JP2500039B2 - 位相シフト・マスク - Google Patents
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリソグラフィのためのマ
スクに関し、特にフォトリソグラフィに使用する位相シ
フト・マスクに関するものである。
スクに関し、特にフォトリソグラフィに使用する位相シ
フト・マスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィを行う場合、加工物
上にパターンを露光するためにマスクを用いる。製造上
の要求によって露光パターンが小さくなるにつれ、フォ
トリソグラフィ・プロセスの性能を高めることが必要と
なってきている。そのため、１つの方法としてＸ線な
ど、短波長のＵＶ波が用いられ、また別の方法として、
波長は従来どうりとする位相シフト法が用いられてい
る。
上にパターンを露光するためにマスクを用いる。製造上
の要求によって露光パターンが小さくなるにつれ、フォ
トリソグラフィ・プロセスの性能を高めることが必要と
なってきている。そのため、１つの方法としてＸ線な
ど、短波長のＵＶ波が用いられ、また別の方法として、
波長は従来どうりとする位相シフト法が用いられてい
る。
【０００３】位相シフト技術によって、コヒーレントあ
るいは部分コヒーレント光学画像システムの解像度を向
上させることができ、例えば正規化解像度ｋ1を０．７
から０．３５に減少させ得ることが示されている。これ
はリソグラフィの２世代分の改善に相当する。
るいは部分コヒーレント光学画像システムの解像度を向
上させることができ、例えば正規化解像度ｋ1を０．７
から０．３５に減少させ得ることが示されている。これ
はリソグラフィの２世代分の改善に相当する。
【０００４】位相シフト・システムはマスクの解像度を
向上させる手段としてよく知られている。図１〜図６に
マスク構造体のための従来の位相シフト・システムを示
す。各図は典型的な位相シフト・システムの構成を示し
ており、図１はその一例、図２は他の位相シフト・シス
テム、図３はサブ解像度補助位相シフト・システム、図
４はエッジ位相シフト・システム、図５はサブ解像度・
非減衰位相シフト・システム、図６は非減衰位相シフト
・システムをそれぞれ示している。
向上させる手段としてよく知られている。図１〜図６に
マスク構造体のための従来の位相シフト・システムを示
す。各図は典型的な位相シフト・システムの構成を示し
ており、図１はその一例、図２は他の位相シフト・シス
テム、図３はサブ解像度補助位相シフト・システム、図
４はエッジ位相シフト・システム、図５はサブ解像度・
非減衰位相シフト・システム、図６は非減衰位相シフト
・システムをそれぞれ示している。
【０００５】これらの従来の位相シフト・システムで
は、次式で表される厚み（ｔ）の位相シフト層１４が必
要である。
は、次式で表される厚み（ｔ）の位相シフト層１４が必
要である。
【０００６】
【数１】ｔ＝（λｘθ）／２π（ｎp−ｎo） ここで、λは波長 θは単位がラディアンの位相シフト ｎpは位相シフト層の屈折率 ｎoは非位相シフト層の屈折率をそれぞれ示す 図１の従来のマスク４は、例えば水晶の基板１０から成
り、基板には従来のマスク・パターンとして構成された
クローム素子１２のアレーがコーティングされている。
り、基板には従来のマスク・パターンとして構成された
クローム素子１２のアレーがコーティングされている。
【０００７】図２の位相シフト・マスク５はこれとは異
なり、図１のものと同種の、間隔をおいて配置したクロ
ーム・マーキング１２の下層に加えて、例えばＳｉＯ2
から成る位相シフタ１４の上層を有している。
なり、図１のものと同種の、間隔をおいて配置したクロ
ーム・マーキング１２の下層に加えて、例えばＳｉＯ2
から成る位相シフタ１４の上層を有している。
【０００８】図３のサブ解像度マスク８は、クローム素
子１２のエッジ付近に小開口を有する一組のクローム・
パターンを備えている。そして、位相シフタ１４が、マ
スク１２の表面に重ねて、上記小開口に堆積されてい
る。
子１２のエッジ付近に小開口を有する一組のクローム・
パターンを備えている。そして、位相シフタ１４が、マ
スク１２の表面に重ねて、上記小開口に堆積されてい
る。
【０００９】図４のエッジ位相シフト・マスク６は、エ
ッジ部を暗い画像とする位相シフタ１４を有している。
ッジ部を暗い画像とする位相シフタ１４を有している。
【００１０】図５のサブ解像度・非減衰位相シフタ・マ
スク７では、従来のマスク素子（クローム）を用いず、
位相シフタ１４が基板１０に直接配設されている。
スク７では、従来のマスク素子（クローム）を用いず、
位相シフタ１４が基板１０に直接配設されている。
【００１１】図６の非減衰マスク９では、基板１０は、
間隔をおいて配置した、かなりの面積の複数の位相シフ
タ１４を有している。位相シフタ１４は非減衰である。
間隔をおいて配置した、かなりの面積の複数の位相シフ
タ１４を有している。位相シフタ１４は非減衰である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらのマス
クでは解像度を高めることは可能ではあるが、位相シフ
ト・パターンが誤配置されていたり、欠落していたり、
誤って設けられていた場合、マスクを修理することは困
難である。位相シフタの追加や削除を行うことは可能で
あるが、しかしその厚み，屈折率，吸収率，マスク材料
のスムーズさを制御することは極めて困難である。
クでは解像度を高めることは可能ではあるが、位相シフ
ト・パターンが誤配置されていたり、欠落していたり、
誤って設けられていた場合、マスクを修理することは困
難である。位相シフタの追加や削除を行うことは可能で
あるが、しかしその厚み，屈折率，吸収率，マスク材料
のスムーズさを制御することは極めて困難である。
【００１３】位相シフト・マスクの修理は以下の点で困
難である。 （１）修理の際に正確な厚みで除去したり追加したりす
ること。 （２）仕上がりをスムーズにすること。 （３）修理部分の材料の吸収率および屈折率を制御する
こと。
難である。 （１）修理の際に正確な厚みで除去したり追加したりす
ること。 （２）仕上がりをスムーズにすること。 （３）修理部分の材料の吸収率および屈折率を制御する
こと。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明に従う位相シフト
・マスクは、 （ａ）位相シフト・マスク基板と、 （ｂ）該位相シフト・マスク基板上に形成され、位相シ
フト量がθである第１の位相シフト層と、 （ｃ）該第１の位相シフト層に重なり、位相シフト量が
（２π−θ）である第２の位相シフト層と、 （ｄ）該第２の位相シフト層に重なり、位相シフト量が
θである第３の位相シフト層とを備え、上記第１の位相
シフト層、上記第２の位相シフト層及び上記第３の位相
シフト層のうちの互いに隣接する２つの位相シフト層
は、一方の位相シフト層のウエット・エッチング時に他
方の位相シフト層がエッチングされないエッチング選択
性を有する材料で形成されていることを特徴とする。
・マスクは、 （ａ）位相シフト・マスク基板と、 （ｂ）該位相シフト・マスク基板上に形成され、位相シ
フト量がθである第１の位相シフト層と、 （ｃ）該第１の位相シフト層に重なり、位相シフト量が
（２π−θ）である第２の位相シフト層と、 （ｄ）該第２の位相シフト層に重なり、位相シフト量が
θである第３の位相シフト層とを備え、上記第１の位相
シフト層、上記第２の位相シフト層及び上記第３の位相
シフト層のうちの互いに隣接する２つの位相シフト層
は、一方の位相シフト層のウエット・エッチング時に他
方の位相シフト層がエッチングされないエッチング選択
性を有する材料で形成されていることを特徴とする。
【００１５】本発明に従う位相シフト・マスクは、 （ａ）位相シフト・マスク基板と、 （ｂ）該位相シフト・マスク基板上に形成され、位相シ
フト量がθである第１の位相シフト層と、 （ｃ）該第１の位相シフト層に重なり、位相シフト量が
（２π−θ）である第２の位相シフト層と、 （ｄ）該第２の位相シフト層に重なり、位相シフト量が
θである第３の位相シフト層と、 （ｅ）該第３の位相シフト層に重なるパターン化された
クロム層とを備え、上記第１の位相シフト層、上記第２
の位相シフト層及び上記第３の位相シフト層のうちの互
いに隣接する２つの位相シフト層は、一方の位相シフト
層のウエット・エッチング時に他方の位相シフト層がエ
ッチングされないエッチング選択性を有する材料で形成
されていることを特徴とする。そして、上記第１の位相
シフト層及び上記第３の位相シフト層は第１の材料で形
成され、上記第２の位相シフト層は第２の材料で形成さ
れ、そして上記第１の材料及び上記第２の材料のうちの
一方の材料のウエット・エッチング時に他方の材料がエ
ッチングされないエッチング選択性を有することを特徴
とする。そして、上記第１の位相シフト層の材料はＳｉ
3Ｎ4であり、上記第２の位相シフト層の材料はＳｉＯ2
であり、そして上記第３の位相シフト層の材料はＳｉ3
Ｎ4であることを特徴とする。そして、上記第１の位相
シフト層の材料はＡｌ2Ｏ3であり、上記第２の位相シフ
ト層の材料はＳｉＯ2であり、そして上記第３の位相シ
フト層の材料はＡｌ2Ｏ3であることを特徴とする。
フト量がθである第１の位相シフト層と、 （ｃ）該第１の位相シフト層に重なり、位相シフト量が
（２π−θ）である第２の位相シフト層と、 （ｄ）該第２の位相シフト層に重なり、位相シフト量が
θである第３の位相シフト層と、 （ｅ）該第３の位相シフト層に重なるパターン化された
クロム層とを備え、上記第１の位相シフト層、上記第２
の位相シフト層及び上記第３の位相シフト層のうちの互
いに隣接する２つの位相シフト層は、一方の位相シフト
層のウエット・エッチング時に他方の位相シフト層がエ
ッチングされないエッチング選択性を有する材料で形成
されていることを特徴とする。そして、上記第１の位相
シフト層及び上記第３の位相シフト層は第１の材料で形
成され、上記第２の位相シフト層は第２の材料で形成さ
れ、そして上記第１の材料及び上記第２の材料のうちの
一方の材料のウエット・エッチング時に他方の材料がエ
ッチングされないエッチング選択性を有することを特徴
とする。そして、上記第１の位相シフト層の材料はＳｉ
3Ｎ4であり、上記第２の位相シフト層の材料はＳｉＯ2
であり、そして上記第３の位相シフト層の材料はＳｉ3
Ｎ4であることを特徴とする。そして、上記第１の位相
シフト層の材料はＡｌ2Ｏ3であり、上記第２の位相シフ
ト層の材料はＳｉＯ2であり、そして上記第３の位相シ
フト層の材料はＡｌ2Ｏ3であることを特徴とする。
【００１６】
【実施例】本発明により、修理に適したマスク構造体２
１が得られる。図７に、本発明にもとづく、パターン化
前の、作製に適した位相シフト・マスク２１の材料を示
す。図８に、図７のマスク材料をパターン化して欠陥の
無いマスク２１に形成したものを示す。図７および図８
において、マスク２１の３つの位相シフト層２２，２
４，２６が順番に積み重ねてある。本発明では、マスク
基板２０の上に１つの位相シフト層を設ける代りに（図
１〜図６のマスク１０のように）、位相シフト層２２，
２４，２６を順番に積み重ねる。それらの位相シフト量
は、層２２はθ、層２４は（２π−θ）、層２６はθと
する。層２６の上部には吸収体の層２８を設ける。マス
クを作製する際には、まず上部の吸収体（クロームなど
から成る）の層２８を通常どうりにパターン化する。こ
の吸収体の層２８は、マスクのパターンとして働くと共
に、これの下側の層のウエット・エッチング時のマスク
としても働く。上部の位相シフト層２６は、位相シフト
量θが必要な部分ではそのままとする。残りの２つの層
の全位相シフト量は２πであり、３つの層の全位相シフ
ト量は（２π＋θ）であるため、必要とする位相シフト
差θが得られる。このシフト領域で欠陥が見つかり、そ
れを修理して位相シフトの無い領域にする場合には、図
８の領域２５のように上部の層２６を選択的に除去すれ
ばよい。同様に、この位相シフトの無い領域で位相シフ
トを達成するには、現時点で最上層となっている中間の
層２４を、例えば図８の領域２７のように除去すればよ
い。
１が得られる。図７に、本発明にもとづく、パターン化
前の、作製に適した位相シフト・マスク２１の材料を示
す。図８に、図７のマスク材料をパターン化して欠陥の
無いマスク２１に形成したものを示す。図７および図８
において、マスク２１の３つの位相シフト層２２，２
４，２６が順番に積み重ねてある。本発明では、マスク
基板２０の上に１つの位相シフト層を設ける代りに（図
１〜図６のマスク１０のように）、位相シフト層２２，
２４，２６を順番に積み重ねる。それらの位相シフト量
は、層２２はθ、層２４は（２π−θ）、層２６はθと
する。層２６の上部には吸収体の層２８を設ける。マス
クを作製する際には、まず上部の吸収体（クロームなど
から成る）の層２８を通常どうりにパターン化する。こ
の吸収体の層２８は、マスクのパターンとして働くと共
に、これの下側の層のウエット・エッチング時のマスク
としても働く。上部の位相シフト層２６は、位相シフト
量θが必要な部分ではそのままとする。残りの２つの層
の全位相シフト量は２πであり、３つの層の全位相シフ
ト量は（２π＋θ）であるため、必要とする位相シフト
差θが得られる。このシフト領域で欠陥が見つかり、そ
れを修理して位相シフトの無い領域にする場合には、図
８の領域２５のように上部の層２６を選択的に除去すれ
ばよい。同様に、この位相シフトの無い領域で位相シフ
トを達成するには、現時点で最上層となっている中間の
層２４を、例えば図８の領域２７のように除去すればよ
い。
【００１７】位相シフト領域で欠陥が見つかり、修理後
も位相シフト領域とする場合には、その領域で層２６，
２４を除去する。同様に、領域２５のような非位相シフ
ト領域で修理を行い、そのまま非位相シフト領域として
残す場合には、その部分で層２４，２２を除去する。
も位相シフト領域とする場合には、その領域で層２６，
２４を除去する。同様に、領域２５のような非位相シフ
ト領域で修理を行い、そのまま非位相シフト領域として
残す場合には、その部分で層２４，２２を除去する。
【００１８】位相シフタをまず除去した後、さらにマス
クの修理を行うことも可能であり、その場合には残った
層の中の１つまたは両方をエッチングにより除去すれば
よい。そのためには、エッチングにおいて３つの層２
２，２４，２６の間の高い選択性が必要であり、即ち、
これら３つの層２２、２４及び２６のうち、互いに隣接
する２つの層は、一方の層のウエット・エッチング時に
他方の層がエッチングされないエッチング選択性を有す
る材料で形成されており、具体的には、窒化シリコン／
二酸化シリコン／窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4／ＳｉＯ2／
Ｓｉ3Ｎ4）のサンドイッチとし、ウェット・エッチング
を行うのがよい。
クの修理を行うことも可能であり、その場合には残った
層の中の１つまたは両方をエッチングにより除去すれば
よい。そのためには、エッチングにおいて３つの層２
２，２４，２６の間の高い選択性が必要であり、即ち、
これら３つの層２２、２４及び２６のうち、互いに隣接
する２つの層は、一方の層のウエット・エッチング時に
他方の層がエッチングされないエッチング選択性を有す
る材料で形成されており、具体的には、窒化シリコン／
二酸化シリコン／窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4／ＳｉＯ2／
Ｓｉ3Ｎ4）のサンドイッチとし、ウェット・エッチング
を行うのがよい。
【００１９】あるいは、Ａｌ2Ｏ3／ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3
でもよい。
でもよい。
【００２０】参考例は、ＳｉＯ2（位相シフト）／エッ
チング・ストップ／ＳｉＯ2（位相シフト）／エッチン
グ・ストップ／ＳｉＯ2（位相シフト）／エッチング・
ストップ／というサンドイッチである。この場合、層２
２，２４，２６の間には、上述のように、Ａｌ2Ｏ3やＳ
ｉ3Ｎ4などの非常に薄いエッチング停止層を挿入する必
要がある。
チング・ストップ／ＳｉＯ2（位相シフト）／エッチン
グ・ストップ／ＳｉＯ2（位相シフト）／エッチング・
ストップ／というサンドイッチである。この場合、層２
２，２４，２６の間には、上述のように、Ａｌ2Ｏ3やＳ
ｉ3Ｎ4などの非常に薄いエッチング停止層を挿入する必
要がある。
【００２１】図９〜図１４に、図７および図８の構成に
基づく、３層位相シフト構造体を示す。なお、同じ層に
は同じ符号を付した。図９および図１０には、マスク４
０を形成する最初の段階を示す。図９のパターン化して
いないマスク４０は、３つの位相シフト層２２，２４，
２６を有し、その最上部は吸収体層２８によって被覆し
てある。吸収体層２８は、通常の方法でパターン化し
て、図１０の非常に単純なマスク４１を形成する。この
マスクには明らかな欠陥はない。吸収体層に欠陥がある
場合には、従来のマスク修理法によって修理することが
できる。
基づく、３層位相シフト構造体を示す。なお、同じ層に
は同じ符号を付した。図９および図１０には、マスク４
０を形成する最初の段階を示す。図９のパターン化して
いないマスク４０は、３つの位相シフト層２２，２４，
２６を有し、その最上部は吸収体層２８によって被覆し
てある。吸収体層２８は、通常の方法でパターン化し
て、図１０の非常に単純なマスク４１を形成する。この
マスクには明らかな欠陥はない。吸収体層に欠陥がある
場合には、従来のマスク修理法によって修理することが
できる。
【００２２】図１１の位相シフトマスクには次のような
欠陥がある。 （１）層２４の領域３６に傷２９がある。 （２）領域３０では、行うべき位相シフトが行われてい
ない。 （３）領域３２では、行うべきでない位相シフトが行わ
れている。 領域３２は、図１２に示すように、マスクを新たにレジ
ストで被い、それを選択的に除去し、層２６をエッチン
グすることによって修理する。
欠陥がある。 （１）層２４の領域３６に傷２９がある。 （２）領域３０では、行うべき位相シフトが行われてい
ない。 （３）領域３２では、行うべきでない位相シフトが行わ
れている。 領域３２は、図１２に示すように、マスクを新たにレジ
ストで被い、それを選択的に除去し、層２６をエッチン
グすることによって修理する。
【００２３】次に、新たにレジストで被い、図１２の領
域３０，３６において選択的に除去することにより、層
２４を領域３０，３６で選択的にエッチングし、領域３
０を修理する。
域３０，３６において選択的に除去することにより、層
２４を領域３０，３６で選択的にエッチングし、領域３
０を修理する。
【００２４】さらに図１３に示すように、３回目のレジ
スト・コーティングと領域３６における選択除去を行
い、そして層２２をエッチングして図１４のように修理
する。図１２〜図１４に、本発明に基づきどのようにし
てマスク４３〜４５の欠陥を修理するかあるいは不要な
位相シフト領域を除去するかを示す。当業者によく知ら
れた通常の方法によって、修理すべきマスクをレジスト
でコーティングする。そして、ポジティブ・レジストの
場合には修理すべき領域を露光し、一方、ネガティブ・
レジストの場合には修理すべき領域を露光しないように
する。次に修理レジスト層を現像した後、３層位相シフ
ト・マスクの層の被覆されていない領域をエッチング
し、位相シフト領域を非位相シフト領域に変換する。例
えば、図１１の領域３２に図１２の開口３４を形成す
る。次に新たにレジスト・コーティングを行い、図１２
の領域３０，３６で選択除去を行って、図１３に示すよ
うに、層２４を領域３０，３６で選択的にエッチングす
ることにより、領域３０を修理する。３回目のレジスト
・コーティングおよび選択除去を行うことにより図１３
の領域３６で層２２をエッチングし、図１４のように修
理を完了する。非位相シフト領域のレジストは、同じ修
理露光レベルで除去することができ、それによって、図
１２の二位相シフト開口３０，３６を削除して図１３の
一位相シフト開口３０，３６あるいは図１４の一位相シ
フト開口３０を容易に生成できる。互いに排他的なエッ
チング材料（例えばＣＦ4）を三位相シフト領域および
二位相シフト領域に対して用いることにより、同一の露
光によって両方のタイプの誤りを容易に除去できる。そ
うでない場合には、各タイプの誤りに対応して２回の露
光を行うことになる。
スト・コーティングと領域３６における選択除去を行
い、そして層２２をエッチングして図１４のように修理
する。図１２〜図１４に、本発明に基づきどのようにし
てマスク４３〜４５の欠陥を修理するかあるいは不要な
位相シフト領域を除去するかを示す。当業者によく知ら
れた通常の方法によって、修理すべきマスクをレジスト
でコーティングする。そして、ポジティブ・レジストの
場合には修理すべき領域を露光し、一方、ネガティブ・
レジストの場合には修理すべき領域を露光しないように
する。次に修理レジスト層を現像した後、３層位相シフ
ト・マスクの層の被覆されていない領域をエッチング
し、位相シフト領域を非位相シフト領域に変換する。例
えば、図１１の領域３２に図１２の開口３４を形成す
る。次に新たにレジスト・コーティングを行い、図１２
の領域３０，３６で選択除去を行って、図１３に示すよ
うに、層２４を領域３０，３６で選択的にエッチングす
ることにより、領域３０を修理する。３回目のレジスト
・コーティングおよび選択除去を行うことにより図１３
の領域３６で層２２をエッチングし、図１４のように修
理を完了する。非位相シフト領域のレジストは、同じ修
理露光レベルで除去することができ、それによって、図
１２の二位相シフト開口３０，３６を削除して図１３の
一位相シフト開口３０，３６あるいは図１４の一位相シ
フト開口３０を容易に生成できる。互いに排他的なエッ
チング材料（例えばＣＦ4）を三位相シフト領域および
二位相シフト領域に対して用いることにより、同一の露
光によって両方のタイプの誤りを容易に除去できる。そ
うでない場合には、各タイプの誤りに対応して２回の露
光を行うことになる。
【００２５】詳しく説明すると、図１１においてマスク
４２は、位相シフト量が２π−θである中間位相シフト
層２４に欠陥２９を有している。ここで目標は、それぞ
れ図１３および図１４のマスク４４，４５のように上記
欠陥を除去することである。図１３および図１４のマス
クは、処理を行って欠陥２９を除去したものである。ま
た、開口３０において本来あるべき位相シフタが欠落し
ており、その問題は、図１３のマスク４４のように解決
する。図１１における第３の問題は、領域３２の位相シ
フタ層２６が不要であるということである。層２６は開
口３６の材料を除去するとき除去しておくべきものであ
る。この問題は、図１２のマスク４３のように解決する
必要がある。マスク４３では不要な材料３２を除去して
開口３４を形成している。
４２は、位相シフト量が２π−θである中間位相シフト
層２４に欠陥２９を有している。ここで目標は、それぞ
れ図１３および図１４のマスク４４，４５のように上記
欠陥を除去することである。図１３および図１４のマス
クは、処理を行って欠陥２９を除去したものである。ま
た、開口３０において本来あるべき位相シフタが欠落し
ており、その問題は、図１３のマスク４４のように解決
する。図１１における第３の問題は、領域３２の位相シ
フタ層２６が不要であるということである。層２６は開
口３６の材料を除去するとき除去しておくべきものであ
る。この問題は、図１２のマスク４３のように解決する
必要がある。マスク４３では不要な材料３２を除去して
開口３４を形成している。
【００２６】図１２において、マスク４３は材料３２を
単に除去した結果を示している。他の問題は上述のよう
に図１３および図１４のように扱う。
単に除去した結果を示している。他の問題は上述のよう
に図１３および図１４のように扱う。
【００２７】図１３において、開口３０での位相シフト
の不足は、図１１および図１２の欠陥２９を有する材料
を除去するために層２２を取り除くと共に、開口３０の
層２２を除去することによって修理している。しかし、
位相シフト量が正しくないという新しい問題が生じてい
る。これは図１４のように解決する。
の不足は、図１１および図１２の欠陥２９を有する材料
を除去するために層２２を取り除くと共に、開口３０の
層２２を除去することによって修理している。しかし、
位相シフト量が正しくないという新しい問題が生じてい
る。これは図１４のように解決する。
【００２８】図１４では、欠陥２９のあった開口３６の
部分で層２２を除去している。すなわち３つの位相シフ
ト層をすべて除去したことになり、これにより最初に意
図した通りの位相シフトが得られる。
部分で層２２を除去している。すなわち３つの位相シフ
ト層をすべて除去したことになり、これにより最初に意
図した通りの位相シフトが得られる。
【００２９】簡単のため、位相シフト領域は常に、より
大きい屈折率を有する領域に関連させている。図７およ
び図８において、例えば“１”は位相シフト領域とな
り、“２”は非位相シフト領域となる。これは位相シフ
トが相対的であるという理由による。全体を通じて３つ
の表現は、本発明の精神に影響を与えることなく交換す
ることができる。
大きい屈折率を有する領域に関連させている。図７およ
び図８において、例えば“１”は位相シフト領域とな
り、“２”は非位相シフト領域となる。これは位相シフ
トが相対的であるという理由による。全体を通じて３つ
の表現は、本発明の精神に影響を与えることなく交換す
ることができる。
【００３０】欠陥は、それを含むレジストを除去するこ
とによって図１４のように修理することができる。
とによって図１４のように修理することができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明により、位相シフタの欠落、不要
位相シフタあるいは透明フィルム内欠陥に対する位相シ
フト・マスクの修理が容易にできるようになった。
位相シフタあるいは透明フィルム内欠陥に対する位相シ
フト・マスクの修理が容易にできるようになった。
【図１】マスク構造体のための従来の位相シフト・シス
テムを示す図である。
テムを示す図である。
【図２】マスク構造体のための従来の位相シフト・シス
テムを示す図である。
テムを示す図である。
【図３】マスク構造体のための従来の位相シフト・シス
テムを示す図である。
テムを示す図である。
【図４】マスク構造体のための従来の位相シフト・シス
テムを示す図である。
テムを示す図である。
【図５】マスク構造体のための従来の位相シフト・シス
テムを示す図である。
テムを示す図である。
【図６】マスク構造体のための従来の位相シフト・シス
テムを示す図である。
テムを示す図である。
【図７】本発明に基づく、パターン化前の位相シフト・
マスク材料を示す図である。
マスク材料を示す図である。
【図８】欠陥の無い、パターン化後の図７のマスク材料
を示す図である。
を示す図である。
【図９】図７および図８の構成に基づく３層位相シフト
構造体を示す図である。
構造体を示す図である。
【図１０】図７および図８の構成に基づく３層位相シフ
ト構造体を示す図である。
ト構造体を示す図である。
【図１１】図７および図８の構成に基づく３層位相シフ
ト構造体を示す図である。
ト構造体を示す図である。
【図１２】図７および図８の構成に基づく３層位相シフ
ト構造体を示す図である。
ト構造体を示す図である。
【図１３】図７および図８の構成に基づく３層位相シフ
ト構造体を示す図である。
ト構造体を示す図である。
【図１４】図７および図８の構成に基づく３層位相シフ
ト構造体を示す図である。
ト構造体を示す図である。
２１ マスク構造体 ２２，２４，２６ 位相シフト層 ２８ 吸収体層 ２９ 欠陥 ３０，３６ 開口 ４４，４５ マスク
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−241318（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−165193（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−88347（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−142757（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−134394（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−449（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−5979（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−216204（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】（ａ）位相シフト・マスク基板と、 （ｂ）該位相シフト・マスク基板上に形成され、位相シ
フト量がθである第１の位相シフト層と、 （ｃ）該第１の位相シフト層に重なり、位相シフト量が
（２π−θ）である第２の位相シフト層と、 （ｄ）該第２の位相シフト層に重なり、位相シフト量が
θである第３の位相シフト層とを備え、 上記第１の位相シフト層、上記第２の位相シフト層及び
上記第３の位相シフト層のうちの互いに隣接する２つの
位相シフト層は、一方の位相シフト層のウエット・エッ
チング時に他方の位相シフト層がエッチングされないエ
ッチング選択性を有する材料で形成されていることを特
徴とする位相シフト・マスク。 - 【請求項２】（ａ）位相シフト・マスク基板と、 （ｂ）該位相シフト・マスク基板上に形成され、位相シ
フト量がθである第１の位相シフト層と、 （ｃ）該第１の位相シフト層に重なり、位相シフト量が
（２π−θ）である第２の位相シフト層と、 （ｄ）該第２の位相シフト層に重なり、位相シフト量が
θである第３の位相シフト層と、 （ｅ）該第３の位相シフト層に重なるパターン化された
クロム層とを備え、 上記第１の位相シフト層、上記第２の位相シフト層及び
上記第３の位相シフト層のうちの互いに隣接する２つの
位相シフト層は、一方の位相シフト層のウエット・エッ
チング時に他方の位相シフト層がエッチングされないエ
ッチング選択性を有する材料で形成されていることを特
徴とする位相シフト・マスク。 - 【請求項３】上記第１の位相シフト層及び上記第３の位
相シフト層は第１の材料で形成され、上記第２の位相シ
フト層は第２の材料で形成され、そして上記第１の材料
及び上記第２の材料のうちの一方の材料のウエット・エ
ッチング時に他方の材料がエッチングされないエッチン
グ選択性を有することを特徴とする請求項１又は請求項
２記載の位相シフト・マスク。 - 【請求項４】上記第１の位相シフト層の材料はＳｉ3Ｎ4
であり、上記第２の位相シフト層の材料はＳｉＯ2であ
り、そして上記第３の位相シフト層の材料はＳｉ3Ｎ4で
あることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３
記載の位相シフト・マスク。 - 【請求項５】上記第１の位相シフト層の材料はＡｌ2Ｏ3
であり、上記第２の位相シフト層の材料はＳｉＯ2であ
り、そして上記第３の位相シフト層の材料はＡｌ2Ｏ3で
あることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３
記載の位相シフト・マスク。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/866,651 US5272024A (en) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | Mask-structure and process to repair missing or unwanted phase-shifting elements |
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Family
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Family Applications (1)
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| JPH06130647A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-05-13 | Fujitsu Ltd | 光学マスク及びその欠陥修正方法 |
| US5567550A (en) * | 1993-03-25 | 1996-10-22 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a mask for making integrated circuits |
| KR0128827B1 (ko) * | 1993-12-31 | 1998-04-07 | 김주용 | 위상반전마스크 제조방법 |
| TW270219B (ja) * | 1994-05-31 | 1996-02-11 | Advanced Micro Devices Inc | |
| KR100399444B1 (ko) * | 1995-06-30 | 2004-04-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 에지강조형위상반전마스크및그제조방법 |
| JPH09304912A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスク、位相シフトマスク用ブランクスおよび位相シフトマスクの製造方法 |
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| US5882823A (en) * | 1997-05-21 | 1999-03-16 | International Business Machines Corporation | Fib repair method |
| US5935737A (en) * | 1997-12-22 | 1999-08-10 | Intel Corporation | Method for eliminating final euv mask repairs in the reflector region |
| TW352421B (en) * | 1998-04-27 | 1999-02-11 | United Microelectronics Corp | Method and process of phase shifting mask |
| US6037083A (en) * | 1998-12-22 | 2000-03-14 | Hoya Corporation | Halftone phase shift mask blanks, halftone phase shift masks, and fine pattern forming method |
| TW512424B (en) * | 2000-05-01 | 2002-12-01 | Asml Masktools Bv | Hybrid phase-shift mask |
| US6361904B1 (en) | 2000-06-14 | 2002-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for repairing the shifter layer of an alternating phase shift mask |
| US6660436B1 (en) | 2001-09-17 | 2003-12-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | OPC-like repair method for attenuated phase shift masks |
| US6838214B1 (en) * | 2002-09-10 | 2005-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of fabrication of rim-type phase shift mask |
| US7157191B2 (en) * | 2004-01-12 | 2007-01-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Single trench repair method with etched quartz for attenuated phase shifting mask |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4360586A (en) * | 1979-05-29 | 1982-11-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Spatial period division exposing |
| JPS56128946A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-08 | Fujitsu Ltd | Photomask correcting method |
| US4608326A (en) * | 1984-02-13 | 1986-08-26 | Hewlett-Packard Company | Silicon carbide film for X-ray masks and vacuum windows |
| US4890309A (en) * | 1987-02-25 | 1989-12-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Lithography mask with a π-phase shifting attenuator |
| US4906326A (en) * | 1988-03-25 | 1990-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask repair system |
| JP2710967B2 (ja) * | 1988-11-22 | 1998-02-10 | 株式会社日立製作所 | 集積回路装置の製造方法 |
| JP2862924B2 (ja) * | 1989-12-26 | 1999-03-03 | 株式会社日立製作所 | パターン形成方法及びマスク修正方法 |
| US5362591A (en) * | 1989-10-09 | 1994-11-08 | Hitachi Ltd. Et Al. | Mask having a phase shifter and method of manufacturing same |
| JP2634289B2 (ja) * | 1990-04-18 | 1997-07-23 | 三菱電機株式会社 | 位相シフトマスクの修正方法 |
| JPH05165193A (ja) * | 1991-12-18 | 1993-06-29 | Sharp Corp | 位相シフトマスク |
| JP2739793B2 (ja) * | 1992-01-06 | 1998-04-15 | 日本電気株式会社 | 三相型位相シフトレチクルの製造方法 |
-
1992
- 1992-04-08 US US07/866,651 patent/US5272024A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-02-09 JP JP2095993A patent/JP2500039B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-03-09 EP EP93480022A patent/EP0565473A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0565473A3 (en) | 1997-02-19 |
| EP0565473A2 (en) | 1993-10-13 |
| US5272024A (en) | 1993-12-21 |
| JPH0684879A (ja) | 1994-03-25 |
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