JPH0728225A - 位相シフトマスク及びその製造方法 - Google Patents
位相シフトマスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0728225A JPH0728225A JP19190393A JP19190393A JPH0728225A JP H0728225 A JPH0728225 A JP H0728225A JP 19190393 A JP19190393 A JP 19190393A JP 19190393 A JP19190393 A JP 19190393A JP H0728225 A JPH0728225 A JP H0728225A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- phase shift
- silicon
- transmitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフトレチクルのシフタ膜の膜厚を均一
にする。 【構成】 レチクル基板１１上にＳｉ膜２１を堆積さ
せ、このＳｉ膜２１を選択酸化してＳｉＯ2 膜２３を形
成する。Ｓｉ膜２１のうちでＳｉＯ2 膜２３にした部分
が透光部になり、Ｓｉ膜２１のままで残した部分が遮光
部になるので、遮光部と透光部との境界部における段差
が殆どない。このため、その部分でも膜厚の均一なシフ
タ膜１５を形成することができる。
にする。 【構成】 レチクル基板１１上にＳｉ膜２１を堆積さ
せ、このＳｉ膜２１を選択酸化してＳｉＯ2 膜２３を形
成する。Ｓｉ膜２１のうちでＳｉＯ2 膜２３にした部分
が透光部になり、Ｓｉ膜２１のままで残した部分が遮光
部になるので、遮光部と透光部との境界部における段差
が殆どない。このため、その部分でも膜厚の均一なシフ
タ膜１５を形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は位相シフトマスク及びそ
の製造方法に関し、例えば、半導体ウェハ上にデバイス
パターンを形成するための位相シフトレチクル及びその
製造方法に適用して特に好適なものである。
の製造方法に関し、例えば、半導体ウェハ上にデバイス
パターンを形成するための位相シフトレチクル及びその
製造方法に適用して特に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハ上に微細パターンを形成す
るための解像度に優れた露光マスクとして位相シフトレ
チクルが知られている。
るための解像度に優れた露光マスクとして位相シフトレ
チクルが知られている。
【０００３】従来の典型的な位相シフトレチクルをその
製造方法に従い図３及び図４を参照して説明すると、ま
ず、図３（ａ）に示すように、ガラス基板１１上にエッ
チングストッパー膜１２とＣｒからなる遮光膜１３を順
次堆積し、更に、遮光膜１３上にレジスト１４を塗布す
る。
製造方法に従い図３及び図４を参照して説明すると、ま
ず、図３（ａ）に示すように、ガラス基板１１上にエッ
チングストッパー膜１２とＣｒからなる遮光膜１３を順
次堆積し、更に、遮光膜１３上にレジスト１４を塗布す
る。
【０００４】次に、図３（ｂ）に示すように、レジスト
１４をパターニングし、このレジスト１４をマスクにし
て遮光膜１３を選択的にエッチングする。
１４をパターニングし、このレジスト１４をマスクにし
て遮光膜１３を選択的にエッチングする。
【０００５】次に、図３（ｃ）に示すように、レジスト
１４を除去する。
１４を除去する。
【０００６】次に、図４（ａ）に示すように、シフタ膜
１５を全面に形成し、このシフタ膜１５の上にレジスト
１６を塗布する。
１５を全面に形成し、このシフタ膜１５の上にレジスト
１６を塗布する。
【０００７】次に、図４（ｂ）に示すように、レジスト
１６をパターニングし、このレジスト１６をマスクにし
てシフタ膜１５を選択的にエッチングする。
１６をパターニングし、このレジスト１６をマスクにし
てシフタ膜１５を選択的にエッチングする。
【０００８】次に、図４（ｃ）に示すように、レジスト
１６を除去する。
１６を除去する。
【０００９】以上の工程により、所定パターンの遮光膜
１３で覆われた遮光部と遮光膜１３のない透光部とを有
し、隣接する透光部の一方にシフタ膜１５が設けられた
位相シフトレチクルが形成される。
１３で覆われた遮光部と遮光膜１３のない透光部とを有
し、隣接する透光部の一方にシフタ膜１５が設けられた
位相シフトレチクルが形成される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の製造
方法では、図４（ｃ）に示すように、遮光部と透光部の
境界部分１７に遮光膜１３の膜厚による段差が存在する
ため、この部分で局所的にシフタ膜１５の膜厚が厚くな
ってしまうという問題があった。
方法では、図４（ｃ）に示すように、遮光部と透光部の
境界部分１７に遮光膜１３の膜厚による段差が存在する
ため、この部分で局所的にシフタ膜１５の膜厚が厚くな
ってしまうという問題があった。
【００１１】シフタ膜１５による露光光の位相シフト量
はシフタ膜１５の膜厚に依存するため、位相シフト量を
正確に制御するためにはシフタ膜１５の膜厚を正確に制
御しなければならない。しかしながら、上述のような段
差部での膜厚を正確に制御することは非常に困難であ
り、特に、この部分が位相シフトレチクルの機能上最も
重要な箇所であることを考慮すると、この部分における
膜厚の誤差は位相シフトレチクルにとって致命的な欠陥
になりうる。
はシフタ膜１５の膜厚に依存するため、位相シフト量を
正確に制御するためにはシフタ膜１５の膜厚を正確に制
御しなければならない。しかしながら、上述のような段
差部での膜厚を正確に制御することは非常に困難であ
り、特に、この部分が位相シフトレチクルの機能上最も
重要な箇所であることを考慮すると、この部分における
膜厚の誤差は位相シフトレチクルにとって致命的な欠陥
になりうる。
【００１２】そこで、本発明の目的は、膜厚の均一なシ
フタ膜を形成することができて、レジストパターンに不
測に寸法変動を生じさせない位相シフトマスクを製造す
ることができる方法を提供することである。
フタ膜を形成することができて、レジストパターンに不
測に寸法変動を生じさせない位相シフトマスクを製造す
ることができる方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明の位相シフトマスクの製造方法は、実質
的に透明な基板の上にシリコン膜を形成する工程と、こ
のシリコン膜の上に耐酸化膜を形成する工程と、この耐
酸化膜をパターニングして、前記シリコン膜のうちで透
光部とすべき部分のみを露出させる工程と、パターニン
グされた前記耐酸化膜をマスクとして前記シリコン膜を
選択的に酸化し、シリコン酸化膜からなる複数の透光部
を形成する工程と、前記耐酸化膜を除去した後、前記複
数の透光部のうちの所定の透光部の上にのみ位相シフタ
膜を形成する工程とを有する。
ために、本発明の位相シフトマスクの製造方法は、実質
的に透明な基板の上にシリコン膜を形成する工程と、こ
のシリコン膜の上に耐酸化膜を形成する工程と、この耐
酸化膜をパターニングして、前記シリコン膜のうちで透
光部とすべき部分のみを露出させる工程と、パターニン
グされた前記耐酸化膜をマスクとして前記シリコン膜を
選択的に酸化し、シリコン酸化膜からなる複数の透光部
を形成する工程と、前記耐酸化膜を除去した後、前記複
数の透光部のうちの所定の透光部の上にのみ位相シフタ
膜を形成する工程とを有する。
【００１４】本発明において好ましくは、前記耐酸化膜
としてシリコン窒化膜を用いる。
としてシリコン窒化膜を用いる。
【００１５】本発明において更に好ましくは、前記耐酸
化膜を除去した後、実質的に透明な耐エッチング膜を全
面に形成し、この耐エッチング膜の上の全面に位相シフ
タ膜を形成し、この位相シフタ膜を選択的にエッチング
して前記所定の透光部の上の前記耐エッチング膜の上に
のみ前記位相シフタ膜を残す。
化膜を除去した後、実質的に透明な耐エッチング膜を全
面に形成し、この耐エッチング膜の上の全面に位相シフ
タ膜を形成し、この位相シフタ膜を選択的にエッチング
して前記所定の透光部の上の前記耐エッチング膜の上に
のみ前記位相シフタ膜を残す。
【００１６】また、本発明の位相シフトマスクは、実質
的に透明な基板と、この基板の上に形成された所定パタ
ーンのシリコン膜からなる遮光部及びこの遮光部に連続
して形成されたシリコン酸化膜からなる複数の透光部
と、前記複数の透光部のうちの所定の透光部の上に形成
された位相シフタ膜とを有する。
的に透明な基板と、この基板の上に形成された所定パタ
ーンのシリコン膜からなる遮光部及びこの遮光部に連続
して形成されたシリコン酸化膜からなる複数の透光部
と、前記複数の透光部のうちの所定の透光部の上に形成
された位相シフタ膜とを有する。
【００１７】この場合、好ましくは、前記遮光部及び前
記透光部の上の全面に実質的に透明な膜が形成され、こ
の膜の上に前記位相シフタ膜が形成されている。
記透光部の上の全面に実質的に透明な膜が形成され、こ
の膜の上に前記位相シフタ膜が形成されている。
【００１８】なお、本発明で「透明」という用語は、露
光光に対する透過率が高いという意味で用いられ、例え
ば、露光光として紫外線を用いる場合には、紫外線に対
して透明という意味である。
光光に対する透過率が高いという意味で用いられ、例え
ば、露光光として紫外線を用いる場合には、紫外線に対
して透明という意味である。
【００１９】
【作用】本発明においては、透明基板の上に形成したシ
リコン膜を選択的に酸化し、その酸化した部分を透光
部、それ以外の部分を遮光部としている。従って、遮光
部と透光部の間の段差をなくすことができ、その上に形
成する位相シフタ膜の膜厚を均一にすることができる。
リコン膜を選択的に酸化し、その酸化した部分を透光
部、それ以外の部分を遮光部としている。従って、遮光
部と透光部の間の段差をなくすことができ、その上に形
成する位相シフタ膜の膜厚を均一にすることができる。
【００２０】
【実施例】以下、ｉ線用の位相シフトレチクルの製造方
法に適用した本発明の一実施例を図１及び図２を参照し
ながら説明する。なお、図３及び図４に示した従来例と
対応する構成部分には同一の符号を付す。
法に適用した本発明の一実施例を図１及び図２を参照し
ながら説明する。なお、図３及び図４に示した従来例と
対応する構成部分には同一の符号を付す。
【００２１】まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基
板からなるレチクル基板１１上の全面に膜厚が１００ｎ
ｍ程度のＳｉ膜２１と膜厚が５０ｎｍ程度のＳｉＮ膜２
２とを順次に堆積させ、図１（ｂ）に示すように、Ｓｉ
Ｎ膜２２上にレジスト１４を塗布する。
板からなるレチクル基板１１上の全面に膜厚が１００ｎ
ｍ程度のＳｉ膜２１と膜厚が５０ｎｍ程度のＳｉＮ膜２
２とを順次に堆積させ、図１（ｂ）に示すように、Ｓｉ
Ｎ膜２２上にレジスト１４を塗布する。
【００２２】次に、図１（ｃ）に示すように、位相シフ
トマスクの遮光部となる部分のレジスト１４を残すパタ
ーニングを行い、図１（ｄ）に示すように、レジスト１
４をマスクにしてＳｉＮ膜２２を選択的にエッチングす
る。その後、図１（ｅ）に示すように、レジスト１４を
除去する。
トマスクの遮光部となる部分のレジスト１４を残すパタ
ーニングを行い、図１（ｄ）に示すように、レジスト１
４をマスクにしてＳｉＮ膜２２を選択的にエッチングす
る。その後、図１（ｅ）に示すように、レジスト１４を
除去する。
【００２３】次に、ＳｉＮ膜２２を酸化防止マスクにし
てＳｉ膜２１を選択酸化する。この結果、図２（ａ）に
示すように、Ｓｉ膜２１のうちでＳｉＮ膜２２が除去さ
れていた部分がＳｉＯ2 膜２３になり、このＳｉＯ2 膜
２３の部分が透光部になる。その後、図２（ｂ）に示す
ように、ＳｉＮ膜２２を除去する。
てＳｉ膜２１を選択酸化する。この結果、図２（ａ）に
示すように、Ｓｉ膜２１のうちでＳｉＮ膜２２が除去さ
れていた部分がＳｉＯ2 膜２３になり、このＳｉＯ2 膜
２３の部分が透光部になる。その後、図２（ｂ）に示す
ように、ＳｉＮ膜２２を除去する。
【００２４】次に、エッチバックによりＳｉＯ2 膜２３
を平坦化した後、図２（ｃ）に示すように、エッチング
ストッパー膜としてのＩＴＯ膜１２をＳｉ膜２１及びＳ
ｉＯ2 膜２３上の全面に形成し、ｉ線用のシフタ膜とす
るためのＳｉＯ2 膜１５をＩＴＯ膜１２上の全面にＣＶ
Ｄ法で３８８ｎｍの膜厚に堆積させる。そして、レジス
ト１６をＳｉＯ2 膜１５上に塗布する。
を平坦化した後、図２（ｃ）に示すように、エッチング
ストッパー膜としてのＩＴＯ膜１２をＳｉ膜２１及びＳ
ｉＯ2 膜２３上の全面に形成し、ｉ線用のシフタ膜とす
るためのＳｉＯ2 膜１５をＩＴＯ膜１２上の全面にＣＶ
Ｄ法で３８８ｎｍの膜厚に堆積させる。そして、レジス
ト１６をＳｉＯ2 膜１５上に塗布する。
【００２５】次に、図２（ｄ）に示すように、形成すべ
きシフタ膜のパターンにレジスト１６をパターニング
し、図２（ｅ）に示すように、レジスト１６をマスクに
してＳｉＯ2 膜１５を選択的にエッチングする。その
後、残っていたレジスト１６を除去して、ｉ線用の位相
シフトレチクルを形成する。
きシフタ膜のパターンにレジスト１６をパターニング
し、図２（ｅ）に示すように、レジスト１６をマスクに
してＳｉＯ2 膜１５を選択的にエッチングする。その
後、残っていたレジスト１６を除去して、ｉ線用の位相
シフトレチクルを形成する。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、遮光部のパターン形状
にかかわらず膜厚の均一な位相シフタ膜を形成すること
ができるので、シフト量の誤差が少なく、レジストパタ
ーンに不測の寸法変動を生じさせない位相シフトマスク
を得ることができる。
にかかわらず膜厚の均一な位相シフタ膜を形成すること
ができるので、シフト量の誤差が少なく、レジストパタ
ーンに不測の寸法変動を生じさせない位相シフトマスク
を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例による位相シフトマスクの製
造方法を工程順に示す概略断面図である。
造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図２】本発明の一実施例による位相シフトマスクの製
造方法を工程順に示す概略断面図である。
造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図３】従来の位相シフトマスクの製造方法を工程順に
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図４】従来の位相シフトマスクの製造方法を工程順に
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
１１ レチクル基板 １５ ＳｉＯ2 膜（シフタ膜） ２１ Ｓｉ膜 ２３ ＳｉＯ2 膜（透光部）
Claims (5)
- 【請求項１】 実質的に透明な基板の上にシリコン膜を
形成する工程と、 このシリコン膜の上に耐酸化膜を形成する工程と、 この耐酸化膜をパターニングして、前記シリコン膜のう
ちで透光部とすべき部分のみを露出させる工程と、 パターニングされた前記耐酸化膜をマスクとして前記シ
リコン膜を選択的に酸化し、シリコン酸化膜からなる複
数の透光部を形成する工程と、 前記耐酸化膜を除去した後、前記複数の透光部のうちの
所定の透光部の上にのみ位相シフタ膜を形成する工程と
を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方
法。 - 【請求項２】 前記耐酸化膜としてシリコン窒化膜を用
いることを特徴とする請求項１に記載の位相シフトマス
クの製造方法。 - 【請求項３】 前記耐酸化膜を除去した後、実質的に透
明な耐エッチング膜を全面に形成し、この耐エッチング
膜の上の全面に位相シフタ膜を形成し、この位相シフタ
膜を選択的にエッチングして前記所定の透光部の上の前
記耐エッチング膜の上にのみ前記位相シフタ膜を残すこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の位相シフトマス
クの製造方法。 - 【請求項４】 実質的に透明な基板と、 この基板の上に形成された所定パターンのシリコン膜か
らなる遮光部及びこの遮光部に連続して形成されたシリ
コン酸化膜からなる複数の透光部と、 前記複数の透光部のうちの所定の透光部の上に形成され
た位相シフタ膜とを有することを特徴とする位相シフト
マスク。 - 【請求項５】 前記遮光部及び前記透光部の上の全面に
実質的に透明な膜が形成され、この膜の上に前記位相シ
フタ膜が形成されていることを特徴とする請求項４に記
載の位相シフトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19190393A JPH0728225A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19190393A JPH0728225A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0728225A true JPH0728225A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=16282371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19190393A Withdrawn JPH0728225A (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0728225A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030040048A (ko) * | 2001-11-15 | 2003-05-22 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 위상시프트마스크 및 그 제조방법 |
| JP2012018342A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジストパターンの転写方法及びフォトマスクの製造方法 |
-
1993
- 1993-07-06 JP JP19190393A patent/JPH0728225A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030040048A (ko) * | 2001-11-15 | 2003-05-22 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 위상시프트마스크 및 그 제조방법 |
| JP2012018342A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジストパターンの転写方法及びフォトマスクの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2500039B2 (ja) | 位相シフト・マスク | |
| JP2924791B2 (ja) | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 | |
| JPH0876353A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH08123008A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法 | |
| JP4091150B2 (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JPH0728225A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JPH05289305A (ja) | 位相シフトフォトマスク | |
| JPH03125150A (ja) | マスク及びマスク作製方法 | |
| JPH07287387A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JPH07261367A (ja) | ホトマスクおよびその製造方法 | |
| JP2003075983A (ja) | 文字記号部を有する基板とその文字記号部の加工方法 | |
| JP2591469B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH10142767A (ja) | パターン形成方法、これに使用されるマスク及びその製造方法 | |
| JPH0756319A (ja) | 位相シフトレチクルの製造方法 | |
| JP2002244270A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク | |
| JPH04291345A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH10333318A (ja) | 位相シフトフォトマスク及びその製造方法 | |
| KR0138066B1 (ko) | 위상반전마스크 제작 방법 | |
| JPH05134386A (ja) | 位相シフトフオトマスク | |
| KR0166846B1 (ko) | 반도체 마스크 및 그의 제조방법 | |
| JPH0743885A (ja) | 位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
| JPH0511433A (ja) | フオトマスクの製造方法及びフオトマスク | |
| KR970006722B1 (ko) | 위상반전마스크 및 그 제조방법 | |
| KR100419971B1 (ko) | 반도체소자 제조시의 패턴 형성을 위한 마스크 및 그 제조방법 | |
| JP2791757B2 (ja) | 半導体マスク及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |