JPH04237053A - 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH04237053A JPH04237053A JP3005554A JP555491A JPH04237053A JP H04237053 A JPH04237053 A JP H04237053A JP 3005554 A JP3005554 A JP 3005554A JP 555491 A JP555491 A JP 555491A JP H04237053 A JPH04237053 A JP H04237053A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shift
- shift layer
- photomask
- pattern
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 title claims abstract description 95
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 26
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 5
- -1 Nitrogen ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 241000894007 species Species 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000002918 Fraxinus excelsior Nutrition 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000002956 ash Substances 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000047703 Nonion Species 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、LSI、超LSI等の
高密度集積回路の製造に用いられるフォトマスク及びそ
の製造方法に係り、特に、微細なパターンを高精度に形
成する際の位相シフト層を有するフォトマスク及びその
製造方法に関する。
高密度集積回路の製造に用いられるフォトマスク及びそ
の製造方法に係り、特に、微細なパターンを高精度に形
成する際の位相シフト層を有するフォトマスク及びその
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】IC、LSI、超LSI等の半導体集積
回路は、Siウェーハ等の被加工基板上にレジストを塗
布し、ステッパー等により所望のパターンを露光した後
、現像、エッチングを行う、いわゆるリソグラフィー工
程を繰り返すことにより製造されている。
回路は、Siウェーハ等の被加工基板上にレジストを塗
布し、ステッパー等により所望のパターンを露光した後
、現像、エッチングを行う、いわゆるリソグラフィー工
程を繰り返すことにより製造されている。
【0003】このようなリソグラフィー工程に使用され
るレチクルと呼ばれるフォトマスクは、半導体集積回路
の高性能化、高集積化に伴ってますます高精度が要求さ
れる傾向にあり、例えば、代表的なLSIであるDRA
Mを例にとると、1MビットDRAM用の5倍レチクル
、すなわち、露光するパターンの5倍のサイズを有する
レチクルにおける寸法のずれは、平均値±3σ(σは標
準偏差)をとった場合においても、0.15μmの精度
が要求され、同様に、4MビットDRAM用の5倍レチ
クルは0.1〜0.15μmの寸法精度が、16Mビッ
トDRAM用5倍レチクルは0.05〜0.1μmの寸
法精度が要求されている。
るレチクルと呼ばれるフォトマスクは、半導体集積回路
の高性能化、高集積化に伴ってますます高精度が要求さ
れる傾向にあり、例えば、代表的なLSIであるDRA
Mを例にとると、1MビットDRAM用の5倍レチクル
、すなわち、露光するパターンの5倍のサイズを有する
レチクルにおける寸法のずれは、平均値±3σ(σは標
準偏差)をとった場合においても、0.15μmの精度
が要求され、同様に、4MビットDRAM用の5倍レチ
クルは0.1〜0.15μmの寸法精度が、16Mビッ
トDRAM用5倍レチクルは0.05〜0.1μmの寸
法精度が要求されている。
【0004】さらに、これらのレチクルを使用して形成
されるデバイスパターンの線幅は、1MビットDRAM
で1.2μm、4ビットDRAMでは0.8μm、16
MビットDRAMでは0.6μmと、ますます微細化が
要求されており、このような要求に応えるために、様々
な露光方法が研究されている。
されるデバイスパターンの線幅は、1MビットDRAM
で1.2μm、4ビットDRAMでは0.8μm、16
MビットDRAMでは0.6μmと、ますます微細化が
要求されており、このような要求に応えるために、様々
な露光方法が研究されている。
【0005】ところが、例えば64MDRAMクラスの
次々世代のデバイスパターンになると、これまでのレチ
クルを用いたステッパー露光方式ではレジストパターン
の解像限界となり、この限界を乗り越えるものとして、
例えば、特開昭58−173744号公報、特公昭62
−59296号公報等に示されているような、位相シフ
トマスクという新しい考え方のレチクルが提案されてき
ている。位相シフトレチクルを用いる位相シフトリソグ
ラフィーは、レチクルを透過する光の位相を操作するこ
とによって、投影像の分解能及びコントラストを向上さ
せる技術である。
次々世代のデバイスパターンになると、これまでのレチ
クルを用いたステッパー露光方式ではレジストパターン
の解像限界となり、この限界を乗り越えるものとして、
例えば、特開昭58−173744号公報、特公昭62
−59296号公報等に示されているような、位相シフ
トマスクという新しい考え方のレチクルが提案されてき
ている。位相シフトレチクルを用いる位相シフトリソグ
ラフィーは、レチクルを透過する光の位相を操作するこ
とによって、投影像の分解能及びコントラストを向上さ
せる技術である。
【0006】位相シフトリソグラフィーを図面に従って
簡単に説明する。図3は位相シフト法の原理を示す図、
図4は従来法を示す図であり、図3(a)及び図4(a
)はレチクルの断面図、図3(b)及び図4(b)はレ
チクル上の光の振幅、図3(c)及び図4(c)はウェ
ハー上の光の振幅、図3(d)及び図4(d)はウェハ
ー上の光強度をそれぞれ示し、1は基板、2は遮光膜、
3は位相シフター、4は入射光を示す。
簡単に説明する。図3は位相シフト法の原理を示す図、
図4は従来法を示す図であり、図3(a)及び図4(a
)はレチクルの断面図、図3(b)及び図4(b)はレ
チクル上の光の振幅、図3(c)及び図4(c)はウェ
ハー上の光の振幅、図3(d)及び図4(d)はウェハ
ー上の光強度をそれぞれ示し、1は基板、2は遮光膜、
3は位相シフター、4は入射光を示す。
【0007】従来法においては、図4(a)に示すよう
に、ガラス等からなる基板1にクロム等からなる遮光膜
2が形成されて、所定のパターンの光透過部が形成され
ているだけであるが、位相シフトリソグラフィーでは、
図3(a)に示すように、レチクル上の隣接する光透過
部の一方に位相を反転(位相差180°)させるための
透過膜からなる位相シフター3が設けられている。した
がって、従来法においては、レチクル上の光の振幅は図
4(b)に示すように同相となり、ウェハー上の光の振
幅も図4(c)に示すように同相となるので、その結果
、図4(d)のようにウェハー上のパターンを分離する
ことができないのに対して、位相シフトリソグラフィー
においては、位相シフターを透過した光は、図3(b)
に示すように、隣接パターンの間で互いに逆位相になさ
れるため、パターンの境界部で光強度が零になり、図3
(d)に示すように隣接するパターンを明瞭に分離する
ことができる。このように、位相シフトリソグラフィー
においては、従来は分離できなかったパターンも分離可
能となり、解像度を向上させることができるものである
。
に、ガラス等からなる基板1にクロム等からなる遮光膜
2が形成されて、所定のパターンの光透過部が形成され
ているだけであるが、位相シフトリソグラフィーでは、
図3(a)に示すように、レチクル上の隣接する光透過
部の一方に位相を反転(位相差180°)させるための
透過膜からなる位相シフター3が設けられている。した
がって、従来法においては、レチクル上の光の振幅は図
4(b)に示すように同相となり、ウェハー上の光の振
幅も図4(c)に示すように同相となるので、その結果
、図4(d)のようにウェハー上のパターンを分離する
ことができないのに対して、位相シフトリソグラフィー
においては、位相シフターを透過した光は、図3(b)
に示すように、隣接パターンの間で互いに逆位相になさ
れるため、パターンの境界部で光強度が零になり、図3
(d)に示すように隣接するパターンを明瞭に分離する
ことができる。このように、位相シフトリソグラフィー
においては、従来は分離できなかったパターンも分離可
能となり、解像度を向上させることができるものである
。
【0008】次に、位相シフトレチクルの従来の製造工
程の1例を図面を参照して説明する。図5は位相シフト
レチクルの製造工程を示す断面図であり、図中、10は
基板、11は導電層、12はクロム膜、13はレジスト
層、14は電離放射線、15はレジストパターン、16
はエッチングガスプラズマ、17はクロムパターン、1
8は酸素プラズマ、19は透明膜、20はレジスト層、
21は電離放射線、22はレジストパターン、23はエ
ッチングガスプラズマ、24は位相シフトパターン、2
5は酸素プラズマを示す。
程の1例を図面を参照して説明する。図5は位相シフト
レチクルの製造工程を示す断面図であり、図中、10は
基板、11は導電層、12はクロム膜、13はレジスト
層、14は電離放射線、15はレジストパターン、16
はエッチングガスプラズマ、17はクロムパターン、1
8は酸素プラズマ、19は透明膜、20はレジスト層、
21は電離放射線、22はレジストパターン、23はエ
ッチングガスプラズマ、24は位相シフトパターン、2
5は酸素プラズマを示す。
【0009】まず、図5(a)に示すように、光学研磨
された基板10に、位相シフターパターン描画時の露光
ビームによるチャージアップ現象を防止するために、タ
ンタル薄膜層等からなる導電層11を形成し、その上に
クロム膜12を形成し、さらに、クロロメチル化ポリス
チレン等の電離放射線レジストを、スピンコーティング
等の常法により均一に塗布し、加熱乾燥処理を施し、厚
さ0.1〜2.0μm程度のレジスト層13を形成する
。加熱乾燥処理は、使用するレジストの種類にもよるが
、通常、80〜150℃で、20〜60分間程度行う。
された基板10に、位相シフターパターン描画時の露光
ビームによるチャージアップ現象を防止するために、タ
ンタル薄膜層等からなる導電層11を形成し、その上に
クロム膜12を形成し、さらに、クロロメチル化ポリス
チレン等の電離放射線レジストを、スピンコーティング
等の常法により均一に塗布し、加熱乾燥処理を施し、厚
さ0.1〜2.0μm程度のレジスト層13を形成する
。加熱乾燥処理は、使用するレジストの種類にもよるが
、通常、80〜150℃で、20〜60分間程度行う。
【0010】次に、同図(b)に示すように、レジスト
層13に、常法に従って電子線描画装置等の露光装置に
より電離放射線14でパターン描画し、エチルセロソル
ブやエステル等の有機溶剤を主成分とする現像液で現像
後、アルコールでリンスし、同図(c)に示すようなレ
ジストパターン15を形成する。
層13に、常法に従って電子線描画装置等の露光装置に
より電離放射線14でパターン描画し、エチルセロソル
ブやエステル等の有機溶剤を主成分とする現像液で現像
後、アルコールでリンスし、同図(c)に示すようなレ
ジストパターン15を形成する。
【0011】次に、必要に応じて加熱処理、及び、デス
カム処理を行って、レジストパターン15のエッジ部分
等に残存したレジスト屑、ヒゲ等不要なレジストを除去
した後、同図(d)に示すように、レジストパターン1
5の開口部より露出する被加工部分、すなわち、クロム
層12をエッチングガスプラズマ16によりドライエッ
チングし、クロムパターン17を形成する。なお、この
クロムパターン17の形成は、エッチングガスプラズマ
16によるドライエッチングに代えて、ウェットエッチ
ングにより行ってもよいことは当業者に明らかである。
カム処理を行って、レジストパターン15のエッジ部分
等に残存したレジスト屑、ヒゲ等不要なレジストを除去
した後、同図(d)に示すように、レジストパターン1
5の開口部より露出する被加工部分、すなわち、クロム
層12をエッチングガスプラズマ16によりドライエッ
チングし、クロムパターン17を形成する。なお、この
クロムパターン17の形成は、エッチングガスプラズマ
16によるドライエッチングに代えて、ウェットエッチ
ングにより行ってもよいことは当業者に明らかである。
【0012】このようにしてエッチングした後、同図(
e)に示すように、レジストパターン15、すなわち、
残存するレジストを酸素プラズマ18により灰化除去し
、同図(f)に示すようなフォトマスクを完成させる。 なお、この処理は、酸素プラズマ18による灰化処理に
代えて、溶剤剥離により行うことも可能である。
e)に示すように、レジストパターン15、すなわち、
残存するレジストを酸素プラズマ18により灰化除去し
、同図(f)に示すようなフォトマスクを完成させる。 なお、この処理は、酸素プラズマ18による灰化処理に
代えて、溶剤剥離により行うことも可能である。
【0013】続いて、このフォトマスクを検査し、必要
によってはパターン修正を加え、洗浄した後、同図(g
)に示すように、クロムパターン17の上にSiO2
等からなる透明膜19を形成する。次に、同図(h)に
示すように、透明膜19上に、上記と同様にして、クロ
ロメチル化ポリスチレン等の電離放射線レジスト層20
を形成し、同図(i)に示すように、レジスト層20に
常法に従ってアライメイトを行い、電子線露光装置等の
電離放射線21によって所定のパターンを描画し、現像
、リンスして、同図(j)に示すように、レジストパタ
ーン22を形成する。
によってはパターン修正を加え、洗浄した後、同図(g
)に示すように、クロムパターン17の上にSiO2
等からなる透明膜19を形成する。次に、同図(h)に
示すように、透明膜19上に、上記と同様にして、クロ
ロメチル化ポリスチレン等の電離放射線レジスト層20
を形成し、同図(i)に示すように、レジスト層20に
常法に従ってアライメイトを行い、電子線露光装置等の
電離放射線21によって所定のパターンを描画し、現像
、リンスして、同図(j)に示すように、レジストパタ
ーン22を形成する。
【0014】次に、必要に応じて、加熱処理、及び、デ
スカム処理を行った後、同図(k)に示すように、レジ
ストパターン22の開口部より露出する透明膜19部分
をエッチングガスプラズマ23によりドライエッチング
し、位相シフターパターン24を形成する。なお、この
位相シフターパターン24の形成は、エッチングガスプ
ラズマ23によるドライエッチングに代えて、ウェット
エッチングにより行ってもよいものである。
スカム処理を行った後、同図(k)に示すように、レジ
ストパターン22の開口部より露出する透明膜19部分
をエッチングガスプラズマ23によりドライエッチング
し、位相シフターパターン24を形成する。なお、この
位相シフターパターン24の形成は、エッチングガスプ
ラズマ23によるドライエッチングに代えて、ウェット
エッチングにより行ってもよいものである。
【0015】次に、残存したレジストを、同図(l)に
示すように、酸素プラズマ25により灰化除去する。以
上の工程により、同図(m)に示すような位相シフター
24を有する位相シフトマスクが完成する。
示すように、酸素プラズマ25により灰化除去する。以
上の工程により、同図(m)に示すような位相シフター
24を有する位相シフトマスクが完成する。
【0016】
【発明が解決しょうとする課題】しかしながら、上記し
た従来の位相シフトマスクの製造方法においては、位相
シフターパターンを形成するための工程として、位相シ
フター層19形成後に、エッチングマスク(レジストパ
ターン)22の作成、エッチング、洗浄といった工程が
必要であった。
た従来の位相シフトマスクの製造方法においては、位相
シフターパターンを形成するための工程として、位相シ
フター層19形成後に、エッチングマスク(レジストパ
ターン)22の作成、エッチング、洗浄といった工程が
必要であった。
【0017】また、エッチング終点をうまくコントロー
ルし、下地基板にダメージを与えないためには、エッチ
ングストッパー層を形成することも必要であった。
ルし、下地基板にダメージを与えないためには、エッチ
ングストッパー層を形成することも必要であった。
【0018】この位相シフターパターン形成のためのエ
ッチング工程は、コントロールが難しく、欠陥の多発、
長い製作期間、高コスト化といった非常に多くの現実的
な問題を抱えていた。
ッチング工程は、コントロールが難しく、欠陥の多発、
長い製作期間、高コスト化といった非常に多くの現実的
な問題を抱えていた。
【0019】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、少ない工程数で、欠陥の発生
率が小さく、高精度のフォトマスクを、低コストで製造
可能な位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法及
びその方法によって製造された位相シフトフォトマスク
を提供することである。
ものであり、その目的は、少ない工程数で、欠陥の発生
率が小さく、高精度のフォトマスクを、低コストで製造
可能な位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法及
びその方法によって製造された位相シフトフォトマスク
を提供することである。
【0020】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題に
鑑み、工程数の削減、低コスト化を行い、かつ、高精度
の位相シフトフォトマスクを安定して製造する方法を開
発すべく研究の結果、位相シフター層を形成後、集束イ
オンビーム法を用いて位相シフターパターンに当たる部
分に選択的にイオン注入を行うか、又は、位相シフター
層上に電離放射線レジスト等を用いてエッチングマスク
を作製し、イオン注入法を用いてエッチングマスクの開
口部から位相シフターパターンに当たる部分に選択的に
イオン注入を行い、位相シフター層の被注入部分の屈折
率を変化させ、被注入部分と未注入部分との間に生じる
屈折率の差によって、これらの部分が対応する隣接透過
パターン間に所定の位相差(180°)を生じさせるよ
うにすることによって、高解像力を有する位相シフトフ
ォトマスクを、これまでよりも少ない工程で、安定的に
製造できることを見い出し、かかる知見に基づいて本発
明を完成したものである。
鑑み、工程数の削減、低コスト化を行い、かつ、高精度
の位相シフトフォトマスクを安定して製造する方法を開
発すべく研究の結果、位相シフター層を形成後、集束イ
オンビーム法を用いて位相シフターパターンに当たる部
分に選択的にイオン注入を行うか、又は、位相シフター
層上に電離放射線レジスト等を用いてエッチングマスク
を作製し、イオン注入法を用いてエッチングマスクの開
口部から位相シフターパターンに当たる部分に選択的に
イオン注入を行い、位相シフター層の被注入部分の屈折
率を変化させ、被注入部分と未注入部分との間に生じる
屈折率の差によって、これらの部分が対応する隣接透過
パターン間に所定の位相差(180°)を生じさせるよ
うにすることによって、高解像力を有する位相シフトフ
ォトマスクを、これまでよりも少ない工程で、安定的に
製造できることを見い出し、かかる知見に基づいて本発
明を完成したものである。
【0021】以下、本発明を図面を参照にして説明する
。図1は本発明に係る位相シフト層を有するフォトマス
クの第1の製造方法の工程を示す断面図であり、図中3
0は基板、、31は導電層、32はクロムパターン(遮
光層)、33は位相シフター層、34は位相シフトパタ
ーンa、35は位相シフトパターンb、36はイオンビ
ームを表している。
。図1は本発明に係る位相シフト層を有するフォトマス
クの第1の製造方法の工程を示す断面図であり、図中3
0は基板、、31は導電層、32はクロムパターン(遮
光層)、33は位相シフター層、34は位相シフトパタ
ーンa、35は位相シフトパターンb、36はイオンビ
ームを表している。
【0022】まず、図1の(a)に示すような、常法に
従って作成し、欠陥検査を行ったクロムマスク上に、図
(b)に示すように、次の式(1)に合うような膜厚の
位相シフター層33を形成する。
従って作成し、欠陥検査を行ったクロムマスク上に、図
(b)に示すように、次の式(1)に合うような膜厚の
位相シフター層33を形成する。
【0023】
d=λ/2(na −nb )
・・・・(1)た
だし、na ・・・イオン注入部分の屈折率、nb ・
・・イオン未注入部分の屈折率、λ ・・・フォトマ
スク露光波長(nm)、d ・・・位相シフター層膜
厚(nm)。
・・・・(1)た
だし、na ・・・イオン注入部分の屈折率、nb ・
・・イオン未注入部分の屈折率、λ ・・・フォトマ
スク露光波長(nm)、d ・・・位相シフター層膜
厚(nm)。
【0024】位相シフター層33としては、スパッタリ
ング法等によるSiO2 膜、スピンオングラス(SO
G)、有機高分子膜、その他、近紫外域で透明な無機、
有機何れの材料を用いてもよい。なお、SOGは、有機
シリコン化合物の有機溶媒溶液を塗布、乾燥、加熱して
酸化シリコンに変化させた膜を言い、SOGの出発原料
としては、テトラエトキシシラン(Si( OC2 H
5)4 )等の金属アルコキシド、水、メタノール等の
両極性溶媒、塩酸が用いられる。
ング法等によるSiO2 膜、スピンオングラス(SO
G)、有機高分子膜、その他、近紫外域で透明な無機、
有機何れの材料を用いてもよい。なお、SOGは、有機
シリコン化合物の有機溶媒溶液を塗布、乾燥、加熱して
酸化シリコンに変化させた膜を言い、SOGの出発原料
としては、テトラエトキシシラン(Si( OC2 H
5)4 )等の金属アルコキシド、水、メタノール等の
両極性溶媒、塩酸が用いられる。
【0025】次に、図1(c)に示すように、この位相
シフター層33の位相シフターパターンaに相当する部
分(図5に示したような従来の位相シフトフォトマスク
の位相シフターに当たる部分)に、集束イオンビーム法
を用いて、イオンビーム36を照射してイオン注入(パ
ターン描画)を行う。注入するイオン種としては、窒素
、リン、珪素、硼素、ガリウムの1つあるいは複数を用
いる。
シフター層33の位相シフターパターンaに相当する部
分(図5に示したような従来の位相シフトフォトマスク
の位相シフターに当たる部分)に、集束イオンビーム法
を用いて、イオンビーム36を照射してイオン注入(パ
ターン描画)を行う。注入するイオン種としては、窒素
、リン、珪素、硼素、ガリウムの1つあるいは複数を用
いる。
【0026】その結果、図1(d)に示すように、被注
入部分34はイオン注入により屈折率が変化するため、
その他の未注入部分35との間に屈折率の差が生じる。 こうして生じた屈折率の差を利用して、上記式(1)に
基づき、位相を隣接する透過パターン間で逆にすること
ができる。なお、イオン注入後、イオン注入に伴うスト
レスを取り除くために、加熱してアニーリング処理をす
るのが望ましい。
入部分34はイオン注入により屈折率が変化するため、
その他の未注入部分35との間に屈折率の差が生じる。 こうして生じた屈折率の差を利用して、上記式(1)に
基づき、位相を隣接する透過パターン間で逆にすること
ができる。なお、イオン注入後、イオン注入に伴うスト
レスを取り除くために、加熱してアニーリング処理をす
るのが望ましい。
【0027】従来法においては、位相シフターパターン
を形成するのにエッチング工程が必要であったため、基
板を傷つけたり、これを防ぐ手段として被加工基板上に
エッチングストッパー層を形成する必要があったが、本
発明においては、エッチング工程がないため、従来法と
比べてより高品質のフォトマスクをより簡単な工程で作
成することができる。
を形成するのにエッチング工程が必要であったため、基
板を傷つけたり、これを防ぐ手段として被加工基板上に
エッチングストッパー層を形成する必要があったが、本
発明においては、エッチング工程がないため、従来法と
比べてより高品質のフォトマスクをより簡単な工程で作
成することができる。
【0028】図2は本発明に係る位相シフト層を有する
フォトマスクの第2の製造方法の工程を示す断面図であ
り、図中40は基板、41は導電層、42はクロムパタ
ーン(遮光層)、43は位相シフター層、44は電離放
射線レジスト、45は位相シフトパターンa、46は位
相シフトパターンb、47は電離放射線、48はイオン
シャワー(注入されるイオン)、49は酸素プラズマを
表している。
フォトマスクの第2の製造方法の工程を示す断面図であ
り、図中40は基板、41は導電層、42はクロムパタ
ーン(遮光層)、43は位相シフター層、44は電離放
射線レジスト、45は位相シフトパターンa、46は位
相シフトパターンb、47は電離放射線、48はイオン
シャワー(注入されるイオン)、49は酸素プラズマを
表している。
【0029】まず、図2の(a)に示すような、常法に
従って作成し、欠陥検査を行ったクロムマスク上に、前
記式(1)に合うような膜厚の位相シフター層43を形
成する。位相シフター層43としては、上記の第1の製
造方法の場合と同様、スパッタリング法等によるSiO
2 膜、スピンオングラス(SOG)、有機高分子膜、
その他、近紫外域で透明な無機、有機何れの材料を用い
てもよい。
従って作成し、欠陥検査を行ったクロムマスク上に、前
記式(1)に合うような膜厚の位相シフター層43を形
成する。位相シフター層43としては、上記の第1の製
造方法の場合と同様、スパッタリング法等によるSiO
2 膜、スピンオングラス(SOG)、有機高分子膜、
その他、近紫外域で透明な無機、有機何れの材料を用い
てもよい。
【0030】次に、図2(b)に示すように、この位相
シフター層43上に電磁放射線レジスト層44を形成し
、常法に従ってアライメントを行い、その上で位相シフ
ター層43のパターン部位以外にレジストパターンが残
るように、電離放射線47でパターン描画を行い(図2
(c))、図2(d)に示すように製版する。
シフター層43上に電磁放射線レジスト層44を形成し
、常法に従ってアライメントを行い、その上で位相シフ
ター層43のパターン部位以外にレジストパターンが残
るように、電離放射線47でパターン描画を行い(図2
(c))、図2(d)に示すように製版する。
【0031】このように電磁放射線レジストパターンが
形成された基板全面に、図2(e)に示すように、イオ
ン注入法を用いて100keV〜数MeVの加速電圧で
イオン注入を行う。注入するイオン種としては、窒素、
リン、珪素、硼素、ガリウムの1つあるいは複数を用い
る。位相シフターパターンaに相当する部分(図5に示
したような従来の位相シフトフォトマスクの位相シフタ
ーに当たる部分)45には、電磁放射線レジストパター
ンが形成されていないので、イオン注入される。また、
その他の部分46には、電磁放射線レジストによりイオ
ンが止められるため、イオン注入は行われない。その結
果、被注入部分45はイオン注入により屈折率が変化す
るため、その他の未注入部分46との間に屈折率の差が
生じる。こうして生じた屈折率の差を利用して、上記式
(1)に基づき、位相を隣接する透過パターン間で逆に
することができる。
形成された基板全面に、図2(e)に示すように、イオ
ン注入法を用いて100keV〜数MeVの加速電圧で
イオン注入を行う。注入するイオン種としては、窒素、
リン、珪素、硼素、ガリウムの1つあるいは複数を用い
る。位相シフターパターンaに相当する部分(図5に示
したような従来の位相シフトフォトマスクの位相シフタ
ーに当たる部分)45には、電磁放射線レジストパター
ンが形成されていないので、イオン注入される。また、
その他の部分46には、電磁放射線レジストによりイオ
ンが止められるため、イオン注入は行われない。その結
果、被注入部分45はイオン注入により屈折率が変化す
るため、その他の未注入部分46との間に屈折率の差が
生じる。こうして生じた屈折率の差を利用して、上記式
(1)に基づき、位相を隣接する透過パターン間で逆に
することができる。
【0032】イオン注入後、位相シフター層43のエッ
チングを行うことなく、図2(f)に示すように、酸素
プラズマ49により残存するレジストを灰化して剥離し
、図2(g)に示すような位相シフト層を有するフォト
マスクが完成する。なお、レジスト剥離後、イオン注入
に伴うストレスを取り除くために、加熱してアニーリン
グ処理をするのが望ましい。
チングを行うことなく、図2(f)に示すように、酸素
プラズマ49により残存するレジストを灰化して剥離し
、図2(g)に示すような位相シフト層を有するフォト
マスクが完成する。なお、レジスト剥離後、イオン注入
に伴うストレスを取り除くために、加熱してアニーリン
グ処理をするのが望ましい。
【0033】従来法においては、位相シフターパターン
を形成するのにエッチング工程が必要であったため、基
板を傷つけたり、これを防ぐ手段として被加工基板上に
エッチングストッパー層を形成する必要があったが、こ
の製造方法においても、エッチング工程がなく、イオン
注入用のマスク(電磁放射線レジスト等)の剥離、灰化
工程だけのため、従来法と比べてより高品質のフォトマ
スクをより簡単な工程で作成することができる。
を形成するのにエッチング工程が必要であったため、基
板を傷つけたり、これを防ぐ手段として被加工基板上に
エッチングストッパー層を形成する必要があったが、こ
の製造方法においても、エッチング工程がなく、イオン
注入用のマスク(電磁放射線レジスト等)の剥離、灰化
工程だけのため、従来法と比べてより高品質のフォトマ
スクをより簡単な工程で作成することができる。
【0034】なお、第1、第2何れの製造方法において
も、イオン注入量を調整することにより、光の位相を任
意の角度だけ変化させることも可能である。
も、イオン注入量を調整することにより、光の位相を任
意の角度だけ変化させることも可能である。
【0035】以上説明したように、本発明の位相シフト
層を有するフォトマスクは、透明基板上に遮光マスクパ
ターンを形成したフォトマスクにおいて、遮光マスクパ
ターン上に位相シフト層を有し、位相シフト層の屈折率
が遮光マスクパターンの隣接する透過パターン間の位置
で異なることを特徴とするものである。
層を有するフォトマスクは、透明基板上に遮光マスクパ
ターンを形成したフォトマスクにおいて、遮光マスクパ
ターン上に位相シフト層を有し、位相シフト層の屈折率
が遮光マスクパターンの隣接する透過パターン間の位置
で異なることを特徴とするものである。
【0036】この場合、前記位相シフト層の屈折率の差
は、位相シフト層に対するイオン注入によって導入され
たものであり、典型的には、前記位相シフト層はスパッ
タリング法によって形成された酸化珪素、スピンオング
ラス又は有機高分子膜からなり、また、位相シフト層に
注入するイオン種として、窒素、リン、珪素、硼素、ガ
リウムの何れか1又は複数を用いる。
は、位相シフト層に対するイオン注入によって導入され
たものであり、典型的には、前記位相シフト層はスパッ
タリング法によって形成された酸化珪素、スピンオング
ラス又は有機高分子膜からなり、また、位相シフト層に
注入するイオン種として、窒素、リン、珪素、硼素、ガ
リウムの何れか1又は複数を用いる。
【0037】また、本発明の位相シフト層を有するフォ
トマスクの第1の製造方法は、透明基板上に遮光マスク
パターンを形成し、遮光マスクパターン上に位相シフト
層を設けたフォトマスクの製造方法において、位相シフ
ト層の所定パターン領域に集束イオンビーム法により選
択的にイオンを注入して、遮光マスクパターンの隣接す
る透過パターン間の位置で位相シフト層の屈折率を異な
らせて位相差を生じさせることを特徴とする方法である
。
トマスクの第1の製造方法は、透明基板上に遮光マスク
パターンを形成し、遮光マスクパターン上に位相シフト
層を設けたフォトマスクの製造方法において、位相シフ
ト層の所定パターン領域に集束イオンビーム法により選
択的にイオンを注入して、遮光マスクパターンの隣接す
る透過パターン間の位置で位相シフト層の屈折率を異な
らせて位相差を生じさせることを特徴とする方法である
。
【0038】この場合、位相シフト層に選択的にイオン
注入後、加熱してアニーリング処理するのが望ましい。
注入後、加熱してアニーリング処理するのが望ましい。
【0039】さらに、本発明の位相シフト層を有するフ
ォトマスクの第2の製造方法は、透明基板上に遮光マス
クパターンを形成し、遮光マスクパターン上に位相シフ
ト層を設けたフォトマスクの製造方法において、位相シ
フト層上にレジストパターンを形成た後、レジストパタ
ーンの開口部を通して位相シフト層の所定パターン領域
にイオン注入法により選択的にイオンを注入して、遮光
マスクパターンの隣接する透過パターン間の位置で位相
シフト層の屈折率を異ならせて位相差を生じさせること
を特徴とする方法である。
ォトマスクの第2の製造方法は、透明基板上に遮光マス
クパターンを形成し、遮光マスクパターン上に位相シフ
ト層を設けたフォトマスクの製造方法において、位相シ
フト層上にレジストパターンを形成た後、レジストパタ
ーンの開口部を通して位相シフト層の所定パターン領域
にイオン注入法により選択的にイオンを注入して、遮光
マスクパターンの隣接する透過パターン間の位置で位相
シフト層の屈折率を異ならせて位相差を生じさせること
を特徴とする方法である。
【0040】この場合、位相シフト層に選択的にイオン
注入後、レジストパターンを剥離し、加熱してアニーリ
ング処理するのが望ましい。
注入後、レジストパターンを剥離し、加熱してアニーリ
ング処理するのが望ましい。
【0041】
【作用】最近のLSI、超LSIの高集積化に伴い、ま
すますフォトマスクの高精度化が要求され、それに従っ
て、ゴミ等による欠陥の多発が問題になっている。また
、必然的に高コストとなる。
すますフォトマスクの高精度化が要求され、それに従っ
て、ゴミ等による欠陥の多発が問題になっている。また
、必然的に高コストとなる。
【0042】本発明の位相シフト層を有するフォトマス
ク及びその製造方法においては、透明基板上の遮光マス
クパターン(クロムパターン)上に形成した位相シフト
層を全くエッチングすることなしに、位相シフト層を有
するフォトマスクを高精度に製造することが可能であり
、工程数削減により、欠陥の発生が抑えられ、同時に製
造コストを低く抑えることが可能になる。
ク及びその製造方法においては、透明基板上の遮光マス
クパターン(クロムパターン)上に形成した位相シフト
層を全くエッチングすることなしに、位相シフト層を有
するフォトマスクを高精度に製造することが可能であり
、工程数削減により、欠陥の発生が抑えられ、同時に製
造コストを低く抑えることが可能になる。
【0043】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【0044】実施例1
常法に従って製造したクロム遮光パターンを有するフォ
トマスクの品質を検査した後、その上にSOG(スピン
オングラス)あるいはスパッタリング法によるSiO2
の位相シフト層を膜厚830nmになるように堆積し
て成膜した。SOGを用いた場合は、300°Cの窒素
雰囲気中で焼成した。このようにして形成した位相シフ
ト層に欠陥がないことを確認した上で、所定の位相シフ
ターパターンに相当する部分に、100KeV〜1Me
Vの加速電圧で窒素イオンを注入した。その後、この基
板を300°Cでアニーリング処理した。
トマスクの品質を検査した後、その上にSOG(スピン
オングラス)あるいはスパッタリング法によるSiO2
の位相シフト層を膜厚830nmになるように堆積し
て成膜した。SOGを用いた場合は、300°Cの窒素
雰囲気中で焼成した。このようにして形成した位相シフ
ト層に欠陥がないことを確認した上で、所定の位相シフ
ターパターンに相当する部分に、100KeV〜1Me
Vの加速電圧で窒素イオンを注入した。その後、この基
板を300°Cでアニーリング処理した。
【0045】窒素イオンを注入した部分の屈折率na
は1.63であり、イオン注入されていない部分の屈折
率nb は1.41であった。露光波長λが365nm
の場合、膜厚dが830nmであれば、位相を逆転させ
るのに充分である。
は1.63であり、イオン注入されていない部分の屈折
率nb は1.41であった。露光波長λが365nm
の場合、膜厚dが830nmであれば、位相を逆転させ
るのに充分である。
【0046】以上は、180°位相シフターを想定した
値であったが、イオンの注入量を変化させれば、任意の
値だけ位相がシフトする位相シフター層や、連続的に位
相シフト量が変化する位相シフター層を作成することが
できる。
値であったが、イオンの注入量を変化させれば、任意の
値だけ位相がシフトする位相シフター層や、連続的に位
相シフト量が変化する位相シフター層を作成することが
できる。
【0047】このように位相シフター層のエッチング工
程が含まれないプロセスで作成した位相シフトフォトマ
スクの位相シフター部の位置ずれは、平均値±3σ(σ
は標準偏差)をとった場合に±0.1μm以内という値
を示し、高精度な位相シフター層を有する位相シフトマ
スクが得られたことが確認できた。また、マスク周辺部
においても、パターン歪み等は全く観測されなかった。
程が含まれないプロセスで作成した位相シフトフォトマ
スクの位相シフター部の位置ずれは、平均値±3σ(σ
は標準偏差)をとった場合に±0.1μm以内という値
を示し、高精度な位相シフター層を有する位相シフトマ
スクが得られたことが確認できた。また、マスク周辺部
においても、パターン歪み等は全く観測されなかった。
【0048】実施例2
常法に従って製造したクロム遮光パターンを有するフォ
トマスクの品質を検査した後、その上にSOG(スピン
オングラス)の位相シフト層を膜厚830nmになるよ
うにスピンコーティング法により成膜した。その後に、
SOGを300°Cの窒素雰囲気中で焼成した。このよ
うにして形成した位相シフト層に欠陥がないことを確認
した上で、通常エッチングマスクとなるマスクを電離放
射線レジストを用いて作製し、マスク全面に100Ke
V〜1MeVの加速電圧で窒素イオンを注入した。その
後、電離放射線レジストを剥離し、基板を300°Cで
アニーリング処理した。
トマスクの品質を検査した後、その上にSOG(スピン
オングラス)の位相シフト層を膜厚830nmになるよ
うにスピンコーティング法により成膜した。その後に、
SOGを300°Cの窒素雰囲気中で焼成した。このよ
うにして形成した位相シフト層に欠陥がないことを確認
した上で、通常エッチングマスクとなるマスクを電離放
射線レジストを用いて作製し、マスク全面に100Ke
V〜1MeVの加速電圧で窒素イオンを注入した。その
後、電離放射線レジストを剥離し、基板を300°Cで
アニーリング処理した。
【0049】窒素イオンを注入した部分の屈折率na
は1.63であり、イオン注入されていない部分の屈折
率nb は1.41であった。露光波長λが365nm
の場合、膜厚dが830nmであれば、位相を逆転させ
るのに充分である。
は1.63であり、イオン注入されていない部分の屈折
率nb は1.41であった。露光波長λが365nm
の場合、膜厚dが830nmであれば、位相を逆転させ
るのに充分である。
【0050】以上は、180°位相シフターを想定した
値であったが、イオンの注入量を変化させれば、任意の
値だけ位相がシフトする位相シフター層や、連続的に位
相シフト量が変化する位相シフター層を作成することが
できる。
値であったが、イオンの注入量を変化させれば、任意の
値だけ位相がシフトする位相シフター層や、連続的に位
相シフト量が変化する位相シフター層を作成することが
できる。
【0051】このように位相シフター層のエッチング工
程が含まれないイオン注入プロセスで作成した位相シフ
トフォトマスクの位相シフター部の位置ずれは、平均値
±3σ(σは標準偏差)をとった場合に±0.1μm以
内という値を示し、高精度な位相シフター層を有する位
相シフトマスクが得られたことが確認できた。また、マ
スク周辺部においても、パターン歪み等は全く観測され
なかった。
程が含まれないイオン注入プロセスで作成した位相シフ
トフォトマスクの位相シフター部の位置ずれは、平均値
±3σ(σは標準偏差)をとった場合に±0.1μm以
内という値を示し、高精度な位相シフター層を有する位
相シフトマスクが得られたことが確認できた。また、マ
スク周辺部においても、パターン歪み等は全く観測され
なかった。
【0052】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による位相
シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法による
と、透明基板上の遮光マスクパターン(クロムパターン
)上に形成した位相シフト層を全くエッチングすること
なしに、位相シフト層を有するフォトマスクを高精度に
製造することが可能であり、工程数削減により、欠陥の
発生が抑えられ、同時に製造コストを低く抑えることが
可能になる。
シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法による
と、透明基板上の遮光マスクパターン(クロムパターン
)上に形成した位相シフト層を全くエッチングすること
なしに、位相シフト層を有するフォトマスクを高精度に
製造することが可能であり、工程数削減により、欠陥の
発生が抑えられ、同時に製造コストを低く抑えることが
可能になる。
【図1】本発明に係る位相シフト層を有するフォトマス
クの第1の製造方法の工程を示す断面図である。
クの第1の製造方法の工程を示す断面図である。
【図2】本発明に係る位相シフト層を有するフォトマス
クの第2の製造方法の工程を示す断面図である。
クの第2の製造方法の工程を示す断面図である。
【図3】位相シフト法の原理を示す図である。
【図4】従来法を示す図である。
【図5】従来の位相シフトフォトマスクの製造工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【符号の説明】
30、40…基板
31、41…導電層
32、42…クロムパターン(遮光層)33、43…位
相シフター層 34、45…位相シフトパターンa(イオン注入部)3
5、46…位相シフトパターンb(イオン未注入部)3
6…イオンビーム 44…電離放射線レジスト 47…電離放射線 48…イオンシャワー(注入されるイオン)49…酸素
プラズマ
相シフター層 34、45…位相シフトパターンa(イオン注入部)3
5、46…位相シフトパターンb(イオン未注入部)3
6…イオンビーム 44…電離放射線レジスト 47…電離放射線 48…イオンシャワー(注入されるイオン)49…酸素
プラズマ
Claims (8)
- 【請求項1】 透明基板上に遮光マスクパターンを形
成したフォトマスクにおいて、遮光マスクパターン上に
位相シフト層を有し、位相シフト層の屈折率が遮光マス
クパターンの隣接する透過パターン間の位置で異なるこ
とを特徴とする位相シフト層を有するフォトマスク。 - 【請求項2】 前記位相シフト層の屈折率の差は、位
相シフト層に対するイオン注入によって導入されたもの
であることを特徴とする請求項1記載の位相シフト層を
有するフォトマスク。 - 【請求項3】 前記位相シフト層は、スパッタリング
法によって形成された酸化珪素、スピンオングラス又は
有機高分子膜からなることを特徴とする請求項1又は2
記載の位相シフト層を有するフォトマスク。 - 【請求項4】 位相シフト層に注入するイオン種とし
て、窒素、リン、珪素、硼素、ガリウムの何れか1又は
複数を用いることを特徴とする請求項2又は3記載の位
相シフト層を有するフォトマスク。 - 【請求項5】 透明基板上に遮光マスクパターンを形
成し、遮光マスクパターン上に位相シフト層を設けたフ
ォトマスクの製造方法において、位相シフト層の所定パ
ターン領域に集束イオンビーム法により選択的にイオン
を注入して、遮光マスクパターンの隣接する透過パター
ン間の位置で位相シフト層の屈折率を異ならせて位相差
を生じさせることを特徴とする位相シフト層を有するフ
ォトマスクの製造方法。 - 【請求項6】 位相シフト層に選択的にイオン注入後
、加熱してアニーリング処理することを特徴とする請求
項5記載の位相シフト層を有するフォトマスクの製造方
法。 - 【請求項7】 透明基板上に遮光マスクパターンを形
成し、遮光マスクパターン上に位相シフト層を設けたフ
ォトマスクの製造方法において、位相シフト層上にレジ
ストパターンを形成た後、レジストパターンの開口部を
通して位相シフト層の所定パターン領域にイオン注入法
により選択的にイオンを注入して、遮光マスクパターン
の隣接する透過パターン間の位置で位相シフト層の屈折
率を異ならせて位相差を生じさせることを特徴とする位
相シフト層を有するフォトマスクの製造方法。 - 【請求項8】 位相シフト層に選択的にイオン注入後
、レジストパターンを剥離し、加熱してアニーリング処
理することを特徴とする請求項7記載の位相シフト層を
有するフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3005554A JPH04237053A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3005554A JPH04237053A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04237053A true JPH04237053A (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=11614417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3005554A Pending JPH04237053A (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04237053A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08314117A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体製造用位相反転マスク及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-01-22 JP JP3005554A patent/JPH04237053A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08314117A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体製造用位相反転マスク及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5702847A (en) | Phase shift photomask, phase shift photomask blank, and process for fabricating them | |
US5308721A (en) | Self-aligned method of making phase-shifting lithograhic masks having three or more phase-shifts | |
KR100298609B1 (ko) | 위상쉬프트층을갖는포토마스크의제조방법 | |
US7494749B2 (en) | Photolithography using interdependent binary masks | |
JP3160332B2 (ja) | ハーフトーン位相シフトフォトマスク | |
KR100223329B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 제조방법 | |
JP3205241B2 (ja) | 光学リソグラフイーで使用するための移相フォトマスクの製造方法及び移相フォトマスク | |
JP3312703B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの修正方法 | |
JP2641362B2 (ja) | リソグラフィー方法および位相シフトマスクの作製方法 | |
JPH0580492A (ja) | 位相シフト層を有するフオトマスクの製造方法 | |
JPH04237053A (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法 | |
JP3076075B2 (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法 | |
JP3210705B2 (ja) | 位相シフトフォトマスク | |
JPH04214559A (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法 | |
JP3225074B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
JP2693805B2 (ja) | レチクル及びこれを用いたパターン形成方法 | |
JPH0467613A (ja) | 微細コンタクトホールの形成方法 | |
JP3207913B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
JPH0451151A (ja) | 位相シフトレチクルの製作方法 | |
JP3241809B2 (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法 | |
JP3241793B2 (ja) | 位相シフトフォトマスク | |
JPH0651489A (ja) | ハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
JPH10333318A (ja) | 位相シフトフォトマスク及びその製造方法 | |
JP3151732B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの欠陥修正法 | |
KR100219399B1 (ko) | 반도체용 포토마스크제조방법 |