JPH06130647A - 光学マスク及びその欠陥修正方法 - Google Patents
光学マスク及びその欠陥修正方法Info
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- JPH06130647A JPH06130647A JP4282693A JP28269392A JPH06130647A JP H06130647 A JPH06130647 A JP H06130647A JP 4282693 A JP4282693 A JP 4282693A JP 28269392 A JP28269392 A JP 28269392A JP H06130647 A JPH06130647 A JP H06130647A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学マスク及びその欠陥修正方法に関し、僅
かな手段を付加するのみで、位相シフタに生じた欠陥部
分を部分的に修正しても、位相シフタと位相シフタ再生
部分との接続部がウエハ上に転写されることがないよう
にする。 【構成】 石英基板１１と透過光に位相差を与える為の
位相シフタ１５との間に同じく透過光に所要の位相差を
与える為の透明膜１４を介在させてあり、欠陥が生じた
場合には、欠陥部分及び下地の透明膜１４を共に除去
し、新たな位相シフタ、或いは、新たな透明膜を形成す
るようにしている。
かな手段を付加するのみで、位相シフタに生じた欠陥部
分を部分的に修正しても、位相シフタと位相シフタ再生
部分との接続部がウエハ上に転写されることがないよう
にする。 【構成】 石英基板１１と透過光に位相差を与える為の
位相シフタ１５との間に同じく透過光に所要の位相差を
与える為の透明膜１４を介在させてあり、欠陥が生じた
場合には、欠陥部分及び下地の透明膜１４を共に除去
し、新たな位相シフタ、或いは、新たな透明膜を形成す
るようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置などを製造
するのに必要な投影露光装置で用いる光学マスク及びそ
の光学マスクに発生する欠陥を修正する方法に関する。
するのに必要な投影露光装置で用いる光学マスク及びそ
の光学マスクに発生する欠陥を修正する方法に関する。
【０００２】現在、超ＬＳＩ（ｌａｒｇｅ ｓｃａｌｅ
ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）の開発に於
いては、高速化及び高集積化を実現する為、サブ・ミク
ロンからハーフ・ミクロンのパターンを形成することが
必要になってきた。例えば、４Ｍ−ＤＲＡＭ（ｄｙｎａ
ｍｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）
では０．８〔μｍ〕が、また１６Ｍ−ＤＲＡＭでは０．
５〜０．６〔μｍ〕が設計ルールであり、更に６４Ｍ−
ＤＲＡＭでは０．３〔μｍ〕になろうとしている。
ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）の開発に於
いては、高速化及び高集積化を実現する為、サブ・ミク
ロンからハーフ・ミクロンのパターンを形成することが
必要になってきた。例えば、４Ｍ−ＤＲＡＭ（ｄｙｎａ
ｍｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）
では０．８〔μｍ〕が、また１６Ｍ−ＤＲＡＭでは０．
５〜０．６〔μｍ〕が設計ルールであり、更に６４Ｍ−
ＤＲＡＭでは０．３〔μｍ〕になろうとしている。
【０００３】このような微細化を実現するには、パター
ン形成の基本であるリソグラフィ工程に於いて、量産性
及び解像性に優れた縮小投影露光装置（所謂ステッパ）
が必須のものとなっている。
ン形成の基本であるリソグラフィ工程に於いて、量産性
及び解像性に優れた縮小投影露光装置（所謂ステッパ）
が必須のものとなっている。
【０００４】然しながら、そのような装置の進歩よりも
微細化の進行が速い為、ステッパの公称解像度では得ら
れないようなサイズのパターン形成が要求されていると
ころであり、レジスト材料やレジスト・プロセス、或い
は光学マスクの改良で装置の限界を越えるような結果を
得る努力がなされている。
微細化の進行が速い為、ステッパの公称解像度では得ら
れないようなサイズのパターン形成が要求されていると
ころであり、レジスト材料やレジスト・プロセス、或い
は光学マスクの改良で装置の限界を越えるような結果を
得る努力がなされている。
【０００５】さて、装置限界を向上させる手段として、
前記したように、光学マスクの改良を上げることがで
き、これは、一部に露光光の位相を逆転させる位相板を
設けたものであって、位相シフト・マスクと呼ばれ、ま
た、そのような光学マスクを用いるリソグラフィ技術を
位相シフト・リソグラフィ法と呼んでいる。
前記したように、光学マスクの改良を上げることがで
き、これは、一部に露光光の位相を逆転させる位相板を
設けたものであって、位相シフト・マスクと呼ばれ、ま
た、そのような光学マスクを用いるリソグラフィ技術を
位相シフト・リソグラフィ法と呼んでいる。
【０００６】他のリソグラフィ技術でも当然であるが、
位相シフト・リソグラフィ法に於いても、欠陥がない光
学マスクが必要である。然しながら、従来の技術に依っ
た場合、光学マスク上に新たに位相シフタを形成するよ
うにしていることから、欠陥が発生することを回避でき
ない状態にある。
位相シフト・リソグラフィ法に於いても、欠陥がない光
学マスクが必要である。然しながら、従来の技術に依っ
た場合、光学マスク上に新たに位相シフタを形成するよ
うにしていることから、欠陥が発生することを回避でき
ない状態にある。
【０００７】従って、パターン微細化に有効な位相シフ
ト・リソグラフィ法を超ＬＳＩの製造に用いる為には、
欠陥を発生し難い構成の光学マスクの実現が重要である
と共に発生した欠陥を簡単且つ良好に修正する方法の実
現も重要である。
ト・リソグラフィ法を超ＬＳＩの製造に用いる為には、
欠陥を発生し難い構成の光学マスクの実現が重要である
と共に発生した欠陥を簡単且つ良好に修正する方法の実
現も重要である。
【０００８】
【従来の技術】一般に、位相シフト・リソグラフィ技術
を実施する際に用いる光学マスクである位相シフト光学
マスクに発生する位相シフタの欠陥としては、位相シフ
タが必要とされる部分に存在していないか、或いは、存
在していても、一部が欠損している場合、不要な部分に
位相シフタ材が被着されている場合の二通りがある。
を実施する際に用いる光学マスクである位相シフト光学
マスクに発生する位相シフタの欠陥としては、位相シフ
タが必要とされる部分に存在していないか、或いは、存
在していても、一部が欠損している場合、不要な部分に
位相シフタ材が被着されている場合の二通りがある。
【０００９】図２８乃至図３２は位相シフト・リソグラ
フィ法を実施する際に用いる光学マスクである位相シフ
ト光学マスクに発生した欠陥を修正する方法を解説する
為の工程要所に於ける位相シフト光学マスクの要部切断
側面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ説明す
る。尚、ここでは、石英基板１にＣｒからなる遮光パタ
ーン膜２及びそれを覆うエッチング停止層３を形成した
光学マスクに位相シフタ４を形成したところ、その位相
シフタ４に欠陥が発生したので、それを修正する場合の
事例を挙げて説明する。
フィ法を実施する際に用いる光学マスクである位相シフ
ト光学マスクに発生した欠陥を修正する方法を解説する
為の工程要所に於ける位相シフト光学マスクの要部切断
側面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ説明す
る。尚、ここでは、石英基板１にＣｒからなる遮光パタ
ーン膜２及びそれを覆うエッチング停止層３を形成した
光学マスクに位相シフタ４を形成したところ、その位相
シフタ４に欠陥が発生したので、それを修正する場合の
事例を挙げて説明する。
【００１０】図２８参照 ２８−（１） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、蒸着
法、リフト・オフ法を適用することに依って、光学マス
ク上にＳｉＯ2 からなる位相シフタ４を形成し、位相シ
フト光学マスクを作成したところ、位相シフタ４に欠陥
部分４Ａが発生した。
法、リフト・オフ法を適用することに依って、光学マス
ク上にＳｉＯ2 からなる位相シフタ４を形成し、位相シ
フト光学マスクを作成したところ、位相シフタ４に欠陥
部分４Ａが発生した。
【００１１】図２９参照 ２９−（１） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセスを適用す
ることに依り、欠陥部分４Ａをもつ位相シフタ４を露出
させる開口５Ａをもつレジスト膜５を形成する。
ることに依り、欠陥部分４Ａをもつ位相シフタ４を露出
させる開口５Ａをもつレジスト膜５を形成する。
【００１２】図３０参照 ３０−（１） レジスト膜５をマスクとして欠陥部分４Ａをもつ位相シ
フタ４のエッチングを行なって除去する。
フタ４のエッチングを行なって除去する。
【００１３】図３１参照 ３１−（１） レジスト膜５を残したまま、蒸着法を適用することに依
ってＳｉＯ2 膜を形成する。
ってＳｉＯ2 膜を形成する。
【００１４】図３２参照 ３２−（１） レジスト剥離液中に全体を浸漬してレジスト膜５を剥離
するリフト・オフ法に依って、前記工程３１−（１）で
形成したＳｉＯ2 膜のパターニングを行い新たな位相シ
フタ６を完成する。
するリフト・オフ法に依って、前記工程３１−（１）で
形成したＳｉＯ2 膜のパターニングを行い新たな位相シ
フタ６を完成する。
【００１５】図３３乃至図３６は前記図２８乃至図３２
について説明した欠陥とは異なる欠陥を修正する方法を
解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マスクの
要部切断側面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ
説明する。尚、ここでは、石英基板１にＣｒ膜からなる
遮光パターン膜２及びそれを覆うエッチング停止層３が
形成した光学マスクに位相シフタ４を形成したところ、
位相シフタが存在してはならない部分に位相シフタ材が
被着されたので、それを修正する場合の事例を挙げて説
明する。
について説明した欠陥とは異なる欠陥を修正する方法を
解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マスクの
要部切断側面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ
説明する。尚、ここでは、石英基板１にＣｒ膜からなる
遮光パターン膜２及びそれを覆うエッチング停止層３が
形成した光学マスクに位相シフタ４を形成したところ、
位相シフタが存在してはならない部分に位相シフタ材が
被着されたので、それを修正する場合の事例を挙げて説
明する。
【００１６】図３３参照 ３３−（１） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、蒸着
法、リフト・オフ法を適用することに依って、光学マス
ク上にＳｉＯ2 からなる位相シフタ４を形成し、位相シ
フト光学マスクを作成したところ、位相シフタが存在し
てはならない箇所に位相シフタ材からなる残留物４Ｂが
生成された。
法、リフト・オフ法を適用することに依って、光学マス
ク上にＳｉＯ2 からなる位相シフタ４を形成し、位相シ
フト光学マスクを作成したところ、位相シフタが存在し
てはならない箇所に位相シフタ材からなる残留物４Ｂが
生成された。
【００１７】図３４参照 ３４−（１） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセスを適用す
ることに依り、位相シフタ材からなる残留物４Ｂを露出
させる開口５Ａをもつレジスト膜５を形成する。
ることに依り、位相シフタ材からなる残留物４Ｂを露出
させる開口５Ａをもつレジスト膜５を形成する。
【００１８】図３５参照 ３５−（１） レジスト膜５をマスクとして位相シフタ材からなる残留
物４Ｂのエッチングを行なって除去する。
物４Ｂのエッチングを行なって除去する。
【００１９】図３６参照 ３６−（１） レジスト剥離液中に全体を浸漬してレジスト膜５を剥離
し、残留物４Ｂがなく且つ所要の位相シフタ４のみをも
つ位相シフト光学マスクを完成する。
し、残留物４Ｂがなく且つ所要の位相シフタ４のみをも
つ位相シフト光学マスクを完成する。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】図２８乃至図３２と図
３３乃至図３６について解説した欠陥を修正する方法の
うち、図２８乃至図３２について解説した欠陥の修正に
は二通りの方法があり、その説明は平面図を参照すると
理解し易い。
３３乃至図３６について解説した欠陥を修正する方法の
うち、図２８乃至図３２について解説した欠陥の修正に
は二通りの方法があり、その説明は平面図を参照すると
理解し易い。
【００２１】図３７は欠陥の修正について説明するため
の位相シフト光学マスクを表す要部平面図であり、図２
８乃至図３２に於いて用いた記号と同記号は同部分を表
すか或いは同じ意味を持つものとする。尚、図３７で
は、簡明にする為、エッチング停止層３を省略してあ
る。
の位相シフト光学マスクを表す要部平面図であり、図２
８乃至図３２に於いて用いた記号と同記号は同部分を表
すか或いは同じ意味を持つものとする。尚、図３７で
は、簡明にする為、エッチング停止層３を省略してあ
る。
【００２２】図に於いて、７は位相が０°のパターン、
即ち、Ｃｒからなる遮光パターン膜２が存在しない領
域、８は１８０°の位相差を与えるＳｉＯ2 からなる位
相シフタ、８Ａは位相シフタ８に生成された欠陥部分を
それぞれ示している。
即ち、Ｃｒからなる遮光パターン膜２が存在しない領
域、８は１８０°の位相差を与えるＳｉＯ2 からなる位
相シフタ、８Ａは位相シフタ８に生成された欠陥部分を
それぞれ示している。
【００２３】さて、図３７の場合、欠陥部分８Ａをもつ
位相シフタ８は全て除去し、必要とする位相シフタを改
めて形成するのが一つの方法である。然しながら、この
場合、連続した大きな面積の位相シフタを全て修正の対
象にすることになるから、修正時のパターニングに必要
な修正用マスク・データを元のマスク・データから抽出
するのに手間が掛かり、しかも、露光には高い精度の露
光機が必要である。また、例えば配線パターンやメモリ
に於けるビット線及びワード線などの長いパターンで
は、修正時のパターニングに長時間を必要とするのは勿
論のこと、修正の領域が広いので、新たな欠陥が発生す
る虞がある。
位相シフタ８は全て除去し、必要とする位相シフタを改
めて形成するのが一つの方法である。然しながら、この
場合、連続した大きな面積の位相シフタを全て修正の対
象にすることになるから、修正時のパターニングに必要
な修正用マスク・データを元のマスク・データから抽出
するのに手間が掛かり、しかも、露光には高い精度の露
光機が必要である。また、例えば配線パターンやメモリ
に於けるビット線及びワード線などの長いパターンで
は、修正時のパターニングに長時間を必要とするのは勿
論のこと、修正の領域が広いので、新たな欠陥が発生す
る虞がある。
【００２４】図３７について説明した方法の他、欠陥部
分８Ａを部分的に修正する方法も考えられている。図３
８及び図３９は欠陥の修正について説明するための位相
シフト光学マスクを表す要部平面図であり、図２８乃至
図３２と図３７に於いて用いた記号と同記号は同部分を
表すか或いは同じ意味を持つものとする。尚、図３８並
びに図３９では、簡明にする為、エッチング停止層３を
省略してある。
分８Ａを部分的に修正する方法も考えられている。図３
８及び図３９は欠陥の修正について説明するための位相
シフト光学マスクを表す要部平面図であり、図２８乃至
図３２と図３７に於いて用いた記号と同記号は同部分を
表すか或いは同じ意味を持つものとする。尚、図３８並
びに図３９では、簡明にする為、エッチング停止層３を
省略してある。
【００２５】図３８参照 ３８−（１） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセスを適用す
ることに依り、欠陥部分８Ａを表出させる開口９を有す
るレジスト膜（図示せず）を形成する。 ３８−（２） 前記工程３８−（１）で形成したレジスト膜をマスクと
し且つエッチャントを緩衝フッ化水素酸（ＨＦ＋ＮＨ4
Ｆ）とするウエット・エッチング法を適用することに依
り、欠陥部分８Ａを含む位相シフタ８の一部を除去す
る。
ることに依り、欠陥部分８Ａを表出させる開口９を有す
るレジスト膜（図示せず）を形成する。 ３８−（２） 前記工程３８−（１）で形成したレジスト膜をマスクと
し且つエッチャントを緩衝フッ化水素酸（ＨＦ＋ＮＨ4
Ｆ）とするウエット・エッチング法を適用することに依
り、欠陥部分８Ａを含む位相シフタ８の一部を除去す
る。
【００２６】図３９参照 ３９−（１） 前記工程３９−（１）で形成したレジスト膜を残した状
態で蒸着法を適用することに依って全面にＳｉＯ2 膜を
形成する。 ３９−（２） レジスト剥離液中に全体を浸漬してレジスト膜を剥離す
るリフト・オフ法に依って、前記工程３９−（１）で形
成したＳｉＯ2 膜のパターニングを行い、新たな位相シ
フタ再生部分８Ｂを形成する。
態で蒸着法を適用することに依って全面にＳｉＯ2 膜を
形成する。 ３９−（２） レジスト剥離液中に全体を浸漬してレジスト膜を剥離す
るリフト・オフ法に依って、前記工程３９−（１）で形
成したＳｉＯ2 膜のパターニングを行い、新たな位相シ
フタ再生部分８Ｂを形成する。
【００２７】このように、欠陥部分８Ａをもつ位相シフ
タ８の部分的な修正を行なった場合、位相シフタ８と位
相シフタ再生部分８Ｂとは一体化されず、それらの接続
部に位相差が０°の部分、即ち、位相シフタ８に依って
シフトされる位相とは異なる位相の部分が生成されてし
まい、それがウエハ上に転写される旨の問題がある。
タ８の部分的な修正を行なった場合、位相シフタ８と位
相シフタ再生部分８Ｂとは一体化されず、それらの接続
部に位相差が０°の部分、即ち、位相シフタ８に依って
シフトされる位相とは異なる位相の部分が生成されてし
まい、それがウエハ上に転写される旨の問題がある。
【００２８】本発明は、僅かな手段を付加するのみで、
位相シフタに生じた欠陥部分を部分的に修正しても、位
相シフタと位相シフタ再生部分との接続部がウエハ上に
転写されることがないようにする。
位相シフタに生じた欠陥部分を部分的に修正しても、位
相シフタと位相シフタ再生部分との接続部がウエハ上に
転写されることがないようにする。
【００２９】
【課題を解決するための手段】本発明では、位相シフタ
と位相シフタ再生部分との間に不連続な接続部が存在し
ても、予め、そこに所要の位相差をもたせるようにし
て、ウエハには転写され難いようにすることが基本にな
っている。
と位相シフタ再生部分との間に不連続な接続部が存在し
ても、予め、そこに所要の位相差をもたせるようにし
て、ウエハには転写され難いようにすることが基本にな
っている。
【００３０】前記したところから、本発明に依る光学マ
スク及びその欠陥修正方法に於いては、 （１）光学マスク基板（例えば石英基板１１）と透過光
に位相差を与える為の位相シフタ（例えば位相シフタ１
５）との間に同じく透過光に所要の位相差を与える為の
透明膜（例えば透明膜１４）を介在させてなることを特
徴とするか、或いは、
スク及びその欠陥修正方法に於いては、 （１）光学マスク基板（例えば石英基板１１）と透過光
に位相差を与える為の位相シフタ（例えば位相シフタ１
５）との間に同じく透過光に所要の位相差を与える為の
透明膜（例えば透明膜１４）を介在させてなることを特
徴とするか、或いは、
【００３１】（２）前記（１）に於いて、光学マスク基
板と透過光に所要の位相差を与える為の透明膜との間に
エッチング停止層（例えばエッチング停止層１３）を介
在させてなることを特徴とするか、或いは、
板と透過光に所要の位相差を与える為の透明膜との間に
エッチング停止層（例えばエッチング停止層１３）を介
在させてなることを特徴とするか、或いは、
【００３２】（３）前記（１）に於いて、透過光に所要
の位相差を与える為の透明膜と位相シフタとの間にエッ
チング停止層を介在させてなることを特徴とするか、或
いは、
の位相差を与える為の透明膜と位相シフタとの間にエッ
チング停止層を介在させてなることを特徴とするか、或
いは、
【００３３】（４）透過光に所要の位相差を与える透明
膜（例えば透明膜１４）及び同じく透過光に位相差を与
える為の位相シフタ（例えば位相シフタ１５）が順に形
成された光学マスク基板（例えば石英基板１１）の前記
位相シフタに於ける欠陥部分（例えば欠陥部分１５Ａ）
を下地の前記透明膜と共に除去する工程と、次いで、前
記除去が行なわれた跡に前記透明膜及び前記位相シフタ
が与える位相差に実質的に等しい位相差を与える新たな
位相シフタ（例えば新たな位相シフタ１７）を形成する
工程とが含まれてなることを特徴とするか、或いは、
膜（例えば透明膜１４）及び同じく透過光に位相差を与
える為の位相シフタ（例えば位相シフタ１５）が順に形
成された光学マスク基板（例えば石英基板１１）の前記
位相シフタに於ける欠陥部分（例えば欠陥部分１５Ａ）
を下地の前記透明膜と共に除去する工程と、次いで、前
記除去が行なわれた跡に前記透明膜及び前記位相シフタ
が与える位相差に実質的に等しい位相差を与える新たな
位相シフタ（例えば新たな位相シフタ１７）を形成する
工程とが含まれてなることを特徴とするか、或いは、
【００３４】（５）透過光に所要の位相差を与える透明
膜及び同じく透過光に位相差を与える為の位相シフタが
順に形成された光学マスク基板の前記位相シフタが存在
してはならない部分に生成された前記位相シフタ材から
なる残留物（例えば残留物１６）を下地の前記透明膜と
共に除去する工程と、次いで、前記除去が行なわれた跡
に前記透明膜が与える位相差に実質的に等しい位相差を
与える新たな透明膜（例えば新たな透明膜１４Ａ）を形
成する工程とが含まれてなることを特徴とする。
膜及び同じく透過光に位相差を与える為の位相シフタが
順に形成された光学マスク基板の前記位相シフタが存在
してはならない部分に生成された前記位相シフタ材から
なる残留物（例えば残留物１６）を下地の前記透明膜と
共に除去する工程と、次いで、前記除去が行なわれた跡
に前記透明膜が与える位相差に実質的に等しい位相差を
与える新たな透明膜（例えば新たな透明膜１４Ａ）を形
成する工程とが含まれてなることを特徴とする。
【００３５】
【作用】本発明に依った場合、透過光に位相差を与える
ことが可能な透明膜を位相シフタとは別に形成する旨の
極めて僅かな手段を付加するのみで、位相シフタに生じ
た欠陥部分を局部的に修正しても、位相シフタと位相シ
フタ再生部分との接続部である位相欠陥部がウエハ上に
転写されるのを防止することができる。
ことが可能な透明膜を位相シフタとは別に形成する旨の
極めて僅かな手段を付加するのみで、位相シフタに生じ
た欠陥部分を局部的に修正しても、位相シフタと位相シ
フタ再生部分との接続部である位相欠陥部がウエハ上に
転写されるのを防止することができる。
【００３６】
【実施例】図１は本発明一実施例を解説する為の位相シ
フト光学マスクを表す要部切断側面図である。図に於い
て、１１は光学マスク基板である石英基板、１２は厚さ
例えば８００〔Å〕のＣｒからなる遮光パターン膜、１
３は例えば酸化アルミニウムからなるエッチング停止
層、１４は例えば９０°の位相差を与えるＳｉＯ2 から
なる透明膜、１５は例えば１８０°の位相差を与えるＳ
ｉＯ2 からなる位相シフタをそれぞれ示している。
フト光学マスクを表す要部切断側面図である。図に於い
て、１１は光学マスク基板である石英基板、１２は厚さ
例えば８００〔Å〕のＣｒからなる遮光パターン膜、１
３は例えば酸化アルミニウムからなるエッチング停止
層、１４は例えば９０°の位相差を与えるＳｉＯ2 から
なる透明膜、１５は例えば１８０°の位相差を与えるＳ
ｉＯ2 からなる位相シフタをそれぞれ示している。
【００３７】図２は図１に見られる位相シフト光学マト
リクスを作成する際に生成される欠陥を修正する方法の
一実施例について解説する為の工程要所に於ける位相シ
フト光学マスクを表す要部平面図であり、そして、図３
乃至図７は図２に見られる線Ｘ１−Ｘ１に沿って切断し
た要部切断側面図、図８乃至図１２は図２に見られる線
Ｙ１−Ｙ１に沿って切断した要部切断側面図であり、以
下、これ等の図を参照しつつ詳細に説明する。尚、特に
断らないが、図２は適宜参照するものとし、また、ここ
では位相シフタ自体に欠陥が生じたので、それを修正す
る場合を対象としている。
リクスを作成する際に生成される欠陥を修正する方法の
一実施例について解説する為の工程要所に於ける位相シ
フト光学マスクを表す要部平面図であり、そして、図３
乃至図７は図２に見られる線Ｘ１−Ｘ１に沿って切断し
た要部切断側面図、図８乃至図１２は図２に見られる線
Ｙ１−Ｙ１に沿って切断した要部切断側面図であり、以
下、これ等の図を参照しつつ詳細に説明する。尚、特に
断らないが、図２は適宜参照するものとし、また、ここ
では位相シフタ自体に欠陥が生じたので、それを修正す
る場合を対象としている。
【００３８】図３及び図８参照 ３−（１） 通常の技法を適用することに依り、石英基板１１にＣｒ
からなる遮光パターン膜１２及びそれを覆う厚さ例えば
１１００〔Å〕の酸化アルミニウムからなるエッチング
停止層１３を形成して光学マスクを作成する。 ３−（２） 蒸着法を適用することに依り、エッチング停止層１３上
に厚さが約１９００〔Å〕のＳｉＯ2 からなる透明膜１
４を形成する。尚、この透明膜１４は、ｉ線（３６５
〔ｎｍ〕）を用いた場合に９０°の位相差を与える。
からなる遮光パターン膜１２及びそれを覆う厚さ例えば
１１００〔Å〕の酸化アルミニウムからなるエッチング
停止層１３を形成して光学マスクを作成する。 ３−（２） 蒸着法を適用することに依り、エッチング停止層１３上
に厚さが約１９００〔Å〕のＳｉＯ2 からなる透明膜１
４を形成する。尚、この透明膜１４は、ｉ線（３６５
〔ｎｍ〕）を用いた場合に９０°の位相差を与える。
【００３９】３−（３） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、蒸着
法、リフト・オフ法を適用することに依り、透明膜１４
上に厚さ例えば３８００〔Å〕ＳｉＯ2 からなる位相シ
フタ１５を形成し、位相シフト光学マスクを作成したと
ころ、位相シフタ１５に欠陥部分１５Ａが発生した。
尚、位相シフタ１５は、正常であれば、ｉ線を用いた場
合に１８０°の位相差を与える。
法、リフト・オフ法を適用することに依り、透明膜１４
上に厚さ例えば３８００〔Å〕ＳｉＯ2 からなる位相シ
フタ１５を形成し、位相シフト光学マスクを作成したと
ころ、位相シフタ１５に欠陥部分１５Ａが発生した。
尚、位相シフタ１５は、正常であれば、ｉ線を用いた場
合に１８０°の位相差を与える。
【００４０】図４及び図９参照 ４−（１） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセスを適用す
ることに依って、欠陥部分１５Ａをもつ位相シフタ１５
を露出させる開口１９Ａをもつレジスト膜１９を形成す
る。
ることに依って、欠陥部分１５Ａをもつ位相シフタ１５
を露出させる開口１９Ａをもつレジスト膜１９を形成す
る。
【００４１】図５及び図１０参照 ５−（１） レジスト膜１５をマスクとしてエッチャントを緩衝フッ
化水素酸とするウエット・エッチング法、或いはエッチ
ング・ガスをＣＦ4 系ガスとするドライ・エッチング法
を適用することに依って、欠陥部分１５Ａをもつ位相シ
フタ１５及び開口１９Ａ内に表出される透明膜１４のエ
ッチングを行なって除去する。この工程を経ると、開口
１９Ａ内には、エッチング停止層１３の一部が表出され
る。
化水素酸とするウエット・エッチング法、或いはエッチ
ング・ガスをＣＦ4 系ガスとするドライ・エッチング法
を適用することに依って、欠陥部分１５Ａをもつ位相シ
フタ１５及び開口１９Ａ内に表出される透明膜１４のエ
ッチングを行なって除去する。この工程を経ると、開口
１９Ａ内には、エッチング停止層１３の一部が表出され
る。
【００４２】図６及び図１１参照 ６−（１） 開口１９Ａをもつレジスト膜１９を残したまま、蒸着法
を適用することに依って厚さ例えば５７００〔Å〕のＳ
ｉＯ2 膜を形成する。
を適用することに依って厚さ例えば５７００〔Å〕のＳ
ｉＯ2 膜を形成する。
【００４３】図７及び図１２参照 ７−（１） レジスト剥離液中に全体を浸漬し、前記工程６−（１）
で形成したＳｉＯ2膜が積層されているレジスト膜１９
を剥離するリフト・オフ法を適用することに依り、Ｓｉ
Ｏ2 膜のパターニングを行なって新たな位相シフタ１７
を完成する。尚、この位相シフタ１７は、前記した通り
厚さが５７００〔Å〕であるから、ｉ線を用いた場合に
２７０°の位相差を与える。
で形成したＳｉＯ2膜が積層されているレジスト膜１９
を剥離するリフト・オフ法を適用することに依り、Ｓｉ
Ｏ2 膜のパターニングを行なって新たな位相シフタ１７
を完成する。尚、この位相シフタ１７は、前記した通り
厚さが５７００〔Å〕であるから、ｉ線を用いた場合に
２７０°の位相差を与える。
【００４４】このようにして得られた位相シフト光学マ
スクに於いて、欠陥を修正した際に生じた接続部１８に
於ける位相差は透明膜１４を有する光透過部に対し−９
０°になる。
スクに於いて、欠陥を修正した際に生じた接続部１８に
於ける位相差は透明膜１４を有する光透過部に対し−９
０°になる。
【００４５】前記実施例では、本来の位相シフタ１５と
欠陥部分１５Ａを修正することで新たに形成した位相シ
フタ１７との間には接続部１８が生成され、その接続部
１８は換言すると位相欠陥と表現すべき部分である。こ
こで、透明膜１４のみが存在する光透過部を０°透過部
とすると、位相シフタ１５或いは位相シフタ１７が存在
する光透過部は０°透過部に対して１８０°透過部であ
り、前記位相欠陥がある接続部１８は透明膜１４も無く
なっていて、０°透過部に対して−９０°（９０°でも
同じ）透過部となっている。
欠陥部分１５Ａを修正することで新たに形成した位相シ
フタ１７との間には接続部１８が生成され、その接続部
１８は換言すると位相欠陥と表現すべき部分である。こ
こで、透明膜１４のみが存在する光透過部を０°透過部
とすると、位相シフタ１５或いは位相シフタ１７が存在
する光透過部は０°透過部に対して１８０°透過部であ
り、前記位相欠陥がある接続部１８は透明膜１４も無く
なっていて、０°透過部に対して−９０°（９０°でも
同じ）透過部となっている。
【００４６】図１３は位相シフタ自体に発生した欠陥部
分を本発明に依って修正した場合の修正部分近傍に於け
る光強度分布を説明する為の光強度対位置の関係を表す
線図であり、縦軸には光強度を、また、横軸には位置を
それぞれ採ってある。図に於いて、実線は前記実施例に
依って位相シフタの欠陥部分を修正した場合に於ける特
性線であり、０°透過部に対して、位相欠陥がある接続
部１８に於ける位相差は９０°である。また、破線は比
較の為に挙げた前記実施例に依らない場合の特性線であ
り、０°透過部に対して位相差が０°である。尚、図で
は、横軸に於ける０．０なる位置が接続部１８の中心と
考えて良い。図から判るように、接続部１８に於ける位
相差が９０°の場合に於ける光強度の低下は少ないが、
位相差が０°の場合には落ち込みが大きくなっている。
分を本発明に依って修正した場合の修正部分近傍に於け
る光強度分布を説明する為の光強度対位置の関係を表す
線図であり、縦軸には光強度を、また、横軸には位置を
それぞれ採ってある。図に於いて、実線は前記実施例に
依って位相シフタの欠陥部分を修正した場合に於ける特
性線であり、０°透過部に対して、位相欠陥がある接続
部１８に於ける位相差は９０°である。また、破線は比
較の為に挙げた前記実施例に依らない場合の特性線であ
り、０°透過部に対して位相差が０°である。尚、図で
は、横軸に於ける０．０なる位置が接続部１８の中心と
考えて良い。図から判るように、接続部１８に於ける位
相差が９０°の場合に於ける光強度の低下は少ないが、
位相差が０°の場合には落ち込みが大きくなっている。
【００４７】図１４は位相シフタ自体に発生した欠陥部
分を本発明に依ることなく修正した場合の修正部分近傍
に於ける光強度分布を説明する為の光強度対位置の関係
を表す線図であり、この場合、縦軸及び横軸には位置を
採ってあり、光強度は等高線で表してある。
分を本発明に依ることなく修正した場合の修正部分近傍
に於ける光強度分布を説明する為の光強度対位置の関係
を表す線図であり、この場合、縦軸及び横軸には位置を
採ってあり、光強度は等高線で表してある。
【００４８】ここに示したデータは、図７或いは図１２
に見られる位相シフト光学マスクと同様な位相シフト光
学マスクではあるが、位相欠陥部である接続部の位相が
０°であるものを用いて露光を行った場合のウエハ面上
での光強度、即ちマスクの投影像に於ける光強度分布を
等高線で示したものであり、光強度は充分に広い光透過
部での光の強さで正規化してある。
に見られる位相シフト光学マスクと同様な位相シフト光
学マスクではあるが、位相欠陥部である接続部の位相が
０°であるものを用いて露光を行った場合のウエハ面上
での光強度、即ちマスクの投影像に於ける光強度分布を
等高線で示したものであり、光強度は充分に広い光透過
部での光の強さで正規化してある。
【００４９】図の横軸に０．０で指示された位置は、位
相が０°である接続部の中心であって、この位相欠陥部
での光強度は０．４程度にまで低下している。通常、ポ
ジ型レジストを用いた場合、露光した際の光強度が０．
３程度以上になった部分ではレジストが現像され、従っ
て、パターンが形成される。このようなことから、図示
の上下二つの等高線のうち、上側の等高線は、位相欠陥
部である接続部で等高線が細くなっている。実際には、
前記した位相欠陥に依って光強度が０．４程度に落ち込
んでいることから、図示されている以上に細くなり、ま
た、ウエハがステッパに於けるレンズの焦点位置からず
れるとパターン切れしてしまう。尚、図はステッパに於
けるレンズの焦点が合った状態である。
相が０°である接続部の中心であって、この位相欠陥部
での光強度は０．４程度にまで低下している。通常、ポ
ジ型レジストを用いた場合、露光した際の光強度が０．
３程度以上になった部分ではレジストが現像され、従っ
て、パターンが形成される。このようなことから、図示
の上下二つの等高線のうち、上側の等高線は、位相欠陥
部である接続部で等高線が細くなっている。実際には、
前記した位相欠陥に依って光強度が０．４程度に落ち込
んでいることから、図示されている以上に細くなり、ま
た、ウエハがステッパに於けるレンズの焦点位置からず
れるとパターン切れしてしまう。尚、図はステッパに於
けるレンズの焦点が合った状態である。
【００５０】図１５は位相シフタ自体に発生した欠陥部
分を本発明に依って修正した場合の修正部分近傍に於け
る光強度分布を説明する為の光強度対位置の関係を表す
線図であり、この場合も、縦軸及び横軸には位置を採っ
てあり、光強度は等高線で表してある。
分を本発明に依って修正した場合の修正部分近傍に於け
る光強度分布を説明する為の光強度対位置の関係を表す
線図であり、この場合も、縦軸及び横軸には位置を採っ
てあり、光強度は等高線で表してある。
【００５１】このデータは、図７或いは図１２に見られ
る位相シフト光学マスクを用いて露光を行った場合のウ
エハ面上での光強度、即ちマスクの投影像に於ける光強
度分布を等高線で示したものであり、光強度は充分に広
い光透過部での光の強さで正規化してある。
る位相シフト光学マスクを用いて露光を行った場合のウ
エハ面上での光強度、即ちマスクの投影像に於ける光強
度分布を等高線で示したものであり、光強度は充分に広
い光透過部での光の強さで正規化してある。
【００５２】図の横軸に０．０で指示された位置は、本
発明に於けるように位相が９０°になっている接続部１
８の中心であり、位相欠陥部での光強度は０．６となっ
ている。ここで、光強度が０．３である等高線を見ると
理解できるが、殆ど細っていないことが看取される。
発明に於けるように位相が９０°になっている接続部１
８の中心であり、位相欠陥部での光強度は０．６となっ
ている。ここで、光強度が０．３である等高線を見ると
理解できるが、殆ど細っていないことが看取される。
【００５３】前記したように、位相が９０°である接続
部１８をもつ位相シフト光学マスクでは、位相が０°で
ある接続部をもつ位相シフト光学マスクに比較して、接
続部１８に於ける光強度の低下が少ないのであるが、そ
の理由は、接続部１８及びその近傍の１８０°部を透過
した光のウエハ上での回折光を考えると理解できる。
部１８をもつ位相シフト光学マスクでは、位相が０°で
ある接続部をもつ位相シフト光学マスクに比較して、接
続部１８に於ける光強度の低下が少ないのであるが、そ
の理由は、接続部１８及びその近傍の１８０°部を透過
した光のウエハ上での回折光を考えると理解できる。
【００５４】例えば、図１２に於いて、９０°透過部で
ある接続部１８を中心において考えると、その左右には
１８０°透過部である位相シフタ１５及び１７が存在し
ている。それ等を透過してウエハ上に到達する回折光を
足し合わせたものが、合成した回折光振幅であって、そ
れを二乗したものが光強度となる。
ある接続部１８を中心において考えると、その左右には
１８０°透過部である位相シフタ１５及び１７が存在し
ている。それ等を透過してウエハ上に到達する回折光を
足し合わせたものが、合成した回折光振幅であって、そ
れを二乗したものが光強度となる。
【００５５】ここで、接続部が０°透過部であれば、１
８０°透過部である位相シフタ１５及び１７を透過した
回折光とは完全な逆位相であるから、その分、合成され
た回折光振幅は小さくなってしまう。ところが、本発明
に於けるように、接続部１８が９０°透過部であれば、
そこを透過した回折光及び１８０°透過部を透過した回
折光を合成すると回折光振幅は大きくなるのであり、こ
れらは、回折光振幅をベクトルで表して合成を行えば直
ちに理解されるところである。
８０°透過部である位相シフタ１５及び１７を透過した
回折光とは完全な逆位相であるから、その分、合成され
た回折光振幅は小さくなってしまう。ところが、本発明
に於けるように、接続部１８が９０°透過部であれば、
そこを透過した回折光及び１８０°透過部を透過した回
折光を合成すると回折光振幅は大きくなるのであり、こ
れらは、回折光振幅をベクトルで表して合成を行えば直
ちに理解されるところである。
【００５６】図１６乃至図２５は図１に見られる位相シ
フト光学マスクを作成する際に生成される欠陥を修正す
る方法の他の実施例について解説する為の工程要所に於
ける位相シフト光学マスクを表すもので、図１６乃至図
２０は図２に見られる線Ｘ２−Ｘ２に沿って切断した要
部切断側面図、図２１乃至図２５は図２に見られる線Ｙ
２−Ｙ２に沿って切断した要部切断側面図であり、以
下、これ等の図を参照しつつ詳細に説明する。尚、本実
施例でも特に断らないが、図２は適宜参照するものと
し、また、ここでは位相シフタが存在してはならない部
分に位相シフタ材が被着されたので、それを修正する場
合を対象としている。
フト光学マスクを作成する際に生成される欠陥を修正す
る方法の他の実施例について解説する為の工程要所に於
ける位相シフト光学マスクを表すもので、図１６乃至図
２０は図２に見られる線Ｘ２−Ｘ２に沿って切断した要
部切断側面図、図２１乃至図２５は図２に見られる線Ｙ
２−Ｙ２に沿って切断した要部切断側面図であり、以
下、これ等の図を参照しつつ詳細に説明する。尚、本実
施例でも特に断らないが、図２は適宜参照するものと
し、また、ここでは位相シフタが存在してはならない部
分に位相シフタ材が被着されたので、それを修正する場
合を対象としている。
【００５７】図１６及び図２１参照 １６−（１） 通常の技法を適用することに依り、石英基板１１にＣｒ
からなる遮光パターン膜１２及びそれを覆う厚さ例えば
１１００〔Å〕の酸化アルミニウムからなるエッチング
停止層１３を形成して光学マスクを作成する。 １６−（２） 蒸着法を適用することに依り、エッチング停止層１３上
に厚さが約１９００〔Å〕のＳｉＯ2 からなる透明膜１
４を形成する。尚、この透明膜１４は、ｉ線（３６５
〔ｎｍ〕）を用いた場合に９０°の位相差を与える。
からなる遮光パターン膜１２及びそれを覆う厚さ例えば
１１００〔Å〕の酸化アルミニウムからなるエッチング
停止層１３を形成して光学マスクを作成する。 １６−（２） 蒸着法を適用することに依り、エッチング停止層１３上
に厚さが約１９００〔Å〕のＳｉＯ2 からなる透明膜１
４を形成する。尚、この透明膜１４は、ｉ線（３６５
〔ｎｍ〕）を用いた場合に９０°の位相差を与える。
【００５８】１６−（３） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、蒸着
法、リフト・オフ法を適用することに依り、透明膜１４
上に厚さ例えば３８００〔Å〕ＳｉＯ2 からなる位相シ
フタ１５を形成し、位相シフト光学マスクを作成したと
ころ、位相シフタが存在してはならない箇所に位相シフ
タ材からなる残留物１６が生成された。尚、正常に形成
された位相シフタ１５は、ｉ線を用いた場合に１８０°
の位相差を与える。
法、リフト・オフ法を適用することに依り、透明膜１４
上に厚さ例えば３８００〔Å〕ＳｉＯ2 からなる位相シ
フタ１５を形成し、位相シフト光学マスクを作成したと
ころ、位相シフタが存在してはならない箇所に位相シフ
タ材からなる残留物１６が生成された。尚、正常に形成
された位相シフタ１５は、ｉ線を用いた場合に１８０°
の位相差を与える。
【００５９】図１７及び図２２参照 １７−（１） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセスを適用す
ることに依って、位相シフタ材からなる残留物１６を露
出させる開口１９Ａをもつレジスト膜１９を形成する。
ることに依って、位相シフタ材からなる残留物１６を露
出させる開口１９Ａをもつレジスト膜１９を形成する。
【００６０】図１８及び図２３参照 １８−（１） レジスト膜１９をマスクとしてエッチャントを緩衝フッ
化水素酸とするウエット・エッチング法を適用すること
に依って、残留物１６及び開口１９Ａ内に表出される透
明膜１４のエッチングを行なって除去する。この工程を
経ると、開口１９Ａ内には、エッチング停止層１３の一
部が表出される。
化水素酸とするウエット・エッチング法を適用すること
に依って、残留物１６及び開口１９Ａ内に表出される透
明膜１４のエッチングを行なって除去する。この工程を
経ると、開口１９Ａ内には、エッチング停止層１３の一
部が表出される。
【００６１】図１９及び図２４参照 １９−（１） 開口１９Ａをもつレジスト膜１９を残したまま、蒸着法
を適用することに依って厚さ例えば１９００〔Å〕のＳ
ｉＯ2 膜を形成する。
を適用することに依って厚さ例えば１９００〔Å〕のＳ
ｉＯ2 膜を形成する。
【００６２】図２０及び図２５参照 ２０−（１） レジスト剥離液中に全体を浸漬して、前記工程１９−
（１）で形成したＳｉＯ2 膜が積層されているレジスト
膜１９を剥離するリフト・オフ法を適用することに依
り、ＳｉＯ2 膜のパターニングを行なって新たな透明膜
１４Ａを完成する。尚、この透明膜１４Ａは、前記した
通り、厚さが１９００〔Å〕であって、ｉ線を用いた場
合に９０°の位相差を与える。
（１）で形成したＳｉＯ2 膜が積層されているレジスト
膜１９を剥離するリフト・オフ法を適用することに依
り、ＳｉＯ2 膜のパターニングを行なって新たな透明膜
１４Ａを完成する。尚、この透明膜１４Ａは、前記した
通り、厚さが１９００〔Å〕であって、ｉ線を用いた場
合に９０°の位相差を与える。
【００６３】このようにして得られた位相シフト光学マ
スクに於いて、欠陥を修正することに依って生じた接続
部１８に於ける位相差は透明膜１４を有する光透過部に
対して−９０°であり、図３乃至図１２について説明し
た工程を採って得られた位相シフト光学マスクと同じ原
理で接続部１８のウエハ上への転写は実用上無視できる
程度に緩和される。
スクに於いて、欠陥を修正することに依って生じた接続
部１８に於ける位相差は透明膜１４を有する光透過部に
対して−９０°であり、図３乃至図１２について説明し
た工程を採って得られた位相シフト光学マスクと同じ原
理で接続部１８のウエハ上への転写は実用上無視できる
程度に緩和される。
【００６４】図２６は本発明一実施例を解説する為の位
相シフト光学マスクを表す要部切断側面図であり、図１
に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同
じ意味を持つものとする。図から明らかなように、本実
施例では、石英基板１１と遮光パターン膜１２との間に
エッチング停止層１３、透明膜１４、位相シフタ１５が
積層して介挿された構成になっていて、図１に見られる
実施例と比較すると、遮光パターン膜１２が表面に在る
点が顕著に相違している。
相シフト光学マスクを表す要部切断側面図であり、図１
に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同
じ意味を持つものとする。図から明らかなように、本実
施例では、石英基板１１と遮光パターン膜１２との間に
エッチング停止層１３、透明膜１４、位相シフタ１５が
積層して介挿された構成になっていて、図１に見られる
実施例と比較すると、遮光パターン膜１２が表面に在る
点が顕著に相違している。
【００６５】このようにすると、透明膜１４の形成を遮
光膜１２の形成及びパターニングに先立って行うことが
できる為、透明膜１４の形成時に不良及び欠陥が生じた
ものは検査して排除することができる。即ち、マスク作
成工程に於いて、大変な手間を必要とするパターニング
工程に入る前に透明膜付きのマスク基板として常に完全
なものを用意することができる。
光膜１２の形成及びパターニングに先立って行うことが
できる為、透明膜１４の形成時に不良及び欠陥が生じた
ものは検査して排除することができる。即ち、マスク作
成工程に於いて、大変な手間を必要とするパターニング
工程に入る前に透明膜付きのマスク基板として常に完全
なものを用意することができる。
【００６６】図２７は本発明一実施例を解説する為の位
相シフト光学マスクを表す要部切断側面図であり、図１
に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同
じ意味を持つものとする。図から明らかなように、本実
施例では、石英基板１１と遮光パターン膜１２との間に
エッチング停止層１３、透明膜１４が積層して介挿さ
れ、位相シフタ１５は、図１に見られる実施例と同様、
表面に在る構成になっている。この場合もパターニング
工程に入る前にエッチング停止層１３と透明膜１４が形
成された良品のマスク基板のみを用いることができる。
相シフト光学マスクを表す要部切断側面図であり、図１
に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同
じ意味を持つものとする。図から明らかなように、本実
施例では、石英基板１１と遮光パターン膜１２との間に
エッチング停止層１３、透明膜１４が積層して介挿さ
れ、位相シフタ１５は、図１に見られる実施例と同様、
表面に在る構成になっている。この場合もパターニング
工程に入る前にエッチング停止層１３と透明膜１４が形
成された良品のマスク基板のみを用いることができる。
【００６７】本発明に於いては、前記図示説明した実施
例の他、多くの改変を実施することができ、例えば透明
膜１４と位相シフタ１５との間にエッチング停止層１３
を介在させたり、また、透明膜１４の膜厚は９０°＋１
８０°×ｎ（ｎ：整数）の位相差を与えるものであって
良く、更にまた、遮光パターン膜をもたない、所謂、ク
ロムレス位相シフト光学マスクにも適用することができ
る。
例の他、多くの改変を実施することができ、例えば透明
膜１４と位相シフタ１５との間にエッチング停止層１３
を介在させたり、また、透明膜１４の膜厚は９０°＋１
８０°×ｎ（ｎ：整数）の位相差を与えるものであって
良く、更にまた、遮光パターン膜をもたない、所謂、ク
ロムレス位相シフト光学マスクにも適用することができ
る。
【００６８】
【発明の効果】本発明に依る光学マスク及びその欠陥修
正方法に於いては、光学マスク基板と透過光に位相差を
与える為の位相シフタとの間に同じく透過光に所要の位
相差を与える為の透明膜を介在させてあり、欠陥が生じ
た場合には、欠陥部分及び下地の透明膜を共に除去し、
新たな位相シフタ或いは新たな透明膜を形成する。
正方法に於いては、光学マスク基板と透過光に位相差を
与える為の位相シフタとの間に同じく透過光に所要の位
相差を与える為の透明膜を介在させてあり、欠陥が生じ
た場合には、欠陥部分及び下地の透明膜を共に除去し、
新たな位相シフタ或いは新たな透明膜を形成する。
【００６９】前記構成を採ると、透過光に位相差を与え
ることが可能な透明膜を位相シフタとは別に形成する旨
の極めて僅かな手段を付加するのみで、位相シフタに生
じた欠陥部分を局部的に修正しても、位相シフタと位相
シフタ再生部分との接続部である位相欠陥部がウエハ上
に転写されるのを防止することができる。
ることが可能な透明膜を位相シフタとは別に形成する旨
の極めて僅かな手段を付加するのみで、位相シフタに生
じた欠陥部分を局部的に修正しても、位相シフタと位相
シフタ再生部分との接続部である位相欠陥部がウエハ上
に転写されるのを防止することができる。
【図１】本発明一実施例を解説する為の位相シフト光学
マスクを表す要部切断側面図である。
マスクを表す要部切断側面図である。
【図２】図１に見られる位相シフト光学マトリクスを作
成する際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部平面図である。
成する際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部平面図である。
【図３】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成す
る際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につい
て解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マスク
を表す要部切断側面図である。
る際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につい
て解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マスク
を表す要部切断側面図である。
【図４】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成す
る際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につい
て解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マスク
を表す要部切断側面図である。
る際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につい
て解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マスク
を表す要部切断側面図である。
【図５】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成す
る際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につい
て解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マスク
を表す要部切断側面図である。
る際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につい
て解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マスク
を表す要部切断側面図である。
【図６】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成す
る際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につい
て解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マスク
を表す要部切断側面図である。
る際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につい
て解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マスク
を表す要部切断側面図である。
【図７】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成す
る際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につい
て解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マスク
を表す要部切断側面図である。
る際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につい
て解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マスク
を表す要部切断側面図である。
【図８】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成す
る際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につい
て解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マスク
を表す要部切断側面図である。
る際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につい
て解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マスク
を表す要部切断側面図である。
【図９】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成す
る際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につい
て解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マスク
を表す要部切断側面図である。
る際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につい
て解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マスク
を表す要部切断側面図である。
【図１０】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成
する際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につ
いて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マス
クを表す要部切断側面図である。
する際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につ
いて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マス
クを表す要部切断側面図である。
【図１１】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成
する際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につ
いて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マス
クを表す要部切断側面図である。
する際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につ
いて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マス
クを表す要部切断側面図である。
【図１２】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成
する際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につ
いて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マス
クを表す要部切断側面図である。
する際に生成される欠陥を修正する方法の一実施例につ
いて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マス
クを表す要部切断側面図である。
【図１３】位相シフタ自体に発生した欠陥部分を本発明
に依って修正した場合の修正部分近傍に於ける光強度分
布を説明する為の光強度対位置の関係を表す線図であ
る。
に依って修正した場合の修正部分近傍に於ける光強度分
布を説明する為の光強度対位置の関係を表す線図であ
る。
【図１４】位相シフタ自体に発生した欠陥部分を本発明
に依ることなく修正した場合の修正部分近傍に於ける光
強度分布を説明する為の光強度対位置の関係を表す線図
である。
に依ることなく修正した場合の修正部分近傍に於ける光
強度分布を説明する為の光強度対位置の関係を表す線図
である。
【図１５】位相シフタ自体に発生した欠陥部分を本発明
に依って修正した場合の修正部分近傍に於ける光強度分
布を説明する為の光強度対位置の関係を表す線図であ
る。
に依って修正した場合の修正部分近傍に於ける光強度分
布を説明する為の光強度対位置の関係を表す線図であ
る。
【図１６】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
【図１７】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
【図１８】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
【図１９】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
【図２０】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
【図２１】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
【図２２】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
【図２３】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
【図２４】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
【図２５】図１に見られる位相シフト光学マスクを作成
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
する際に生成される欠陥を修正する方法の他の実施例に
ついて解説する為の工程要所に於ける位相シフト光学マ
スクを表す要部切断側面図である。
【図２６】本発明一実施例を解説する為の位相シフト光
学マスクを表す要部切断側面図である。
学マスクを表す要部切断側面図である。
【図２７】本発明一実施例を解説する為の位相シフト光
学マスクを表す要部切断側面図である。
学マスクを表す要部切断側面図である。
【図２８】位相シフト・リソグラフィ法を実施する際に
用いる光学マスクである位相シフト光学マスクに発生し
た欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於ける
位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
用いる光学マスクである位相シフト光学マスクに発生し
た欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於ける
位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
【図２９】位相シフト・リソグラフィ法を実施する際に
用いる光学マスクである位相シフト光学マスクに発生し
た欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於ける
位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
用いる光学マスクである位相シフト光学マスクに発生し
た欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於ける
位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
【図３０】位相シフト・リソグラフィ法を実施する際に
用いる光学マスクである位相シフト光学マスクに発生し
た欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於ける
位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
用いる光学マスクである位相シフト光学マスクに発生し
た欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於ける
位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
【図３１】位相シフト・リソグラフィ法を実施する際に
用いる光学マスクである位相シフト光学マスクに発生し
た欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於ける
位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
用いる光学マスクである位相シフト光学マスクに発生し
た欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於ける
位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
【図３２】位相シフト・リソグラフィ法を実施する際に
用いる光学マスクである位相シフト光学マスクに発生し
た欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於ける
位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
用いる光学マスクである位相シフト光学マスクに発生し
た欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於ける
位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
【図３３】図１４乃至図１８について説明した欠陥とは
異なる欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於
ける位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
異なる欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於
ける位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
【図３４】図２８乃至図３２について説明した欠陥とは
異なる欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於
ける位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
異なる欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於
ける位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
【図３５】図２８乃至図３２について説明した欠陥とは
異なる欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於
ける位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
異なる欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於
ける位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
【図３６】図２８乃至図３２について説明した欠陥とは
異なる欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於
ける位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
異なる欠陥を修正する方法を解説する為の工程要所に於
ける位相シフト光学マスクの要部切断側面図である。
【図３７】欠陥の修正について説明するための位相シフ
ト光学マスクを表す要部平面図である。
ト光学マスクを表す要部平面図である。
【図３８】欠陥の修正について説明するための位相シフ
ト光学マスクを表す要部平面図である。
ト光学マスクを表す要部平面図である。
【図３９】欠陥の修正について説明するための位相シフ
ト光学マスクを表す要部平面図である。
ト光学マスクを表す要部平面図である。
１１：光学マスク基板である石英基板 １２：Ｃｒからなる遮光パターン膜 １３：酸化アルミニウムからなるエッチング停止層 １４：ＳｉＯ2 からなる透明膜 １５：ＳｉＯ2 からなる位相シフタ １５Ａ：欠陥部分 １６：残留物 １７：新たな位相シフタ １８：接続部 １９：レジスト膜 １９Ａ：開口
Claims (5)
- 【請求項１】光学マスク基板と透過光に位相差を与える
為の位相シフタとの間に同じく透過光に所要の位相差を
与える為の透明膜を介在させてなることを特徴とする光
学マスク。 - 【請求項２】光学マスク基板と透過光に所要の位相差を
与える為の透明膜との間にエッチング停止層を介在させ
てなることを特徴とする請求項１記載の光学マスク。 - 【請求項３】透過光に所要の位相差を与える為の透明膜
と位相シフタとの間にエッチング停止層を介在させてな
ることを特徴とする請求項１記載の光学マスク。 - 【請求項４】透過光に所要の位相差を与える透明膜及び
同じく透過光に位相差を与える為の位相シフタが順に形
成された光学マスク基板の前記位相シフタに於ける欠陥
部分を下地の前記透明膜と共に除去する工程と、 次いで、前記除去が行なわれた跡に前記透明膜及び前記
位相シフタが与える位相差に実質的に等しい位相差を与
える新たな位相シフタを形成する工程とが含まれてなる
ことを特徴とする光学マスクの欠陥修正方法。 - 【請求項５】透過光に所要の位相差を与える透明膜及び
同じく透過光に位相差を与える為の位相シフタが順に形
成された光学マスク基板の前記位相シフタが存在しては
ならない部分に生成された前記位相シフタ材からなる残
留物を下地の前記透明膜と共に除去する工程と、 次いで、前記除去が行なわれた跡に前記透明膜が与える
位相差に実質的に等しい位相差を与える新たな透明膜を
形成する工程とが含まれてなることを特徴とする光学マ
スクの欠陥修正方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4282693A JPH06130647A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 光学マスク及びその欠陥修正方法 |
| US08/409,942 US5561010A (en) | 1992-10-21 | 1995-03-23 | Phase shift optical mask and method of correcting defects in optical mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4282693A JPH06130647A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 光学マスク及びその欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06130647A true JPH06130647A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17655831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4282693A Withdrawn JPH06130647A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 光学マスク及びその欠陥修正方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5561010A (ja) |
| JP (1) | JPH06130647A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7607147B1 (en) | 1996-12-11 | 2009-10-20 | The Nielsen Company (Us), Llc | Interactive service device metering systems |
| US6074571A (en) * | 1997-09-30 | 2000-06-13 | International Business Machines Corporation | Cut and blast defect to avoid chrome roll over annealing |
| TW352421B (en) * | 1998-04-27 | 1999-02-11 | United Microelectronics Corp | Method and process of phase shifting mask |
| US7239981B2 (en) | 2002-07-26 | 2007-07-03 | Arbitron Inc. | Systems and methods for gathering audience measurement data |
| US7150946B2 (en) * | 2004-01-08 | 2006-12-19 | Infineon Technologies Ag | Method for the repair of defects in photolithographic masks for patterning semiconductor wafers |
| KR100674991B1 (ko) * | 2005-09-02 | 2007-01-29 | 삼성전자주식회사 | 토폴로지를 갖는 보상층을 구비한 바이너리 포토 마스크 및그 제조방법 |
| EP1922654B1 (en) * | 2005-09-26 | 2020-05-13 | Nielsen Media Research, Inc. | Methods and apparatus for metering computer-based media presentation |
| US7512926B2 (en) * | 2005-09-30 | 2009-03-31 | Intel Corporation | Phase-shifting masks with sub-wavelength diffractive optical elements |
| KR100734318B1 (ko) * | 2006-06-12 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | 포토 마스크의 ｃｄ 보정 방법 및 ｃｄ가 보정된 포토마스크 |
| US9124769B2 (en) | 2008-10-31 | 2015-09-01 | The Nielsen Company (Us), Llc | Methods and apparatus to verify presentation of media content |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2862924B2 (ja) * | 1989-12-26 | 1999-03-03 | 株式会社日立製作所 | パターン形成方法及びマスク修正方法 |
| US5246801A (en) * | 1991-09-20 | 1993-09-21 | At&T Bell Laboratories | Method of repairing indentations in phase-shifting lithographic masks |
| US5272024A (en) * | 1992-04-08 | 1993-12-21 | International Business Machines Corporation | Mask-structure and process to repair missing or unwanted phase-shifting elements |
-
1992
- 1992-10-21 JP JP4282693A patent/JPH06130647A/ja not_active Withdrawn
-
1995
- 1995-03-23 US US08/409,942 patent/US5561010A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5561010A (en) | 1996-10-01 |
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|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |