JPH05197127A - 位相シフトマスク - Google Patents
位相シフトマスクInfo
- Publication number
- JPH05197127A JPH05197127A JP793892A JP793892A JPH05197127A JP H05197127 A JPH05197127 A JP H05197127A JP 793892 A JP793892 A JP 793892A JP 793892 A JP793892 A JP 793892A JP H05197127 A JPH05197127 A JP H05197127A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- phase shift
- width
- mask
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Crレス位相シフトマスクに関し，形成パター
ンの寸法制御性の向上を目的とする。 【構成】 透明基板の段差部の両側で透過光の位相をシ
フトさせるマスクであって，該段差部に密接して所定幅
の遮光膜を被着してなるように構成する。
ンの寸法制御性の向上を目的とする。 【構成】 透明基板の段差部の両側で透過光の位相をシ
フトさせるマスクであって，該段差部に密接して所定幅
の遮光膜を被着してなるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造工程に
おいて，微細パターン形成に用いられる位相シフトマス
クに関する。
おいて，微細パターン形成に用いられる位相シフトマス
クに関する。
【０００２】半導体装置の高集積化に伴い，露光工程は
高解像力が要求されている。このために，高解像力を得
るためのプロセス技術が求められる。その一つの手法と
して光強度プロファイルを改善する位相シフトマスクが
利用されている。
高解像力が要求されている。このために，高解像力を得
るためのプロセス技術が求められる。その一つの手法と
して光強度プロファイルを改善する位相シフトマスクが
利用されている。
【０００３】
【従来の技術】従来の遮光膜（Cr膜等) が存在しない位
相シフトマスク（Crレスマスク) は,位相シフト境界部
〔透明基板（ガラス基板等）の段差部〕で生ずる光強度
の急峻な落ち込みを利用してレジスト膜に微細なパター
ンを形成していた。
相シフトマスク（Crレスマスク) は,位相シフト境界部
〔透明基板（ガラス基板等）の段差部〕で生ずる光強度
の急峻な落ち込みを利用してレジスト膜に微細なパター
ンを形成していた。
【０００４】図３(A),(B) は従来例によるCrレスマスク
の断面図である。図３(A) はマスクの断面図，図３(B)
はこのマスクに対応する光強度のプロファイルである。
の断面図である。図３(A) はマスクの断面図，図３(B)
はこのマスクに対応する光強度のプロファイルである。
【０００５】図において，１はガラス等透明物質からな
る位相シフトマスク，２は位相シフト境界部の段差で，
その左右領域の位相シフト量はπである。
る位相シフトマスク，２は位相シフト境界部の段差で，
その左右領域の位相シフト量はπである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来例では，ガラスの
みで形成した位相シフト境界部に幅を持たせることはで
きない。露光量を変えても位相シフト境界部に生ずる光
強度プロファイルは急峻であるため，容易に光強度の落
ち込み幅，すなわちレジストパターンの寸法を制御でき
ない。
みで形成した位相シフト境界部に幅を持たせることはで
きない。露光量を変えても位相シフト境界部に生ずる光
強度プロファイルは急峻であるため，容易に光強度の落
ち込み幅，すなわちレジストパターンの寸法を制御でき
ない。
【０００７】したがって，Crレス位相シフトマスクでは
寸法の制御が十分にできず，寸法制御の精度が特性に大
きな影響を与えるトランジスタのパターン等の形成には
使用できないという問題が生じていた。
寸法の制御が十分にできず，寸法制御の精度が特性に大
きな影響を与えるトランジスタのパターン等の形成には
使用できないという問題が生じていた。
【０００８】本発明はCrレス位相シフトマスクの寸法制
御性を向上させることを目的とする。
御性を向上させることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，透明
基板の段差部の両側で透過光の位相をシフトさせるマス
クであって，該段差部に密接して所定幅の遮光膜を被着
してなる位相シフトマスクにより達成される。
基板の段差部の両側で透過光の位相をシフトさせるマス
クであって，該段差部に密接して所定幅の遮光膜を被着
してなる位相シフトマスクにより達成される。
【００１０】
【作用】図１(A),(B) は本発明の原理説明図である。図
１(A) はマスクの断面図，図１(B) はこのマスクに対応
する光強度のプロファイルである。
１(A) はマスクの断面図，図１(B) はこのマスクに対応
する光強度のプロファイルである。
【００１１】図において，１はガラス等透明物質からな
る位相シフトマスク，３はCr等からなる遮光膜で, 位相
シフト境界部２の左右領域の位相シフト量はπである。
本発明では, 位相シフト境界部の段差側壁にCr膜をつけ
た構造にしているため，上記Cr膜の幅を変えることによ
り, この部分の光強度プロファイルの半値幅を制御する
ことができる。したがって, 例えばポジ型レジストを用
いて幅の太いパターンを得たい場合は, 上記のようにCr
膜の幅を変えることにより所望寸法のパターンを得るこ
とができる。
る位相シフトマスク，３はCr等からなる遮光膜で, 位相
シフト境界部２の左右領域の位相シフト量はπである。
本発明では, 位相シフト境界部の段差側壁にCr膜をつけ
た構造にしているため，上記Cr膜の幅を変えることによ
り, この部分の光強度プロファイルの半値幅を制御する
ことができる。したがって, 例えばポジ型レジストを用
いて幅の太いパターンを得たい場合は, 上記のようにCr
膜の幅を変えることにより所望寸法のパターンを得るこ
とができる。
【００１２】
【実施例】図２は本発明の実施例によるマスクの断面図
である。次に，マスクの製法とともにその一例を説明す
る。
である。次に，マスクの製法とともにその一例を説明す
る。
【００１３】例えば，ｉ線(165 nm)で露光する場合位相
差をπとするため， 3650/2(n−1)＝4056Å, ここで, n ＝ 1.45 ,(ガラスの折率) だけ，ガラス基板をエッチングして位相シフト境界部の
段差をつくる。
差をπとするため， 3650/2(n−1)＝4056Å, ここで, n ＝ 1.45 ,(ガラスの折率) だけ，ガラス基板をエッチングして位相シフト境界部の
段差をつくる。
【００１４】次に, スバッタ法により, 段差を覆ってCr
膜を基板全面に被着し，エッチングにより位相シフト境
界部の段差にCr膜を残す。このCr膜の横方向の寸法ΔＬ
を制御して光強度プロファイルを変化させ，レジストパ
ターン幅を制御する。
膜を基板全面に被着し，エッチングにより位相シフト境
界部の段差にCr膜を残す。このCr膜の横方向の寸法ΔＬ
を制御して光強度プロファイルを変化させ，レジストパ
ターン幅を制御する。
【００１５】従来例（Cr膜をつけない場合）のレジスト
パターンの幅は0.35μｍであったが, ΔＬ＝ μｍの
Cr膜をつけた実施例の場合は, 幅 μｍのレジスト
パターンが制御性よく得られた。
パターンの幅は0.35μｍであったが, ΔＬ＝ μｍの
Cr膜をつけた実施例の場合は, 幅 μｍのレジスト
パターンが制御性よく得られた。
【００１６】段差部に残す遮光膜はCr膜に限らないで，
露光光に対して不透明な材料からなる膜であればよい。
露光光に対して不透明な材料からなる膜であればよい。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば，Crレス位相シフトマス
クの欠点である寸法制御性が向上し，解像性と寸法制御
性を兼ね備えたパターン形成が可能となった。
クの欠点である寸法制御性が向上し，解像性と寸法制御
性を兼ね備えたパターン形成が可能となった。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の実施例によるマスクの断面図
【図３】 従来例によるマスクの断面図
１ 透明物質からなる位相シフトマスク ２ 位相シフト境界部 ３ 遮光膜（Cr等）
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板の段差部の両側で透過光の位相
をシフトさせるマスクであって，該段差部に密接して所
定幅の遮光膜を被着してなることを特徴とする位相シフ
トマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP793892A JPH05197127A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 位相シフトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP793892A JPH05197127A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 位相シフトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05197127A true JPH05197127A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=11679458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP793892A Withdrawn JPH05197127A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 位相シフトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05197127A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100403933B1 (ko) * | 2000-05-02 | 2003-10-30 | 샤프 가부시키가이샤 | 마스크의 형성방법 |
| JP2016181008A (ja) * | 2016-07-09 | 2016-10-13 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク |
-
1992
- 1992-01-20 JP JP793892A patent/JPH05197127A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100403933B1 (ko) * | 2000-05-02 | 2003-10-30 | 샤프 가부시키가이샤 | 마스크의 형성방법 |
| JP2016181008A (ja) * | 2016-07-09 | 2016-10-13 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |