KR950033658A - 위상반전마스크의 제조방법 - Google Patents

위상반전마스크의 제조방법 Download PDF

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KR950033658A
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한우석
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 위상반전마스크의 제조방법에 관한 것으로, 간단한 공정에 의해 신뢰성이 우수하고 성능이 향상된 위상반전마스크를 제조하기 위한 것이다.
본 발명은 투명기판상에 금속막을 형성하는 단계와, 상기 금속막을 하프톤층 패턴으로 패터닝하는 단계, 및 상기 금속막에 산소이온을 주입하고 열처리하여 금속산화막으로 이루어진 하프톤층 및 위상반전층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로하는 위상반전마스크의 제조방법을 제공한다.

Description

위상반전마스크의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 하프톤 위상반전마스크의 제조방법을 도시한 공정순서도, 제2도는 본 발명의 하프톤 위상반전마스크의 제조방법을 도시한 공정순서도.

Claims (3)

  1. 투명기판상에 금속막을 형성하는 단계와, 상기 금속막을 하프톤층 패턴으로 패터닝하는 단계, 상기 금속막에 산소이온을 주입하고 열처리하여 금속산화막으로 이루어진 하프톤층 및 위상반전층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속막은 아연으로 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 금속막은 λ/2(n-1)(λ:광파장, n:금속산화막의 투과도 굴절률)을 만족하는 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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