
型、補助パターン型、自己整合型（エッジ強調型）など
の各種タイプが知られている。これらの位相シフトマス
クは、光強度情報しか有しない従来のフォトマスクに比
べ、構成が複雑で製造にも高度の技術を要する。
報とを併有するマスクであり、レベンソン（Levenson）
型、補助パターン型、自己整合型（エッジ強調型）など
の各種タイプが知られている。これらの位相シフトマス
クは、光強度情報しか有しない従来のフォトマスクに比
べ、構成が複雑で製造にも高度の技術を要する。
【０００５】この位相シフトマスクの一つとして、いわ
ゆるハーフトーン型位相シフトマスクと称される位相シ
フトマスクが近年開発されている。
ゆるハーフトーン型位相シフトマスクと称される位相シ
フトマスクが近年開発されている。
【０００６】このハーフトーン型の位相シフトマスク
は、光半透過部が、露光光を実質的に遮断する遮光機能
と、光の位相をシフト（通常は反転）させる位相シフト
機能との二つの機能を兼ね備えることになるので、遮光
膜パターンと位相シフト膜パターンを別々に形成する必
要がなく、構成が単純で製造も容易であるという特徴を
有している。
は、光半透過部が、露光光を実質的に遮断する遮光機能
と、光の位相をシフト（通常は反転）させる位相シフト
機能との二つの機能を兼ね備えることになるので、遮光
膜パターンと位相シフト膜パターンを別々に形成する必
要がなく、構成が単純で製造も容易であるという特徴を
有している。
【０００７】ハーフトーン型の位相シフトマスクは、図
１に示すように、透明基板１上に形成するマスクパター
ンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光
透過部（透明基板露出部）２と、実質的に露光に寄与し
ない強度の光を透過させる光半透過部（遮光部兼位相シ
フタ部）３とで構成し（同図（ａ））、かつ、この光半
透過部を透過する光の位相をシフトさせて、光半透過部
を透過した光の位相が光透過部を透過した光の位相に対
して実質的に反転した関係になるようにすることによっ
て（同図（ｂ））、光半透過部と光透過部との境界部近
傍を通過し回折現象によって互いに相手の領域に回り込
んだ光が互いに打ち消しあうようにし、境界部における
光強度をほぼゼロとし境界部のコントラストすなわち解
像度を向上させるものである（同図（ｃ））。
１に示すように、透明基板１上に形成するマスクパター
ンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光
透過部（透明基板露出部）２と、実質的に露光に寄与し
ない強度の光を透過させる光半透過部（遮光部兼位相シ
フタ部）３とで構成し（同図（ａ））、かつ、この光半
透過部を透過する光の位相をシフトさせて、光半透過部
を透過した光の位相が光透過部を透過した光の位相に対
して実質的に反転した関係になるようにすることによっ
て（同図（ｂ））、光半透過部と光透過部との境界部近
傍を通過し回折現象によって互いに相手の領域に回り込
んだ光が互いに打ち消しあうようにし、境界部における
光強度をほぼゼロとし境界部のコントラストすなわち解
像度を向上させるものである（同図（ｃ））。
【０００８】ところで上述したハーフトーン型の位相シ
フトマスクにおける光半透過部（位相シフト層）は、光
透過率及び位相シフト量の双方について、要求される最
適な値を有している必要がある。
フトマスクにおける光半透過部（位相シフト層）は、光
透過率及び位相シフト量の双方について、要求される最
適な値を有している必要がある。
【０００９】そして、この要求される最適な値を単層の
光半透過部で実現しうる位相シフトマスクに関し本願出
願人は先に出願を行っている（特開平６−３３２１５２
号公報）。
光半透過部で実現しうる位相シフトマスクに関し本願出
願人は先に出願を行っている（特開平６−３３２１５２
号公報）。
【００１０】この位相シフトマスクは、光半透過部を、
モリブデンなどの金属、シリコン、及び酸素を主たる構
成要素とする物質からなる薄膜で構成したものである。
この物質は、モリブデンシリサイド、具体的には、酸化
されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＯ系材料と略
す）、あるいは、酸化窒化されたモリブデン及びシリコ
ン（ＭｏＳｉＯＮ系材料と略す）である。
モリブデンなどの金属、シリコン、及び酸素を主たる構
成要素とする物質からなる薄膜で構成したものである。
この物質は、モリブデンシリサイド、具体的には、酸化
されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＯ系材料と略
す）、あるいは、酸化窒化されたモリブデン及びシリコ
ン（ＭｏＳｉＯＮ系材料と略す）である。
【００１１】これによれば、酸素含有量、又は酸素と窒
素の含有量を選定することにより透過率を制御すること
ができ、また、薄膜の厚さで位相シフト量を制御でき
る。また、光半透過部をこのような物質で構成すること
により、一種類の材料からなる単層の膜で光半透過部を
構成することができ、異なる材料からなる多層膜で構成
する場合と比較して、成膜工程が簡略化できるととも
に、単一のエッチング媒質を用いることができるので、
製造工程を単純化できる。
素の含有量を選定することにより透過率を制御すること
ができ、また、薄膜の厚さで位相シフト量を制御でき
る。また、光半透過部をこのような物質で構成すること
により、一種類の材料からなる単層の膜で光半透過部を
構成することができ、異なる材料からなる多層膜で構成
する場合と比較して、成膜工程が簡略化できるととも
に、単一のエッチング媒質を用いることができるので、
製造工程を単純化できる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造
方法には、次に示すような問題がある。
た従来のハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造
方法には、次に示すような問題がある。
【００１３】すなわち、位相シフトマスクの光半透過部
の構成要素である酸化モリブデンシリサイド膜あるいは
酸化窒化モリブデンシリサイド膜は、マスク製造工程に
おける洗浄及びマスク使用時の洗浄等の前処理又は洗浄
液として使用される硫酸等の酸に弱く、特に、光半透過
部の透過率及び位相差の値をＫｒＦエキシマレーザー光
（２４８ｎｍ）用に設定した場合、消衰係数（Ｋ）を小
さくする必要があり、この手段として酸化度又は酸化窒
化度を十分に上げなくてはならないが、耐酸性が著しく
低下してしまい、設定した透過率、位相差にずれが生じ
てしまうという問題があった。
の構成要素である酸化モリブデンシリサイド膜あるいは
酸化窒化モリブデンシリサイド膜は、マスク製造工程に
おける洗浄及びマスク使用時の洗浄等の前処理又は洗浄
液として使用される硫酸等の酸に弱く、特に、光半透過
部の透過率及び位相差の値をＫｒＦエキシマレーザー光
（２４８ｎｍ）用に設定した場合、消衰係数（Ｋ）を小
さくする必要があり、この手段として酸化度又は酸化窒
化度を十分に上げなくてはならないが、耐酸性が著しく
低下してしまい、設定した透過率、位相差にずれが生じ
てしまうという問題があった。
【００１４】また、位相シフトマスクブランクの成膜時
においては、酸化度又は酸化窒化度を上げていくに従い
スパッタターゲット表面上（特に非エロージョン領域）
に酸化物が堆積し放電が不安定となることから、透過率
及び膜厚の制御性が悪化し、ブランクに欠陥等が生じ易
いという問題もあった。
においては、酸化度又は酸化窒化度を上げていくに従い
スパッタターゲット表面上（特に非エロージョン領域）
に酸化物が堆積し放電が不安定となることから、透過率
及び膜厚の制御性が悪化し、ブランクに欠陥等が生じ易
いという問題もあった。
【００１５】さらに、スパッタターゲット組成やスパッ
タガスの組成と耐酸性や透過率等の膜特性との関係が解
明されていなかったため、耐酸性や透過率等の膜特性に
優れた位相シフトマスクが得られなかった。
タガスの組成と耐酸性や透過率等の膜特性との関係が解
明されていなかったため、耐酸性や透過率等の膜特性に
優れた位相シフトマスクが得られなかった。
【００１６】本発明は上述した問題点にかんがみてなさ
れたものであり、耐酸性や透過率等の膜特性に優れた光
半透過部を有する位相シフトマスク及び位相シフトマス
クブランクの提供する際に、前記光半透過部の成膜工程
において使用されるスパッタターゲットの提供を第一の
目的とする。
れたものであり、耐酸性や透過率等の膜特性に優れた光
半透過部を有する位相シフトマスク及び位相シフトマス
クブランクの提供する際に、前記光半透過部の成膜工程
において使用されるスパッタターゲットの提供を第一の
目的とする。
【００１７】また、本発明は上記スパッタターゲットを
用いてスパッタ法によって、上記膜特性に優れた光半透
過部を有する位相シフトマスクブランク及び位相シフト
マスクを製造する方法の提供を第二の目的とする。
用いてスパッタ法によって、上記膜特性に優れた光半透
過部を有する位相シフトマスクブランク及び位相シフト
マスクを製造する方法の提供を第二の目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のスパッタターゲットは、位相シフトマスクの
光半透過部（位相シフト層）を形成するために使用され
るスパッタターゲットであって、前記スパッタターゲッ
トはシリコンと金属とを含み、かつ、スパッタターゲッ
トの組成が化学量論的に安定な組成よりもシリコンの量
が多い構成としてある。
に本発明のスパッタターゲットは、位相シフトマスクの
光半透過部（位相シフト層）を形成するために使用され
るスパッタターゲットであって、前記スパッタターゲッ
トはシリコンと金属とを含み、かつ、スパッタターゲッ
トの組成が化学量論的に安定な組成よりもシリコンの量
が多い構成としてある。
【００１９】また、本発明のスパッタターゲットは、上
記本発明のスパッタターゲットにおいて、上記スパッタ
ターゲット中のシリコンの含有量が、７０〜９５ｍｏｌ
％である構成、あるいは、上記金属が、モリブデン、チ
タン、タンタル、タングステン、クロムのうちから選ば
れる一以上の金属である構成としてある。
記本発明のスパッタターゲットにおいて、上記スパッタ
ターゲット中のシリコンの含有量が、７０〜９５ｍｏｌ
％である構成、あるいは、上記金属が、モリブデン、チ
タン、タンタル、タングステン、クロムのうちから選ば
れる一以上の金属である構成としてある。
【００２０】さらに、本発明の位相シフトマスクブラン
クの製造方法は、シリコンと金属を含み、化学量論的に
安定な組成よりもシリコンの量を多く含んだスパッタタ
ーゲットを用い、窒素を含む雰囲気中でスパッタリング
することにより、窒素、金属及びシリコンを含む光半透
過膜（位相シフト膜）を形成する構成としてある。
クの製造方法は、シリコンと金属を含み、化学量論的に
安定な組成よりもシリコンの量を多く含んだスパッタタ
ーゲットを用い、窒素を含む雰囲気中でスパッタリング
することにより、窒素、金属及びシリコンを含む光半透
過膜（位相シフト膜）を形成する構成としてある。
【００２１】また、本発明の位相シフトマスクブランク
の製造方法は、上記本発明の製造方法において、上記ス
パッタターゲット中のシリコンの含有量が、７０〜９５
ｍｏｌ％である構成、上記金属が、モリブデン、チタ
ン、タンタル、タングステン、クロムのうちから選ばれ
る一以上の金属である構成、使用する露光光源の波長が
２４８ｎｍである位相シフトマスクブランクの製造方法
において、スパッタリング雰囲気中に含まれる上記窒素
の量を２５〜１００％とした構成、あるいは、使用する
露光光源の波長が３６５ｎｍである位相シフトマスクブ
ランクの製造方法において、スパッタリング雰囲気中に
含まれる上記窒素の量を３８〜４８％とした構成として
ある。
の製造方法は、上記本発明の製造方法において、上記ス
パッタターゲット中のシリコンの含有量が、７０〜９５
ｍｏｌ％である構成、上記金属が、モリブデン、チタ
ン、タンタル、タングステン、クロムのうちから選ばれ
る一以上の金属である構成、使用する露光光源の波長が
２４８ｎｍである位相シフトマスクブランクの製造方法
において、スパッタリング雰囲気中に含まれる上記窒素
の量を２５〜１００％とした構成、あるいは、使用する
露光光源の波長が３６５ｎｍである位相シフトマスクブ
ランクの製造方法において、スパッタリング雰囲気中に
含まれる上記窒素の量を３８〜４８％とした構成として
ある。
【００２２】さらに、本発明の位相シフトマスクの製造
方法は、上記本発明の製造方法によって得られる位相シ
フトマスクブランクを用いて製造する構成としてある。
方法は、上記本発明の製造方法によって得られる位相シ
フトマスクブランクを用いて製造する構成としてある。
【００２３】
【作用】本発明のスパッタターゲットは、シリコンと金
属とを含み、かつ、スパッタターゲットの組成を化学量
論的に安定な組成よりもシリコンの量を多くした組成と
することで、比較的容易に消衰係数（Ｋ）を小さくする
ことができるとともに、このスパッタターゲットを用い
てスパッタ法により成膜した膜が、高透過率、耐酸性等
を確保した光半透過部（位相シフト層）として好適な薄
膜となる。
属とを含み、かつ、スパッタターゲットの組成を化学量
論的に安定な組成よりもシリコンの量を多くした組成と
することで、比較的容易に消衰係数（Ｋ）を小さくする
ことができるとともに、このスパッタターゲットを用い
てスパッタ法により成膜した膜が、高透過率、耐酸性等
を確保した光半透過部（位相シフト層）として好適な薄
膜となる。
【００２４】なお、成膜時の放電安定性等を考慮する
と、具体的には、スパッタターゲット中のシリコンの含
有量を７０〜９５ｍｏｌ％とすることが好ましい。これ
は、スパッタターゲット中のシリコンの含有量が９５ｍ
ｏｌ％よりも多いと、ＤＣスパッタリングにおいては、
スパッタターゲット表面上（エロージョン部）に電圧を
かけにくくなる（電気が通りにくくなる）ため、放電が
不安定（困難）となり、また、スパッタターゲット中の
シリコンの含有量が７０ｍｏｌ％よりも少ないと、高透
過率の光半透過部を構成する薄膜が得られないばかり
か、耐酸性の良好な膜とならないからである。なお、成
膜時の放電安定性は、膜質にも影響し、放電安定性に優
れると良好な膜質の光半透過部が得られる。
と、具体的には、スパッタターゲット中のシリコンの含
有量を７０〜９５ｍｏｌ％とすることが好ましい。これ
は、スパッタターゲット中のシリコンの含有量が９５ｍ
ｏｌ％よりも多いと、ＤＣスパッタリングにおいては、
スパッタターゲット表面上（エロージョン部）に電圧を
かけにくくなる（電気が通りにくくなる）ため、放電が
不安定（困難）となり、また、スパッタターゲット中の
シリコンの含有量が７０ｍｏｌ％よりも少ないと、高透
過率の光半透過部を構成する薄膜が得られないばかり
か、耐酸性の良好な膜とならないからである。なお、成
膜時の放電安定性は、膜質にも影響し、放電安定性に優
れると良好な膜質の光半透過部が得られる。
【００２５】また、ターゲット材の相対密度（本発明の
ターゲット材の比重を計算した値を１００とした場合
に、実際使うターゲット材の比重の比率）は、９０％以
上、好ましくは９５％以上、さらに好ましくは９８％以
上であることが好ましい。ターゲット材の相対密度を高
くすることにより、ターゲットのポア部（空洞）が少な
くなるので、放電が安定し、異常放電によるパーティク
ルの発生を防ぐことができる。ターゲット材の相対密度
が９０％未満の場合、成膜して得られた膜中にパーティ
クルが存在する確立が高くなり、そのパーティクルが原
因となって膜にピンホールが発生するので好ましくな
い。
ターゲット材の比重を計算した値を１００とした場合
に、実際使うターゲット材の比重の比率）は、９０％以
上、好ましくは９５％以上、さらに好ましくは９８％以
上であることが好ましい。ターゲット材の相対密度を高
くすることにより、ターゲットのポア部（空洞）が少な
くなるので、放電が安定し、異常放電によるパーティク
ルの発生を防ぐことができる。ターゲット材の相対密度
が９０％未満の場合、成膜して得られた膜中にパーティ
クルが存在する確立が高くなり、そのパーティクルが原
因となって膜にピンホールが発生するので好ましくな
い。
【００２６】なお、スパッタターゲット中の金属として
は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、ク
ロムなどが挙げられる。
は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、ク
ロムなどが挙げられる。
【００２７】本発明の位相シフトマスクブランクの製造
方法においては、上述した本発明のスパッタターゲット
を用い、窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすること
により、窒素、金属及びシリコンを含む光半透過膜（位
相シフト膜）を形成する際に、スパッタリング雰囲気中
に含まれる窒素の量を、使用する露光光源の波長が２４
８ｎｍである場合には２５〜１００％とし、使用する露
光光源の波長が３６５ｎｍである場合には３８〜４８％
とすることによって、高透過率の光半透過部を構成する
薄膜が得られるとともに、位相シフトマスクブランクや
この位相シフトマスクブランクをパターニングして得ら
れた位相シフトマスクの光学特性やパターンの検査を行
う際に、容易かつ確実に検査を行うことができる。これ
は、使用する露光光源の波長がそれぞれ２４８ｎｍ、３
６５ｎｍであって、スパッタリング雰囲気中に含まれる
窒素の量がそれぞれ２５％、３８％より小さい場合に
は、高透過率の位相シフト層が得られず、また、波長３
６５ｎｍにおいて窒素の量が４８％を超える場合には、
位相シフト層の透過率が高くなりすぎて、透過型の検査
機で位相シフト層の光学特性やパターンの検査を行う際
に、検査しづらくなるので好ましくない。
方法においては、上述した本発明のスパッタターゲット
を用い、窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすること
により、窒素、金属及びシリコンを含む光半透過膜（位
相シフト膜）を形成する際に、スパッタリング雰囲気中
に含まれる窒素の量を、使用する露光光源の波長が２４
８ｎｍである場合には２５〜１００％とし、使用する露
光光源の波長が３６５ｎｍである場合には３８〜４８％
とすることによって、高透過率の光半透過部を構成する
薄膜が得られるとともに、位相シフトマスクブランクや
この位相シフトマスクブランクをパターニングして得ら
れた位相シフトマスクの光学特性やパターンの検査を行
う際に、容易かつ確実に検査を行うことができる。これ
は、使用する露光光源の波長がそれぞれ２４８ｎｍ、３
６５ｎｍであって、スパッタリング雰囲気中に含まれる
窒素の量がそれぞれ２５％、３８％より小さい場合に
は、高透過率の位相シフト層が得られず、また、波長３
６５ｎｍにおいて窒素の量が４８％を超える場合には、
位相シフト層の透過率が高くなりすぎて、透過型の検査
機で位相シフト層の光学特性やパターンの検査を行う際
に、検査しづらくなるので好ましくない。
【００２８】さらに、本発明の位相シフトマスククブラ
ンクの製造方法によれば、スパッタターゲットの組成を
特定することで、上述した膜特性に優れた光半透過部を
有する位相シフトマスククブランクを、安定的に、欠陥
なく製造できる。
ンクの製造方法によれば、スパッタターゲットの組成を
特定することで、上述した膜特性に優れた光半透過部を
有する位相シフトマスククブランクを、安定的に、欠陥
なく製造できる。
【００２９】
【実施例】以下、実施例にもとづき本発明をさらに詳細
に説明する。
に説明する。
【００３０】実施例１〜４及び比較例１〜２ ブランクの製造 透明基板１の表面に窒化されたモリブデン及びシリコン
（ＭｏＳｉＮ）の薄膜からなる光半透過膜３ａを形成し
てＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）用の位相
シフトマスクブランクを得、光半透過膜をパターニング
して位相シフトマスクを得た（図２）。
（ＭｏＳｉＮ）の薄膜からなる光半透過膜３ａを形成し
てＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）用の位相
シフトマスクブランクを得、光半透過膜をパターニング
して位相シフトマスクを得た（図２）。
【００３１】具体的には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコ
ン（Ｓｉ：ケイ素）との比率を変えた混合ターゲット
［（Ｍｏ：Ｓｉ＝３０：７０ｍｏｌ％）（実施例１）、
（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％）（実施例２）、
（Ｍｏ：Ｓｉ＝１０：９０ｍｏｌ％）（実施例３）、
（Ｍｏ：Ｓｉ＝５：９５ｍｏｌ％）（実施例４）、（Ｍ
ｏ：Ｓｉ＝３３：６７ｍｏｌ％＝化学量論的に安定な組
成）（比較例１）、（Ｍｏ：Ｓｉ＝４：９６ｍｏｌ％）
（比較例２）］を用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素
（Ｎ2）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：１０％、Ｎ2Ｏ：９
０％、圧力：１．５×１０-3Ｔｏｒｒ）で、反応性スパ
ッタリングにより、透明基板上に窒化されたモリブデン
及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄膜（膜厚８５５ｎｍ、
９２５ｎｍ、９６９ｎｍ、１００８ｎｍ、７９５ｎｍ、
１０２５ｎｍ）を形成して位相シフトマスクブランクを
得た。
ン（Ｓｉ：ケイ素）との比率を変えた混合ターゲット
［（Ｍｏ：Ｓｉ＝３０：７０ｍｏｌ％）（実施例１）、
（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％）（実施例２）、
（Ｍｏ：Ｓｉ＝１０：９０ｍｏｌ％）（実施例３）、
（Ｍｏ：Ｓｉ＝５：９５ｍｏｌ％）（実施例４）、（Ｍ
ｏ：Ｓｉ＝３３：６７ｍｏｌ％＝化学量論的に安定な組
成）（比較例１）、（Ｍｏ：Ｓｉ＝４：９６ｍｏｌ％）
（比較例２）］を用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素
（Ｎ2）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：１０％、Ｎ2Ｏ：９
０％、圧力：１．５×１０-3Ｔｏｒｒ）で、反応性スパ
ッタリングにより、透明基板上に窒化されたモリブデン
及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄膜（膜厚８５５ｎｍ、
９２５ｎｍ、９６９ｎｍ、１００８ｎｍ、７９５ｎｍ、
１０２５ｎｍ）を形成して位相シフトマスクブランクを
得た。
【００３２】マスク加工 上記位相シフトマスクブランクの窒化されたモリブデン
及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）からなる薄膜上に、レジス
ト膜を形成し、パターン露光、現像によりレジストパタ
ーンを形成した。次いで、エッチング（ＣＦ4＋Ｏ2ガス
によるドライエッチング）により、窒化されたモリブデ
ン及びシリコンからなる薄膜の露出部分を除去し、窒化
されたモリブデン及びシリコンからなる薄膜のパターン
（ホール、ドット等）を得た。レジスト剥離後、１００
℃の９８％硫酸（Ｈ2ＳＯ4）に１５分間浸漬して硫酸洗
浄し、純水等でリンスして、ＫｒＦエキシマレーザー用
の位相シフトマスクを得た。
及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）からなる薄膜上に、レジス
ト膜を形成し、パターン露光、現像によりレジストパタ
ーンを形成した。次いで、エッチング（ＣＦ4＋Ｏ2ガス
によるドライエッチング）により、窒化されたモリブデ
ン及びシリコンからなる薄膜の露出部分を除去し、窒化
されたモリブデン及びシリコンからなる薄膜のパターン
（ホール、ドット等）を得た。レジスト剥離後、１００
℃の９８％硫酸（Ｈ2ＳＯ4）に１５分間浸漬して硫酸洗
浄し、純水等でリンスして、ＫｒＦエキシマレーザー用
の位相シフトマスクを得た。
【００３３】図３にターゲット材の組成を変化させたと
きの透過率、耐酸性、放電安定性を示す。
きの透過率、耐酸性、放電安定性を示す。
【００３４】なお、光透過率は分光光度計（日立（株）
社製：モデル３４０）を用いて測定し、耐酸性に関して
は、１２０℃の熱濃硫酸（Ｈ2ＳＯ4）に２時間浸漬して
変化が認められなかったものを「○」、変化が小さく許
容範囲内のものを「△」、変化が大きく許容範囲外のも
のを「×」とした。
社製：モデル３４０）を用いて測定し、耐酸性に関して
は、１２０℃の熱濃硫酸（Ｈ2ＳＯ4）に２時間浸漬して
変化が認められなかったものを「○」、変化が小さく許
容範囲内のものを「△」、変化が大きく許容範囲外のも
のを「×」とした。
【００３５】評価 図３からわかるように、ターゲット材の組成が化学量論
的に安定な組成（Ｍｏ：Ｓｉ＝３３：６７ｍｏｌ％）よ
りもシリコンの量を多くした組成のスパッタターゲット
を用いて成膜した場合（実施例１〜４）は、光透過率、
耐酸性に優れた光半透過部が得られる。一方、化学量論
的に安定な組成（Ｍｏ：Ｓｉ＝３３：６７ｍｏｌ％）の
スパッタターゲットを用いて成膜した場合（比較例１）
は、高透過率が得られないばかりか、耐酸性に劣る結果
となった。また、シリコンの含有量が９５ｍｏｌ％を超
える場合（比較例２）、成膜時の放電が不安定になり、
良好な膜質の光半透過部が得られなかった。
的に安定な組成（Ｍｏ：Ｓｉ＝３３：６７ｍｏｌ％）よ
りもシリコンの量を多くした組成のスパッタターゲット
を用いて成膜した場合（実施例１〜４）は、光透過率、
耐酸性に優れた光半透過部が得られる。一方、化学量論
的に安定な組成（Ｍｏ：Ｓｉ＝３３：６７ｍｏｌ％）の
スパッタターゲットを用いて成膜した場合（比較例１）
は、高透過率が得られないばかりか、耐酸性に劣る結果
となった。また、シリコンの含有量が９５ｍｏｌ％を超
える場合（比較例２）、成膜時の放電が不安定になり、
良好な膜質の光半透過部が得られなかった。
【００３６】実施例５〜８及び比較例３〜４ 透明基板の表面に窒化されたモリブデン及びシリコン
（ＭｏＳｉＮ）の薄膜からなる光半透過膜を形成してｉ
線（波長３６５ｎｍ）用の位相シフトマスクブランクを
得、光半透過膜をパターニングして位相シフトマスクを
得た。
（ＭｏＳｉＮ）の薄膜からなる光半透過膜を形成してｉ
線（波長３６５ｎｍ）用の位相シフトマスクブランクを
得、光半透過膜をパターニングして位相シフトマスクを
得た。
【００３７】具体的には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコ
ン（Ｓｉ：ケイ素）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝
２０：８０ｍｏｌ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素
（Ｎ2）との混合ガス雰囲気における窒素の含有量を、
３８％（実施例５）、４０％（実施例６）、４５％（実
施例７）、４８％（実施例８）、３７％（比較例３）、
５０％（比較例４）と変化させるとともに、圧力を１．
２〜１．７×１０-3Ｔｏｒｒの範囲で調整して、反応性
スパッタリングにより、透明基板上に窒化されたモリブ
デン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄膜を形成したこと
以外は、上記実施例と同様にして位相シフトマスクブラ
ンク及び位相シフトマスクを得た。なお、光半透過部の
膜厚は位相シフト量が１８０°となるように調整した。
ン（Ｓｉ：ケイ素）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝
２０：８０ｍｏｌ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素
（Ｎ2）との混合ガス雰囲気における窒素の含有量を、
３８％（実施例５）、４０％（実施例６）、４５％（実
施例７）、４８％（実施例８）、３７％（比較例３）、
５０％（比較例４）と変化させるとともに、圧力を１．
２〜１．７×１０-3Ｔｏｒｒの範囲で調整して、反応性
スパッタリングにより、透明基板上に窒化されたモリブ
デン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄膜を形成したこと
以外は、上記実施例と同様にして位相シフトマスクブラ
ンク及び位相シフトマスクを得た。なお、光半透過部の
膜厚は位相シフト量が１８０°となるように調整した。
【００３８】図４に混合ガス雰囲気における窒素の含有
量を変化させたときの光透過率を示す。なお、光透過率
は分光光度計（日立（株）社製：モデル３４０）を用い
て測定した。
量を変化させたときの光透過率を示す。なお、光透過率
は分光光度計（日立（株）社製：モデル３４０）を用い
て測定した。
【００３９】評価 図４からわかるように、Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ
％の混合ターゲットを使用して、ｉ線（波長３６５ｎ
ｍ）用の位相シフトマスクブランク及び位相シフトマス
クを製造する際に、成膜時における混合ガス雰囲気中に
占める窒素の量が３８％より小さい場合は、高透過率の
位相シフト層が得られないので好ましくなく、また、窒
素の量が４８％を超える場合には、位相シフト層の透過
率が高くなりすぎて、透過型の検査機で位相シフト層の
光学特性やパターンの検査を行う際に、検査しづらくな
るので好ましくない。
％の混合ターゲットを使用して、ｉ線（波長３６５ｎ
ｍ）用の位相シフトマスクブランク及び位相シフトマス
クを製造する際に、成膜時における混合ガス雰囲気中に
占める窒素の量が３８％より小さい場合は、高透過率の
位相シフト層が得られないので好ましくなく、また、窒
素の量が４８％を超える場合には、位相シフト層の透過
率が高くなりすぎて、透過型の検査機で位相シフト層の
光学特性やパターンの検査を行う際に、検査しづらくな
るので好ましくない。
【００４０】実施例９〜１１及び比較例５ 透明基板の表面に窒化されたモリブデン及びシリコン
（ＭｏＳｉＮ）の薄膜からなる光半透過膜を形成してＫ
ｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）用の位相シフ
トマスクブランクを得、光半透過膜をパターニングして
位相シフトマスクを得た。
（ＭｏＳｉＮ）の薄膜からなる光半透過膜を形成してＫ
ｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）用の位相シフ
トマスクブランクを得、光半透過膜をパターニングして
位相シフトマスクを得た。
【００４１】具体的には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコ
ン（Ｓｉ：ケイ素）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝
２０：８０ｍｏｌ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素
（Ｎ2）との混合ガス雰囲気における窒素の含有量を、
８０％（実施例９）、９０％（実施例１０）、１００％
（実施例１１）、７９％（比較例５）と変化させるとと
もに、圧力を１．２〜１．７×１０-3Ｔｏｒｒの範囲で
調整して、反応性スパッタリングにより、透明基板上に
窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄
膜を形成したこと以外は、上記実施例と同様にして位相
シフトマスクブランク及び位相シフトマスクを得た。な
お、光半透過部の膜厚は位相シフト量が１８０°となる
ように調整した。
ン（Ｓｉ：ケイ素）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝
２０：８０ｍｏｌ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素
（Ｎ2）との混合ガス雰囲気における窒素の含有量を、
８０％（実施例９）、９０％（実施例１０）、１００％
（実施例１１）、７９％（比較例５）と変化させるとと
もに、圧力を１．２〜１．７×１０-3Ｔｏｒｒの範囲で
調整して、反応性スパッタリングにより、透明基板上に
窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄
膜を形成したこと以外は、上記実施例と同様にして位相
シフトマスクブランク及び位相シフトマスクを得た。な
お、光半透過部の膜厚は位相シフト量が１８０°となる
ように調整した。
【００４２】図５に混合ガス雰囲気における窒素の含有
量を変化させたときの光透過率を示す。なお、光透過率
は分光光度計（日立（株）社製：モデル３４０）を用い
て測定した。
量を変化させたときの光透過率を示す。なお、光透過率
は分光光度計（日立（株）社製：モデル３４０）を用い
て測定した。
【００４３】評価 図５からわかるように、Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ
％の混合ターゲットを使用して、ＫｒＦエキシマレーザ
ー（波長２４８ｎｍ）用の位相シフトマスクブランク及
び位相シフトマスクを製造する際に、成膜時における混
合ガス雰囲気中に占める窒素の量が８０％より小さい場
合は、高透過率の位相シフト層が得られないので好まし
くない。
％の混合ターゲットを使用して、ＫｒＦエキシマレーザ
ー（波長２４８ｎｍ）用の位相シフトマスクブランク及
び位相シフトマスクを製造する際に、成膜時における混
合ガス雰囲気中に占める窒素の量が８０％より小さい場
合は、高透過率の位相シフト層が得られないので好まし
くない。
【００４４】なお、実施例１〜１１の組成のターゲット
材の相対密度は、すべて９０％以上であり、ターゲット
材の相対密度が疎であることに起因して膜にピンホール
が発生することはなかった。
材の相対密度は、すべて９０％以上であり、ターゲット
材の相対密度が疎であることに起因して膜にピンホール
が発生することはなかった。
【００４５】実施例１２〜１３及び比較例６ 透明基板の表面に窒化されたモリブデン及びシリコン
（ＭｏＳｉＮ）の薄膜からなる光半透過膜を形成してＫ
ｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）用の位相シフ
トマスクブランクを得、光半透過膜をパターニングして
位相シフトマスクを得た。
（ＭｏＳｉＮ）の薄膜からなる光半透過膜を形成してＫ
ｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）用の位相シフ
トマスクブランクを得、光半透過膜をパターニングして
位相シフトマスクを得た。
【００４６】具体的には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコ
ン（Ｓｉ：ケイ素）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝
５：９５ｍｏｌ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素
（Ｎ2）との混合ガス雰囲気における窒素の含有量を、
２５％（実施例１２）、３５％（実施例１３）、２４％
（比較例６）と変化させるとともに、圧力を１．２〜
１．７×１０-3Ｔｏｒｒの範囲で調整して、反応性スパ
ッタリングにより、透明基板上に窒化されたモリブデン
及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄膜を形成したこと以外
は、上記実施例と同様にして位相シフトマスクブランク
及び位相シフトマスクを得た。なお、光半透過部の膜厚
は位相シフト量が１８０°となるように調整した。
ン（Ｓｉ：ケイ素）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝
５：９５ｍｏｌ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素
（Ｎ2）との混合ガス雰囲気における窒素の含有量を、
２５％（実施例１２）、３５％（実施例１３）、２４％
（比較例６）と変化させるとともに、圧力を１．２〜
１．７×１０-3Ｔｏｒｒの範囲で調整して、反応性スパ
ッタリングにより、透明基板上に窒化されたモリブデン
及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄膜を形成したこと以外
は、上記実施例と同様にして位相シフトマスクブランク
及び位相シフトマスクを得た。なお、光半透過部の膜厚
は位相シフト量が１８０°となるように調整した。
【００４７】図６に混合ガス雰囲気における窒素の含有
量を変化させたときの光透過率を示す。なお、光透過率
は分光光度計（日立（株）社製：モデル３４０）を用い
て測定した。
量を変化させたときの光透過率を示す。なお、光透過率
は分光光度計（日立（株）社製：モデル３４０）を用い
て測定した。
【００４８】評価 図６からわかるように、Ｍｏ：Ｓｉ＝５：９５ｍｏｌ％
の混合ターゲットを使用して、ＫｒＦエキシマレーザー
（波長２４８ｎｍ）用の位相シフトマスクブランク及び
位相シフトマスクを製造する際に、成膜時における混合
ガス雰囲気中に占める窒素の量が２５％より小さい場合
は、高透過率の位相シフト層が得られないので好ましく
ない。
の混合ターゲットを使用して、ＫｒＦエキシマレーザー
（波長２４８ｎｍ）用の位相シフトマスクブランク及び
位相シフトマスクを製造する際に、成膜時における混合
ガス雰囲気中に占める窒素の量が２５％より小さい場合
は、高透過率の位相シフト層が得られないので好ましく
ない。
【００４９】以上好ましい実施例をあげて本発明を説明
したが、本発明は必ずしも上記実施例に限定されるもの
ではない。
したが、本発明は必ずしも上記実施例に限定されるもの
ではない。
【００５０】例えば、反応性スパッタリングとして、Ｄ
Ｃスパッタリング、ＲＦスパッタリング等によって、光
半透過部の薄膜を形成できる。なお、ＤＣスパッタリン
グの方が効果は大である。
Ｃスパッタリング、ＲＦスパッタリング等によって、光
半透過部の薄膜を形成できる。なお、ＤＣスパッタリン
グの方が効果は大である。
【００５１】また、透明基板は、使用する露光波長に対
して透明な基板であれば特に制限されない。透明基板と
しては、例えば、石英基板、蛍石、その他各種ガラス基
板（例えば、ソーダライムガラス、アルミノシリケート
ガラス、アルミノボロシリケートガラス等）などが挙げ
られる。
して透明な基板であれば特に制限されない。透明基板と
しては、例えば、石英基板、蛍石、その他各種ガラス基
板（例えば、ソーダライムガラス、アルミノシリケート
ガラス、アルミノボロシリケートガラス等）などが挙げ
られる。
【００５２】また、実施例において、Ａｒガスの代わり
に、ヘリウム、ネオン、キセノン等の他の不活性ガスを
用いてもよい。
に、ヘリウム、ネオン、キセノン等の他の不活性ガスを
用いてもよい。
【００５３】さらに、実施例では窒化された金属及びシ
リコンの薄膜についてのみ挙げたが、本発明のターゲッ
トは、特開平６−３３２１５２号公報に記載されている
ような酸化された金属及びシリコンの薄膜や、酸化窒化
された金属及びシリコンの薄膜等の薄膜を成膜する際に
も有用である。
リコンの薄膜についてのみ挙げたが、本発明のターゲッ
トは、特開平６−３３２１５２号公報に記載されている
ような酸化された金属及びシリコンの薄膜や、酸化窒化
された金属及びシリコンの薄膜等の薄膜を成膜する際に
も有用である。
【００５４】さらに、実施例において、Ｍｏの代わり
に、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ等の金属を用いてもよい。
に、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ等の金属を用いてもよい。
【００５５】なお、実施例では本発明のターゲットを位
相シフトマスクの光半透過部を形成するためのターゲッ
トとして使用する例を示したが、これに限られず、本発
明のターゲットは、通常のフォトマスク等における遮光
膜や低反射膜等を形成するためのターゲットとして使用
することもできる。
相シフトマスクの光半透過部を形成するためのターゲッ
トとして使用する例を示したが、これに限られず、本発
明のターゲットは、通常のフォトマスク等における遮光
膜や低反射膜等を形成するためのターゲットとして使用
することもできる。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、耐
酸性や透過率等の膜特性に優れた光半透過部を有する位
相シフトマスク及び位相シフトマスクブランクを提供で
きる。
酸性や透過率等の膜特性に優れた光半透過部を有する位
相シフトマスク及び位相シフトマスクブランクを提供で
きる。
【００５７】また、成膜時の放電安定性に優れるととも
に、良好な膜質の光半透過部が得られる。
に、良好な膜質の光半透過部が得られる。
【００５８】さらに、位相シフトマスクブランク及び位
相シフトマスクの光学特性やパターンの検査を行う際
に、容易かつ確実に検査を行うことができる。
相シフトマスクの光学特性やパターンの検査を行う際
に、容易かつ確実に検査を行うことができる。
【図１】ハーフトーン型位相シフトマスクの転写原理を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図２】ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを示
す部分断面図である。
す部分断面図である。
【図３】ターゲット材の組成と透過率、耐酸性及び放電
安定性との関係を示す図である。
安定性との関係を示す図である。
【図４】ターゲット材の組成及び混合ガス雰囲気中の窒
素含有量と透過率との関係を示す図である。
素含有量と透過率との関係を示す図である。
【図５】ターゲット材の組成及び混合ガス雰囲気中の窒
素含有量と透過率との関係を示す図である。
素含有量と透過率との関係を示す図である。
【図６】ターゲット材の組成及び混合ガス雰囲気中の窒
素含有量と透過率との関係を示す図である。
素含有量と透過率との関係を示す図である。
１ 透明基板 ２ 光透過部 ３ 光半透過部 ３ａ 光半透過膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−261370（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−75361（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−332152（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−250375（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−64272（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−140739（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−200367（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−269702（ＪＰ，Ａ) 国際公開95／4167（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 1/08 - 1/16 C23C 14/34 H01L 21/027
Claims (9)
- 【請求項１】 位相シフトマスクの光半透過部を形成す
るために使用されるスパッタターゲットであって、前記スパッタターゲットはシリコンと金属とを含み、か
つ、 前記スパッタターゲット中のシリコンの含有量が、
７０〜９５ｍｏｌ％であることを特徴とするスパッタタ
ーゲット。 - 【請求項２】 前記金属が、モリブデン、チタン、タン
タル、タングステン、クロムのうちから選ばれる一以上
の金属であることを特徴とする請求項１記載のスパッタ
ターゲット。 - 【請求項３】 位相シフトマスクブランクにおける金属
とシリコンを含む光半透過部を、窒素を含む雰囲気中で
スパッタリングすることにより形成するために使用され
るスパッタターゲットであって、 前記スパッタターゲットはシリコンと金属とを含み、か
つ、スパッタターゲットの組成はＭｏ：Ｓｉ＝３３：６
７ｍｏｌ％である化学量論的に安定な組成よりもシリコ
ンの量が多いことを特徴とするスパッタターゲット 。 - 【請求項４】 スパッタターゲット中のシリコンの含有
量が７０〜９５ｍｏｌ％であるシリコンと金属とを含ん
だスパッタターゲットを用い、窒素を含む雰囲気中でス
パッタリングすることにより、窒素、金属及びシリコン
を含む光半透過膜を形成することを特徴とする位相シフ
トマスクブランクの製造方法。 - 【請求項５】 前記金属が、モリブデン、チタン、タン
タル、タングステン、クロムのうちから選ばれる一以上
の金属であることを特徴とする請求項４記載の位相シフ
トマスクブランクの製造方法。 - 【請求項６】 使用する露光光源の波長が２４８ｎｍで
ある位相シフトマスクブランクの製造方法において、ス
パッタリング雰囲気中に含まれる前記窒素の量を２５〜
１００％としたことを特徴とする請求項４又は５記載の
位相シフトマスクブランクの製造方法。 - 【請求項７】 使用する露光光源の波長が３６５ｎｍで
ある位相シフトマスクブランクの製造方法において、ス
パッタリング雰囲気中に含まれる前記窒素の量を３８〜
４８％としたことを特徴とする請求項４又は５記載の位
相シフトマスクブランクの製造方法。 - 【請求項８】 スパッタターゲットの組成はＭｏ：Ｓｉ
＝３３：６７ｍｏｌ％である化学量論的に安定な組成よ
りもシリコンの量を多く含んだシリコンと金属とを含む
スパッタターゲットを用い、窒素を含む雰囲気中でスパ
ッタリングすることにより、窒素、金属及びシリコンを
含む光半透過膜を形成することを特徴とする位相シフト
マスクブランクの製造方法。 - 【請求項９】 請求項４ないし８のいずれか１項に記載
の位相シフトマスクブランクの製造方法によって得られ
る位相シフトマスクブランクを用いて製造することを特
徴とする位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9804697A JP2989156B2 (ja) | 1996-03-30 | 1997-03-31 | スパッタターゲット、該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-104411 | 1996-03-30 | ||
| JP10441196 | 1996-03-30 | ||
| JP9804697A JP2989156B2 (ja) | 1996-03-30 | 1997-03-31 | スパッタターゲット、該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1073913A JPH1073913A (ja) | 1998-03-17 |
| JP2989156B2 true JP2989156B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=26439242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9804697A Expired - Lifetime JP2989156B2 (ja) | 1996-03-30 | 1997-03-31 | スパッタターゲット、該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2989156B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677087B2 (en) | 2000-09-12 | 2004-01-13 | Hoya Corporation | Phase shift mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing the same |
| US7026077B2 (en) | 2002-04-22 | 2006-04-11 | Hoya Corporation | Photomask blank manufacturing method |
| US7601468B2 (en) | 2002-10-23 | 2009-10-13 | Hoya Corporation | Process for manufacturing half-tone phase shifting mask blanks |
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|---|---|---|---|---|
| JP3024641B1 (ja) | 1998-10-23 | 2000-03-21 | 日本電気株式会社 | シャドウマスク及びその製造方法並びにシャドウマスクを用いた有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| JP4163331B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2008-10-08 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフタ膜の製造方法、位相シフトマスク用ブランクスの製造方法、および、位相シフトマスクの製造方法 |
| JP4509363B2 (ja) * | 2000-12-05 | 2010-07-21 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、位相シフトマスクブランクの製造方法および位相シフトマスクの製造方法 |
| JP2002182365A (ja) * | 2000-12-13 | 2002-06-26 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット、その製造方法、位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク |
| AU2003257547A1 (en) * | 2002-08-19 | 2004-03-03 | Hoya Corporation | Mask blank manufacturing method, transfer mask manufacturing method, sputtering target for manufacturing mask blank |
| JP2005208282A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
| JP5007843B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2012-08-22 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP9804697A patent/JP2989156B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| US6677087B2 (en) | 2000-09-12 | 2004-01-13 | Hoya Corporation | Phase shift mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing the same |
| US7026077B2 (en) | 2002-04-22 | 2006-04-11 | Hoya Corporation | Photomask blank manufacturing method |
| US7601468B2 (en) | 2002-10-23 | 2009-10-13 | Hoya Corporation | Process for manufacturing half-tone phase shifting mask blanks |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1073913A (ja) | 1998-03-17 |
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