JP3205241B2 - 光学リソグラフイーで使用するための移相フォトマスクの製造方法及び移相フォトマスク - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造の分
野、詳細にはフォトリソグラフィーで使用するための移
相フォトマスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路チップを含む集積回路の
ためには製造において、最も重要かつ困難な工程の１つ
は、所望の回路パターンを形成するためのリソグラフィ
ー処理である。従来公知の半導体デバイスは、工業的現
状により所望される高密度のデバイスパッキングを達成
するために極小寸法のパターンを必要とする。隣接した
部位間で近接した間隔を有する小寸法のパターンの必要
性は、高い解像力のフォトリソグラフィー法を必要とす
る。

【０００３】一般に、フォトリソグラフイーは、フォト
リソグラフィーマスクから結像レンズを透過してフォト
レジスト被膜にパターンを伝送するために紫外線（Ｕ
Ｖ）波のような光ビームを使用する。該マスクは、フォ
トレジストの開口内の形状が所望の予め決定されたパタ
ーンに一致するように不透明と透明の領域を有する。

【０００４】フォトリソグラフィー法の解像力を改良す
るために慣用される１つの技術的は、移相リソグラフィ
ーとして公知である。移相リソグラフィーでは、回折を
克服しかつターゲット上に投影される光学的像の解像力
及び焦点深度を向上させるために光ビームの干渉が使用
される。移相リソグラフィーでは、物体での露出光の位
相は、隣接した領域が有利には互いに１８０゜ずれた位
相関係で形成されるように制御される。従って、これら
の領域の境界部におけるコントラストは、回折が外の形
式でコントラストを減衰せしめるとしても、強化され
る。この技術は物体における全体的解像力を改良しかつ
極めて微細なものに対する解像力を生ぜしめる。

【０００５】この移相技術によって提供される利益を利
用するために、移相マスクは広範囲に光学リソグラフィ
ーの方法を向上させるために使用された。目下、４つの
主要タイプの移相マスクが存在する（サブタイプを考慮
しないで）： ａ）交互移相マスク、この場合には位相差がフォトマス
ク内の隣接した開口の間にある。これらの開口は不透明
材料の領域によって分離されている。交互移相マスクは
特殊な設計拘束を有する。それというのも、コントラス
ト強化は位相が互いに有利には１８０゜ずれている領域
の間のみに作用するからである。

【０００６】ｂ）シフターのみ又はエッジ移相マスク、
この場合には強化されるべきパターンは位相が互いに有
利には１８０゜ずれている開口の間の境界部によって規
定され、該領域間ではいかなる吸収領域も存在しない。
１８０゜の位相ステップは、（例えばポジ型レジスト
に）暗線でプリントされる。このような線の幅は、使用
装置の光学的及びプロセスパラメータによって与えられ
る。同じ露光で異なった幅の線を生ぜしめるために特殊
な設計拘束が適用されねばならない。

【０００７】ｃ）リム移相マスク、この場合には有利に
は１８０゜位相ステップが開口のエッジに形成される。
この移相ステップは、該開口の境界部のコントラストを
強化する。このタイプの位相マスクにおいては、位相ス
テップと開口のエッジとの間の距離が極めて重要であ
る。一般に、開口寸法毎に、異なった距離が最適であ
る。

【０００８】ｄ）埋込み型移相マスク、この場合にはプ
リントされるべきパターンは、通常の（二元）フォトマ
スクに類似して、吸収層中の開口により規定される。通
常のフォトマスクと異なり、吸収層はプリンティングイ
法で使用される使用される全ての放射線を完全に吸収せ
ず、但しこのような放射線の規定された量（典型的には
３〜２０％）を透過する。吸収体を透過した放射線と、
マスク開口を透過した放射線との間には有利には１８０
゜の移相が存在する。この移相はパターンエッジでのコ
ントラストを強化する。極めて簡単な製造のほかに、埋
込み型移相マスクは、通常のフォトマスク（１層のみ）
と同じルーチンを使用して設計しかつ同じ設計データを
使用して製造することができる。唯一の補正の必要は、
開口（バイアス）の寸法における差異である。この利点
のために、埋込み型移相マスクが、半導体デバイスの大
量生産で最も使用されようとしている。

【０００９】埋込み型移相マスクを製造するためには、
２つの主な方法が一般に使用される。第１の方法は、光
放射の強度を修正するためのマスクブランク上の吸収層
と、光放射の位相を修正するためにマスクブランクまで
エッチングされるか又はマスクブランクに析出される別
の層とを使用する。第２の方法は、強度修正と移相を単
一の層に組み合わせることよりなる。しかしながら、こ
れらの方法の両者は、最終フォトマスク上に不均一な表
面トポグラフィーを生じる。

【００１０】この不均一な表面トポグラフィーは、かか
る移相マスクを使用する利点の幾分か又は全部が失われ
る方向に光放射を散乱させることがある。更に、不均一
な表面トポグラフィー、及び異なった材料の多重の層が
マスク上に析出されるという事実は、マスク洗浄に問題
を惹起する。換言すれば、好ましくない粒子が、付着す
る機会が多くなり、該粒子は一層大きな力で非平坦の表
面トポグラフィーに付着する。また、異なった材料の層
は有効な洗浄法及び化学薬品の使用を制限する。

【００１１】従って、大規模で適用されるべき移相技術
のためには、該方法は既存の製造条件と相溶性であらね
ばならない、換言すれば、これらの方法は廉価、反復性
かつクリーンであるべきである。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、移相リソグラフィー技術の利点を維持したままで、
マスクブランクの表面トポグラフィーをそのまま残しか
つ平滑でありかつ不均一性を有しない埋込み型移相フォ
トマスク及びかかるマスクの製造方法を提供することで
ある。更に、本発明の１つの目的は、この種の別のマス
クよりも簡単に洗浄することができる低い欠陥密度を有
するマスクを製造するために、好ましくない粒子が低い
付着力で表面に付着する機会の多く持たないような平滑
な表面を有する移相フォトマスクを製造することであっ
た。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明による移相フォト
マスクは、フォトリソグラフィーのために好適なマスク
ブランクの表面に対する構造化修正によって製造され
る。本発明では、イオン注入、拡散又は類似の方法を使
用して、マスクブランクの選択した領域の光学的特性
を、該領域が未処理の領域に比してマスクブランク基板
の処理された領域を透過した光放射の強度及び位相を修
正するように、変化させる。本発明による方法に基づき
製造されたフォトマスクの使用は、リソグラフィー法の
解像力及びプロセスウインドウ、例えば焦点深度及び／
又は露光ラチチュードを向上させる。

【００１４】本発明は、表面層又はマスクブランクの表
面に接近した別の層の修正によって意図した位相及び強
度変調をもたらす。この手段は、マスクブランクの表面
に化学的変化を惹起することなくマスクブランクの実際
の表面をそのままかつ平滑に残す。この方式により、光
放射は異なった材料の境界部で散乱されず、かつ好まし
くない粒子にとっては、トポグラフィーを有しないか又
は僅かに有するにすぎない平滑な表面に付着する機会が
少なくなる。たとえ粒子がこのような表面に付着したと
しても、該粒子は小さい結合力で付着するにすぎないの
で、洗浄が容易になる。従って、従来の技術による移相
マスクよりも洗浄が容易である、低い欠陥密度のマスク
を製造することが可能である。本発明による移相フォト
マスクのマスク表面の化学的特性は実質的に変化せずに
残るので、記載の方法に基づき製造された完成した移相
マスクは、材料析出の前にマスクブランクを洗浄するた
めに使用されると同じ苛酷な方法、例えば酸化性の熱硫
酸等を使用して洗浄することができる。

【００１５】

【実施例】次に図面に示した実施例を参照して本発明を
詳細に説明する。

【００１６】本発明は、基板の表面トポグラフィーが実
質的に変化せずに残るようにマスクブランクの基板が修
正された埋込み型移相フォトマスクである。修正は、低
い欠陥密度を有するマスクの製造を可能ならしめ、一方
では同時に当該種類の別の仕上げマスクよりも洗浄する
のが簡単であるイオン注入又は拡散により行うことがで
きる。

【００１７】図１には、本発明による埋込み型移相フォ
トマスクに基づき処理したマスクブランク１２が示され
ている。本発明の有利な実施態様によれば、マスクブラ
ンク１２は石英のような実質的に透明の基板から形成す
る。石英は、フォトリソグラフィーにおいて使用するた
めに好適な光学的特性を有する高度に精製されたガラス
である。石英は、半導体製造において有用であることを
立証する別の特性、例えば高温での固有の安定性、清浄
度、並びに洗浄が容易であるという特性を有する。石英
はまたＵＶ（紫外線）領域において高度に透明であるの
で、典型的にフォトリソグラフィーを使用する系におけ
るマスク材料として利用することができる。しかしなが
ら、もちろん、マスクブランク１２は、フォトリソグラ
フィーで使用される所望の光学的及び機械的特性を有す
る任意の別の適当な材料から形成することもできる。

【００１８】図１に示されているようなマスキング層１
４を、マスクブランク１２内の、それらの初期の光学的
特性が保持されるべきである領域に施す。即ち、マスキ
ング層１４を、必要な回路パターンを描くために電子ビ
ーム書込み又はレーザパターン化のような当業者に周知
である技術を使用して基板に被覆又はパターン化する。
図面から明らかのように、マスキング層１４をウエルを
残したマスクブランクか又は露出領域１６のいずれかに
析出させる。マスキング層１４のために使用される材料
は、マスクブランク１２を修正するために使用される方
法論に依存してフォトレジスト、誘電体もしくは金属層
であってよい。例えばイオン注入のためにはマスキング
層としてフォトレジストを使用することができ、又はイ
オン注入又は高温での拡散のためには誘電体もしくは金
属層を使用することができる。もちろん、マスキング層
は、所望の回路パターンを表示する多数のマスキング領
域及び露出領域を残すために選択的にマスクブランク１
２に施すべきである。

【００１９】図２に関して説明すれば、本発明による埋
込み型移相フォトマスク１０の中間状態が示されてい
る。処理すべき選択的にマスクされたブランク１２が示
されており、この場合には露出した領域１６が、マスク
されずに残ったマスクブランクの選択された領域の光学
的特性を変化するように修正される。マスクブランク１
２の修正は、以下に説明するように、イオン注入又は拡
散により実施することができる。イオン注入の場合に
は、マスクブランク１２をイオンドーパント１８を用い
て高電圧イオンボンバードに曝す。イオンドーパント１
６はマスキング層１４の間の露出領域１６に修正された
領域２０を形成する。修正された領域２０はマスクブラ
ンク１２の光学的特性を変化させるように機能し、その
際修正された領域を透過した光は、基板の修正されなか
った領域に比して移相されかつ吸収される。

【００２０】イオン注入法は、半導体製造の分野におい
て周知である。一般に、イオン注入は基板の選択領域に
ドーパント原子の特異的濃度及び分布を構成する。この
ことがイオン注入領域内の基板又はマスクブランク１２
の化学的構造及び物理的特性を変化させる。本発明の有
利な１実施例では、ドーパント濃度及び分布により、マ
スクブランク１２の屈折率を変化させ露光波長で１８０
゜の移相及び露光波長で（吸収又は反射のいずれかに基
づき）４％〜２０％の透過損失を生じる。

【００２１】マスクブランク１２の修正は、拡散法によ
っても実施することができる。拡散法は、制御した量の
不純物を基板に導入するために広範囲に使用される。実
質的に、半導体製造において使用される２つのタイプの
拡散法、即ちコンスタント・ソース拡散及びリミテッド
・ソース拡散が存在する。コンスタント・ソース拡散で
は、基板表面における不純物又はドーパントは全拡散サ
イクルを通じて一定のレベルに維持される。表面上の一
定の不純物レベルは拡散炉の温度及びキャリヤガス流量
により決定される。大抵の連続的拡散においては、不純
物ドーパントの表面濃度は基板内の特殊なドーパントの
固体溶解濃度制限によって決定されるようにするのが有
利である。リミテッド・ソース拡散又はガウス拡散の場
合には、拡散中に基板に導入される不純物の全量が制限
される。この制限は、実際の拡散前の短時間の“前析
出”工程中の基板の単位露出面積当たり固定した数の不
純物原子を析出させることにより達成される。この前析
出に引き続き“ドライブ−インサイクル”を実施し、そ
の際前析出工程中に既に析出した不純物を基板中に析出
させる。これらの拡散法のそれぞれは、イオン注入を用
いた場合と同様に基板の光学的特性及び屈折率を変化さ
せる。

【００２２】修正領域２０における屈折率の変化は、当
業者に周知である技術によりイオン注入法及び拡散法を
厳密に制御することにより達成することができる。注入
エネルギー、アニール手順及び拡散温度のようなプロセ
スパラメータを綿密に制御することにより、同時にマス
クブランクの実際の表面はそのままかつ平滑に残した状
態で、意図した位相及び強度修正を表面位置、及び基板
の表面に接近した位置で達成することができる。注入及
び拡散は、半導体製造工業で使用される適当なイオン注
入及び拡散装置で実施することができる。ドーパント及
び（不純物）原子は、マスクブランク基板１２の光学的
特性を修正する任意の適当な物質、例えば硼素及び燐で
あってよい。その他のドーパント材料、例えばアルミニ
ウム、ガリウム、インジウム、砒素及びアンチモンも包
含されるが、但しこれらに限定されるものではない。

【００２３】図３には、本発明による埋込み型移相フォ
トマスク１０の最終的状態が示されている。完成した移
相フォトマスク１０は、マスクブランク１２から剥離さ
れるマスキング層１４を有する。マスク層１４を剥離し
た後、マスクブランク１２は未修整領域２２と修正領域
２０を有する。図３の拡大された詳細部分について説明
すれば、注入、拡散又はその他の方法のプロセスパラメ
ータを慎重に制御することにより、露出された処理領域
１６内部でもマスクブランク１２の変化しない表面２４
を得ることが可能であることが自明である。従って、修
正された領域２０は実際にマスクブランク１２の表面２
４の下に埋込まれることになり、マスクブランク１２の
表面２４と修正された領域１６の間に小さい未修整領域
２６が後に残る。この表面体積のマスク１２の光学的特
性を変化させるには不十分な程浅くてもよいが、但しブ
ランク材料だけを周囲環境に暴露するために十分な深さ
である。また、プロセスパラメータ、即ち拡散温度、注
入手段及び／又はアニール手順の正確な制御は、修正領
域２０とマスクブランク１２の未修整領域２２の間の移
行部を寄生効果を最小にするために適合させることが可
能である。

【００２４】修正された移相領域２０が実際にマスクブ
ランク１２の表面の下に埋込まれている移相マスクを製
造することにより、該マスクの表面トポグラフィーは実
質的に変化されず、平滑性を維持する。このようにし
て、放射線は異なった材料の境界で散乱されず、かつ好
ましくない粒子がトポグラフィーを有しないか又は殆ど
有しない平滑な表面に付着する機会が少なくなる。たと
え粒子がこのような表面に付着したとしても、該粒子は
容易に洗浄が可能である程小さい結合力で付着する。従
って、低い欠陥密度を有するマスクを製造することが可
能であり、このことは従来の技術による移相マスクより
も洗浄が容易になる。本発明による移相フォトマスク１
０の表面は実質的に修正領域２０の上のマスクブランク
１２の化学的特性を残すので、記載した方法に基づき製
造された完成した移相フォトマスクは、材料析出前にマ
スクブランク１２を洗浄するために使用されると同じ過
酷な方法を使用して、例えば酸化性熱硫酸を使用して洗
浄することができる。従って、製造効率が向上せしめら
れる。それというのも、マスクブランクを一層容易にか
つ一層完全に洗浄することができるからである。

【００２５】言うまでもなく、マスクブランク１２の修
正領域２０は、マスクブランク１２の屈折率とは異なる
屈折率、及びマスクブランクの光透過率とは異なる光透
過率によって特徴付けられる。好ましくは、屈折率にお
ける相対的差異は、修正領域２０を透過する光と、透明
なマスクブランク１２の任意の別の部分を透過する光の
間に１８０゜に移相を生じる。好ましくは、修正領域の
光透過率は透明なマスクブランク１２の任意の別の部分
の光透過率の４〜２０％である。これらの移相マスク
は、リソグラフィー法の解像力及び焦点深度及び／又は
露光ラチチュードを向上させる。

【００２６】図４には、本発明に基づき製造された埋込
み型移相フォトマスク４０の第２の有利な実施例が示さ
れている。該フォトマスク４０は、マスクブランク４２
及び修正領域４６を有し、この場合の修正領域４６は入
射走査イオンビーム４８に基板を曝すことにより製造さ
れる。従って、マスクブランク４２の表面は、修正すべ
き領域上をイオンの焦点を合わせたビームで走査するこ
とにより修正される。図４から明らかなように、イオン
ビームを最初に修正される領域４５の出発地点に焦点を
合わせかつ斬新的に、所望のパターン化領域にイオンが
注入されるまで、修正すべき領域を横切らせる。マスク
ブランクの選択された領域の光学的特性を正確に修正す
るために精確に焦点が合わせられたイオンビームを使用
することにより、イオン注入の実施前に基板をマスキン
グすることを排除することが可能である。このことはマ
スク製造に含まれる製造工程数を減らし、ひいては重要
な倹約をもたらす。

【００２７】図５には、本発明による技術に基づき製造
された埋込み型移相フォトマスク４０の第３の有利な実
施例が示されている。図４の実施例と同様に、該フォト
マスク６０はマスクブランク６２及び修正領域６６を有
しているが、しかしながらこの場合には、修正領域は入
射パターン化イオンビーム６８により製造される。パタ
ーン化されたイオンビームは、マスクしたイオンビーム
又はイオン投射により形成されたビームのいずれかであ
ってよい。いずれの場合も、パターン化されたイオンビ
ームはマスクブランク６２の選択領域内へのイオンの精
確な注入を可能にし、またこの使用により、イオン注入
の前のマスキング工程を排除することができる。

【００２８】図４及び図５に関しては、もちろんのこ
と、この場合プロセスパラメータ（注入エネルギー、ア
ニール手順等）を最適化することにより、図３を参照し
て説明したように、マスクブランクの表面の下の浅い深
さに修正領域４６，６６を配置することができる。この
ことは実質的に変化されなかったマスクの処理表面を後
に残し、冒頭に説明したような従来の技術に比して重要
な利点を提供する。また、適用形式に基づき、先に記載
したようにイオン注入前にマスクブランク４２，６２を
マスクすることが必要になることは自明のことである。

【００２９】前記説明から、図面に関して記載した実施
例は単に例示しものにすぎずかつ当業者が本発明の思想
および範囲から逸脱することなく図示の実施例を変更及
び修正を行うことができることは言うまでもない。この
ような変更及び修正は、特許請求の範囲に定義した本発
明の範囲内に包含されるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による埋込み型移相フォトマスクを製造
する際の第１工程を示す図である。

【図２】本発明による埋込み型移相フォトマスクを製造
する際の中間工程を示す図である。

【図３】本発明による移相フォトマスク有利な１実施例
及びその最終製造工程を示す図である。

【図４】本発明による移相フォトマスクの有利な第２の
実施例及びその製造技術を示す図である。

【図５】本発明による移相フォトマスクの有利な第３の
実施例及びその製造技術を示す図である。

【符号の説明】

１０，４０，６０ 移相フォトマスク、 １２，４２，
６２ マスクブランク、 １４ マスキング層、 １
６，２０，４５，４６，６６ 修正領域、 ２２，２６
未修整領域、２４ マスクブランクの表面、 ４８，
６８ イオンビーム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−116655（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−144645（ＪＰ，Ａ) 米国特許5208125（ＵＳ，Ａ)

Claims (21)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光学リソグラフィーで使用するための移
   相フォトマスクの製造方法において、 フォトリソグラフィーで使用するために実質的に透明な
   マスクブランクを準備し、 該マスクブランクの選択した部分をマスク層でマスクし
   て、前記マスクブランクの表面に露出領域と非露出領域
   のパターンを形成し、 前記マスクブランクの前記露出領域のそれぞれの表面の
   直ぐ下の領域に、表面の直ぐ下のそれぞれの前記領域の
   光学的特性を変性するための物質を導入し、一方前記マ
   スクブランク表面の化学的特性は変化させずに維持し、
   露出したマスクブランク表面と変性した領域の間に小さ
   い未変性領域を残し、それにより前記マスクブランクを
   透過した光は前記露出領域のそれぞれの位置においての
   み移相及び吸収されるようにし、 前記マスク層を剥離し、それにより前記マスクブランク
   上の一貫して平滑かつ均一な表面を残すことを特徴とす
   る、光学リソグラフィーで使用するための移相フォトマ
   スクの製造方法。
2. 【請求項２】 前記マスクブランクのそれぞれの露出表
   面の直ぐ下の領域のそれぞれが、前記露出領域における
   前記マスクブランクの表面の下の移相材料の埋込まれた
   領域からなり、その際前記マスクブランクの表面の化学
   的特性が変化せずに残る、請求項１記載の方法。
3. 【請求項３】 前記導入工程が、選択したドーパントか
   らのイオン注入からなる、請求項１記載の方法。
4. 【請求項４】 前記イオン注入をイオン走査ビームを用
   いて実施する、請求項３記載の方法。
5. 【請求項５】 前記イオン注入をパターン化イオン注入
   により実施する、請求項３記載の方法。
6. 【請求項６】 前記導入工程が、原子を前記マスクブラ
   ンクの前記領域に拡散させる工程からなる、請求項１記
   載の方法。
7. 【請求項７】 前記マスクブランクが石英からなる、請
   求項１記載の方法。
8. 【請求項８】 前記マスクブランクに導入される前記物
   質が、硼素、燐、アルミニウム、ガリウム、インジウ
   ム、ヒ素及びアンチモンからなる群から選択される、請
   求項１記載の方法。
9. 【請求項９】 前記マスクブランクの前記露出領域が非
   露出領域に対して１８０°の光放射の移相及び４〜２０
   ％の透過損失を惹起する、請求項１記載の方法。
10. 【請求項１０】 光学リソグラフィーで使用するための
    移相フォトマスクの製造方法において、 フォトリソグラフィーで使用するために実質的に透明な
    マスクブランクを準備し、 該マスクブランクの表面の下の選択した領域にドーパン
    トからイオン注入し、該選択した領域の光学特性を、該
    領域を透過した光放射の強度及び位相が前記マスクブラ
    ンクの別の領域に比して修正されるように変化させ、一
    方前記マスクブランク表面の化学的特性は変化させずに
    維持し、露出したマスクブランク表面と変性した領域の
    間に小さい未変性領域を残すことを特徴とする、光学リ
    ソグラフィーで使用するための移相フォトマスクの製造
    方法。
11. 【請求項１１】 前記イオン注入工程が、前記マスクブ
    ランクの前記選択した領域の下に修正された材料の埋込
    まれた領域を形成し、その際前記マスクブランクの表面
    の化学的特性が変化せずに残る、請求項１０記載の方
    法。
12. 【請求項１２】 前記イオン注入をイオン走査ビームを
    用いて実施する、請求項１０記載の方法。
13. 【請求項１３】 前記イオン注入をパターン化イオン注
    入により実施する、請求項１０記載の方法。
14. 【請求項１４】 前記マスクブランクの前記選択した領
    域が、前記マスクブランクの前記別の領域に比して１８
    ０°の光放射における移相及び４〜２０％の透過損失を
    生じる、請求項１０記載の方法。
15. 【請求項１５】 光学リソグラフィーで使用するための
    移相フォトマスクにおいて、該フォトマスクが第１の屈
    折率を有する実質的に透明なマスクブランクからなり、
    該マスクブランクがその上面の近くに選択された領域を
    有し、該選択された領域が前記第１の屈折率と実質的に
    異なる第２の屈折率を有し、その際前記マスクブランク
    を透過した光放射の強度及び位相が前記マスクブランク
    の前記選択された領域においてのみ変化せしめられてお
    り、露出したマスクブランク表面と変性した領域の間に
    小さい未変性領域を残し、その際一方前記マスクブラン
    ク表面の化学的特性は変化させずに維持し、それにより
    前記マスクブランク上に一貫して平滑かつ均一な表面を
    残すことを特徴とする、光学リソグラフィーで使用する
    ための移相フォトマスク。
16. 【請求項１６】 前記選択された領域が、前記マスクブ
    ランクの前記選択された領域に物質を導入することによ
    り、前記第１の屈折率から前記第２の屈折率に変化せし
    められている、請求項１５記載のフォトマスク。
17. 【請求項１７】 前記マスクブランクに導入される前記
    物質が、硼素、燐、アルミニウム、ガリウム、インジウ
    ム、ヒ素及びアンチモンからなる群から選択される、請
    求項１６記載のフォトマスク。
18. 【請求項１８】 前記マスクブランクが石英である、請
    求項１５記載のフォトマスク。
19. 【請求項１９】 前記物質の導入をイオン注入により実
    施した、請求項１６記載のフォトマスク。
20. 【請求項２０】 前記物質の導入を拡散により実施し
    た、請求項１６記載のフォトマスク。
21. 【請求項２１】 前記マスクブランクの前記変性した領
    域が、前記マスクブランクの前記未修整領域に比して１
    ８０°の光放射における移相及び４〜２０％の透過損失
    を生じる、請求項１５記載のフォトマスク。