KR970011999A - 위상반전 마스크(phase shift mask) 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR970011999A
KR970011999A KR1019950025450A KR19950025450A KR970011999A KR 970011999 A KR970011999 A KR 970011999A KR 1019950025450 A KR1019950025450 A KR 1019950025450A KR 19950025450 A KR19950025450 A KR 19950025450A KR 970011999 A KR970011999 A KR 970011999A
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한천석
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Abstract

본 발명은 위상반전 마스크의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 굴절율의 차이와 광투과도의 차이에 의한 광 인덴시티 차이를 개선하기 위한 위상반전 마스크 구성방법 및 공정에 관한 것이다.
본 발명의 위상반전 마스크는 기판; 기판 배면상에 일정간격을 두고 형성된 복수개의 제 1차광막 쌍들; 각 차광막쌍에 형성된 복수개의 위상반전층; 그리고, 차광막쌍들 사이에 노출된 기판표면의 부분들에 형성된 복수개의 제 2차광막들을 구비됨을 특징으로 하는 위상반전 마스크이고; 본 발명의 위상반전 마스크 제조방법은 기판을 마련하는 스텝; 상기 기판의 배면상에 복수개의 제 1차광막쌍을 일정간격을 두고 형성하는 스텝; 복수개의 제 1차광막 쌍들상에 복수개의 위상반전층을 형성하는 스텝; 그리고 복수개의 제 1차광막쌍들 사이에 복수개의 제 2차광막을 형성하는 스텝을 구비함을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법이다.

Description

위상반전 마스크(phase shift mask)및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3도는 본 발명의 기술 구성도들.
제 4도는 본 발명이 제일실시예.

Claims (8)

  1. 기판; 기판배면상에 일정간격을 두고 형성된 복수개의 제1차광막 쌍들; 각 차광막쌍에 형성된 복수개의 위상반전층; 그리고, 차광막쌍들 사이에 노출된 기판 표면의 부분들에 형성된 복수개의 제 2차 광막들을 구비됨을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  2. 제 1항에 있어서, λ: 빛의 파장, n : 위상반전층의 조절율, n': 위상반전층의 조절율 일때 제 2차 광막의 두께 d는 d=λ/2n(n'+1)의 식에 의해 구해지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 기판은 투광성 절연기판임을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  4. 제 3항에 있어서, 투명성 절연기판은 석영, 석영유리중의 하나임을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  5. 제 1항에 있어서, 제 2차 광막은 크롬, 산화크롬, 아연인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  6. 기판을 마련하는 스텝; 상기 기판의 배면상에 복수개의 제 1차광막 쌍을 일정간격을 두고 형성하는 스텝; 복수개의 제 1차광막 쌍들상에 복수개의 위상반전층을 형성하는 스텝; 그리고, 복수개의 제 1차광막쌍들 사이에 복수개의 제 2차광막을 형성하는 스텝을 구비함을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서, 제 2차광막의 두께는 λ: 빛의 파장, n : 위상반전층의 조절율, n': 위상반전층의 조절율, n': 제2차광막의 굴절율, d는 d=λ/2n(n'+1)의 식에 의해 구해지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
  8. 제 6항에 있어서, 제 2차 광막의 물질은 크롬, 산화크롬, 아연인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
    ※ 참고 사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019950025450A 1995-08-18 1995-08-18 위상반전마스크의 제조방법 KR100215902B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100272656B1 (ko) * 1997-06-25 2000-12-01 김영환 반도체 소자의 레티클 구조

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