KR100393230B1 - 잔막율을 조절할 수 있는 포토레지스트 패턴의 형성방법 - Google Patents

잔막율을 조절할 수 있는 포토레지스트 패턴의 형성방법 Download PDF

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Abstract

잔막율을 조절할 수 있는 포토레지스트 패턴의 형성방법에 대해 개시되어 있다. 그 방법은, 하기 화학식을 포함하는 포토레지스트를 이용하여 잔막율을 40% 내지 85%로 조절할 수 있으며, 투과율이 10% 내지 30%인 마스크를 이용하여 잔막율을 60% 내지 85%로 조절할 수 있다. 포토레지스트 패턴의 잔막율을 조절으로써, 비균일한 채널을 형성할 수 있는 도핑각을 확보하는 포토리소그래피 공정을 제공할 수 있다.
식중, r은 정수로서 8~40임.

Description

잔막율을 조절할 수 있는 포토레지스트 패턴의 형성방법{Formation method of photoresist pattern for controlling the remaining rate}
본 발명은 반도체 소자의 형성방법에 관한 것으로, 특히 잔막율을 조절할 수 있는 포토레지스트 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
고속(高速)을 필요로 하는 로직(logic)소자나 CPU소자의 경우에는 게이트의 크기를 줄여 속도를 개선한다. 이때, 게이트 사이의 펀치쓰루(punch through)를 방지하기 위해서 비균일(non uniform)하게 도프(dope)된 채널을 형성한다. 특히, 작은 피치(pitch)의 셀(cell)에서는 게이트간의 공간(space)이 작아진다. 따라서 펀치쓰루의 방지는 필수적이다. 비균일한 도핑은 이온주입을 이용하여 수행한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 일반적인 이온주입을 위한 포토레지스트 패턴의 형성방법을 설명하기로 한다.
도 1 및 도 2는 이온주입을 위한 일반적인 포토레지스트 패턴의 형성방법을 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 반도체 기판(10) 상에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층(12)을 형성한다. 더불어, 이온주입을 위하여 광의 투과율이 100%인 투광패턴(14)과 광의 투과율이 0%인 불투광패턴(16)을 구비한 마스크 패턴을 형성한다. 여기서, 불투광패턴(16)은 크롬(Cr)과 같은 불투광성 물질을 이용한다.
도 2를 참조하면, 반도체 기판(10)에 이온주입(20)을 위하여 상기 포토레지스트층(12)을 노광, 현상하여 포토레지스트 패턴(18)을 형성한다. 이때, 형성된 포토레지스트 패턴(18)의 높이는 포토레지스트층(12)의 두께와 거의 동일하다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴(18)을 마스크로 하여 반도체 기판(10)에 비균일한 도핑을 위한 이온주입(20)을 수행한다. 여기서, 비균일한 도핑은 반도체 기판(10)의 법선에 대하여 60°내지 -60°의 각도로 이온주입(20)하여 수행된다. 이때, 이온주입(20)을 위한 각도를 도핑각(θ)이라고 한다.
그런데, 게이트 사이의 간격이 작아짐에 따라 패턴의 간격도 축소되고 있다. 즉, 패턴의 높이는 동일하게 유지되지만 패턴의 간격은 축소되어 종횡비(aspect ratio)가 커지고 있다. 이에 따라, 적절한 도핑각(θ)을 확보하기 어려운 실정이다. 적절한 도핑각(θ)을 확보하기 위한 패턴의 높이는 게이트의 높이에 준하는 3000Å 내지 6000Å가 바람직하다. 이온주입을 위한 포토레지스트층의 두께(12)는 일반적으로 약 7400Å 정도이다. 따라서, 적절한 도핑각(θ)을 갖기 위해서 포토레지스트층의 두께를 얇게 하는 것이 바람직하다. 그러나, 포토레지스트층(12)의 두께를 얇게 하면, 게이트의 단차가 부각되어 포토레지스트의 도포가 불량해진다. 특히 정밀한 패턴을 형성하기 위해 DUV(deep ultra-violet) 공정을 사용하여야 한다. 또한, 포토레지스트의 도포불량은 웨이퍼의 임계치수(critical dimension)의 불균일을 유발하게 한다. 결과적으로 적절한 포토리소그래피(photolithography) 공정의 수행이 불가능해진다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 이온주입을 위한 도핑각을 확보할 수 있는 포토레지스트 패턴의 형성방법을 제공하는 데 있다.
도 1 및 도 2는 이온주입을 위한 일반적인 포토레지스트 패턴의 형성방법을 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 3 및 도 4는 잔막율 조절 포토레지스트에 의한 본 발명의 포토레지스트 패턴의 형성방법을 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 5 및 도 6은 마스크 패턴을 이용하여 잔막율을 조절하는 본 발명의 포토레지스트 패턴의 형성방법을 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명에 의한 마스크 패턴을 이용하여 잔막율을 조절할 때, 마스크 패턴의 투과율과 형성되는 포토레지스트 패턴의 두께와의 상관관계를 도시한 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 ; 반도체 기판 102 ; 포토레지스트층
104 ; 포토레지스트 패턴 106 ; 이온주입
108 ; 제1 영역 110 ; 제2 영역
112 ; 마스크 기판 114 ; 위상차 패턴
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 의한 포토레지스트 패턴의 형성방법은, 반도체 기판 상에 상기 화학식 1과 화학식 2를 포함하는 잔막율 조절 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층을 형성한다.
<화학식 1>
식중, R은 아세탈(acetal)그룹 또는 터부티록시카르보닐(t-BOC; ter-butyloxy carbonyl)그룹이고, n 및 m은 정수이며, n/(m+n)은 0.01~0.8이고, m/(m+n)은 1-[n/(m+n)]임.
<화학식 2>
식중, r은 정수로서 8~40임.
이어서, 상기 포토레지스트층을 노광, 현상하여 잔막율이 조절된 포토레지스트 패턴을 형성한다.
본 발명에 따른 포토레지스트 패턴의 형성방법은, 반도체 기판 상에 포토레지스트층을 형성한다. 이어서, 광선의 투과율이 100%인 제1 영역과 상기 광선의 투과율이 10% 내지 30%인 제2 영역을 구비하는 마스크 패턴을 이용하여, 잔막율이 조절된 상기 포토레지스트를 노광, 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한다.
본 발명에 따른 포토레지스트 패턴의 형성방법은, 반도체 기판 상에 상기 화학식 1과 화학식 2를 포함하는 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트층을 노광, 현상하여, 상기 반도체 기판 상에 잔막율이 40% 내지 85%인 포토레지스트 패턴을 형성한다.
본 발명에 따른 포토레지스트 패턴의 형성방법은, 반도체 기판 상에 포토레지스트층을 형성한다. 이어서, 광선의 투과율이 100%인 제1 영역과 상기 광선의 투과율이 10% 내지 30%인 제2 영역을 구비하는 마스크 패턴을 이용하여, 잔막율이 60% 내지 85%인 포토레지스트 패턴을 형성한다.
이상의 본 발명의 잔막율 조절 포토레지스트과 잔막율을 조절할 수 있는 포토레지스트 패턴의 형성방법은, 포토레지스트의 잔막율을 낮추어 이온주입을 위한 도핑각을 확보할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 여러 막과 영역들의 두께는 명료성을 위해서 강조되었으며, 어떤 층이 다른 층이나 기판 "상"에 존재한다고 기술될 때 이 어떤 층은 다른 층이나 기판과 직접 접하면서 존재할 수도 있고 그 사이에 제3의 층이 존재할 수 있다.
본 발명에 의하면, 반도체 기판 상에 일정한 잔막율을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 구체적으로 살펴보면, 포토레지스트층을 노광, 현상하는 과정에서 패턴을 형성하는 부분의 포토레지스트의 일부가 제거된다. 여기서, 잔막율이란 포토레지스트가 제거되는 량을 조절하는 것을 말한다. 예를 들어, 잔막율이 100%이면 상기 패턴의 높이는 포토레지스트층의 두께와 동일하다. 왜냐하면, 노광, 현상과정에서 제거되는 포토레지스트는 거의 없기 때문이다. 잔막율이 50%이면, 상기 패턴의 높이는 포토레지스트층 두께의 50%이다. 즉, 노광, 현상과정에서 50%의 포토레지스트가 제거된 패턴이다.
한편, 잔막율을 조절하는 방법은 포토레지스트 자체의 잔막율을 조절하는 방법과 마스크의 투과율을 이용하여 조절하는 방법이 있다. 이어서, 포토레지스트 자체의 잔막율을 조절하는 방법은 실시예 1 그리고 마스크의 투과율을 이용하는 방법은 실시예 2로 나누어 설명하기로 한다.
<실시예 1>
잔막율을 조절을 위하여 하기 화학식 1의 포토레지스트에 첨가제로서 폴리하이드록시스티렌(polyhydroxystyrene; 화학식 2)을 혼합하였다.
<화학식 1>
식중, R은 아세탈(acetal)그룹 또는 터부티록시카르보닐(t-BOC; ter-butyloxy carbonyl)그룹이고, n 및 m은 정수이며, n/(m+n)은 0.01~0.8이고, m/(m+n)은 1-[n/(m+n)]이다. 이때, 화학식 2의 분자량이 3000 내지 30000 g/㏖ 이었다. 또한, 분자량 분포가 1.1 내지 3.0이었다.
<화학식 2>
식중, r은 정수로서 8~40이다. 이때, 화학식 2의 분자량은 1000 내지 5000 g/㏖, 분자량 분포가 1.1 내지 3.0이었다.
화학식 1과 화학식 2의 혼합
t-부틸카르보닐옥시폴리스티렌(t-butylcarbonyloxy-polystyrene)과 폴리하이드록시스티렌 공중합체 20g를 에틸락테이트(ethyl lactate) 100g에 용해하였다. 이어서, 폴리하이드록시스티렌 4g와 트리페닐설포늄(triphenyl sulfonyium)염 0.1g를 첨가하여 녹였다. 다음에, 상기 공중합체와 폴리하이드록시스티렌 및 트리페닐설포늄을 혼합하였다.
본 발명의 실시예 1에서 이용되는 포토레지스트의 잔막율은 40% 내지 85%이었다. 참고적으로, 일반적인 포토레지스트의 잔막율은 약 95%정도이다. 본 발명의 실시예 1에서 이용되는 포토레지스트의 잔막율이 낮은 이유는 첨가제로서 폴리하이드록시스티렌을 투입했기 때문이다. 폴리하이드록시스티렌은 용해 촉진제 역할을하여 잔막율을 낮추는 데 기여한다. 또한, 폴리하이드록시스티렌 외에 노볼락(novolac)을 사용할 수 있다.
한편, 잔막율이 40% 이하이면 후속공정에서 포토레지스트 패턴의 침해로 인해 문제가 발생한다. 또한, 잔막율이 85% 이상이면, 적절한 도핑각이 형성되지 않는다. 상기 포토레지스트 패턴의 잔막율은 45% 내지 65%가 바람직하며, 50%가 더욱 바람직하다.
도 3 및 도 4는 잔막율 조절 포토레지스트에 의한 본 발명의 포토레지스트 패턴의 형성방법을 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 화학식 1과 화학식 2를 혼합한 포토레지스트를 반도체 기판(100)에 도포하였다. 이어서, KrF 스텝퍼를 사용하여 노광하였다. 다음에, 2.38wt%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH;Tetramethyl amonium hydroxyde)용액에 현상하였다. 이러한 과정을 거치면 이온주입(106)을 위한 포토레지스트 패턴(104)을 형성된다. 이때, 포토레지스트 패턴(104)의 잔막율은 50%이었다. 여기서, 상기 포토레지스트를 현상하는 데 사용하는 현상액은 TMAH 용액, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), 수산화나트륨(NaOH) 및 쵸린(choline) 중 하나를 사용할 수 있다. 또한, 상기 현상에 소요되는 시간은 30초 내지 120초가 바람직하다.
본 발명의 실시예 1을 이온주입에 적용하기로 한다. 반도체 기판(100) 상에 상기 화학식 1과 화학식 2를 포함하는 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층(102)을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트층(102)을 노광, 현상하여 반도체 기판(100) 상에 포토레지스트 패턴(104)을 형성한다. 다음에, 상기 포토레지스트 패턴(104)을 마스크로 하여 반도체 기판(100)에 이온주입(106)한다. 한편, 상기 이온주입(106)은 비균일하게 도프된 채널을 형성할 수 있으며, 이온주입(106)의 도핑각(θ)은 60°내지 -60°이다.
<실시예 2>
이어서, 마스크의 투과율을 이용한 잔막율 조절방법에 대하여 살펴보기로 한다. 도 5 및 도 6은 마스크 패턴을 이용하여 잔막율을 조절하는 본 발명의 포토레지스트 패턴의 형성방법을 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예 2에서 이용되는 마스크 패턴은, 광선의 투과율이 100%인 제1 영역(108)과 광선의 투과율이 10% 내지 30%인 제2 영역(110)을 구비한다. 여기서, 상기 제2 영역(110)을 이루는 물질은 MoSiON, Cr, CrOx, CrSiO, CrSiON, SiN, 비정질 탄소 및 MoSi으로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나 이상인 것이 바람직하다. 이때, 상기 제2 영역(110)의 투과율은 제2 영역(110)을 이루는 물질막의 두께에 의해 조절된다. 즉, 물질막의 두께가 두꺼우면 투과율이 작고, 두께가 얇으면 투과율이 크다.
본 발명의 실시예 2에 의한 포토레지스트 패턴의 형성방법은, 실시예 1의 경우와 동일한 방법에 의한다. 단, 본 발명의 실시예 2에 사용되는 포토레지스트는 실시예 1의 포토레지스트와는 다른 물질이다. 다시 말하면, 폴리하이드록시스티렌을 첨가하지 않았다. 즉, 본 발명의 실시예 2에 의한 잔막율 조절은 프로텍팅 그룹의 반응을 이용하는 실시예 1의 경우와는 다르다. 본 발명의 실시예 2에서는 마스크 패턴의 투과율을 이용하여 잔막율을 조절한다.
잔막율이 낮아지는 이유는 제2 영역(110)에 의해 포토레지스트층의 일부가 감광되었기 때문이다. 본 발명의 실시예 2에 의해 형성된 포토레지스트 패턴의 잔막율은 60% 내지 85%이다. 잔막율이 60% 이하이면 안정된 포토레지스트 패턴을 얻을 수 없다. 즉, 포토레지스트 패턴 자체가 붕괴될 수 있다. 본 발명의 실시예 2의 잔막율의 하한치는 실시예 1에 비해 높으나, 공정에 따라 충분히 적용할 수 있다. 잔막율이 85% 이상이면, 적절한 도핑각이 형성되지 않는다. 상기 포토레지스트 패턴의 잔막율은 60% 내지 70% 바람직하며, 65%가 더욱 바람직하다.
도 6을 참조하면, 마스크 기판(112) 상의 제1 영역(108)과 제2 영역(110)이 만나는 경계부위는 위상차를 두어 패턴(114) 형성에 영향을 주지 않도록 하기 위해 위상차를 60°내지 180°로 형성한다.
본 발명의 실시예 1을 이온주입에 적용하기로 한다. 도5에서 설명한 마스크 패턴을 이용하여 상기 포토레지스트층(도3의 102)을 노광, 현상하여 상기 반도체 기판 상에 포토레지스트 패턴(도3의 104)을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴(104)을 마스크로 하여 상기 반도체 기판에 이온주입(도4의 106)한다. 한편, 상기 이온주입은 비균일하게 도프된 채널을 형성할 수 있으며, 상기 이온주입의 도핑각(θ)은 60°내지 -60°이다.
도 7은 본 발명에 의한 마스크 패턴을 이용하여 잔막율을 조절할 때, 마스크 패턴의 투과율과 형성되는 포토레지스트 패턴의 두께와의 상관관계를 도시한 그래프이다.
포토레지스트를 완전하게 제거될 수 있는 도즈(dose)량은 28mJ/㎠이다. 따라서, 마스크 패턴의 투과율은 노광량(mJ/㎠)으로부터 유추할 수 있다. 만일 노광량이 6mJ/㎠ 이라면, 투과율은 (6/28)% 즉, 약 21%이다. 도7에 의하면, 투과율이 증가할수록 포토레지스트 패턴(104)의 높이는 감소한다. 투과율이 10% 이내이면 상기 패턴(104)의 높이는 거의 감소하지 않는다. 또한 투과율이 30% 이상이면 안정된 패턴형태를 얻을 수 없다. 따라서, 제2 영역(110)의 투과율은 10% 내지 30%가 적절하다.
이상 본 발명을 상세히 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고 당업자에 의해 많은 변형 및 개량이 가능하다.
상술한 본 발명에 의한 잔막율 조절 포토레지스트와 잔막율을 조절을 통해 비균일한 채널을 형성할 수 있는 도핑각을 확보하는 포토리소그래피 공정을 제공할 수 있다.

Claims (28)

  1. 반도체 기판 상에 하기 화학식 1과 화학식 2를 포함하는 잔막율 조절 포토레지스트을 도포하여 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및
    <화학식 1>
    식중, R은 아세탈(acetal)그룹 또는 터부티록시카르보닐(t-BOC; ter-butyloxy carbonyl)그룹이고, n 및 m은 정수이며, n/(m+n)은 0.01~0.8이고, m/(m+n)은 1-[n/(m+n)]임.
    <화학식 2>
    식중, r은 정수로서 8~40임.
    상기 포토레지스트층을 노광, 현상하여 잔막율이 조절된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1의 분자량은 3000 내지 30000 g/㏖ 인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1의 분자량 분포는 1.1 내지 3.0인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 2의 분자량은 1000 내지 5000 g/㏖ 인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 2의 분자량 분포는 1.1 내지 3.0인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴의 잔막율은 40% 내지 85%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴의 잔막율은 45% 내지 65%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴의 잔막율은 50%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 포토레지스트를 현상하는 데 사용하는 현상액은 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 메탄올, 수산화나트륨, 에탄올 및 쵸린(choline)으로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 현상에 소요되는 시간은 30초 내지 120초인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  11. 반도체 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및
    광선의 투과율이 100%인 제1 영역과 상기 광선의 투과율이 10% 내지 30%인 제2 영역을 구비하는 마스크 패턴을 이용하여,
    잔막율이 조절된 상기 포토레지스트를 노광, 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴의 잔막율은 60% 내지 85%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴의 잔막율은 60% 내지 70%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴의 잔막율은 65%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제2 영역을 이루는 물질은 MoSiON, Cr, CrOx, CrSiO, CrSiON, SiN, 비정질 탄소 및 MoSi으로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 제2 영역의 투과율은 제2 영역을 이루는 물질막의 두께에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 제1 영역과 상기 제2 영역이 만나는 경계부위의 위상차는 60°내지 180°로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  18. 반도체 기판 상에 하기 화학식 1과 화학식 2를 포함하는 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및
    <화학식 1>
    식중, R은 아세탈(acetal)그룹 또는 터부티록시카르보닐(t-BOC; ter-butyloxy carbonyl)그룹이고, n 및 m은 정수이며, n/(m+n)은 0.01~0.8이고, m/(m+n)은 1-[n/(m+n)]임.
    <화학식 2>
    식중, r은 정수로서 8~40임.
    상기 포토레지스트층을 노광, 현상하여, 상기 반도체 기판 상에 잔막율이 40% 내지 85%인 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 화학식 2의 분자량은 1000 내지 5000 g/㏖ 인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 화학식 2의 분자량 분포는 1.1 내지 3.0인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴의 잔막율은 45% 내지 65%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  22. 제18항에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴의 잔막율은 50%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  23. 반도체 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및
    광선의 투과율이 100%인 제1 영역과 상기 광선의 투과율이 10% 내지 30%인 제2 영역을 구비하는 마스크 패턴을 이용하여,
    잔막율이 60% 내지 85%인 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴의 잔막율은 60% 내지 70%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  25. 제23항에 있어서,
    상기 포토레지스트 패턴의 잔막율은 65%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  26. 제23항에 있어서,
    상기 제2 영역을 이루는 물질은 MoSiON, Cr, CrOx, CrSiO, CrSiON, SiN, 비정질 탄소 및 MoSi으로 이루어진 군중에서 선택된 어느 하나이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  27. 제23항에 있어서,
    상기 제2 영역의 투과율은 제2 영역을 이루는 물질막의 두께에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  28. 제23항에 있어서,
    상기 제1 영역과 상기 제2 영역이 만나는 경계부위의 위상차는 60°내지 180°로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
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