JP2739793B2 - 三相型位相シフトレチクルの製造方法 - Google Patents
三相型位相シフトレチクルの製造方法Info
- Publication number
- JP2739793B2 JP2739793B2 JP4492A JP4492A JP2739793B2 JP 2739793 B2 JP2739793 B2 JP 2739793B2 JP 4492 A JP4492 A JP 4492A JP 4492 A JP4492 A JP 4492A JP 2739793 B2 JP2739793 B2 JP 2739793B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon dioxide
- reticle
- resist
- phase
- dioxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は三相型位相シフトレチク
ルの製造方法に関し、特に三相型位相シフトレチクルの
シフターの製造方法に関するものである。
ルの製造方法に関し、特に三相型位相シフトレチクルの
シフターの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の位相シフトレチクルには様々な構
造が提案されている。日経マイクロデバイス１９９０年
７月号Ｎｏ．６１，ｐｐ．１０９に紹介されている中で
空間周波数変調型と呼ばれている構造について、その製
造方法を図４（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
造が提案されている。日経マイクロデバイス１９９０年
７月号Ｎｏ．６１，ｐｐ．１０９に紹介されている中で
空間周波数変調型と呼ばれている構造について、その製
造方法を図４（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【０００３】はじめに図４（ａ）に示すように、レチク
ルの母材となるガラス基板１の上に電子線描画時の帯電
防止用として導電性膜２を堆積したのち、クロム３をパ
ターニングする。ここで電子線描画の条件によっては導
電性膜２を用いないことがある。
ルの母材となるガラス基板１の上に電子線描画時の帯電
防止用として導電性膜２を堆積したのち、クロム３をパ
ターニングする。ここで電子線描画の条件によっては導
電性膜２を用いないことがある。
【０００４】つぎに図４（ｂ）に示すように、ＣＶＤ
（化学的気相成長）法またはスピン塗布法によりＳｉＯ
2 （二酸化珪素）膜４を堆積したのち、レジスト６をス
ピン塗布する。
（化学的気相成長）法またはスピン塗布法によりＳｉＯ
2 （二酸化珪素）膜４を堆積したのち、レジスト６をス
ピン塗布する。
【０００５】つぎに図４（ｃ）に示すように、電子線描
画により所望のパターンを露光したのち現像する。つぎ
にＳｉＯ2 膜４をドライエッチングしてから、レジスト
６を除去して所望の位相シフター付レチクルが得られ
る。
画により所望のパターンを露光したのち現像する。つぎ
にＳｉＯ2 膜４をドライエッチングしてから、レジスト
６を除去して所望の位相シフター付レチクルが得られ
る。
【０００６】こうして隣接した光透過部の光に１２０°
の位相差をつけることにより、位相シフト法の効果を得
ることができる。
の位相差をつけることにより、位相シフト法の効果を得
ることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】隣接する各層間の位相
差を１２０°（０°と１２０°と２４０°の三相）とす
ると、図５に示すように、各位相部での寸法は同一にな
る。しかし１０°ずれて位相１２０°部の位相が１１０
°になると、図６に示すように焦点がずれたときにパタ
ーン寸法が変化する。
差を１２０°（０°と１２０°と２４０°の三相）とす
ると、図５に示すように、各位相部での寸法は同一にな
る。しかし１０°ずれて位相１２０°部の位相が１１０
°になると、図６に示すように焦点がずれたときにパタ
ーン寸法が変化する。
【０００８】そこでパターン寸法にずれが生じないよう
に、±５°の精度として位相１１５°にあたる露光波長
×２３／（７２×（二酸化珪素膜の屈折率−１））か
ら、１２５°にあたる露光波長×２５／（７２×（二酸
化珪素膜の屈折率−１））までの範囲の膜厚を形成しな
ければならない。
に、±５°の精度として位相１１５°にあたる露光波長
×２３／（７２×（二酸化珪素膜の屈折率−１））か
ら、１２５°にあたる露光波長×２５／（７２×（二酸
化珪素膜の屈折率−１））までの範囲の膜厚を形成しな
ければならない。
【０００９】したがって波長３６５ｎｍの光で位相シフ
トレチクルを使用する場合、屈折率ｎ＝１．４３のＳｉ
Ｏ2 シフターの膜厚はλ／３（ｎ−１）±２．４％すな
わち２８３±１０ｎｍの均一性で膜厚制御する必要があ
る。
トレチクルを使用する場合、屈折率ｎ＝１．４３のＳｉ
Ｏ2 シフターの膜厚はλ／３（ｎ−１）±２．４％すな
わち２８３±１０ｎｍの均一性で膜厚制御する必要があ
る。
【００１０】しかし、ＣＶＤ法によってＳｉＯ2 シフタ
ーを形成すると、レチクル面内の均一性は約±５％と悪
く、光の位相をコントロールしきれない。
ーを形成すると、レチクル面内の均一性は約±５％と悪
く、光の位相をコントロールしきれない。
【００１１】一方、スピン塗布法でＳｉＯ2 シフターを
形成すると、塗布したＳｉＯ2 の溶剤の蒸発および脱水
・重合反応のために約４００℃の高温焼結が必要なの
で、クロムパターンが変形、剥離するなどの問題があ
る。またスピン塗布法を用いるので、凹凸部の中央と端
とで膜厚差が大きいという問題がある。
形成すると、塗布したＳｉＯ2 の溶剤の蒸発および脱水
・重合反応のために約４００℃の高温焼結が必要なの
で、クロムパターンが変形、剥離するなどの問題があ
る。またスピン塗布法を用いるので、凹凸部の中央と端
とで膜厚差が大きいという問題がある。
【００１２】さらにドライエッチングによって不要なＳ
ｉＯ2 膜を除去するとき、レチクルのガラス基板表面ま
でエッチングされて、基板表面が荒れてしまう。その程
度はエッチング条件によって大きく異なるが、表面荒れ
を生じている部位を透過した光は絶対光量が不足する。
そのため図７に示すようにエッチングしなかった１２０
°部と、エッチングによって荒れた０°部とで寸法差が
生じてしまう。
ｉＯ2 膜を除去するとき、レチクルのガラス基板表面ま
でエッチングされて、基板表面が荒れてしまう。その程
度はエッチング条件によって大きく異なるが、表面荒れ
を生じている部位を透過した光は絶対光量が不足する。
そのため図７に示すようにエッチングしなかった１２０
°部と、エッチングによって荒れた０°部とで寸法差が
生じてしまう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の三波長型位相シ
フトレチクルの製造方法は、ガラス基板にクロムパター
ンが形成されているレチクルの上に、ＣＶＤ法により全
面に薄いＳｉＯ2 膜を堆積したのち、所望のレジストパ
ターンを形成する。つぎに過飽和状態の二酸化珪素水溶
液中でＳｉＯ2 を液相成長させるものである。
フトレチクルの製造方法は、ガラス基板にクロムパター
ンが形成されているレチクルの上に、ＣＶＤ法により全
面に薄いＳｉＯ2 膜を堆積したのち、所望のレジストパ
ターンを形成する。つぎに過飽和状態の二酸化珪素水溶
液中でＳｉＯ2 を液相成長させるものである。
【００１４】
【実施例】本発明の第１の実施例について、図１（ａ）
〜（ｄ）を参照して説明する。
〜（ｄ）を参照して説明する。
【００１５】はじめに図１（ａ）に示すように、ガラス
基板１に導電性膜２を堆積したのちクロム３のパターン
を形成する。つぎに全面に２００℃で成長できる低温Ｃ
ＶＤ法や１００℃で成長できる光ＣＶＤ法などにより厚
さ５０ｎｍのＳｉＯ2 膜４を成長する。本実施例では光
ＣＶＤ法によりレチクル全面で４７±２．８ｎｍのＳｉ
Ｏ2 膜４を成長した。
基板１に導電性膜２を堆積したのちクロム３のパターン
を形成する。つぎに全面に２００℃で成長できる低温Ｃ
ＶＤ法や１００℃で成長できる光ＣＶＤ法などにより厚
さ５０ｎｍのＳｉＯ2 膜４を成長する。本実施例では光
ＣＶＤ法によりレチクル全面で４７±２．８ｎｍのＳｉ
Ｏ2 膜４を成長した。
【００１６】つぎに図１（ｂ）に示すように、レジスト
を塗布して光透過部５ａ，５ｃ，５ｄは開口するよう
に、光透過部５ｂはレジスト６ａのパターンを残すよう
に、電子線露光・現像を行なう。つぎに液相成長法によ
り位相シフターとなるＳｉＯ2７を成長させる。
を塗布して光透過部５ａ，５ｃ，５ｄは開口するよう
に、光透過部５ｂはレジスト６ａのパターンを残すよう
に、電子線露光・現像を行なう。つぎに液相成長法によ
り位相シフターとなるＳｉＯ2７を成長させる。
【００１７】この液相成長法は特開平３−９７２４７に
述べているように、約３．５ｍｏｌ／ｌｉｔｅｒの珪弗
化水素酸（Ｈ2 ＳｉＦ6 ）に、シラノール（Ｓｉ（Ｏ
Ｈ）4）を１５０℃の低温で焼成して形成した二酸化珪
素の粉末を３０℃の温度で溶解・飽和させた飽和水溶液
を用いる。常時過飽和状態を保つために濃度が０．１ｍ
ｏｌ／ｌｉｔｅｒの硼酸水溶液を１０ｃｃ／ｈｏｕｒの
速度で連続的に添加する。この過飽和水溶液は０．２μ
ｍのＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）製のフィ
ルターを用いて常時循環させ、０．２μｍを越える粒子
を除去する。
述べているように、約３．５ｍｏｌ／ｌｉｔｅｒの珪弗
化水素酸（Ｈ2 ＳｉＦ6 ）に、シラノール（Ｓｉ（Ｏ
Ｈ）4）を１５０℃の低温で焼成して形成した二酸化珪
素の粉末を３０℃の温度で溶解・飽和させた飽和水溶液
を用いる。常時過飽和状態を保つために濃度が０．１ｍ
ｏｌ／ｌｉｔｅｒの硼酸水溶液を１０ｃｃ／ｈｏｕｒの
速度で連続的に添加する。この過飽和水溶液は０．２μ
ｍのＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）製のフィ
ルターを用いて常時循環させ、０．２μｍを越える粒子
を除去する。
【００１８】レジスト６ａがパターニングされたガラス
基板１を、常時過飽和で３５℃の一定温度に保たれた珪
弗化水素酸水溶液に浸漬する。ＳｉＯ2 ７の成長速度は
４０ｎｍ／ｈｏｕｒなので、７．１５７５時間（７時間
９分２７秒）浸漬することによって、レジスト６ａに覆
われていないＳｉＯ2 膜４の上に、選択的に厚さ２８３
ｎｍの第１気相成長ＳｉＯ2 ７を成長させる。このとき
の膜厚均一性は±１．０％と良好であった。
基板１を、常時過飽和で３５℃の一定温度に保たれた珪
弗化水素酸水溶液に浸漬する。ＳｉＯ2 ７の成長速度は
４０ｎｍ／ｈｏｕｒなので、７．１５７５時間（７時間
９分２７秒）浸漬することによって、レジスト６ａに覆
われていないＳｉＯ2 膜４の上に、選択的に厚さ２８３
ｎｍの第１気相成長ＳｉＯ2 ７を成長させる。このとき
の膜厚均一性は±１．０％と良好であった。
【００１９】つぎに図１（ｃ）に示すように、レジスト
６ａを剥離したのち、レジストを塗布して光透過部５
ａ，５ｄは開口するように、光透過部５ｂ，５ｃはレジ
スト６ｂのパターンを残すように、電子線露光・現像を
行なう。再び液相成長法により選択的にレジストパター
ン６ｂで覆われていない第１気相成長ＳｉＯ2 ７の上
に、厚さ２８３ｎｍの第２液相成長ＳｉＯ2 ８を成長さ
せる。
６ａを剥離したのち、レジストを塗布して光透過部５
ａ，５ｄは開口するように、光透過部５ｂ，５ｃはレジ
スト６ｂのパターンを残すように、電子線露光・現像を
行なう。再び液相成長法により選択的にレジストパター
ン６ｂで覆われていない第１気相成長ＳｉＯ2 ７の上
に、厚さ２８３ｎｍの第２液相成長ＳｉＯ2 ８を成長さ
せる。
【００２０】最後に図１（ｄ）に示すように、レジスト
６ｂを剥離することにより、レチクル上の所望の領域に
位相シフターが形成された位相シフトレチクルが完成す
る。
６ｂを剥離することにより、レチクル上の所望の領域に
位相シフターが形成された位相シフトレチクルが完成す
る。
【００２１】つぎに本発明の２の実施例について、図２
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００２２】ガラス基板１に第１の実施例と同様にし
て、導電性膜２、クロム３のパターン、ＳｉＯ2 膜４を
形成したのち、液相成長法により全面に厚さ３００ｎｍ
の第１液相成長ＳｉＯ2 ７を成長させて、クロム３のパ
ターンによる凹凸を平坦化する。つぎに第１液相成長Ｓ
ｉＯ2 ７上の所望の領域、ここでは５ａ，５ｃ，５ｄの
みにシフターを形成するため、レジスト（図示せず）を
マスクとして、液相成長法により選択的に厚さ２８３ｎ
ｍの第２液相成長ＳｉＯ2 ８を成長させる。つぎにレジ
ストを剥離したのち、第２液相成長ＳｉＯ2 ８上の所望
の領域、ここでは５ａ，５ｄのみにシフターを形成する
ため、レジスト（図示せず）をマスクとして、液相成長
法により選択的に厚さ２８３ｎｍの第３液相成長ＳｉＯ
2 ９を成長させる。
て、導電性膜２、クロム３のパターン、ＳｉＯ2 膜４を
形成したのち、液相成長法により全面に厚さ３００ｎｍ
の第１液相成長ＳｉＯ2 ７を成長させて、クロム３のパ
ターンによる凹凸を平坦化する。つぎに第１液相成長Ｓ
ｉＯ2 ７上の所望の領域、ここでは５ａ，５ｃ，５ｄの
みにシフターを形成するため、レジスト（図示せず）を
マスクとして、液相成長法により選択的に厚さ２８３ｎ
ｍの第２液相成長ＳｉＯ2 ８を成長させる。つぎにレジ
ストを剥離したのち、第２液相成長ＳｉＯ2 ８上の所望
の領域、ここでは５ａ，５ｄのみにシフターを形成する
ため、レジスト（図示せず）をマスクとして、液相成長
法により選択的に厚さ２８３ｎｍの第３液相成長ＳｉＯ
2 ９を成長させる。
【００２３】本実施例においては、全面に第１液相成長
ＳｉＯ2 ７が成長されているので、位相差を与えるべき
光透過部が平坦になり、その上に形成されるシフターの
膜厚がより均一になるという長所がある。
ＳｉＯ2 ７が成長されているので、位相差を与えるべき
光透過部が平坦になり、その上に形成されるシフターの
膜厚がより均一になるという長所がある。
【００２４】本実施例では第１液相成長ＳｉＯ2 ７の膜
厚を３００ｎｍとしたが、クロム３の膜厚に応じて第１
液相成長ＳｉＯ2 ７の膜厚を任意に変えることができ
る。
厚を３００ｎｍとしたが、クロム３の膜厚に応じて第１
液相成長ＳｉＯ2 ７の膜厚を任意に変えることができ
る。
【００２５】つぎに本発明の第３の実施例について、図
３を参照して説明する。
３を参照して説明する。
【００２６】ガラス基板１に第１および第２の実施例と
同様にして、導電性膜２、クロム３のパターン、ＳｉＯ
2 膜４を形成する。つぎに第１の位相差を与える領域、
５ｃのみにシフターを形成するためのレジスト（図示せ
ず）をパターニングする。つぎに液相成長法により選択
的に厚さ２８３ｎｍの第１液相成長ＳｉＯ2 ７を成長さ
せる。つぎにレジストを剥離したのち、第２の位相差を
与える領域、５ａ，５ｄのみにシフターを形成するため
のレジスト（図示せず）をパターニングする。つぎに再
び液相成長法により選択的に厚さ５６６ｎｍの第２液相
成長ＳｉＯ2 ８を成長させる。本実施例においても第１
の実施例と同様の効果を得ることができる。
同様にして、導電性膜２、クロム３のパターン、ＳｉＯ
2 膜４を形成する。つぎに第１の位相差を与える領域、
５ｃのみにシフターを形成するためのレジスト（図示せ
ず）をパターニングする。つぎに液相成長法により選択
的に厚さ２８３ｎｍの第１液相成長ＳｉＯ2 ７を成長さ
せる。つぎにレジストを剥離したのち、第２の位相差を
与える領域、５ａ，５ｄのみにシフターを形成するため
のレジスト（図示せず）をパターニングする。つぎに再
び液相成長法により選択的に厚さ５６６ｎｍの第２液相
成長ＳｉＯ2 ８を成長させる。本実施例においても第１
の実施例と同様の効果を得ることができる。
【００２７】以上の実施例でパターン転写を行なう光の
波長を３６５ｎｍとしてシフターの膜厚を設計した。他
の光源波長２４８．４ｎｍ、４３５．８ｎｍなどの波長
に対しては、用途別にシフター波長を設計することがで
きる。
波長を３６５ｎｍとしてシフターの膜厚を設計した。他
の光源波長２４８．４ｎｍ、４３５．８ｎｍなどの波長
に対しては、用途別にシフター波長を設計することがで
きる。
【００２８】
【発明の効果】液相成長法を用いているので、高温処理
で問題になっていたクロムパターンの変形や剥離が生じ
ることがない。またＳｉＯ2 の成長速度が４０ｎｍと遅
く、面内均一性が±１％以下と良いので、所望の膜厚に
制御し易く、面内全域で所望の膜厚が得られる。
で問題になっていたクロムパターンの変形や剥離が生じ
ることがない。またＳｉＯ2 の成長速度が４０ｎｍと遅
く、面内均一性が±１％以下と良いので、所望の膜厚に
制御し易く、面内全域で所望の膜厚が得られる。
【００２９】さらに液相成長法は選択成長法であるの
で、必要な領域のみにＳｉＯ2 を成長させることができ
る。ドライエッチングを行なわないので、ガラス基板表
面やシフターのＳｉＯ2 膜に表面損傷を与えることがな
いという長所がある。
で、必要な領域のみにＳｉＯ2 を成長させることができ
る。ドライエッチングを行なわないので、ガラス基板表
面やシフターのＳｉＯ2 膜に表面損傷を与えることがな
いという長所がある。
【図１】本発明の第１の実施例を工程順に示す断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例を示す断面図である。
【図４】従来の三相型位相シフトレチクルの製造方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】焦点ずれによる線幅の変化を示すグラフであ
る。
る。
【図６】焦点ずれによる線幅の変化を示すグラフであ
る。
る。
【図７】焦点ずれによる線幅の変化を示すグラフであ
る。
る。
１ ガラス基板 ２ 導電性膜 ３ クロム ４ ＳｉＯ2 膜 ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ 光透過部 ６，６ａ，６ｂ レジスト ７ 第１液相成長ＳｉＯ2 ８ 第２液相成長ＳｉＯ2 ９ 第３液相成長ＳｉＯ２
Claims (6)
- 【請求項１】 隣接する開口部分を透過する光に位相差
を与える三相型位相シフトレチクルの製造方法におい
て、前記レチクルの第１および第２の位相差を与えるべ
き透過部以外を選択的に第１のレジストで覆う工程と、
前記レチクルを常時二酸化珪素の過飽和状態に保たれた
水溶液中に浸漬することによって、前記第１のレジスト
で覆われていない部分に選択的に第１の二酸化珪素膜を
形成する工程と、前記第１のレジストを除去したのち、
前記レチクルの第２の位相差を与えるべき透過部以外を
選択的に第２のレジストで覆う工程と、前記レチクルを
常時二酸化珪素の過飽和状態に保たれた水溶液中に浸漬
することによって、前記第２のレジストで覆われていな
い部分に選択的に第２の二酸化珪素膜を形成する工程
と、前記第２のレジストを除去する工程とを含むことを
特徴とする三相型位相シフトレチクルの製造方法。 - 【請求項２】 隣接する開口部分を透過する光に位相差
を与える三相型位相シフトレチクルの製造方法におい
て、前記レチクルを常時二酸化珪素の過飽和状態に保た
れた水溶液中に浸漬することによって、全面に第１の二
酸化珪素膜を形成する工程と、前記レチクルの第１およ
び第２の位相差を与えるべき透過部以外を選択的に第１
のレジストで覆う工程と、前記レチクルを常時二酸化珪
素の過飽和状態に保たれた水溶液中に浸漬することによ
って、前記第１のレジストで覆われていない部分に選択
的に第２の二酸化珪素膜を形成する工程と、前記第１の
レジストを除去したのち、前記レチクルの前記第２の位
相差を与えるべき透過部以外を選択的に第２のレジスト
で覆う工程と、前記レチクルを常時二酸化珪素の過飽和
状態に保たれた水溶液中に浸漬することによって、前記
第２のレジストで覆われていない部分に選択的に第３の
二酸化珪素膜を形成する工程と、前記第２のレジストを
除去する工程とを含むことを特徴とする三相型位相シフ
トレチクルの製造方法。 - 【請求項３】 隣接する開口部分を透過する光に位相差
を与える三相型位相シフトレチクルの製造方法におい
て、前記レチクルの第１の位相差を与えるべき透過部以
外を選択的に第１のレジストで覆う工程と、前記レチク
ルを常時二酸化珪素の過飽和状態に保たれた水溶液中に
浸漬することによって、前記第１のレジストで覆われて
いない部分に選択的に第１の二酸化珪素膜を形成する工
程と、前記第１のレジストを除去したのち、前記レチク
ルの第２の位相差を与えるべき透過部以外を選択的に第
２のレジストで覆う工程と、前記レチクルを常時二酸化
珪素の過飽和状態に保たれた水溶液中に浸漬することに
よって、前記第２のレジストで覆われていない部分に選
択的に第２の二酸化珪素膜を形成する工程と、前記第２
のレジストを除去する工程とを含むことを特徴とする三
相型位相シフトレチクルの製造方法。 - 【請求項４】 第１および第２の二酸化珪素膜の膜厚が
露光波長×２３／（７２×（二酸化珪素膜の屈折率−
１））以上、露光波長×２５／（７２×（二酸化珪素膜
の屈折率−１））以下である請求項１記載の三相型位相
シフトレチクルの製造方法。 - 【請求項５】 第２および第３の二酸化珪素膜の膜厚が
露光波長×２３／（７２×（二酸化珪素膜の屈折率−
１））以上、露光波長×２５／（７２×（二酸化珪素膜
の屈折率−１））以下である請求項２記載の三相型位相
シフトレチクルの製造方法。 - 【請求項６】 第１の二酸化珪素膜の膜厚が露光波長×
２３／（７２×（二酸化珪素膜の屈折率−１））以上、
露光波長×２５／（７２×（二酸化珪素膜の屈折率−
１））以下であり、第２の二酸化珪素膜の膜厚が露光波
長×４７／（７２×（二酸化珪素膜の屈折率−１））以
上、露光波長×４９／（７２×（二酸化珪素膜の屈折率
−１））以下である請求項３記載の三相型位相シフトレ
チクルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4492A JP2739793B2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 三相型位相シフトレチクルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4492A JP2739793B2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 三相型位相シフトレチクルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05241318A JPH05241318A (ja) | 1993-09-21 |
| JP2739793B2 true JP2739793B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=11463290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4492A Expired - Fee Related JP2739793B2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 三相型位相シフトレチクルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2739793B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5272024A (en) * | 1992-04-08 | 1993-12-21 | International Business Machines Corporation | Mask-structure and process to repair missing or unwanted phase-shifting elements |
-
1992
- 1992-01-06 JP JP4492A patent/JP2739793B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05241318A (ja) | 1993-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0553289A (ja) | 位相シフトレチクルの製造方法 | |
| KR910010043B1 (ko) | 스페이서를 이용한 미세선폭 형성방법 | |
| JP2988916B2 (ja) | 光導波路の作製方法 | |
| US5393646A (en) | Method for selective formation of a deposited film | |
| US20040067449A1 (en) | Method for manufacturing polymer microstructures and polymer waveguides | |
| JPH06201909A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JP2739793B2 (ja) | 三相型位相シフトレチクルの製造方法 | |
| JPH1020471A (ja) | 露光マスクの製造方法 | |
| US5221429A (en) | Method of manufacturing phase-shifted diffraction grating | |
| JP2624351B2 (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| EP0490320B1 (en) | A method for producing a diffraction grating | |
| US7674708B2 (en) | Method for forming fine patterns of a semiconductor device | |
| JP2882215B2 (ja) | 位相シフトレチクルの製造方法 | |
| JPH05249649A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法 | |
| JPH0882704A (ja) | 位相シフト回折格子の作製方法 | |
| JPH01114041A (ja) | 微細パタン形成方法 | |
| JPH0829606A (ja) | 位相シフト回折格子の作製方法 | |
| KR0172522B1 (ko) | 미세 패턴 형성을 위한 레지스트 패턴 형성 방법 | |
| JPH07198922A (ja) | 回折格子の作製方法 | |
| KR0144676B1 (ko) | 반도체의 미세패턴 형성 방법 | |
| JPS627001A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JPH08195378A (ja) | 位相反転マスク及びその製造方法 | |
| JPH063805A (ja) | 位相シフトレチクルの製造方法 | |
| JPS6081829A (ja) | 半導体のエツチング方法 | |
| KR100234182B1 (ko) | 박막 자기 헤드의 코일 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971224 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |