KR960042208A - 위상반전 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

위상반전 마스크 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960042208A
KR960042208A KR1019950012565A KR19950012565A KR960042208A KR 960042208 A KR960042208 A KR 960042208A KR 1019950012565 A KR1019950012565 A KR 1019950012565A KR 19950012565 A KR19950012565 A KR 19950012565A KR 960042208 A KR960042208 A KR 960042208A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
layer
phase
transmitting
phase shift
Prior art date
Application number
KR1019950012565A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0157883B1 (ko
Inventor
이준석
Original Assignee
문정환
Lg 반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, Lg 반도체 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019950012565A priority Critical patent/KR0157883B1/ko
Priority to US08/647,739 priority patent/US5786111A/en
Priority to JP12115596A priority patent/JP2775251B2/ja
Publication of KR960042208A publication Critical patent/KR960042208A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0157883B1 publication Critical patent/KR0157883B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/30Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/34Phase-edge PSM, e.g. chromeless PSM; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 위상반전 마스크의 기판상에 동일한 물질의 위상천이부와 투광부를 일체로 형성하여 그 위상천이부와 투광부의 투과율의 차를 줄일 수 있고, 그 기판의 표면을 노출시키지 않으면서 그 차광층을 식각하여 그 위상천이부와 투광부상에차광층의 패턴을 형성함으로써 그 기판의 표면손상을 방지할 수 있으며, 위상천이 층을 형성한 후 그 위상천이층상에 차광층을 형성하여 위상천이층의 변형을 방지할 수 있는 한편, 위상천이층을 열산화법으로 형성하여 기판의 표면을 보다 평탄하게 형성할 수 있고 원하는 미세한 선폭의 패턴을 보다 용이하게 형성할 수 있다.

Description

위상반전 마스크 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제9도의 (A)∼(C)는 제7도의 위상반전 마스크의 제조방법을 나타낸 공정도.

Claims (30)

  1. 투광성 기판과, 그 투광성 기판상에 형성되는 투광층과, 그 투광층상에 원하는 패턴을 형성되는 위상천이층과, 그 위상천이층의 측면상에 원하는 패턴으로 형성되는 차광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투광층의 두께와 상기 위상천이층의 두께가 서로 다른 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  3. 제2항에 있어서, 상기 투광층의 두께가 상기 위상천이층의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  4. 제2항에 있어서, 상기 투광층과 상기 위상천이층의 두께가 위상반전을 위한 두께만큼 다르게 되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 투광층과 상기 위상천이층의 동일물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  6. 제5항에 있어서, 상기 투광층과 상기 위상천이층이 산화막으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  7. 제1항에 있어서, 상기 위상천이층의 측면이 완만하게 경사지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  8. 투광성 기판상에 투광층을 형성하는 단계와, 그 투광층의 원하는 영역상에 위상천이층의 패턴을 형성하는 단계와, 그 위상천이층의 측면상에 차광층의 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 위상천이층의 패턴을 형성하는 단계는 상기 투광층 상에 실리콘층을 형성하는 단계와, 그 실리콘층상에 절연막의 패턴을 형성하는 단계와, 그 절연막의 패턴으로 마스킹되지 않은 영역의 상기 실리콘층을 산화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 위상천이층의 패턴과 상기 투광층이 일체화되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 위상천이층의 패턴과 상기 투광층이 상기 산화막으로 일체화되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 위상천이층의 패턴의 측면이 경사지게 되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 실리콘층이 비정질 실리콘층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  14. 투광성 기판과, 그 투광성 기판상에 형성되며 위상천이부와 투광부를 갖는 투광층과, 그 투광층상에 형성되며, 그 투광층의 투광부상의 주개구부와 그 투광층의 위상천이부상의 보조개구부를 가지는 차광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  15. 제14항에 있어서, 상기 투광층의 투광부의 두께가 상기 투광층의 위상천이부의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  16. 제14항에 있어서, 상기 투광층의 투광부의 두께가 상기 투광층의 위상 천이층의 두께보다 위상반전을 일으키기 위한 두께만큼 큰 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  17. 제14항에 있어서, 상기 투광층의 투광부와 위상천이층 사이의 영역상에 상기 차광층이 형성되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  18. 제14항에 있어서, 상기 주개구부의 폭이상기 보조개구부의 폭보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  19. 제14항에 있어서, 상기 보조개구부는 상기 주개구부를 거쳐 감광막에 노광되는 광의 세기를 증가시키는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  20. 투광성 기판상에 위상천이부와 투광부를 갖는 투광층을 형성하는 단계와, 그 투광층의 투광부상의 주개부와 그 투광층의 위상천이부상의 보조개구부를 갖는 차광층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 투광층의 투광부의 두께가 상기 투광층의 위상천이층의 두께보다 크게 된 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  22. 투광성 기판과, 그 투광성 기판상에 형성괴며 위상천이부를 갖는 투광층과, 그 투광층의 위상천이부를 제외한 영역상에 형성되는 차광층과, 상기 위상천이부의 투광부에 형성되는 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  23. 제22항에 있어서, 상기 홈의 깊이가 위상반전을 위한 깊이인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  24. 제22항에 있어서, 상기 위상천이부는 상기 홈을 거쳐 감광막에 노광되는 광의 세기를 증가시키는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  25. 제22항에 있어서, 상기 위상천이부의 표면과 상기 차광층의 표면이 서로 평탄화되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  26. 제22항에 있어서, 상기 투광층의 위상천이부의 두께는 상기 투광층의 위상천이부를 제외한 영역의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
  27. 투광성 기판상에 위상천이부를 갖는 투광층을 형성하는 단계와, 그 투광층의 위상천이부를 제외한 영역상에 차광층의 패턴을 형성하는 단계와, 그 위상천이부의 원하는 영역에 홈을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 차광층의 패턴의 표면을 상기 위상천이부의 표면에 평탄화시키는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  29. 제27항에 있어서, 상기 차광층의 패턴의 표면이 기계화학적 연마법으로 평탄화되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
  30. 제27항에 있어서, 상기 차광층의 패턴의 표면이 이방성 식각법으로 평탄화되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950012565A 1995-05-19 1995-05-19 위상반전 마스크 및 그 제조방법 KR0157883B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950012565A KR0157883B1 (ko) 1995-05-19 1995-05-19 위상반전 마스크 및 그 제조방법
US08/647,739 US5786111A (en) 1995-05-19 1996-05-15 Phase shift mask and fabricating method thereof
JP12115596A JP2775251B2 (ja) 1995-05-19 1996-05-16 半導体製造用位相反転マスク及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950012565A KR0157883B1 (ko) 1995-05-19 1995-05-19 위상반전 마스크 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960042208A true KR960042208A (ko) 1996-12-21
KR0157883B1 KR0157883B1 (ko) 1998-12-15

Family

ID=19414920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950012565A KR0157883B1 (ko) 1995-05-19 1995-05-19 위상반전 마스크 및 그 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5786111A (ko)
JP (1) JP2775251B2 (ko)
KR (1) KR0157883B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6150277A (en) * 1999-08-30 2000-11-21 Micron Technology, Inc. Method of making an oxide structure having a finely calibrated thickness
JP2005257962A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04237053A (ja) * 1991-01-22 1992-08-25 Dainippon Printing Co Ltd 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法
KR940005606B1 (ko) * 1991-05-09 1994-06-21 금성일렉트론 주식회사 측벽 식각을 이용한 위상 반전 마스크 제조방법
US5487962A (en) * 1994-05-11 1996-01-30 Rolfson; J. Brett Method of chromeless phase shift mask fabrication suitable for auto-cad layout

Also Published As

Publication number Publication date
US5786111A (en) 1998-07-28
KR0157883B1 (ko) 1998-12-15
JP2775251B2 (ja) 1998-07-16
JPH08314117A (ja) 1996-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1415196B1 (en) Resolution enhancement for edge phase shift masks
KR970076063A (ko) 위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크용 블랭크 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법
KR960035143A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR960042208A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR970049088A (ko) 하프톤 위상 반전 마스크 및 그 제조방법
KR100426414B1 (ko) 반투명한 위상 쉬프트 영역을 가지고 있는 트리밍 마스크
US5882534A (en) Method for fabricating a multistage phase shift mask
KR950012151A (ko) 다층레지스트를 이용한 패턴형성방법
KR0166825B1 (ko) 위상반전 마스크의 제조 방법
KR980003806A (ko) 위상반전마스크 및 그 제작방법
KR100219485B1 (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR970022501A (ko) 콘택홀 제조용 위상반전 마스크
KR910020802A (ko) 마스크의 제작방법
KR0151262B1 (ko) 다중 위상반전 마스크의 제조방법
KR100419971B1 (ko) 반도체소자 제조시의 패턴 형성을 위한 마스크 및 그 제조방법
KR100314743B1 (ko) 반도체소자의위상반전마스크제조방법
KR100298192B1 (ko) 포토바이어스개선을위한포토마스크
KR0185785B1 (ko) 위상반전 마스크의 제조방법
KR960042206A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR970028803A (ko) 위상반전마스크와 그의 제조방법
KR0165360B1 (ko) 반도체 리소그라피 방법, 이에 사용되는 포토마스크 및 그 제조방법
KR19980016800A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
JPH05197127A (ja) 位相シフトマスク
KR20000042879A (ko) 위상 반전 마스크의 제조방법
JPH0728225A (ja) 位相シフトマスク及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060720

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee