JPH1048808A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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- JPH1048808A JPH1048808A JP24489896A JP24489896A JPH1048808A JP H1048808 A JPH1048808 A JP H1048808A JP 24489896 A JP24489896 A JP 24489896A JP 24489896 A JP24489896 A JP 24489896A JP H1048808 A JPH1048808 A JP H1048808A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 速いエッチング速度を維持でき、かつサイド
エッチが少なく高精度のパターニングが可能となり、信
頼性の高い良好なフォトマスクを製造できるフォトマス
クの製造方法を提供すること。 【解決手段】 酸素（Ｏ2 ）および４弗化炭素（Ｃ
Ｆ4 ）に３弗化メタン（ＣＨＦ3 ）を添加してなる混合
ガスによるドライエッチングによって、ハーフトーン型
位相シフトマスクの光半透過部（薄膜パターン）を形成
する。
エッチが少なく高精度のパターニングが可能となり、信
頼性の高い良好なフォトマスクを製造できるフォトマス
クの製造方法を提供すること。 【解決手段】 酸素（Ｏ2 ）および４弗化炭素（Ｃ
Ｆ4 ）に３弗化メタン（ＣＨＦ3 ）を添加してなる混合
ガスによるドライエッチングによって、ハーフトーン型
位相シフトマスクの光半透過部（薄膜パターン）を形成
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトリソグラフ
ィに用いられるフォトマスクの製造方法に関する。
ィに用いられるフォトマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、フォトリソグラフィに要求される
二つの重要な特徴である高解像度化と焦点深度の確保は
相反する関係にあり、露光装置のレンズの高ＮＡ化、短
波長化だけでは実用解像度を向上できないことが明らか
にされた（月刊 SemiconductorWorld 1990.12、応用物
理第６０巻第１１月号（1991）等）。このような状況
下、次世代のフォトリソグラフィ技術として位相シフト
リソグラフィが注目を集めている。この位相シフトリソ
グラフィは、光学系には変更を加えず、マスクだけの変
更で光リソグラフィの解像度を向上させる方法であり、
フォトマスクを通過する露光光間に位相差を与えること
により透過光相互の干渉を利用して解像度を飛躍的に向
上できるようにしたものである。
二つの重要な特徴である高解像度化と焦点深度の確保は
相反する関係にあり、露光装置のレンズの高ＮＡ化、短
波長化だけでは実用解像度を向上できないことが明らか
にされた（月刊 SemiconductorWorld 1990.12、応用物
理第６０巻第１１月号（1991）等）。このような状況
下、次世代のフォトリソグラフィ技術として位相シフト
リソグラフィが注目を集めている。この位相シフトリソ
グラフィは、光学系には変更を加えず、マスクだけの変
更で光リソグラフィの解像度を向上させる方法であり、
フォトマスクを通過する露光光間に位相差を与えること
により透過光相互の干渉を利用して解像度を飛躍的に向
上できるようにしたものである。
【０００３】位相シフトマスクは、光強度情報と位相情
報とを併有するマスクであり、レベンソン型、補助パタ
ーン型、エッジ強調型などの各種のタイプが知られてい
る。これらの位相シフトマスクは、光強度情報しか有し
ない従来のフォトマスクに比べ、構成が複雑で製造にも
高度の技術を要する。この位相シフトマスクの一つとし
て、いわゆるハーフトーン型位相シフトマスクと称され
る位相シフトマスクが近年開発されている。このハーフ
トーン型の位相シフトマスクは、光半透過部が、露光光
を実質的に遮断する遮光機能と、光の位相をシフト（通
常は反転）させる位相シフト機能との二つの機能を兼ね
備えることになるので、遮光膜パターンと位相シフトパ
ターンを別々に形成する必要がなく、構成が単純で製造
も容易であるという特徴を有している。
報とを併有するマスクであり、レベンソン型、補助パタ
ーン型、エッジ強調型などの各種のタイプが知られてい
る。これらの位相シフトマスクは、光強度情報しか有し
ない従来のフォトマスクに比べ、構成が複雑で製造にも
高度の技術を要する。この位相シフトマスクの一つとし
て、いわゆるハーフトーン型位相シフトマスクと称され
る位相シフトマスクが近年開発されている。このハーフ
トーン型の位相シフトマスクは、光半透過部が、露光光
を実質的に遮断する遮光機能と、光の位相をシフト（通
常は反転）させる位相シフト機能との二つの機能を兼ね
備えることになるので、遮光膜パターンと位相シフトパ
ターンを別々に形成する必要がなく、構成が単純で製造
も容易であるという特徴を有している。
【０００４】ハーフトーン型の位相シフトマスクは、図
７に示すように透明基板１上に形成するマスクパターン
を、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透
過部（透明基板露出部）２と、実質的に露光に寄与しな
い強度の光を透過させる光半透過部（遮光部兼位相シフ
タ部）３とで構成し（同図（ａ））、且つこの光半透過
部３を透過する光の位相をシフトさせて、光半透過部３
を透過した光の位相が光透過部２を透過した光の位相に
対して実質的に反転した関係になるようにすることによ
って（同図（ｂ））、光半透過部３と光透過部２との境
界部近傍を通過し回折現象によって互いに相手の領域に
回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにし、境界部に
おける光強度をほぼゼロとし境界部のコントラスト即ち
解像度を向上させるものである（同図（ｃ））。
７に示すように透明基板１上に形成するマスクパターン
を、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透
過部（透明基板露出部）２と、実質的に露光に寄与しな
い強度の光を透過させる光半透過部（遮光部兼位相シフ
タ部）３とで構成し（同図（ａ））、且つこの光半透過
部３を透過する光の位相をシフトさせて、光半透過部３
を透過した光の位相が光透過部２を透過した光の位相に
対して実質的に反転した関係になるようにすることによ
って（同図（ｂ））、光半透過部３と光透過部２との境
界部近傍を通過し回折現象によって互いに相手の領域に
回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにし、境界部に
おける光強度をほぼゼロとし境界部のコントラスト即ち
解像度を向上させるものである（同図（ｃ））。
【０００５】ところで、上述したハーフトーン型の位相
シフトマスクにおける光半透過部は、光透過率及び位相
シフト量の双方について、要求される最適な値を有して
いる必要がある。この要求される最適な単層の光半透過
部で実現し得る位相シフトマスクに関して同出願人が鋭
意研究した結果、要求を満足する位相シフトマスクを開
発した。この位相シフトマスクは、光半透過部を、モリ
ブデンなどの金属、シリコン、及び窒素を主たる構成要
素とする物質からなる薄膜で構成したものである。この
物質は、モリブデンシリサイド、具体的には窒化された
モリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ系材料と略す）で
ある。
シフトマスクにおける光半透過部は、光透過率及び位相
シフト量の双方について、要求される最適な値を有して
いる必要がある。この要求される最適な単層の光半透過
部で実現し得る位相シフトマスクに関して同出願人が鋭
意研究した結果、要求を満足する位相シフトマスクを開
発した。この位相シフトマスクは、光半透過部を、モリ
ブデンなどの金属、シリコン、及び窒素を主たる構成要
素とする物質からなる薄膜で構成したものである。この
物質は、モリブデンシリサイド、具体的には窒化された
モリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ系材料と略す）で
ある。
【０００６】これによれば、この薄膜中の各構成要素の
含有率（原子％）や比率を特定することで、耐酸性、導
電性、屈折率（膜厚）、透過率及びエッチング選択性な
どの膜特性に優れた光半透過部を有し、光学特性（光透
過率及び位相シフト量など）を高精度に満たすととも
に、欠陥の少ない位相シフトマスクが得られている。
含有率（原子％）や比率を特定することで、耐酸性、導
電性、屈折率（膜厚）、透過率及びエッチング選択性な
どの膜特性に優れた光半透過部を有し、光学特性（光透
過率及び位相シフト量など）を高精度に満たすととも
に、欠陥の少ない位相シフトマスクが得られている。
【０００７】さて、上述したハーフトーン型位相シフト
マスクは、従来、図８に示すようにして製造されてい
る。まず図８（ａ）に示すように、透明基板１１上に、
例えば窒化されたモリブデン及びシリコンからなる薄膜
１２を形成してマスクの素材であるブランク１３を得、
このブランク１３の前記薄膜１２上にレジスト膜１４を
形成する。次に、パターン露光および現像により図８
（ｂ）に示すようにレジストパターン１４ａを形成す
る。次いで、レジストパターン１４ａをマスクとして、
４弗化炭素と酸素の混合ガスによるドライエッチングに
よって、図８（ｃ）に示すように窒化されたモリブデン
及びシリコンからなる薄膜のパターン（光半透過部）１
２ａを形成する。その後、図８（ｄ）に示すようにレジ
ストパターン１４ａを剥離した後、硫酸洗浄および純水
等によるリンスを行い、ハーフトーン型位相シフトマス
クを完成させる。
マスクは、従来、図８に示すようにして製造されてい
る。まず図８（ａ）に示すように、透明基板１１上に、
例えば窒化されたモリブデン及びシリコンからなる薄膜
１２を形成してマスクの素材であるブランク１３を得、
このブランク１３の前記薄膜１２上にレジスト膜１４を
形成する。次に、パターン露光および現像により図８
（ｂ）に示すようにレジストパターン１４ａを形成す
る。次いで、レジストパターン１４ａをマスクとして、
４弗化炭素と酸素の混合ガスによるドライエッチングに
よって、図８（ｃ）に示すように窒化されたモリブデン
及びシリコンからなる薄膜のパターン（光半透過部）１
２ａを形成する。その後、図８（ｄ）に示すようにレジ
ストパターン１４ａを剥離した後、硫酸洗浄および純水
等によるリンスを行い、ハーフトーン型位相シフトマス
クを完成させる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような方
法では、ドライエッチングのエッチング速度が速くオー
バーエッチングによる基板１１のダメージが抑えられ、
また、光半透過部の位相差の変化が極力抑えられるので
位相差を正確にコントロールできるものの、サイドエッ
チングの量が大きいので、薄膜パターン（光半透過部）
１２ａの線幅のコントロールが非常に難しく、高精度に
パターンニングすることは困難であるという問題があっ
た。
法では、ドライエッチングのエッチング速度が速くオー
バーエッチングによる基板１１のダメージが抑えられ、
また、光半透過部の位相差の変化が極力抑えられるので
位相差を正確にコントロールできるものの、サイドエッ
チングの量が大きいので、薄膜パターン（光半透過部）
１２ａの線幅のコントロールが非常に難しく、高精度に
パターンニングすることは困難であるという問題があっ
た。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、金属およびシリコンを主たる構成要素と
する物質からなる薄膜のパターンを基板上に形成するフ
ォトマスクの製造方法において、少なくとも下記のＡ群
およびＢ群の各々の中から選ばれる１種以上のガスを主
たる構成要素とする混合ガスによるドライエッチングに
よって前記薄膜パターンを形成する。ここでＡ群とはＣ
Ｆ4 ，ＳＦ6 ，ＣＣｌ4 、Ｂ群とはＨ2，ＣＨＦ3 ，Ｃ
2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ8 ，ＣＨ2 Ｆ2 ，Ｎ2 を指
す。
決するために、金属およびシリコンを主たる構成要素と
する物質からなる薄膜のパターンを基板上に形成するフ
ォトマスクの製造方法において、少なくとも下記のＡ群
およびＢ群の各々の中から選ばれる１種以上のガスを主
たる構成要素とする混合ガスによるドライエッチングに
よって前記薄膜パターンを形成する。ここでＡ群とはＣ
Ｆ4 ，ＳＦ6 ，ＣＣｌ4 、Ｂ群とはＨ2，ＣＨＦ3 ，Ｃ
2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ8 ，ＣＨ2 Ｆ2 ，Ｎ2 を指
す。
【００１０】また、本発明は、金属およびシリコンを主
たる構成要素とする物質からなる薄膜のパターンを基板
上に形成するフォトマスクの製造方法において、Ｏ2 ，
ＣＦ4 およびＣＨＦ3 を混合してなる混合ガスによるド
ライエッチングによって前記薄膜のパターンを形成す
る。
たる構成要素とする物質からなる薄膜のパターンを基板
上に形成するフォトマスクの製造方法において、Ｏ2 ，
ＣＦ4 およびＣＨＦ3 を混合してなる混合ガスによるド
ライエッチングによって前記薄膜のパターンを形成す
る。
【００１１】さらに、本発明は、金属およびシリコンを
主たる構成要素とする物質からなる薄膜のパターンを基
板上に形成するフォトマスクの製造方法において、Ｃ2
Ｆ6、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 、ＣＨ2 Ｆ2 のいずれか１つ
とＯ2 およびＣＦ4 とを混合してなる混合ガスによるド
ライエッチングによって前記薄膜のパターンを形成す
る。
主たる構成要素とする物質からなる薄膜のパターンを基
板上に形成するフォトマスクの製造方法において、Ｃ2
Ｆ6、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 、ＣＨ2 Ｆ2 のいずれか１つ
とＯ2 およびＣＦ4 とを混合してなる混合ガスによるド
ライエッチングによって前記薄膜のパターンを形成す
る。
【００１２】尚、本発明でいう「フォトマスク」は、露
光光を実質的に遮断する遮光機能を有する遮光パターン
を基板上に形成した通常のフォトマスクと、露光光を実
質的に遮断する遮光機能と光の位相をシフトさせる位相
シフト機能を一体的又は別々に有する薄膜パターンを基
板上に形成した位相シフトマスクを含むものである。
光光を実質的に遮断する遮光機能を有する遮光パターン
を基板上に形成した通常のフォトマスクと、露光光を実
質的に遮断する遮光機能と光の位相をシフトさせる位相
シフト機能を一体的又は別々に有する薄膜パターンを基
板上に形成した位相シフトマスクを含むものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明に
よるフォトマスクの製造方法の実施の形態を詳細に説明
するが、その前に本発明の概要について述べる。
よるフォトマスクの製造方法の実施の形態を詳細に説明
するが、その前に本発明の概要について述べる。
【００１４】請求項１によれば少なくともエッチングレ
ートの速いＡ群（ＣＦ4 ，ＳＦ6 ，ＣＣｌ4 ）及び、堆
積性の強いＢ群（Ｈ2 ，ＣＨＦ3 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ
3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ8 ，ＣＨ2 Ｆ2 ，Ｎ2 ）の中から選ばれ
る１種以上のガスを混合してなる混合ガスによるドライ
エッチングによって薄膜のパターン（例えば、ハーフト
ーン型位相シフトマスクの光半透過部）を形成するので
パターニング中における光半透過部の位相差の変化がな
く、且つサイドエッチが抑えられるので、所望な位相差
を有し、かつ高精度にパターニングされた位相シフトマ
スクが得られる。堆積性の強いガスが、エッチングの
際、側壁にプラズマ重合膜を形成してサイドエッチを抑
える働きをするからと考える（以下、側壁保護効果と称
す）。具体的には、請求項２ないし４に示す構成にする
ことが望ましい。即ち、請求項２ないし４によれば、Ｏ
2 ，ＣＦ4 およびＣＨＦ3 を混合してなる混合ガスによ
るドライエッチングによって薄膜のパターン（例えば、
ハーフトーン型位相シフトマスクの光半透過部）を形成
する。その結果、パターニング中における光半透過部の
位相差の変化がなく、且つサイドエッチが抑えられるの
で、所望な位相差を有し、かつ高精度にパターニングさ
れた位相シフトマスクが得られる。すなわち、従来のＯ
2 ，ＣＦ4 を混合してなる混合ガスによるドライエッチ
ングとは異なり、その混合ガスにＣＨＦ3 を含有するこ
とにより、高精度にパターニングすることができる。そ
れは、ＣＨＦ3 が光半透過部の側壁のエッチングの進行
を抑える働き、即ち、側壁保護効果があり、これにより
過度なサイドエッチを阻止することができるものと考え
られる。
ートの速いＡ群（ＣＦ4 ，ＳＦ6 ，ＣＣｌ4 ）及び、堆
積性の強いＢ群（Ｈ2 ，ＣＨＦ3 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ
3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ8 ，ＣＨ2 Ｆ2 ，Ｎ2 ）の中から選ばれ
る１種以上のガスを混合してなる混合ガスによるドライ
エッチングによって薄膜のパターン（例えば、ハーフト
ーン型位相シフトマスクの光半透過部）を形成するので
パターニング中における光半透過部の位相差の変化がな
く、且つサイドエッチが抑えられるので、所望な位相差
を有し、かつ高精度にパターニングされた位相シフトマ
スクが得られる。堆積性の強いガスが、エッチングの
際、側壁にプラズマ重合膜を形成してサイドエッチを抑
える働きをするからと考える（以下、側壁保護効果と称
す）。具体的には、請求項２ないし４に示す構成にする
ことが望ましい。即ち、請求項２ないし４によれば、Ｏ
2 ，ＣＦ4 およびＣＨＦ3 を混合してなる混合ガスによ
るドライエッチングによって薄膜のパターン（例えば、
ハーフトーン型位相シフトマスクの光半透過部）を形成
する。その結果、パターニング中における光半透過部の
位相差の変化がなく、且つサイドエッチが抑えられるの
で、所望な位相差を有し、かつ高精度にパターニングさ
れた位相シフトマスクが得られる。すなわち、従来のＯ
2 ，ＣＦ4 を混合してなる混合ガスによるドライエッチ
ングとは異なり、その混合ガスにＣＨＦ3 を含有するこ
とにより、高精度にパターニングすることができる。そ
れは、ＣＨＦ3 が光半透過部の側壁のエッチングの進行
を抑える働き、即ち、側壁保護効果があり、これにより
過度なサイドエッチを阻止することができるものと考え
られる。
【００１５】尚、Ｏ2 ，ＣＦ4 ，ＣＨＦ3 からなる混合
ガスに含まれるＣＨＦ3 の割合をα（％）（＝ＣＨＦ3
／（ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ｏ2 ））とするとき、αを０＜
α≦１５とすることが好ましい。前記混合ガス中のＣＨ
Ｆ3 の割合αが０％のとき、側壁保護効果が少なく、サ
イドエッチの量が大きいので、垂直なパターンが得られ
ないばかりか、光半透過部の側壁のエッチングが進行し
てしまうので、線幅のコントロールが非常に難しく、高
精度にパターニングすることは困難である。また、ＣＨ
Ｆ3 の割合αが１５％より大きいとき、側壁保護効果に
よってサイドエッチの量は少ないもののエッチング速度
が低下し、エッチングの選択比が大きくとれないので、
パターニングする際に基板表面が長時間フッ素に曝され
ることになり、フッ素の化学反応により基板に余分なエ
ッチングがされるばかりでなく、光半透過部の位相差が
変化してしまい、正確な位相差のコントロールができな
いので好ましくない。前記混合ガス中に含まれるＣＨＦ
3 の割合α（％）は、より好ましくは３≦α≦１０であ
る。なお、ＣＨＦ3 に代えて、請求項５に示すように、
Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ8 ，ＣＨ2 Ｆ2 のいずれか
１つとＯ2 およびＣＦ4 の混合ガスによって上記と同様
の効果を得ることができる。又、ＣＦ4 とＨ2 の混合ガ
スによっても上記と同様の効果を得ることができる。
ガスに含まれるＣＨＦ3 の割合をα（％）（＝ＣＨＦ3
／（ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ｏ2 ））とするとき、αを０＜
α≦１５とすることが好ましい。前記混合ガス中のＣＨ
Ｆ3 の割合αが０％のとき、側壁保護効果が少なく、サ
イドエッチの量が大きいので、垂直なパターンが得られ
ないばかりか、光半透過部の側壁のエッチングが進行し
てしまうので、線幅のコントロールが非常に難しく、高
精度にパターニングすることは困難である。また、ＣＨ
Ｆ3 の割合αが１５％より大きいとき、側壁保護効果に
よってサイドエッチの量は少ないもののエッチング速度
が低下し、エッチングの選択比が大きくとれないので、
パターニングする際に基板表面が長時間フッ素に曝され
ることになり、フッ素の化学反応により基板に余分なエ
ッチングがされるばかりでなく、光半透過部の位相差が
変化してしまい、正確な位相差のコントロールができな
いので好ましくない。前記混合ガス中に含まれるＣＨＦ
3 の割合α（％）は、より好ましくは３≦α≦１０であ
る。なお、ＣＨＦ3 に代えて、請求項５に示すように、
Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ8 ，ＣＨ2 Ｆ2 のいずれか
１つとＯ2 およびＣＦ4 の混合ガスによって上記と同様
の効果を得ることができる。又、ＣＦ4 とＨ2 の混合ガ
スによっても上記と同様の効果を得ることができる。
【００１６】本発明では、請求項６に記載するように、
薄膜パターンは、実質的に露光に寄与する強度の光を透
過させる光透過部と、実質的に露光に寄与しない強度の
光を透過させ、光の位相をシフトさせる光半透過部とか
らなるいわゆるハーフトーン型位相シフトマスクとする
ことも可能である。このハーフトーン型位相シフトマス
クにおける光半透過部を、金属、シリコン、窒素を主た
る構成要素とする物質からなる薄膜で構成するが、光半
透過部を、金属、シリコン、酸素や、金属、シリコン、
酸素、窒素を主たる構成要素とする物質からなる薄膜で
構成してもよい。ここで、金属としては、モリブデン、
タンタル、タングステン、チタン、クロムなどが挙げら
れる。したがって、光半透過部を構成する物質として
は、具体的には、例えば、窒化されたモリブデン及びシ
リコン（ＭｏＳｉＮ系材料と略す）、酸化されたモリブ
デン及びシリコン（ＭｏＳｉＯ系材料と略す）、酸化窒
化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＯＮ系材料
と略す）、窒化されたタンタル及びシリコン（ＴａＳｉ
Ｎ系材料と略す）、酸化されたタンタル及びシリコン
（ＴａＳｉＯ系材料と略す）、酸化窒化されたタンタル
及びシリコン（ＴａＳｉＯＮ系材料と略す）、窒化され
たタングステン及びシリコン（ＷＳｉＮ系材料と略
す）、酸化されたタングステン及びシリコン（ＷＳｉＯ
系材料と略す）、酸化窒化されたタングステン及びシリ
コン（ＷＳｉＯＮ系材料と略す）、窒化されたチタン及
びシリコン（ＴｉＳｉＮ系材料と略す）、酸化されたチ
タン及びシリコン（ＴｉＳｉＯ系材料と略す）、酸化窒
化されたチタン及びシリコン（ＴｉＳｉＯＮ系材料と略
す）、窒化されたクロム及びシリコン（ＣｒＳｉＮ系材
料と略す）、酸化されたクロム及びシリコン（ＣｒＳｉ
Ｏ系材料と略す）、酸化窒化されたクロム及びシリコン
（ＣｒＳｉＯＮ系材料と略す）などが挙げられる。尚、
これらの物質は、光半透過部としての機能を損なわない
範囲で、これらの化合物あるいはこれらの物質との混合
物として、炭素、水素、フッ素、ヘリウムなどを微量又
は適量含んでもよい。
薄膜パターンは、実質的に露光に寄与する強度の光を透
過させる光透過部と、実質的に露光に寄与しない強度の
光を透過させ、光の位相をシフトさせる光半透過部とか
らなるいわゆるハーフトーン型位相シフトマスクとする
ことも可能である。このハーフトーン型位相シフトマス
クにおける光半透過部を、金属、シリコン、窒素を主た
る構成要素とする物質からなる薄膜で構成するが、光半
透過部を、金属、シリコン、酸素や、金属、シリコン、
酸素、窒素を主たる構成要素とする物質からなる薄膜で
構成してもよい。ここで、金属としては、モリブデン、
タンタル、タングステン、チタン、クロムなどが挙げら
れる。したがって、光半透過部を構成する物質として
は、具体的には、例えば、窒化されたモリブデン及びシ
リコン（ＭｏＳｉＮ系材料と略す）、酸化されたモリブ
デン及びシリコン（ＭｏＳｉＯ系材料と略す）、酸化窒
化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＯＮ系材料
と略す）、窒化されたタンタル及びシリコン（ＴａＳｉ
Ｎ系材料と略す）、酸化されたタンタル及びシリコン
（ＴａＳｉＯ系材料と略す）、酸化窒化されたタンタル
及びシリコン（ＴａＳｉＯＮ系材料と略す）、窒化され
たタングステン及びシリコン（ＷＳｉＮ系材料と略
す）、酸化されたタングステン及びシリコン（ＷＳｉＯ
系材料と略す）、酸化窒化されたタングステン及びシリ
コン（ＷＳｉＯＮ系材料と略す）、窒化されたチタン及
びシリコン（ＴｉＳｉＮ系材料と略す）、酸化されたチ
タン及びシリコン（ＴｉＳｉＯ系材料と略す）、酸化窒
化されたチタン及びシリコン（ＴｉＳｉＯＮ系材料と略
す）、窒化されたクロム及びシリコン（ＣｒＳｉＮ系材
料と略す）、酸化されたクロム及びシリコン（ＣｒＳｉ
Ｏ系材料と略す）、酸化窒化されたクロム及びシリコン
（ＣｒＳｉＯＮ系材料と略す）などが挙げられる。尚、
これらの物質は、光半透過部としての機能を損なわない
範囲で、これらの化合物あるいはこれらの物質との混合
物として、炭素、水素、フッ素、ヘリウムなどを微量又
は適量含んでもよい。
【００１７】また、本発明では、例えば、モリブデンシ
リサイドの窒化物、モリブデンシリサイドの酸化物、モ
リブデンシリサイドの酸化窒化物、タンタルシリサイド
の窒化物、タンタルシリサイドの酸化物、タンタルシリ
サイドの酸化窒化物、タングステンシリサイドの窒化
物、タングステンシリサイドの酸化物、タングステンシ
リサイドの酸化窒化物、チタンシリサイドの窒化物、チ
タンシリサイドの酸化物、チタンシリサイドの酸化窒化
物、或いは、これらの物質の一種以上と窒化ケイ素及び
金属窒化物との混合物、または、前記物質の一種以上と
窒化ケイ素又は金属窒化物との混合物などの物質も、光
半透過部を構成する物質として使用できる。
リサイドの窒化物、モリブデンシリサイドの酸化物、モ
リブデンシリサイドの酸化窒化物、タンタルシリサイド
の窒化物、タンタルシリサイドの酸化物、タンタルシリ
サイドの酸化窒化物、タングステンシリサイドの窒化
物、タングステンシリサイドの酸化物、タングステンシ
リサイドの酸化窒化物、チタンシリサイドの窒化物、チ
タンシリサイドの酸化物、チタンシリサイドの酸化窒化
物、或いは、これらの物質の一種以上と窒化ケイ素及び
金属窒化物との混合物、または、前記物質の一種以上と
窒化ケイ素又は金属窒化物との混合物などの物質も、光
半透過部を構成する物質として使用できる。
【００１８】さらに、本発明では、例えば、窒化モリブ
デンシリサイド（ＭｏＳｉＮ）、酸化モリブデンシリサ
イド（ＭｏＳｉＯ）、酸化窒化モリブデンシリサイド
（ＭｏＳｉＯＮ）、窒化タンタルシリサイド（ＴａＳｉ
Ｎ）、酸化タンタルシリサイド（ＴａＳｉＯ）、酸化窒
化タンタルシリサイド（ＴａＳｉＯＮ）、窒化タングス
テンシリサイド（ＷＳｉＮ）、酸化タングステンシリサ
イド（ＷＳｉＯ）、酸化窒化タングステンシリサイド
（ＷＳｉＯＮ）、窒化チタンシリサイド（ＴｉＳｉ
Ｎ）、酸化チタンシリサイド（ＴｉＳｉＯ）、酸化窒化
チタンシリサイド（ＴｉＳｉＯＮ）等の従来一般的に表
記されている物質をも光半透過部を構成する物質として
使用できる。
デンシリサイド（ＭｏＳｉＮ）、酸化モリブデンシリサ
イド（ＭｏＳｉＯ）、酸化窒化モリブデンシリサイド
（ＭｏＳｉＯＮ）、窒化タンタルシリサイド（ＴａＳｉ
Ｎ）、酸化タンタルシリサイド（ＴａＳｉＯ）、酸化窒
化タンタルシリサイド（ＴａＳｉＯＮ）、窒化タングス
テンシリサイド（ＷＳｉＮ）、酸化タングステンシリサ
イド（ＷＳｉＯ）、酸化窒化タングステンシリサイド
（ＷＳｉＯＮ）、窒化チタンシリサイド（ＴｉＳｉ
Ｎ）、酸化チタンシリサイド（ＴｉＳｉＯ）、酸化窒化
チタンシリサイド（ＴｉＳｉＯＮ）等の従来一般的に表
記されている物質をも光半透過部を構成する物質として
使用できる。
【００１９】しかし、光半透過部を構成する物質の結合
状態は複雑であり、一概には言えない。これは、例えば
モリブデン及びシリコンの窒化物では、ＳｉＮ、ＭｏＳ
ｉＮ、ＭｏＮなどが複雑に関係しており、単純な化学式
で表記するのは適当でないからである。また、成分の比
率についても深さ方向に成分比率が異なる等のため複雑
であり一概には言えない。
状態は複雑であり、一概には言えない。これは、例えば
モリブデン及びシリコンの窒化物では、ＳｉＮ、ＭｏＳ
ｉＮ、ＭｏＮなどが複雑に関係しており、単純な化学式
で表記するのは適当でないからである。また、成分の比
率についても深さ方向に成分比率が異なる等のため複雑
であり一概には言えない。
【００２０】尚、好ましくは、酸素を含まない薄膜で光
半透過部を構成することが好ましい。酸素を含まない薄
膜で光半透過部を構成することで、酸素を含む場合に比
べ、耐酸性が向上し、放電が安定化するからである。し
かし、光半透過部を金属、シリコン及び窒素を主たる構
成要素とする薄膜で構成しただけでは良好なハーフトー
ン型位相シフトマスクが得られない。耐酸性、導電性、
屈折率（膜厚）、透過率及びエッチング選択性などの優
れた光半透過部を有し、光学特性（光透過率及び位相シ
フト量など）を高精度に満たすとともに、欠陥も少ない
ハーフトーン型位相シフトマスクを得るためには、請求
項７〜１０に記載したようにすることが望ましい。以下
にその理由について説明する。
半透過部を構成することが好ましい。酸素を含まない薄
膜で光半透過部を構成することで、酸素を含む場合に比
べ、耐酸性が向上し、放電が安定化するからである。し
かし、光半透過部を金属、シリコン及び窒素を主たる構
成要素とする薄膜で構成しただけでは良好なハーフトー
ン型位相シフトマスクが得られない。耐酸性、導電性、
屈折率（膜厚）、透過率及びエッチング選択性などの優
れた光半透過部を有し、光学特性（光透過率及び位相シ
フト量など）を高精度に満たすとともに、欠陥も少ない
ハーフトーン型位相シフトマスクを得るためには、請求
項７〜１０に記載したようにすることが望ましい。以下
にその理由について説明する。
【００２１】光半透過部は、露光光を実質的に遮断する
遮光機能と、光の位相をシフトさせる位相シフト機能と
の二つの機能を兼ね備える。これらの機能の値は、マス
ク使用時の露光光源及びその波長に応じて異なるため、
使用する露光光源及びその波長に対応して、その値を設
計、選択する必要がある。露光光源及びその波長として
は、例えば、水銀ランプのｉ線（波長λ＝３６５ｎ
ｍ）、水銀ランプのｇ線（波長λ＝４３６ｎｍ）、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー（波長λ＝２４８ｎｍ）、ＡｒＦエ
キシマレーザー（波長λ＝１９３ｎｍ）などが挙げられ
る。
遮光機能と、光の位相をシフトさせる位相シフト機能と
の二つの機能を兼ね備える。これらの機能の値は、マス
ク使用時の露光光源及びその波長に応じて異なるため、
使用する露光光源及びその波長に対応して、その値を設
計、選択する必要がある。露光光源及びその波長として
は、例えば、水銀ランプのｉ線（波長λ＝３６５ｎ
ｍ）、水銀ランプのｇ線（波長λ＝４３６ｎｍ）、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー（波長λ＝２４８ｎｍ）、ＡｒＦエ
キシマレーザー（波長λ＝１９３ｎｍ）などが挙げられ
る。
【００２２】光半透過部の位相シフト量は、光半透過部
を構成する膜の組成（窒素含有量（原子％）、シリコン
含有量（原子％）、金属含有量（原子％））に応じて定
まる屈折率（減衰係数を含む）、及び膜厚を調整するこ
とで制御する。位相シフト量φ、露光光の波長をλ、光
半透過部の屈折率をｎとすると、光半透過部の膜厚ｄは
次の（１）式で決定できる。 ｄ＝（φ／３６０）×［λ／（ｎ−１）］ …（１） ここで、（１）式における位相シフト量φは１８０°で
あることが解像度向上の観点からも最も望ましいが、実
用的には１６０°〜２００°程度であってもよい。
を構成する膜の組成（窒素含有量（原子％）、シリコン
含有量（原子％）、金属含有量（原子％））に応じて定
まる屈折率（減衰係数を含む）、及び膜厚を調整するこ
とで制御する。位相シフト量φ、露光光の波長をλ、光
半透過部の屈折率をｎとすると、光半透過部の膜厚ｄは
次の（１）式で決定できる。 ｄ＝（φ／３６０）×［λ／（ｎ−１）］ …（１） ここで、（１）式における位相シフト量φは１８０°で
あることが解像度向上の観点からも最も望ましいが、実
用的には１６０°〜２００°程度であってもよい。
【００２３】光半透過部の露光光に対する光透過率（遮
光性能）は、半導体素子等のパターン形成の際に用いる
レジストの感度にもよるが、一般的には２〜２０％程度
が好ましい。この範囲内においては、光透過率は、透過
率が高い方が位相効果が高いので、高い方が好ましい。
ただし、ライン＆スペースの場合は透過率が低い方が好
ましく、また、ホール系のパターンの場合は透過率が高
い方が好ましい。また、光半透過部の光透過率は、光半
透過部を構成する膜中の窒素含有量（原子％）、シリコ
ン含有量（原子％）、金属含有量（原子％）を主として
調整することで制御できる。
光性能）は、半導体素子等のパターン形成の際に用いる
レジストの感度にもよるが、一般的には２〜２０％程度
が好ましい。この範囲内においては、光透過率は、透過
率が高い方が位相効果が高いので、高い方が好ましい。
ただし、ライン＆スペースの場合は透過率が低い方が好
ましく、また、ホール系のパターンの場合は透過率が高
い方が好ましい。また、光半透過部の光透過率は、光半
透過部を構成する膜中の窒素含有量（原子％）、シリコ
ン含有量（原子％）、金属含有量（原子％）を主として
調整することで制御できる。
【００２４】本発明に係るハーフトーン型シフトマスク
は、光半透過部を構成する窒素、金属及びシリコンを主
たる構成要素とする物質からなる薄膜中の各構成要素の
含有量（原子％）や比率を特定する。これは、単層の膜
で、光透過率及び位相シフト量φの双方について最適な
値を同時に満足されることが光半透過部に要求される絶
対的条件であるが、これだけでは十分とはいえず、製造
プロセス等を考慮に入れて光半透過部を構成する薄膜の
組成を決定する必要があるからである。
は、光半透過部を構成する窒素、金属及びシリコンを主
たる構成要素とする物質からなる薄膜中の各構成要素の
含有量（原子％）や比率を特定する。これは、単層の膜
で、光透過率及び位相シフト量φの双方について最適な
値を同時に満足されることが光半透過部に要求される絶
対的条件であるが、これだけでは十分とはいえず、製造
プロセス等を考慮に入れて光半透過部を構成する薄膜の
組成を決定する必要があるからである。
【００２５】具体的には、例えば、マスク製造工程にお
ける洗浄及びマスク使用時の洗浄等の前処理又は洗浄液
として使用される硫酸等の酸に強く、酸洗浄により設定
した透過率及び位相差にずれが生じないような膜組成と
する必要がある。また、成膜時の安定性や、マスク加工
時のチャージアップ防止のために、導電性に優れた膜組
成とする必要がある。詳しくは、位相シフトブランクの
成膜時においては、ターゲット表面上（特に非エロージ
ョン領域）に化合物（酸化物）が堆積し放電が不安定と
なることから、透過率及び膜厚の制御性が悪化し、ブラ
ンクに欠陥等が生じ易い。また、マスクブランクの導電
性が悪いと、マスク加工時のチャージアップにより、描
画不能又は描画精度が低下したり、マスクに欠陥等が生
じ易い。
ける洗浄及びマスク使用時の洗浄等の前処理又は洗浄液
として使用される硫酸等の酸に強く、酸洗浄により設定
した透過率及び位相差にずれが生じないような膜組成と
する必要がある。また、成膜時の安定性や、マスク加工
時のチャージアップ防止のために、導電性に優れた膜組
成とする必要がある。詳しくは、位相シフトブランクの
成膜時においては、ターゲット表面上（特に非エロージ
ョン領域）に化合物（酸化物）が堆積し放電が不安定と
なることから、透過率及び膜厚の制御性が悪化し、ブラ
ンクに欠陥等が生じ易い。また、マスクブランクの導電
性が悪いと、マスク加工時のチャージアップにより、描
画不能又は描画精度が低下したり、マスクに欠陥等が生
じ易い。
【００２６】さらに、屈折率が比較的高く、位相を反転
させるための膜厚を薄くできるような膜組成とする必要
がある。これは、膜厚を薄くすることで、生産性が向上
することはもちろん、マスクパターンの段差が小さくな
ることから機械的な摩擦等による洗浄（スクラブ洗浄
等）時のパターン破壊現象を防止できるからである。ま
た、石英基板等とのエッチング選択性がよくなるような
膜組成とする必要がある。これは、石英基板等のエッチ
ング量を最小限にとどめ、位相シフト量φの変動を回避
するためである。
させるための膜厚を薄くできるような膜組成とする必要
がある。これは、膜厚を薄くすることで、生産性が向上
することはもちろん、マスクパターンの段差が小さくな
ることから機械的な摩擦等による洗浄（スクラブ洗浄
等）時のパターン破壊現象を防止できるからである。ま
た、石英基板等とのエッチング選択性がよくなるような
膜組成とする必要がある。これは、石英基板等のエッチ
ング量を最小限にとどめ、位相シフト量φの変動を回避
するためである。
【００２７】このような、耐酸性、導電性、屈折率（膜
厚）、透過率及びエッチング選択性などの優れた光半透
過部を有し、光学特性（光透過率及び位相シフト量な
ど）を高精度に満たすとともに、欠陥も少ないハーフト
ーン型位相シフトマスクを得るために、請求項７に記載
するように、光半透過部のシリコンの含有量を３０〜６
０原子％にすることが望ましい。シリコンの含有量は、
主として透過率に影響を与える。シリコンの含有量が３
０原子％未満であると高透過率が得られにくくなり、６
０原子％を超えると、石英基板等とのエッチング選択性
が低下する。この観点からシリコンの含有量を４０〜５
０原子％とすることがより好ましい。
厚）、透過率及びエッチング選択性などの優れた光半透
過部を有し、光学特性（光透過率及び位相シフト量な
ど）を高精度に満たすとともに、欠陥も少ないハーフト
ーン型位相シフトマスクを得るために、請求項７に記載
するように、光半透過部のシリコンの含有量を３０〜６
０原子％にすることが望ましい。シリコンの含有量は、
主として透過率に影響を与える。シリコンの含有量が３
０原子％未満であると高透過率が得られにくくなり、６
０原子％を超えると、石英基板等とのエッチング選択性
が低下する。この観点からシリコンの含有量を４０〜５
０原子％とすることがより好ましい。
【００２８】また、請求項８に記載するように、光半透
過部の金属及びシリコンの原子％の比率は、金属：シリ
コン＝１：１．５〜６．０であることが望ましい。金属
及びシリコンの比率は、主として耐酸性、耐光性に影響
を与える。金属及びシリコンの比率が、１．５未満であ
ると耐酸性が悪くなり、６．０を超えると抵抗が高くな
る。抵抗は、成膜時のターゲット放電安定性や、マスク
加工時のチャージアップ防止性能に影響を与え、そのシ
ート抵抗値が１ｋΩ／□〜１．５ＭΩ／□程度であるこ
とが好ましい。特に、成膜時の放電安定性を得るために
は、１ＭΩ／□以下であることが好ましく、マスク加工
時のチャージアップを防止するためには、０．５ＭΩ／
□以下であることが好ましい。以上の観点から、金属及
びシリコンの比率は、金属：シリコン＝１：２．０〜
５．０とすることがより好ましい。
過部の金属及びシリコンの原子％の比率は、金属：シリ
コン＝１：１．５〜６．０であることが望ましい。金属
及びシリコンの比率は、主として耐酸性、耐光性に影響
を与える。金属及びシリコンの比率が、１．５未満であ
ると耐酸性が悪くなり、６．０を超えると抵抗が高くな
る。抵抗は、成膜時のターゲット放電安定性や、マスク
加工時のチャージアップ防止性能に影響を与え、そのシ
ート抵抗値が１ｋΩ／□〜１．５ＭΩ／□程度であるこ
とが好ましい。特に、成膜時の放電安定性を得るために
は、１ＭΩ／□以下であることが好ましく、マスク加工
時のチャージアップを防止するためには、０．５ＭΩ／
□以下であることが好ましい。以上の観点から、金属及
びシリコンの比率は、金属：シリコン＝１：２．０〜
５．０とすることがより好ましい。
【００２９】また、請求項９に記載するように、光半透
過部の窒素の含有量は３０〜６０原子％であることが好
ましい。窒素の含有量は、シリコンと同様に主として透
過率及びエッチング特性に影響を与える。窒素の含有量
が３０原子％未満であると、高透過率が得られにくくな
り、６０原子％を超えるとエッチング速度が極端に速く
なるのでＣＤ線幅コントロールが難しくなるので好まし
くない。
過部の窒素の含有量は３０〜６０原子％であることが好
ましい。窒素の含有量は、シリコンと同様に主として透
過率及びエッチング特性に影響を与える。窒素の含有量
が３０原子％未満であると、高透過率が得られにくくな
り、６０原子％を超えるとエッチング速度が極端に速く
なるのでＣＤ線幅コントロールが難しくなるので好まし
くない。
【００３０】尚、本発明に使用する基板は、使用する露
光波長に対して透明な基板であれば特に制限されない。
透明基板としては、例えば、石英基板、蛍石、その他各
種ガラス基板（例えば、ソーダライムガラス、アルミノ
シリケートガラス、アルミノポロシリケートガラス等）
などを用いることができる。但し、その場合、その材料
の屈折率やエッチング速度等に応じたプロセスが必要で
ある。
光波長に対して透明な基板であれば特に制限されない。
透明基板としては、例えば、石英基板、蛍石、その他各
種ガラス基板（例えば、ソーダライムガラス、アルミノ
シリケートガラス、アルミノポロシリケートガラス等）
などを用いることができる。但し、その場合、その材料
の屈折率やエッチング速度等に応じたプロセスが必要で
ある。
【００３１】以下、本発明の実施の形態について詳細に
説明する。第１の実施の形態 ブランクの製造 モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ：ケイ素）との混
合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝３０：７０ｍｏｌ％）を用
い、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2 ）との混合ガス雰囲
気（Ａｒ：１０％、Ｎ2 ：９０％、圧力：１．５×１０
-3ｔｏｒｒ）で、反応性ＤＣスパッタリングにより、大
きさ６インチ角、厚さ０．２５インチの石英基板上に、
窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄
膜を有する位相シフトマスクブランクを得た。このと
き、ＭｏＳｉＮの窒素の含有量は４７原子％、膜厚は９
２５オングストロームであり、屈折率は２．３４であっ
た。また、得られた位相シフトマスクブランクの光透過
率（波長２４８ｎｍにおける）は５％であり、位相シフ
ト量（位相角）φは１８１°であった。尚、光透過率及
び位相角はレーザテック（株）社製：ＭＰＭ−２４８を
用いて測定した。
説明する。第１の実施の形態 ブランクの製造 モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ：ケイ素）との混
合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝３０：７０ｍｏｌ％）を用
い、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2 ）との混合ガス雰囲
気（Ａｒ：１０％、Ｎ2 ：９０％、圧力：１．５×１０
-3ｔｏｒｒ）で、反応性ＤＣスパッタリングにより、大
きさ６インチ角、厚さ０．２５インチの石英基板上に、
窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄
膜を有する位相シフトマスクブランクを得た。このと
き、ＭｏＳｉＮの窒素の含有量は４７原子％、膜厚は９
２５オングストロームであり、屈折率は２．３４であっ
た。また、得られた位相シフトマスクブランクの光透過
率（波長２４８ｎｍにおける）は５％であり、位相シフ
ト量（位相角）φは１８１°であった。尚、光透過率及
び位相角はレーザテック（株）社製：ＭＰＭ−２４８を
用いて測定した。
【００３２】マスク加工 上記位相シフトマスクブランクの窒化されたモリブデン
及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）からなる薄膜上に、レジス
ト膜を形成し、パターン露光、現像によりレジストパタ
ーンを形成した。次いで、平板電極を用いた反応性イオ
ンエッチング装置を用いて、ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ｏ
2 （ＣＦ4 ／ＣＨＦ3 ／Ｏ2 ＝９０／５／５ｓｃｃｍ）
からなる混合ガスによるドライエッチングにより、窒化
されたモリブデン及びシリコンからなる薄膜の露出部分
を除去し、窒化されたモリブデン及びシリコンからなる
薄膜（ＭｏＳｉＮ）のコンタクトホールパターンを得
た。次に、レジスト剥離後、１００℃の９８％硫酸（Ｈ
2 ＳＯ4 ）に１５分間浸漬して硫酸洗浄し、純水等でリ
ンスして、ＫｒＦエキシマレーザ用の位相シフトマスク
を得た。尚、この時のＲＦパワーは１００Ｗ、圧力は
０．１５ｔｏｒｒであった。
及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）からなる薄膜上に、レジス
ト膜を形成し、パターン露光、現像によりレジストパタ
ーンを形成した。次いで、平板電極を用いた反応性イオ
ンエッチング装置を用いて、ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ｏ
2 （ＣＦ4 ／ＣＨＦ3 ／Ｏ2 ＝９０／５／５ｓｃｃｍ）
からなる混合ガスによるドライエッチングにより、窒化
されたモリブデン及びシリコンからなる薄膜の露出部分
を除去し、窒化されたモリブデン及びシリコンからなる
薄膜（ＭｏＳｉＮ）のコンタクトホールパターンを得
た。次に、レジスト剥離後、１００℃の９８％硫酸（Ｈ
2 ＳＯ4 ）に１５分間浸漬して硫酸洗浄し、純水等でリ
ンスして、ＫｒＦエキシマレーザ用の位相シフトマスク
を得た。尚、この時のＲＦパワーは１００Ｗ、圧力は
０．１５ｔｏｒｒであった。
【００３３】この得られた窒化されたモリブデン及びシ
リコンからなる薄膜（ＭｏＳｉＮ）、石英基板のエッチ
ング速度（ｎｍ／ｍｉｎ）を測定し、エッチング選択比
を計算したところ、それぞれのエッチング速度が５８．
０（ｎｍ／ｍｉｎ）、８．０（ｎｍ／ｍｉｎ）、エッチ
ング選択比が７．３であり、オーバーエッチ０％でのサ
イドエッチ量は０．００８μｍと低い値であった。
リコンからなる薄膜（ＭｏＳｉＮ）、石英基板のエッチ
ング速度（ｎｍ／ｍｉｎ）を測定し、エッチング選択比
を計算したところ、それぞれのエッチング速度が５８．
０（ｎｍ／ｍｉｎ）、８．０（ｎｍ／ｍｉｎ）、エッチ
ング選択比が７．３であり、オーバーエッチ０％でのサ
イドエッチ量は０．００８μｍと低い値であった。
【００３４】この得られた位相シフトマスクのＳＥＭ写
真を図２および図３に示す。本発明では、ドライエッチ
ングの雰囲気ガスとしてＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ｏ2 を使用
することにより、エッチング速度が速く、且つサイドエ
ッチが小さい条件でパターニングできるので、図２およ
び図３に示すように、石英基板、窒化されたモリブデン
及びシリコンからなる薄膜（ＭｏＳｉＮ）にダメージは
なく、パターン断面もほぼ垂直に立っており、良好なコ
ンタクトホールパターンの位相シフトマスクが得られ
た。
真を図２および図３に示す。本発明では、ドライエッチ
ングの雰囲気ガスとしてＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ｏ2 を使用
することにより、エッチング速度が速く、且つサイドエ
ッチが小さい条件でパターニングできるので、図２およ
び図３に示すように、石英基板、窒化されたモリブデン
及びシリコンからなる薄膜（ＭｏＳｉＮ）にダメージは
なく、パターン断面もほぼ垂直に立っており、良好なコ
ンタクトホールパターンの位相シフトマスクが得られ
た。
【００３５】第２の実施の形態及び比較例１〜２ 第１の実施の形態で得られた位相シフトマスクブランク
を用い、ＲＦパワー及び圧力は同じにして、ドライエッ
チングの雰囲気ガス（ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ｏ2）中のＣ
ＨＦ3 の流量比（ＣＨＦ3 ／（ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋
Ｏ2 ））（％）をそれぞれ１０％（第２の実施の形
態）、０％（比較例１）、２０％（比較例２）と変化さ
せ、窒化されたモリブデン及びシリコンからなる薄膜
（ＭｏＳｉＮ）をパターニングした。次に、第１の実施
の形態と同様に、レジスト剥離後、１００℃の９８％硫
酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）に１５分間浸漬して硫酸洗浄し、純水
等でリンスして、ＫｒＦエキシマレーザー用の位相シフ
トマスクを得た。この得られた窒化されたモリブデン及
びシリコンからなる薄膜（ＭｏＳｉＮ）、石英基板ＱＺ
のエッチング速度（ｎｍ／ｍｉｎ）を測定し、エッチン
グ選択比を計算した。また、オーバーエッチ０％でのサ
イドエッチ量も測定した。その結果を図４及び図５に示
す。さらに、第１および第２の実施の形態ならびに比較
例１で得られた位相シフトマスクのオーバーエッチを０
％、２０％、５０％と変化させたときのサイドエッチ量
を測定した結果を図１に示す。
を用い、ＲＦパワー及び圧力は同じにして、ドライエッ
チングの雰囲気ガス（ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ｏ2）中のＣ
ＨＦ3 の流量比（ＣＨＦ3 ／（ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋
Ｏ2 ））（％）をそれぞれ１０％（第２の実施の形
態）、０％（比較例１）、２０％（比較例２）と変化さ
せ、窒化されたモリブデン及びシリコンからなる薄膜
（ＭｏＳｉＮ）をパターニングした。次に、第１の実施
の形態と同様に、レジスト剥離後、１００℃の９８％硫
酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）に１５分間浸漬して硫酸洗浄し、純水
等でリンスして、ＫｒＦエキシマレーザー用の位相シフ
トマスクを得た。この得られた窒化されたモリブデン及
びシリコンからなる薄膜（ＭｏＳｉＮ）、石英基板ＱＺ
のエッチング速度（ｎｍ／ｍｉｎ）を測定し、エッチン
グ選択比を計算した。また、オーバーエッチ０％でのサ
イドエッチ量も測定した。その結果を図４及び図５に示
す。さらに、第１および第２の実施の形態ならびに比較
例１で得られた位相シフトマスクのオーバーエッチを０
％、２０％、５０％と変化させたときのサイドエッチ量
を測定した結果を図１に示す。
【００３６】上記の結果から明らかなように、混合ガス
中に含まれる３弗化メタン（ＣＨＦ3 ）の量が０％のと
き、図５の通りエッチング速度が大きいのでエッチング
選択比は大きく、基板にダメージなくパターニングする
ことは可能であるが、図１のように、サイドエッチの量
が大きいので、垂直のパターンが得られないばかりか、
光半透過部の側壁のエッチングが進行してしまうので、
線幅のコントロールが非常に難しく、高精度にパターニ
ングすることは困難である。また、３弗化メタンの量α
が１５％より大きいとき、図１から分るようにサイドエ
ッチの量が小さく、線幅のコントロールを高精度に調整
できるものの、図５の通りエッチング速度が低下し、エ
ッチングの選択比が大きくとれないので、パターニング
する際に基板表面が長時間フッ素に曝されることにな
り、フッ素の化学反応による余分なエッチングがされる
ばかりでなく、光半透過部の位相差が変化してしまい、
正確な位相差のコントロールができないので好ましくな
い。３弗化メタンの量αを０＜α≦１５（％）に設定す
れば、サイドエッチングとエッチング速度の両方を満足
できる。
中に含まれる３弗化メタン（ＣＨＦ3 ）の量が０％のと
き、図５の通りエッチング速度が大きいのでエッチング
選択比は大きく、基板にダメージなくパターニングする
ことは可能であるが、図１のように、サイドエッチの量
が大きいので、垂直のパターンが得られないばかりか、
光半透過部の側壁のエッチングが進行してしまうので、
線幅のコントロールが非常に難しく、高精度にパターニ
ングすることは困難である。また、３弗化メタンの量α
が１５％より大きいとき、図１から分るようにサイドエ
ッチの量が小さく、線幅のコントロールを高精度に調整
できるものの、図５の通りエッチング速度が低下し、エ
ッチングの選択比が大きくとれないので、パターニング
する際に基板表面が長時間フッ素に曝されることにな
り、フッ素の化学反応による余分なエッチングがされる
ばかりでなく、光半透過部の位相差が変化してしまい、
正確な位相差のコントロールができないので好ましくな
い。３弗化メタンの量αを０＜α≦１５（％）に設定す
れば、サイドエッチングとエッチング速度の両方を満足
できる。
【００３７】第３の実施の形態 第３の実施の形態は、３弗化メタンを含む混合ガスによ
るドライエッチングを補正用として用いた場合である。
まず図６（ａ）に示すように、主表面を鏡面研磨した石
英ガラスからなる透明基板２１上に、光半透過膜とし
て、窒化されたモリブテンおよびシリコンのＭｏＳｉＮ
膜２２をスパッタリング法により膜厚９５０ｎｍ成膜す
る。次に、その上に、ＭｏＳｉＮ膜２２のパターン形成
用としてポジ型電子線レジスト（ＺＥＰ８１０：日本ゼ
オン社製）２３をスピンコート法により５００ｎｍ塗布
して乾燥させることで形成する。次に、ポジ型電子線レ
ジスト２３に選択的に電子線描画を行い、現像して図６
（ｂ）に示すようにＭｏＳｉＮ膜２２のパターン形成用
レジストパターン２３ａを形成する。
るドライエッチングを補正用として用いた場合である。
まず図６（ａ）に示すように、主表面を鏡面研磨した石
英ガラスからなる透明基板２１上に、光半透過膜とし
て、窒化されたモリブテンおよびシリコンのＭｏＳｉＮ
膜２２をスパッタリング法により膜厚９５０ｎｍ成膜す
る。次に、その上に、ＭｏＳｉＮ膜２２のパターン形成
用としてポジ型電子線レジスト（ＺＥＰ８１０：日本ゼ
オン社製）２３をスピンコート法により５００ｎｍ塗布
して乾燥させることで形成する。次に、ポジ型電子線レ
ジスト２３に選択的に電子線描画を行い、現像して図６
（ｂ）に示すようにＭｏＳｉＮ膜２２のパターン形成用
レジストパターン２３ａを形成する。
【００３８】次に、平行平板電極型のドライエッチング
装置にてレジストパターン２３ａをマスクにしてＭｏＳ
ｉＮ膜２２を以下の条件（エッチング条件１）でエッチ
ングし、図６（ｃ）に示すようにＭｏＳｉＮ膜パターン
２２ａを形成する。 エッチング条件１ ガス ：ＣＦ4 ／Ｏ2 ＝９５／５ｓｃｃｍ ＲＦパワー：１００Ｗ 圧力 ：０．１５Ｔｏｒｒ 時間 ：６０ｓｅｃ
装置にてレジストパターン２３ａをマスクにしてＭｏＳ
ｉＮ膜２２を以下の条件（エッチング条件１）でエッチ
ングし、図６（ｃ）に示すようにＭｏＳｉＮ膜パターン
２２ａを形成する。 エッチング条件１ ガス ：ＣＦ4 ／Ｏ2 ＝９５／５ｓｃｃｍ ＲＦパワー：１００Ｗ 圧力 ：０．１５Ｔｏｒｒ 時間 ：６０ｓｅｃ
【００３９】次に、レジストパターン２３ａはそのまま
で透過型ＣＤ測定機にて仮にＣＤ（線幅）を測定する。
この場合、あらかじめレジスト付きの状態と、レジスト
を剥離した状態でのＣＤ変換差を調べておくことで、レ
ジストを剥離する前に剥離後のＣＤを推測できる。この
とき、設計値２．００μｍに対してレジスト剥離後のＣ
Ｄがちょうど２．００μｍになることが推測された。ま
た、主パターン外の一部分のレジストを剥離して位相差
を測定したところ１７６．０°であった。
で透過型ＣＤ測定機にて仮にＣＤ（線幅）を測定する。
この場合、あらかじめレジスト付きの状態と、レジスト
を剥離した状態でのＣＤ変換差を調べておくことで、レ
ジストを剥離する前に剥離後のＣＤを推測できる。この
とき、設計値２．００μｍに対してレジスト剥離後のＣ
Ｄがちょうど２．００μｍになることが推測された。ま
た、主パターン外の一部分のレジストを剥離して位相差
を測定したところ１７６．０°であった。
【００４０】ここで、高精度なマスクに仕上げるために
は、ＣＤはそのままで、位相差のみ設計値に近づけるこ
とが必要である。そこで、以下の通り圧力一定で、ＣＨ
Ｆ3ガスを添加した条件（エッチング条件２）にて追加
でエッチングを行う。 エッチング条件２ ガス ：ＣＦ4 ／ＣＨＦ3 ／Ｏ2 ＝８５／１０／５
ｓｃｃｍ ＲＦパワー：１００Ｗ 圧力 ：０．１５Ｔｏｒｒ 時間 ：５０ｓｅｃ ここで、図１から上記の条件においてサイドエッチング
速度は０．０００４μｍ／ｓｅｃであることが、また石
英ガラスのエッチング速度は１．１Å／ｓｅｃであるこ
とが分っているため、上記条件でエッチングを追加する
ことで、レジスト剥離後のＣＤ値は０．０２μｍ進んで
２．０２μｍ、位相差は４．０°進んで（ここで波長２
４８ｎｍでの石英ガラスの屈折率を１．５０８とする
と、１°あたり１３．５Åとなる）１８０．０°とな
り、ＣＤはサイドエッチが殆どないため殆ど一定のまま
で、位相差を設計値に近づけることができた。
は、ＣＤはそのままで、位相差のみ設計値に近づけるこ
とが必要である。そこで、以下の通り圧力一定で、ＣＨ
Ｆ3ガスを添加した条件（エッチング条件２）にて追加
でエッチングを行う。 エッチング条件２ ガス ：ＣＦ4 ／ＣＨＦ3 ／Ｏ2 ＝８５／１０／５
ｓｃｃｍ ＲＦパワー：１００Ｗ 圧力 ：０．１５Ｔｏｒｒ 時間 ：５０ｓｅｃ ここで、図１から上記の条件においてサイドエッチング
速度は０．０００４μｍ／ｓｅｃであることが、また石
英ガラスのエッチング速度は１．１Å／ｓｅｃであるこ
とが分っているため、上記条件でエッチングを追加する
ことで、レジスト剥離後のＣＤ値は０．０２μｍ進んで
２．０２μｍ、位相差は４．０°進んで（ここで波長２
４８ｎｍでの石英ガラスの屈折率を１．５０８とする
と、１°あたり１３．５Åとなる）１８０．０°とな
り、ＣＤはサイドエッチが殆どないため殆ど一定のまま
で、位相差を設計値に近づけることができた。
【００４１】以上、複数の実施の形態を挙げて本発明を
説明したが、本発明は必ずしも上記実施の形態に限定さ
れるものではない。例えば、ＤＣスパッタリングの代わ
りに、ＲＦスパッタリングによって光半透過部用の薄膜
を形成してもよい。尚、ＤＣスパッタリングの方が効果
は大である。また、反応性スパッタの代わりに、金属、
シリコン及び窒素を含むターゲットを用いたスパッタリ
ングによって光半透過部用の薄膜を形成してもよい。
尚、反応性スパッタリングの方が比較的放電が安定であ
るためパーティクルが少ないのでよい。
説明したが、本発明は必ずしも上記実施の形態に限定さ
れるものではない。例えば、ＤＣスパッタリングの代わ
りに、ＲＦスパッタリングによって光半透過部用の薄膜
を形成してもよい。尚、ＤＣスパッタリングの方が効果
は大である。また、反応性スパッタの代わりに、金属、
シリコン及び窒素を含むターゲットを用いたスパッタリ
ングによって光半透過部用の薄膜を形成してもよい。
尚、反応性スパッタリングの方が比較的放電が安定であ
るためパーティクルが少ないのでよい。
【００４２】また、本発明の概要のところでも説明した
ように、光半透過部の薄膜は、金属、シリコン、窒素の
ほか、金属、シリコン、酸素や、金属、シリコン、酸
素、窒素を主たる構成要素とする物質から構成すること
ができる。さらに、エッチングガスとしてＯ2 、ＣＦ4
にＣＨＦ3 を添加したが、これに限らず、ＣＨＦ3 に代
わってＣ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 、ＣＨ2 Ｆ2 のい
ずれか１つを添加してもよい。さらに、以上は本発明を
ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法に適用した
場合であるが、本発明はＭｏＳｉの薄膜パターンを基板
上に遮光部として形成する通常のフォトマスクの製造方
法に適用して同様の効果を得ることができる。
ように、光半透過部の薄膜は、金属、シリコン、窒素の
ほか、金属、シリコン、酸素や、金属、シリコン、酸
素、窒素を主たる構成要素とする物質から構成すること
ができる。さらに、エッチングガスとしてＯ2 、ＣＦ4
にＣＨＦ3 を添加したが、これに限らず、ＣＨＦ3 に代
わってＣ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 、ＣＨ2 Ｆ2 のい
ずれか１つを添加してもよい。さらに、以上は本発明を
ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法に適用した
場合であるが、本発明はＭｏＳｉの薄膜パターンを基板
上に遮光部として形成する通常のフォトマスクの製造方
法に適用して同様の効果を得ることができる。
【００４３】
【発明の効果】このように本発明のフォトマスクの製造
方法によれば、Ｏ2 およびＣＦ4 にＣＨＦ3 、あるいは
Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 、ＣＨ2 Ｆ2 のいずれか
１つを添加した混合ガスによるドライエッチングによ
り、光半透過部あるいは遮光部としての薄膜パターンを
形成するようにしたので、速いエッチング速度を維持で
き、かつサイドエッチングが少ない高精度のパターニン
グが可能となり、信頼性の高い良好なフォトマスクを製
造できる。
方法によれば、Ｏ2 およびＣＦ4 にＣＨＦ3 、あるいは
Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 、ＣＨ2 Ｆ2 のいずれか
１つを添加した混合ガスによるドライエッチングによ
り、光半透過部あるいは遮光部としての薄膜パターンを
形成するようにしたので、速いエッチング速度を維持で
き、かつサイドエッチングが少ない高精度のパターニン
グが可能となり、信頼性の高い良好なフォトマスクを製
造できる。
【図１】本発明の実施の形態および比較例におけるサイ
ドエッチングを示す特性図。
ドエッチングを示す特性図。
【図２】本発明の第１の実施の形態で得られた位相シフ
トマスクの状態を示す図。
トマスクの状態を示す図。
【図３】本発明の第１の実施の形態で得られた位相シフ
トマスクの状態を示す図。
トマスクの状態を示す図。
【図４】本発明の実施の形態および比較例での諸特性を
示す図。
示す図。
【図５】本発明の実施の形態および比較例におけるＭｏ
ＳｉＮとＱＺのエッチング速度を示す特性図。
ＳｉＮとＱＺのエッチング速度を示す特性図。
【図６】本発明の第３の実施の形態を工程順に示す断面
図。
図。
【図７】ハーフトーン型位相シフトマスクの構造および
特性を示す図。
特性を示す図。
【図８】ハーフトーン型位相シフトマスクの従来の製造
方法を示す断面図。
方法を示す断面図。
２１ 透明基板 ２２ ＭｏＳｉＮ膜 ２２ａ ＭｏＳｉＮ膜パターン ２３ａ レジスト膜パターン
Claims (10)
- 【請求項１】 金属およびシリコンを主たる構成要素と
する物質からなる薄膜のパターンを基板上に形成するフ
ォトマスクの製造方法において、 少なくとも下記のＡ群およびＢ群の各々の中から選ばれ
る１種以上のガスを主たる構成要素とする混合ガスによ
るドライエッチングによって前記薄膜パターンを形成す
ることを特徴とするフォトマスクの製造方法。 Ａ群…ＣＦ4 ，ＳＦ6 ，ＣＣｌ4 Ｂ群…Ｈ2 ，ＣＨＦ3 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，Ｃ
4 Ｆ8 ，ＣＨ2 Ｆ2 - 【請求項２】 金属およびシリコンを主たる構成要素と
する物質からなる薄膜のパターンを基板上に形成するフ
ォトマスクの製造方法において、 Ｏ2 ，ＣＦ4 及びＣＨＦ3 を混合してなる混合ガスによ
るドライエッチングによって前記薄膜パターンを形成す
ることを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のフォトマスクの製造方法
において、前記混合ガスに含まれるＣＨＦ3 の割合αが
０＜α≦１５（％）であることを特徴とするフォトマス
クの製造方法。 - 【請求項４】 請求項２記載のフォトマスクの製造方法
において、前記混合ガスに含まれるＣＨＦ3 の割合αが
３≦α≦１０（％）であることを特徴とするフォトマス
クの製造方法。 - 【請求項５】 金属およびシリコンを主たる構成要素と
する物質からなる薄膜のパターンを基板上に形成するフ
ォトマスクの製造方法において、 Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 、ＣＨ2 Ｆ2 のいずれか
１つとＯ2 及びＣＦ4とを混合してなる混合ガスによる
ドライエッチングによって前記薄膜パターンを形成する
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載のフ
ォトマスクの製造方法において、前記薄膜パターンは実
質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部
と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させ、光
の位相をシフトさせる光半透過部とからなることを特徴
とするフォトマスクの製造方法。 - 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載のフ
ォトマスクの製造方法において、前記薄膜のシリコンの
含有量は３０〜６０原子％であることを特徴とするフォ
トマスクの製造方法。 - 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれかに記載のフ
ォトマスクの製造方法において、前記薄膜の金属および
シリコンの原子％の比率は、金属：シリコン＝１：１．
５〜６．０であることを特徴とするフォトマスクの製造
方法。 - 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれかに記載のフ
ォトマスクの製造方法において、前記薄膜は金属および
シリコンに加えて窒素を含み、窒素の含有量は３０〜６
０原子％であることを特徴とするフォトマスクの製造方
法。 - 【請求項１０】 請求項１ないし９のいずれかに記載の
フォトマスクの製造方法において、前記薄膜の金属はモ
リブデンであることを特徴とするフォトマスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24489896A JPH1048808A (ja) | 1996-05-30 | 1996-09-17 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-136094 | 1996-05-30 | ||
| JP1996136094 | 1996-05-30 | ||
| JP24489896A JPH1048808A (ja) | 1996-05-30 | 1996-09-17 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1048808A true JPH1048808A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=26469772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24489896A Pending JPH1048808A (ja) | 1996-05-30 | 1996-09-17 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1048808A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10126575C1 (de) * | 2001-05-31 | 2002-10-10 | Infineon Technologies Ag | Plasmaätzprozess für MoSiN-Schichten auf Halbton-Phasenmasken auf der Basis von Monofluormethan und Sauerstoff enthaltenden Gasgemischen |
| JP2006078953A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Ulvac Seimaku Kk | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造法 |
| JP2006267091A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-10-05 | Hoya Corp | 較正用標準試料及びその製造方法、分光光度計の較正方法、並びにマスクブランク及びその製造方法。 |
| KR101295557B1 (ko) * | 2005-02-23 | 2013-08-16 | 호야 가부시키가이샤 | 교정용 표준시료 및 그 제조방법, 분광 광도계의 교정방법,및 마스크 블랭크 및 그 제조방법 |
| JP5313401B2 (ja) * | 2010-04-09 | 2013-10-09 | Ｈｏｙａ株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスク |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS623257A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Toshiba Corp | マスクパタ−ンの形成方法およびこれに使用するマスク基板 |
| JPH01166044A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクの製造方法 |
| JPH05291211A (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置のコンタクトホールエッチング方法 |
| JPH05313346A (ja) * | 1992-05-12 | 1993-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスクの製造方法 |
| JPH06188224A (ja) * | 1992-12-16 | 1994-07-08 | Nippon Motorola Ltd | エッチングガス |
| JPH07152140A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
| JPH07211694A (ja) * | 1994-01-13 | 1995-08-11 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
| JPH0815851A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-19 | Sony Corp | ハーフトーン方式位相シフトマスク及びレジスト露光方法 |
| JPH0876353A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-22 | Nec Corp | 位相シフトマスクの製造方法 |
-
1996
- 1996-09-17 JP JP24489896A patent/JPH1048808A/ja active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS623257A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Toshiba Corp | マスクパタ−ンの形成方法およびこれに使用するマスク基板 |
| JPH01166044A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクの製造方法 |
| JPH05291211A (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置のコンタクトホールエッチング方法 |
| JPH05313346A (ja) * | 1992-05-12 | 1993-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスクの製造方法 |
| JPH06188224A (ja) * | 1992-12-16 | 1994-07-08 | Nippon Motorola Ltd | エッチングガス |
| JPH07152140A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
| JPH07211694A (ja) * | 1994-01-13 | 1995-08-11 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
| JPH0815851A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-19 | Sony Corp | ハーフトーン方式位相シフトマスク及びレジスト露光方法 |
| JPH0876353A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-22 | Nec Corp | 位相シフトマスクの製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10126575C1 (de) * | 2001-05-31 | 2002-10-10 | Infineon Technologies Ag | Plasmaätzprozess für MoSiN-Schichten auf Halbton-Phasenmasken auf der Basis von Monofluormethan und Sauerstoff enthaltenden Gasgemischen |
| JP2006078953A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Ulvac Seimaku Kk | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造法 |
| JP2006267091A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-10-05 | Hoya Corp | 較正用標準試料及びその製造方法、分光光度計の較正方法、並びにマスクブランク及びその製造方法。 |
| KR101295557B1 (ko) * | 2005-02-23 | 2013-08-16 | 호야 가부시키가이샤 | 교정용 표준시료 및 그 제조방법, 분광 광도계의 교정방법,및 마스크 블랭크 및 그 제조방법 |
| JP5313401B2 (ja) * | 2010-04-09 | 2013-10-09 | Ｈｏｙａ株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスク |
| JP2013254206A (ja) * | 2010-04-09 | 2013-12-19 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスク |
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