JPH05341494A - 位相シフトフォトマスク及びその作成方法 - Google Patents
位相シフトフォトマスク及びその作成方法Info
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- JPH05341494A JPH05341494A JP14958092A JP14958092A JPH05341494A JP H05341494 A JPH05341494 A JP H05341494A JP 14958092 A JP14958092 A JP 14958092A JP 14958092 A JP14958092 A JP 14958092A JP H05341494 A JPH05341494 A JP H05341494A
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- Japan
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- phase shifter
- pattern
- phase
- phase shift
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来型の露光方式では解像限界の０．３５μ
ｍ以下の線幅のパターンを実現して、ゲート長０．１μ
ｍの高速で高集積な半導体デバイスパターンを可能にす
る。 【構成】 透明基板１上に空気との位相差がほぼ１８０
度の第１の位相シフターパターン３を形成し、次いで、
第１の位相シフターパターン３の境界の一部を覆うよう
に、屈折率が第１の位相シフターパターン３と異なる材
料からなる第２の位相シフターパターン５を形成する。
第２の位相シフターパターン５で覆った第１の位相シフ
ターパターン３の境界には、細線パターンが生成されな
い。
ｍ以下の線幅のパターンを実現して、ゲート長０．１μ
ｍの高速で高集積な半導体デバイスパターンを可能にす
る。 【構成】 透明基板１上に空気との位相差がほぼ１８０
度の第１の位相シフターパターン３を形成し、次いで、
第１の位相シフターパターン３の境界の一部を覆うよう
に、屈折率が第１の位相シフターパターン３と異なる材
料からなる第２の位相シフターパターン５を形成する。
第２の位相シフターパターン５で覆った第１の位相シフ
ターパターン３の境界には、細線パターンが生成されな
い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、位相シフトフォトマス
ク及びその作成方法に関し、特に、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等
の高密度集積回路の微細なパターンを高精度に形成する
ための位相シフト層を有するフォトマスク及びその作成
方法に関する。
ク及びその作成方法に関し、特に、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等
の高密度集積回路の微細なパターンを高精度に形成する
ための位相シフト層を有するフォトマスク及びその作成
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体集積
回路は、Ｓｉウェーハ等の被加工基板上にレジストを塗
布し、ステッパー等により所望のパターンを露光した
後、現像、エッチングを行う、いわゆるリソグラフィー
工程を繰り返すことにより製造されている。
回路は、Ｓｉウェーハ等の被加工基板上にレジストを塗
布し、ステッパー等により所望のパターンを露光した
後、現像、エッチングを行う、いわゆるリソグラフィー
工程を繰り返すことにより製造されている。
【０００３】このようなリソグラフィー工程に使用され
るレチクルと呼ばれるフォトマスクは、半導体集積回路
の高性能化、高集積化に伴ってますます高精度なものが
要求されてきているが、従来の露光方法では、レチクル
を使用して形成されるデバイスパターンの線幅は、０．
６μｍまでの微細化であり、レジストパターンの解像限
界になっている。この限界を乗り越えるものとして、位
相シフトフォトマスクという新しい考え方のレチクルが
提案されてきている。
るレチクルと呼ばれるフォトマスクは、半導体集積回路
の高性能化、高集積化に伴ってますます高精度なものが
要求されてきているが、従来の露光方法では、レチクル
を使用して形成されるデバイスパターンの線幅は、０．
６μｍまでの微細化であり、レジストパターンの解像限
界になっている。この限界を乗り越えるものとして、位
相シフトフォトマスクという新しい考え方のレチクルが
提案されてきている。
【０００４】位相シフトレチクルを用いる位相シフトリ
ソグラフィーは、レチクルを透過する光の位相を操作す
ることによって、投影像の分解能及びコントラストを向
上させる技術である。
ソグラフィーは、レチクルを透過する光の位相を操作す
ることによって、投影像の分解能及びコントラストを向
上させる技術である。
【０００５】位相シフトリソグラフィーの１つであるエ
ッジ強調型位相シフト法の原理を図面に従って簡単に説
明する。図３は従来法を説明するための図、図４はエッ
ジ強調型位相シフト法の原理を説明するための図であ
り、図３（ａ）及び図４（ａ）はレチクルの断面図、図
３（ｂ）及び図４（ｂ）はレチクル透過後の光の振幅、
図３（ｃ）及び図４（ｃ）はウェーハ上の光の振幅、図
３（ｄ）及び図４（ｄ）はウェーハ上の光の位相、図３
（ｅ）及び図４（ｅ）はウェーハ上の光強度をそれぞれ
示し、１は基板、２は遮光膜、３は位相シフト層、４は
入射光を示す。
ッジ強調型位相シフト法の原理を図面に従って簡単に説
明する。図３は従来法を説明するための図、図４はエッ
ジ強調型位相シフト法の原理を説明するための図であ
り、図３（ａ）及び図４（ａ）はレチクルの断面図、図
３（ｂ）及び図４（ｂ）はレチクル透過後の光の振幅、
図３（ｃ）及び図４（ｃ）はウェーハ上の光の振幅、図
３（ｄ）及び図４（ｄ）はウェーハ上の光の位相、図３
（ｅ）及び図４（ｅ）はウェーハ上の光強度をそれぞれ
示し、１は基板、２は遮光膜、３は位相シフト層、４は
入射光を示す。
【０００６】従来法においては、図３（ａ）に示すよう
に、ガラス等の基板１にクロム等からなる遮光膜２が形
成されて、所定のパターンの光透過部が形成されている
だけであるが、エッジ強調型位相シフトリソグラフィー
では、図４（ａ）に示すように、基板１上の光透過部の
必要なパターン部に、光の位相がλ／２（λ：波長）ず
れるように、透過膜からなる位相シフト層３が設けられ
ている。従来法では、レチクル上の光の振幅は図３
（ｂ）に示すようになり、遮光膜２のため、ウェーハ上
の光の振幅、位相も図３（ｃ）、（ｄ）に示すようにな
って、その結果、光の強度は図３（ｅ）に示すようにな
り、ウェーハ上の微細パターンを明確に分離することが
できない。これに対して、エッジ強調型位相シフトリソ
グラフィーにおいては、レチクル上及びウェーハ上の光
の振幅は、図４（ｂ）、（ｃ）に示すように一定である
が、ウェーハ上の光の位相は、図４（ｄ）に示すよう
に、位相シフト層３を透過した光がそれ以外の透過部と
逆位相になり、かつ、位相シフト層３のパターン境界部
分で回折により、隣接パターンからの光が相互に若干重
なるため、図４（ｅ）に示すように、この部分で光の強
度がゼロになり、微細パターンを明瞭に分離することが
でき、さらに、０．１μｍという微細パターンが実現で
きる。
に、ガラス等の基板１にクロム等からなる遮光膜２が形
成されて、所定のパターンの光透過部が形成されている
だけであるが、エッジ強調型位相シフトリソグラフィー
では、図４（ａ）に示すように、基板１上の光透過部の
必要なパターン部に、光の位相がλ／２（λ：波長）ず
れるように、透過膜からなる位相シフト層３が設けられ
ている。従来法では、レチクル上の光の振幅は図３
（ｂ）に示すようになり、遮光膜２のため、ウェーハ上
の光の振幅、位相も図３（ｃ）、（ｄ）に示すようにな
って、その結果、光の強度は図３（ｅ）に示すようにな
り、ウェーハ上の微細パターンを明確に分離することが
できない。これに対して、エッジ強調型位相シフトリソ
グラフィーにおいては、レチクル上及びウェーハ上の光
の振幅は、図４（ｂ）、（ｃ）に示すように一定である
が、ウェーハ上の光の位相は、図４（ｄ）に示すよう
に、位相シフト層３を透過した光がそれ以外の透過部と
逆位相になり、かつ、位相シフト層３のパターン境界部
分で回折により、隣接パターンからの光が相互に若干重
なるため、図４（ｅ）に示すように、この部分で光の強
度がゼロになり、微細パターンを明瞭に分離することが
でき、さらに、０．１μｍという微細パターンが実現で
きる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような微細パター
ンを形成できる技術があるにもかかわらず、現状では、
例えばＦＥＴセルのゲート部分のために通常の露光方式
がとられており、上記エッジ強調型位相シフトリソグラ
フィーを実際のデバイス製作に活用して、より高速のト
ランジスタを設計することについては、未だ検討されて
いないし、また、セルやレイアウトパターンへの利用は
行われていない。
ンを形成できる技術があるにもかかわらず、現状では、
例えばＦＥＴセルのゲート部分のために通常の露光方式
がとられており、上記エッジ強調型位相シフトリソグラ
フィーを実際のデバイス製作に活用して、より高速のト
ランジスタを設計することについては、未だ検討されて
いないし、また、セルやレイアウトパターンへの利用は
行われていない。
【０００８】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、従来型の露光方式では解像限
界と言われている０．３５μｍ以下の線幅のパターンを
実現して、ゲート長０．１μｍの高速で高集積な半導体
デバイスパターンが可能な位相シフトフォトマスク及び
その作成方法を提供することである。
ものであり、その目的は、従来型の露光方式では解像限
界と言われている０．３５μｍ以下の線幅のパターンを
実現して、ゲート長０．１μｍの高速で高集積な半導体
デバイスパターンが可能な位相シフトフォトマスク及び
その作成方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の問題
に鑑み、デバイスのマスクパターン作成方法を研究した
結果、高解像力を有するエッジ強調型位相シフトフォト
マスクを使用することによって、ゲート長０．１μｍ以
下のゲートアレイ用基本セルを作成できることを見出
し、かかる知見に基づいて本発明を完成したものであ
る。
に鑑み、デバイスのマスクパターン作成方法を研究した
結果、高解像力を有するエッジ強調型位相シフトフォト
マスクを使用することによって、ゲート長０．１μｍ以
下のゲートアレイ用基本セルを作成できることを見出
し、かかる知見に基づいて本発明を完成したものであ
る。
【００１０】以下、本発明の位相シフトフォトマスクを
図面を参照にして詳細に説明する。図１は、本発明に係
わる位相シフトリソグラフィーの原理を示した図であ
る。図（ａ）はレチクルの断面図、図（ｂ）はその平面
図、図（ｃ）はウェーハ上の光の位相、図（ｄ）はウェ
ーハ上の光強度、図（ｅ）は露光後にウェーハ上に形成
されたパターンをそれぞれ示す。そして、１は基板、３
は位相シフター、４は入射光、５は消去用位相シフタ
ー、１０はウェーハ、１１は形成されたパターンを示
す。
図面を参照にして詳細に説明する。図１は、本発明に係
わる位相シフトリソグラフィーの原理を示した図であ
る。図（ａ）はレチクルの断面図、図（ｂ）はその平面
図、図（ｃ）はウェーハ上の光の位相、図（ｄ）はウェ
ーハ上の光強度、図（ｅ）は露光後にウェーハ上に形成
されたパターンをそれぞれ示す。そして、１は基板、３
は位相シフター、４は入射光、５は消去用位相シフタ
ー、１０はウェーハ、１１は形成されたパターンを示
す。
【００１１】図４において説明したように、光透過部材
１の下に位相を反転（位相差１８０度）させるための透
過膜からなる位相シフター３を設けると、図４（ｄ）に
示すように、位相シフター３を透過した光は、位相シフ
ター３のパターン境界部を境に光の位相が互いに逆位相
になるため、パターン３の境界部で光強度がゼロにな
り、線幅０．１μｍ程度の微細パターンの作成が実現で
きる。この位相シフター３の原理を基に、任意のパター
ン形状の微細線パターンを提供するのが本発明の目的で
ある。
１の下に位相を反転（位相差１８０度）させるための透
過膜からなる位相シフター３を設けると、図４（ｄ）に
示すように、位相シフター３を透過した光は、位相シフ
ター３のパターン境界部を境に光の位相が互いに逆位相
になるため、パターン３の境界部で光強度がゼロにな
り、線幅０．１μｍ程度の微細パターンの作成が実現で
きる。この位相シフター３の原理を基に、任意のパター
ン形状の微細線パターンを提供するのが本発明の目的で
ある。
【００１２】図１に示すように、１の光透過基板上に位
相シフター３を設けるのは図４と同様である。ただし、
この場合、最終的に０．１μｍ程度の細い線を形成する
パターンが位相シフター３の境界線の一部となるよう
に、位相シフター３を設ける。次に、位相シフター３の
境界線の不必要部分を覆うように、基板１及び位相シフ
ター３の上にもう１層の消去用位相シフター５を形成す
る。この消去用位相シフター５は、位相シフター３の側
面も覆うように形成する。消去用位相シフター５の屈折
率は、位相シフター３の屈折率と異なるものを選択し、
かつ、その厚さとして、空気との位相差が１８０度にな
らないようにする（通常、厳密に膜厚管理しない限り、
こうなる。）。
相シフター３を設けるのは図４と同様である。ただし、
この場合、最終的に０．１μｍ程度の細い線を形成する
パターンが位相シフター３の境界線の一部となるよう
に、位相シフター３を設ける。次に、位相シフター３の
境界線の不必要部分を覆うように、基板１及び位相シフ
ター３の上にもう１層の消去用位相シフター５を形成す
る。この消去用位相シフター５は、位相シフター３の側
面も覆うように形成する。消去用位相シフター５の屈折
率は、位相シフター３の屈折率と異なるものを選択し、
かつ、その厚さとして、空気との位相差が１８０度にな
らないようにする（通常、厳密に膜厚管理しない限り、
こうなる。）。
【００１３】このように、位相シフター３及び消去用位
相シフター５を設けると、０．１μｍ程度の細い線パタ
ーンを形成したい部分は、位相シフター３の境界部であ
り、隣接領域間で、図１（ｃ）に示すように、光の位相
が１８０度ずれるため、ウェーハ１０上では光強度が図
４（ｅ）と同様、図１（ｄ）に１２で示すように、０．
１μｍ程度の幅でほぼ強度ゼロに減衰する。これに対
し、このような細い線パターンを形成したくない部分に
ついては、消去用位相シフター５を追加してあるため、
隣接領域間での位相ずれが１８０度にならず、それより
大きいか小さくなるため、光強度の減衰は、図１（ｄ）
に１３〜１６で示すように、１２位置での減衰より小さ
くなり、ウェーハ１０上に塗布した感光レジストのスレ
ショルドを図（ｄ）の９のように設定することにより、
０．１μｍパターン形成に必要な感光レジスト部分のみ
を感光させることができる。
相シフター５を設けると、０．１μｍ程度の細い線パタ
ーンを形成したい部分は、位相シフター３の境界部であ
り、隣接領域間で、図１（ｃ）に示すように、光の位相
が１８０度ずれるため、ウェーハ１０上では光強度が図
４（ｅ）と同様、図１（ｄ）に１２で示すように、０．
１μｍ程度の幅でほぼ強度ゼロに減衰する。これに対
し、このような細い線パターンを形成したくない部分に
ついては、消去用位相シフター５を追加してあるため、
隣接領域間での位相ずれが１８０度にならず、それより
大きいか小さくなるため、光強度の減衰は、図１（ｄ）
に１３〜１６で示すように、１２位置での減衰より小さ
くなり、ウェーハ１０上に塗布した感光レジストのスレ
ショルドを図（ｄ）の９のように設定することにより、
０．１μｍパターン形成に必要な感光レジスト部分のみ
を感光させることができる。
【００１４】このような位相シフトフォトマスクによ
り、０．１μｍ程度の線幅の任意の形状パターンを形成
することができる。さらに、実際のデバイスへの応用の
際には、従来の金属クロム膜等からなる遮光膜パターン
を有するフォトマスクへこの方法を適用すると、より顕
著な効果が得られる。その１例を図２に示す。
り、０．１μｍ程度の線幅の任意の形状パターンを形成
することができる。さらに、実際のデバイスへの応用の
際には、従来の金属クロム膜等からなる遮光膜パターン
を有するフォトマスクへこの方法を適用すると、より顕
著な効果が得られる。その１例を図２に示す。
【００１５】図２の場合、図１に加えて、位相シフター
３の境界の０．１μｍ幅のパターン１１に０．４μｍ以
上（例えば、０．８μｍ）の幅の引き出し端子１８を接
続して形成するために、この端子１８のパターンをフォ
トマスクのクロム膜パターン１７によりあらかじめ形成
しておくものである。すなわち、図２（ａ）に示すよう
に、基板１に端子１８に相当する遮光膜パターン１７を
形成し、次に、同図（ｂ）に示すように、遮光膜パター
ン１７を接続するような境界を有する位相シフター３を
その上に設ける。次いで、同図（ｃ）に示すように、こ
の境界の中の消去すべき部分を覆うように消去用位相シ
フター５を設ける。このようにして、遮光膜パターン１
７と位相シフターパターン３を設けて構成した複合位相
シフトフォトマスクにより、同図（ｄ）に示すように、
ウェーハ１０上に幅の広い引き出し端子１８間に幅の狭
いゲート電極１１を接続してなるパターンを形成するこ
とができる。この方法により、例えば、ＭＯＳトランジ
スタのゲート部等の微細化を必要とする部分だけを０．
１μｍ程度のパターンに形成し、その引き出し線等を
０．８μｍ程度の通常のリソグラフィーの線幅でパター
ニングすることが可能になる。
３の境界の０．１μｍ幅のパターン１１に０．４μｍ以
上（例えば、０．８μｍ）の幅の引き出し端子１８を接
続して形成するために、この端子１８のパターンをフォ
トマスクのクロム膜パターン１７によりあらかじめ形成
しておくものである。すなわち、図２（ａ）に示すよう
に、基板１に端子１８に相当する遮光膜パターン１７を
形成し、次に、同図（ｂ）に示すように、遮光膜パター
ン１７を接続するような境界を有する位相シフター３を
その上に設ける。次いで、同図（ｃ）に示すように、こ
の境界の中の消去すべき部分を覆うように消去用位相シ
フター５を設ける。このようにして、遮光膜パターン１
７と位相シフターパターン３を設けて構成した複合位相
シフトフォトマスクにより、同図（ｄ）に示すように、
ウェーハ１０上に幅の広い引き出し端子１８間に幅の狭
いゲート電極１１を接続してなるパターンを形成するこ
とができる。この方法により、例えば、ＭＯＳトランジ
スタのゲート部等の微細化を必要とする部分だけを０．
１μｍ程度のパターンに形成し、その引き出し線等を
０．８μｍ程度の通常のリソグラフィーの線幅でパター
ニングすることが可能になる。
【００１６】以上において、位相シフター３の境界部分
を覆うように消去用位相シフター５を設けて所要部分の
細線パターンを消していたが、その代わりに、消去用位
相シフター５を配置するべき位置に部分的にイオン注入
を行い、注入部の屈折率を変化させることにより、同様
に不必要な細線パターンを消去することができる。
を覆うように消去用位相シフター５を設けて所要部分の
細線パターンを消していたが、その代わりに、消去用位
相シフター５を配置するべき位置に部分的にイオン注入
を行い、注入部の屈折率を変化させることにより、同様
に不必要な細線パターンを消去することができる。
【００１７】以上の説明から明らかなように、本発明の
位相シフトフォトマスクは、透明基板上に空気との位相
差がほぼ１８０度の位相シフターパターンを設けてなる
位相シフトフォトマスクにおいて、該位相シフターパタ
ーンの境界の一部を覆うように第２の位相シフターパタ
ーンが設けられ、該第２の位相シフターパターンの屈折
率がもう一方の位相シフターパターンの屈折率と異なる
ことを特徴とするものである。
位相シフトフォトマスクは、透明基板上に空気との位相
差がほぼ１８０度の位相シフターパターンを設けてなる
位相シフトフォトマスクにおいて、該位相シフターパタ
ーンの境界の一部を覆うように第２の位相シフターパタ
ーンが設けられ、該第２の位相シフターパターンの屈折
率がもう一方の位相シフターパターンの屈折率と異なる
ことを特徴とするものである。
【００１８】この場合、第２の位相シフターパターンの
空気との位相差を１８０度以外の値に設定することが必
要である。
空気との位相差を１８０度以外の値に設定することが必
要である。
【００１９】なお、このような位相シフトフォトマスク
に遮光膜パターンを含めて構成することもできる。
に遮光膜パターンを含めて構成することもできる。
【００２０】また、本発明の位相シフトフォトマスクに
は、透明基板上に空気との位相差がほぼ１８０度の位相
シフターパターンを設けてなる位相シフトフォトマスク
において、位相シフターパターンの境界の一部を含む領
域をイオン注入により屈折率を変化させてなる位相シフ
トフォトマスクも含まれる。
は、透明基板上に空気との位相差がほぼ１８０度の位相
シフターパターンを設けてなる位相シフトフォトマスク
において、位相シフターパターンの境界の一部を含む領
域をイオン注入により屈折率を変化させてなる位相シフ
トフォトマスクも含まれる。
【００２１】この場合も、遮光膜パターンを含めて構成
することもできる。
することもできる。
【００２２】さらに、本発明の位相シフトフォトマスク
の作成方法は、透明基板上に空気との位相差がほぼ１８
０度の第１の位相シフターパターンを形成し、次いで、
該第１の位相シフターパターンの境界の一部を覆うよう
に、屈折率が第１の位相シフターパターンと異なる材料
からなる第２の位相シフターパターンを形成することを
特徴とする方法である。
の作成方法は、透明基板上に空気との位相差がほぼ１８
０度の第１の位相シフターパターンを形成し、次いで、
該第１の位相シフターパターンの境界の一部を覆うよう
に、屈折率が第１の位相シフターパターンと異なる材料
からなる第２の位相シフターパターンを形成することを
特徴とする方法である。
【００２３】また、本発明の位相シフトフォトマスクの
作成方法には、透明基板上に空気との位相差がほぼ１８
０度の第１の位相シフターパターンを形成し、次いで、
該第１の位相シフターパターンの境界の一部を含む領域
をイオン注入により屈折率を変化させる方法も含まれ
る。
作成方法には、透明基板上に空気との位相差がほぼ１８
０度の第１の位相シフターパターンを形成し、次いで、
該第１の位相シフターパターンの境界の一部を含む領域
をイオン注入により屈折率を変化させる方法も含まれ
る。
【００２４】
【作用】本発明においては、位相シフターパターンの境
界の一部を覆うように第２の位相シフターパターンを設
け、この第２の位相シフターパターンの屈折率をもう一
方の位相シフターパターンの屈折率と異なるようにする
か、位相シフターパターンの境界の一部を含む領域をイ
オン注入により屈折率を変化させるので、従来の方法で
は達成されなかった所望の長さと形を持った線からなる
微細パターンの作成が可能になり、パターン作成のため
の工程数を増やすことなしに、半導体デバイスの高集積
化と高速化が可能となる。
界の一部を覆うように第２の位相シフターパターンを設
け、この第２の位相シフターパターンの屈折率をもう一
方の位相シフターパターンの屈折率と異なるようにする
か、位相シフターパターンの境界の一部を含む領域をイ
オン注入により屈折率を変化させるので、従来の方法で
は達成されなかった所望の長さと形を持った線からなる
微細パターンの作成が可能になり、パターン作成のため
の工程数を増やすことなしに、半導体デバイスの高集積
化と高速化が可能となる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の位相シフトフォトマスク及び
その作成方法の実施例について説明する。図２（ａ）に
示すような常法に従って製造したクロム遮光パターンを
有するフォトマスクに、ＳＯＧ（スピ・オン・グラス）
あるいはスッパタリング法によるＳｉＯ2 の位相シフト
層を成膜する。成膜した位相シフト層を、レジストコー
ティングとエッチングとにより、図２（ｂ）のパターン
に製版する。さらに、図２（ｃ）の破線部に第２位相シ
フターパターンを第１層と同様に製版する。この第２位
相シフターは、ＳｉＯ2 に例えば窒素をイオン注入する
等の処置をし、第１の位相シフト層の屈折率と異なるよ
うにしており、その位相差がλ／４程度になるように形
成する。このようにして形成したフォトマスクを用い
て、図２（ｄ）のような電極パターンがウェーハ上に作
成できた。
その作成方法の実施例について説明する。図２（ａ）に
示すような常法に従って製造したクロム遮光パターンを
有するフォトマスクに、ＳＯＧ（スピ・オン・グラス）
あるいはスッパタリング法によるＳｉＯ2 の位相シフト
層を成膜する。成膜した位相シフト層を、レジストコー
ティングとエッチングとにより、図２（ｂ）のパターン
に製版する。さらに、図２（ｃ）の破線部に第２位相シ
フターパターンを第１層と同様に製版する。この第２位
相シフターは、ＳｉＯ2 に例えば窒素をイオン注入する
等の処置をし、第１の位相シフト層の屈折率と異なるよ
うにしており、その位相差がλ／４程度になるように形
成する。このようにして形成したフォトマスクを用い
て、図２（ｄ）のような電極パターンがウェーハ上に作
成できた。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
による位相シフトフォトマスク及びその作成方法による
と、例えばゲート部分のみが微細なデバイスパターンの
生成が可能となり、ＬＳＩ、超ＬＳＩのより一層の高集
積化と高速化が可能になる。
による位相シフトフォトマスク及びその作成方法による
と、例えばゲート部分のみが微細なデバイスパターンの
生成が可能となり、ＬＳＩ、超ＬＳＩのより一層の高集
積化と高速化が可能になる。
【図１】本発明に係わる位相シフトリソグラフィーの原
理を説明するための図である。
理を説明するための図である。
【図２】図１の位相シフトフォトマスクに従来法を組み
合わせてトランジスタのゲート部等の微細化を図る方法
を説明するための図である。
合わせてトランジスタのゲート部等の微細化を図る方法
を説明するための図である。
【図３】フォトマスクの従来法を説明するための図であ
る。
る。
【図４】エッジ強調型位相シフト法の原理を説明するた
めの図である。
めの図である。
１…基板 ２…遮光膜 ３…位相シフター ４…入射光 ５…消去用位相シフター １０…ウェーハ １１…形成されたパターン １７…遮光膜パターン １８…引き出し端子
Claims (7)
- 【請求項１】 透明基板上に空気との位相差がほぼ１８
０度の位相シフターパターンを設けてなる位相シフトフ
ォトマスクにおいて、該位相シフターパターンの境界の
一部を覆うように第２の位相シフターパターンが設けら
れ、該第２の位相シフターパターンの屈折率がもう一方
の位相シフターパターンの屈折率と異なることを特徴と
する位相シフトフォトマスク。 - 【請求項２】 前記第２の位相シフターパターンの空気
との位相差が１８０度以外の値に設定されていることを
特徴とする請求項１記載の位相シフトフォトマスク。 - 【請求項３】 遮光膜パターンを有することを特徴とす
る請求項１又は２記載の位相シフトフォトマスク。 - 【請求項４】 透明基板上に空気との位相差がほぼ１８
０度の位相シフターパターンを設けてなる位相シフトフ
ォトマスクにおいて、該位相シフターパターンの境界の
一部を含む領域をイオン注入により屈折率を変化させて
なることを特徴とする位相シフトフォトマスク。 - 【請求項５】 遮光膜パターンを有することを特徴とす
る請求項４記載の位相シフトフォトマスク。 - 【請求項６】 透明基板上に空気との位相差がほぼ１８
０度の第１の位相シフターパターンを形成し、次いで、
該第１の位相シフターパターンの境界の一部を覆うよう
に、屈折率が第１の位相シフターパターンと異なる材料
からなる第２の位相シフターパターンを形成することを
特徴とする位相シフトフォトマスクの作成方法。 - 【請求項７】 透明基板上に空気との位相差がほぼ１８
０度の第１の位相シフターパターンを形成し、次いで、
該第１の位相シフターパターンの境界の一部を含む領域
をイオン注入により屈折率を変化させることを特徴とす
る位相シフトフォトマスクの作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14958092A JPH05341494A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 位相シフトフォトマスク及びその作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14958092A JPH05341494A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 位相シフトフォトマスク及びその作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05341494A true JPH05341494A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15478308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14958092A Pending JPH05341494A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 位相シフトフォトマスク及びその作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05341494A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018105531A1 (ja) | 2016-12-06 | 2018-06-14 | ニチアス株式会社 | ゴム被覆シリンダヘッドガスケット用コーティング剤及びシリンダヘッドガスケット |
| KR20180089484A (ko) | 2016-01-15 | 2018-08-08 | 니찌아스 카부시키카이샤 | 코팅제, 표면 피복 탄성체 및 표면 피복 고무 금속 적층체 |
| US10752804B2 (en) | 2014-06-24 | 2020-08-25 | Nichias Corporation | Coating agent |
-
1992
- 1992-06-09 JP JP14958092A patent/JPH05341494A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10752804B2 (en) | 2014-06-24 | 2020-08-25 | Nichias Corporation | Coating agent |
| KR20180089484A (ko) | 2016-01-15 | 2018-08-08 | 니찌아스 카부시키카이샤 | 코팅제, 표면 피복 탄성체 및 표면 피복 고무 금속 적층체 |
| US10640677B2 (en) | 2016-01-15 | 2020-05-05 | Nichias Corporation | Coating agent, surface-coated elastic body, and surface-coated rubber metal laminate |
| WO2018105531A1 (ja) | 2016-12-06 | 2018-06-14 | ニチアス株式会社 | ゴム被覆シリンダヘッドガスケット用コーティング剤及びシリンダヘッドガスケット |
| US11193040B2 (en) | 2016-12-06 | 2021-12-07 | Nichias Corporation | Coating agent for rubber-coated cylinder head gasket and cylinder head gasket |
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