KR970076063A

KR970076063A - 위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크용 블랭크 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법

Info

Publication number: KR970076063A
Application number: KR1019970000586A
Authority: KR
Inventors: 슈지 나까오; 고우이찌로 쯔지따; 다쯔노리 가네오까
Original assignee: 기따오까 다까시; 미쯔비시 덴끼 가부시끼가이샤
Priority date: 1996-05-15
Filing date: 1997-01-11
Publication date: 1997-12-10
Also published as: US5902702A; EP0807851B1; DE69606979D1; DE69622438T2; EP0807851A1; DE69606979T2; TW337556B; KR100230714B1; DE69622438D1; EP0922997A1; EP0922997B1; JPH09304912A

Abstract

투명 기판(1)상에 제1광투과 영역(Ta)을 덮는 한편, 제2광투과 영역(Tn)을 노출하도록 실리콘 산화막(3)과 실리콘 질화막(5)이 적층되어 형성되어 있다. 제1 및 제2광투과 영역(Ta, Tn)에 끼워지는 차광 영역(S)에는 투명 기판(1)위를 덮도록 차광막(7)이 형성되어 있다.

이에 따라 차광막을 사이에 두고 이웃하는 광투과 영역의 투과광의 위상차가 실질상 180°이며, 동시에 각 투과광의 강도가 동일한 위상 시프트 마스크, 위상 마스크용 블랭크 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법을 얻을 수 있다.

Description

위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크용 블랭크 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명의 제1실시 형태에 있어서의 위상 시프트 마스크의 구성을 개략적으로 도시한 단면도.

Claims

노광 광을 투과하는 제1광투과 영역(Ta)과, 상기 제1광투과 영역과 차광 영역(S)을 사이에 두고 인접하는 한편, 제1광투과 영역을 투과하는 노광 광의 위상과 상이한 위상으로 노광 광을 투과하는 제2광투과 영역(T_n)을 갖는 위상 시프트 마스크에 있어서, 주표면을 갖는 투명 기판(1)과, 상기 제1광투과 영역에서 상기 투명 기판의 주표면 위를 덮는 한편, 제2광투과 영역에서 상기 투명 기판의 주표면을 노출하도록 형성된 실리콘 질화막(3)과, 상기 제1광투과 영역에서 상기 투명 기판의 주표면 위를 덮도록 상기 실리콘 질화막과 적층되는 한편, 상기 제2광투과 영역에서 상기 투명 기판의 주표면을 노출하도록 형성된 실리콘 산화막(5)과, 상기 차광 영역에서 상기 투명 기판의 주표면 위를 덮는 차광막(7)을 구비한 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크.
노광 광을 투과하는 제1광투과 영역(Ta)과, 상기 제1광투과 영역과 차광 영역(S)을 사이에 두고 인접하는 한편, 제1광투광 영역을 투과하는 노광 광의 위상과 상이한 위상으로 노광 광을 투과하는 제2광투과 영역(Tn)을 갖는 위상 시프트 마스크에 있어서, 주표면을 갖는 투명 기판(1)과, 상기 제1광투과 영역에서 상기 투명 기판의 주표면 위를 덮는 한편, 상기 광투과 영역에서 상기 투명 기판의 주표면을 노출하도록 형성된 실리콘 질화막(3)과, 상기 제1광투과 영역에서 상기 투명 기판의 주표면 위를 덮도록 상기 실리콘 질화막 위에 형성되는 한편, 상기 제2광투과 영역에서 상기 투명 기판의 주표면 위를 덮는 실리콘 산화막(5)과, 상기 차광 영역에서 상기 투명 기판의 주표면 위를 덮는 차광막(7)을 구비한 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크.
노광 광을 투과하는 제1광투과 영역(Ta)과, 상기 제1광투과 영역과 차광 영역(S)을 사이에 두고 인접하는 한편, 제1광투광 영역을 투과하는 노광 광의 위상과 상이한 위상으로 노광 광을 투과하는 제2광투과 영역(T_n)을 갖는 위상 시프트 마스크용 블랭크에 있어서, 주표면을 갖는 투명 기판(1)과, 상기 투명 기판의 주표면에 직접 접하여 형성된 실리콘 질화막(3)과, 상기 실리콘 질화막에 직접 접하여 형성된 실리콘 산화막(5)과, 상기 실리콘 산화막에 직접 접하여 형성된 차광막(7a, 7b, 7c)을 구비하고, 상기 실리콘 질화막의 막두께와 굴절률을 tn과 nN으로 하고, 상기 실리콘 산화막의 막두께와 굴절률을 t_o와 n_o로 하고, 노광 광의 파장을 λ로 했을 때,

(t_N×n_N+t_o×n_o)-(t_N+t_o)=λ/2×m (2)

(m은 임의의 양의 홀수)의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크용 블랭크.
노광 광을 투과하는 제1광투과 영역(Ta)과, 상기 제1광투과 영역과 차광 영역(S)을 사이에 두고 인접하는 한편, 제1광투광 영역을 투과하는 노광 광의 위상과 상이한 위상으로 노광 광을 투과하는 제2광투과 영역(T_n)을 갖는 위상 시프트 마스크의 제조 방법에 있어서, 투명 기판(1)의 주표면 위에 실리콘 질화막(3)과 실리콘 산화막(5)을 순차 형성하는 공정과, 상기 차광 영역 내의 상기 실리콘 산화막을 덮는 한편, 상기 제1 및 제2광투과 영역의 상기 실리콘 산화막을 노출하도록 차광막(7)을 형성하는 공정과, 상기 제2광투과 영역의 상기 실리콘 산화막의 표면을 노출시킨 상태에서 상기 실리콘 질화막의 표면이 노출한 때까지 상기 실리콘 산화막의 표면에 등방성 에칭을 실시하는 공정과, 노출된 상기 실리콘 질화막의 표면에 이방성 에칭을 실시하여 상기 실리콘 질화막에 바닥 벽면이 상기 실리콘 질화막으로 이루어지는 홈(3a)을 형성하는 공정와, 상기 홈의 바닥 벽면에서 상기 투명 기판의 표면이 노출할 때까지 상기 홈의 내벽면에 가열한 인산 용액으로 등방성 에칭을 실시하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크의 제조 방법.
노광 광을 투과하는 제1광투과 영역(Ta)과, 상기 제1광투과 영역과 차광 영역(S)을 사이에 두고 인접하는 한편, 제1광투광 영역을 투과하는 노광 광의 위상과 상이한 위상으로 노광 광을 투과하는 제2광투과 영역(T_n)을 갖는 위상 시프트 마스크의 제조 방법에 있어서, 투명 기판(1)의 주표면 위에 실리콘 질화막(3)을 형성하는 공정과, 상기 제2광투과 영역의 상기 실리콘 질화막의 표면이 노출시킨 상태에서 상기 투명 기판의 표면이 노출할 때까지 상기 실리콘 질화막의 표면에 가열한 인산 용액으로 이방성 에칭을 실시하는 공정과, 상기 제1광투과 영역에서 상기 실리콘 절화막 위를 덮도록, 또한 상기 제1 및 제2광투과 영역에서 상기 투명 기판의 노출된 주표면 위를 덮도록 실리콘 산화막(5)을 형성하는 공정과, 상기 차광 영역에서 상기 실리콘 산화막 위를 덮는 한편, 상기 제1 및 제2광투과 영역에서 상기 실리콘 산화막을 노출시키도록 차광막(7)을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크의 제조 방법.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.