KR100674991B1 - 토폴로지를 갖는 보상층을 구비한 바이너리 포토 마스크 및그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
해상도를 개선할 수 있는 바이너리 타입의 포토 마스크 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 포토 마스크는, 기판과, 상기 기판상에 회로 패턴을 한정하는 투광 방지 패턴, 및 상기 투광 방지 패턴을 포함하는 반도체 기판상에 형성되는 3차원 토폴로지를 갖는 보상층을 포함한다. 상기 보상층은 입사광의 위상을 변경시켜, 1차광의 세기를 개선하여, 패턴 해상도를 개선한다. 이러한 보상층은 투명한 물질로 형성함이 바람직하다.
3차원 토폴로지, 보상층, 바이너리 마스크, 보상 패턴
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 3차원 토폴로지를 갖는 보상층을 구비한 포토 마스크의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크의 광 전달 경로를 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 포토 마스크의 이미지 콘트라스트를 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 포토 마스크의 0차광 및 1차광의 세기를 보여주는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 포토 마스크의 보상층의 흡수율에 따른 이미지 콘트라스트를 보여주는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 보상 패턴을 구비한 포토 마스크를 나타낸 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 보상 패턴을 구비한 포토 마스크의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토 마스크의 광 전달 경로를 보여주 는 도면이다.
도 9 내지 도 11은 본 발명에 따른 보상 패턴을 구비한 포토 마스크의 다양한 형태를 보여주는 단면도이다.
도 12a 및 도 12b는 바이너리 포토 마스크의 인텐서티 분포를 시뮬레이션한 그래프이다.
도 13은 본 발명의 포토 마스크의 라인 앤 스페이스(line and space)의 비에 따른 NILS 분포를 보여주는 그래프이다.
도 14는 보상층의 표면 형태에 따른 NILS 분포를 보여주는 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100, 200 : 포토 마스크 110, 210 : 석영 기판
120, 220 : 투광 방지 패턴 130 : 보상층 230,231,232,233 : 보상패턴
본 발명은 포토 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 크롬과 같은 투광 방지 패턴에 의해 포토레지스트 패턴을 한정하는 바이너리(binary) 타입의 포토 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 기판상에 회로 패턴을 형성하기 위하여 제공되는 마스크(즉, 레티클)는 광에 대해 투명한 석영 기판과, 그 일 표면에 형성되는 투광 방지 패턴 예컨대, 크롬 패턴으로 구성된다. 그러나, 반도체 기판의 회로 패턴의 선폭이 노광원의 파장(λ)보다 작아지는 경우, 상기 마스크를 통과한 회절각이 너무 커져서 1차광이 퓨필 렌즈(pupil lens)에 상이 맺어지기 힘들뿐만 아니라, 상이 맺어지더라도 콘트라스트가 크지 않게 된다. 그러므로, 투광 방지 패턴에 의해 회로 패턴을 한정하는 바이너리(binary) 마스크로는 노광원 이하의 파장 정도의 선폭을 갖는 미세 패턴을 제작하는데 어려움이 있다.
이러한 바이너리 마스크의 해상도를 개선하기 위하여 0°및 180°의 상쇄 간섭(destructive interference)을 이용하는 위상 반전 마스크(phase shift mask)가 제안되었다. 상기 위상 반전 마스크는 위상 반전 물질, 예컨대 MoSiON을 이용하여 180°위상 영역을 형성하는 어테뉴에이트(attenuated) 위상 반전 마스크 및 석영 기판의 트렌치(trench)에 의하여 180°위상 영역과 크롬층을 형성하는 얼터네이팅(alternating) 위상 반전 마스크로 크게 나눌 수 있다. 현재는 위상 반전 마스크의 발전된 형태로서, 0°위상 영역(석영 기판 표면 영역) 및 180°위상 영역(트렌치 영역)의 계면에서 상쇄 간섭이 일어나도록 하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 크롬리스(Cr-less) 위상 반전 마스크 및 크롬리스 위상 반전 마스크의 0°위상 영역에 크롬 패턴을 형성하여 반도체 기판상에 형성될 포토레지스트 패턴을 충실하게 하는 림 타입 포토 마스크(이하, 림 마스크)가 있다. 이러한 위상 반전 마스크는 미합중국 공개 특허 제 20040091792 호 등 다수의 특허에 개시되어 있다.
그러나, 이와같은 위상 반전 마스크는 석영 기판내에 트렌치를 형성하기 위한 다수번의 식각 공정이 요구되고, 트렌치의 상면 또는 측벽에 크롬 패턴을 형성하여야 하는 공정이 요구되므로, 제조 공정면에서 상기 바이너리 마스크에 비해 매 우 복잡한 단점을 갖는다.
그러므로, 단순한 공정에 의해 해상도를 개선할 수 있는 포토 마스크에 대한 요구가 점점 높아지고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 해상도를 개선할 수 있는 바이너리 타입의 포토 마스크를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 제조 공정을 단순화할 수 있는 해상도가 개선된 바이너리 타입의 포토 마스크를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 포토 마스크는, 기판과, 상기 기판상에 회로 패턴을 한정하는 투광 방지 패턴, 및 상기 투광 방지 패턴을 포함하는 반도체 기판상에 형성되는 3차원 토폴로지를 갖는 보상층을 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토 마스크는, 기판과, 상기 기판상에 회로 패턴을 한정하는 투광 방지 패턴, 및 상기 투광 방지 패턴 상에 형성되는 투명한 보상 패턴을 포함한다.
상기 투광 방지 패턴과 상기 보상 패턴은 동일 선폭을 갖으며 상기 보상 패턴의 측벽과 상기 투광 방지 패턴의 측벽이 일치하도록 형성되거나, 상기 보상 패턴의 선폭은 상기 투광 방지 패턴의 선폭보다 작게 형성될 수 있다.
또한, 상기 보상 패턴의 적어도 하나의 측벽은 상기 투광 방지 패턴의 측벽을 포함하도록 형성될 수도 있고, 상기 보상 패턴의 어느 하나의 측벽은 상기 투광 방지 패턴의 측벽을 포함하고 다른 하나의 측벽은 상기 투광 방지 패턴 상부에 위치할 수도 있다.
상기 보상 패턴은 두껍게 형성되는 것이 좋으나, 약 100 내지 5000Å 두께, 바람직하게는 2000 내지 3000Å 정도의 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 이러한 보상 패턴(보상층)은 물질의 종류에 구애받지는 않으나, 실리콘 산화막과 같은 투명한 물질이 해상도 향상에 보다 효과적이다.
본 발명의 다른 견지에 따른 포토 마스크의 제조방법은, 투명한 기판상에 투광 방지 패턴을 형성한다음, 상기 투광 방지 패턴이 형성된 투명한 기판상에 상기 기판의 표면을 따라 고른 두께로 보상층을 형성한다. 이때, 상기 보상층은 스퍼터링 방식 및 CVD 방식 중 선택되는 하나로 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시?? 따른 포토 마스크의 제조방법은, 투명한 기판상에 투광 방지층을 형성한다음, 상기 투광 방지층 상부에 보상층을 형성하고, 상기 보상층 및 투광 방지층을 패터닝하는 단계로 구성될 수도 있다.
이와 같은 본 발명 포토 마스크는 3차원 토폴로지를 갖는 보상층에 의해 패턴 해상도를 크게 개선할 수 있다.
(실시예)
이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하도록 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭한다.
본 발명은 바이너리 포토 마스크 상부에 3차원 토폴로지(topology)를 갖는 막을 형성하므로써 바이너리 포토 마스크의 해상도를 개선할 수 있을 것이다. 상기 3차원 토폴로지를 갖는막은 입사광의 위상을 변경시켜 1차광의 세기를 증대시키는 역할을 할 것이다. 이에 의해 미세 패턴을 형성할 수 있을 것이다.
이하의 실시예에서는 3차원 토폴로지를 갖는 막을 포함하는 포토 마스크 및 그 제조방법에 대해 도면을 통하여 보다 구체적으로 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크의 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크에 의한 광 전달 경로를 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 포토 마스크(100)는 광에 대해 투명한 마스크 기판(110), 예컨대 석영 기판을 포함한다. 마스크 기판(110) 상에 회로 패턴을 한정하기 위한 투광 방지 패턴(120)이 형성된다. 투광 방지 패턴(120)은 예컨대 크롬(Cr) 패턴이 이용될 수 있다. 투광 방지 패턴(120)이 형성된 마스크 기판(110) 상에 바이너리 마스크의 해상도를 보상하기 위한 보상층(130)이 형성된다. 본 실시예에서의 보상층(130)은 그 표면이 3차원 토폴로지를 가져야 한다. 본 실시예에서의 보상층(130)의 3차원 토폴로지는 상기 투광 방지 패턴(120)의 높이에 의해 부여될 수 있다. 즉, 보상층(130)은 투광 방지 패턴(120)이 형성된 마스크 기판(110) 상부에 컨퍼멀(conformal)하게 증착되어, 그 표면에 3차원적인 토폴로지가 형성될 수 있다. 상기 마스크 기판(110) 상에 보상층(130)을 콘퍼멀하게 형성할 수 있는 방식으로는 스퍼터링(sputtering) 또는 CVD(chemical vapor deposition) 방식으로 형성될 수 있다.
이와 같은 본 발명의 포토 마스크(100)는 도 2에 도시된 바와 같이 광원(150)으로부터 광 조사시, 포토 마스크(100)의 토폴로지(T)에 의해 입사광의 위상(phase)이 변형된다. 여기서, 포토 마스크(100)의 투광부를 투과한 광은 도면 부호 150a로 표시되었고, 포토 마스크(100)의 토폴로지(T)에 의해 변형된 투과광은 도면 부호 150b로 표시되었다. 아울러, 상기 투과광(150a,150b)에 의해 노광되는 포토레지스트막을 도면 부호 170으로 표시하였고, 이러한 포토 레지스트막을 포함하는 반도체 기판을 도면 160으로 표시하였다.
도 3은 본 실시예의 바이너리 포토 마스크의 이미지 콘트라스트를 나타낸 그래프이다. 도 3에 의하면, 토폴로지(T)를 갖는 보상층(130)이 형성된 바이너리 마스크들이 보상층이 없는 포토 마스크에 비해 이미지 콘트라스트가 보다 샤프함을 알 수 있다.
이때, 토폴로지(T)를 갖는 보상층(130)에 의해, 패턴의 해상도를 증대시킬 수 있는 이유는 여러 가지를 들 수 있으며, 가장 지배적인 이유는 상기 보상층(130)의 토폴로지에 의해 입사광의 위상이 변형되어, 1차광의 인텐서티를 증대시킨다는 것이다.
이에 대해 실험 그래프를 통해 설명하면, 도 4는 본 실시예에 따른 바이너리 포토 마스크의 0차광 및 1차광의 세기(진폭)를 나타낸 그래프이다. 도 4를 참조하여 보상층(130)을 증착하지 않는 경우(0Å)와, 그렇지 않은 경우(1000Å,2000Å,3000Å,4000Å)를 비교하여 보면, 보상층(130)을 증착한 경우는 그렇지 않은 경우에 비해 1차광의 세기는 증가되고, 0차광의 세기는 감소되는 것을 확인 할 수 있다. 또한, 보상층(130)의 두께에 비례하여 1차광의 세기가 점차 증대되는 것을 알 수 있다. 0차광의 세기가 줄고, 1차광의 세기가 증대된다면, 패턴의 이미지 콘트라스트를 개선할 수 있고 나아가 패턴의 해상도를 개선할 수 있다. 따라서, 본 발명과 같이 바이너리 포토 마스크 상에 토폴로지를 갖는 보상층(130)을 형성하므로써 1차광의 세기를 증대시켜 이미지 콘트라스트 및 패턴 해상도를 개선할 수 있다.
도 5는 보상층의 광흡수율에 따른 이미지 콘트라스트를 나타낸 그래프로서, 굴절율(n)이 1.56인 실리콘 산화막의 광흡수율(k)을 조절하였을 때 두께에 따른 이미지 콘트라스트를 나타낸 그래프이다. 도 5에 의하면, 이미지 콘트라스트는 보상층의 두께가 증대될수록 증대되는 것을 확인할 수 있으며, 보상층의 두께로 채택되는 0.1 내지 0.3㎛ 대역에서 광흡수율이 낮을수록(즉, 투명할수록) 이미지 콘트라스트가 증대되는 것을 확인할 수 있다.
상기의 실험을 통하여, 투광 방지층(120)의 상부에 3차원적인 토폴로지를 갖는 보상층(130)을 형성하게 되면, 1차광의 세기가 증대되어 해상도가 증대되는 것을 확인할 수 있었다. 나아가, 보상층(130)의 두께를 증대시키고, 보상층(130)의 물질을 광을 흡수하지 않는 투명 물질로 형성시키게 되면 해상도를 보다 개선시킬 수 있음을 알 수 있다. 또한, 보상층(130)은 그것의 굴절율(n)이 클수록 해상도 향상에 더욱 효과적이다.
즉, 본 실시예에서는 포토 마스크(100)상에 3차원 토폴로지를 갖는 보상층(130)을 형성하는 것만으로 해상도(패턴의 이미지 콘트라스트)를 개선할 수 있으며, 보상층(130)의 굴절율(n)이 높고 흡수율(k)이 낮다면 해상도가 보다 개선될 수 있다. 그러므로, 보상층(130)은 특정 물질에 구애받음이 없어 어떠한 물질로도 형성가능하며, 바람직하게는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 하프늄 산화막과 같은 투명한 절연막 중 선택되는 하나, 혹은 이들의 적층막이 이용될 수 있다.
한편, 토폴로지를 갖는 보상층은 패턴 형태로 구현하여도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
즉, 도 6에 도시된 바와 같이, 포토 마스크(200)는 광에 대해 투명한 마스크 기판(210) 및 마스크 기판(210) 상에 형성된 투광 방지 패턴(220)을 포함한다. 투광 방지 패턴(220) 상부에 보상 패턴(230)이 형성된다. 보상 패턴(230)은 상기 투광 방지 패턴(220)과 동일한 크기를 가질 수 있다.
이와 같은 포토 마스크(200)는 도 7a에 도시된 바와 같이, 투광 방지층(220a)이 형성된 마스크 기판(210) 상부에 보상층(230a)을 형성한다. 보상층(230a)은 100 내지 5000Å 두께로 형성될 수 있다. 보상층(230a) 상부에 회로 패턴의 형태로 레지스트 패턴(235)을 형성한다.
다음 도 7b에 도시된 바와 같이 레지스트 패턴(235)의 형태로 상기 보상층(230a) 및 투광 방지층(220a)을 식각하여, 보상 패턴(230) 및 투광 방지 패턴(220) 을 형성한다. 그후, 상기 도 6에서와 같이 레지스트 패턴(230)을 제거한다.
이와 같은 패턴 형태의 보상층(230, 즉, 보상 패턴) 역시 패턴 측벽에 의해 3차원 토폴로지가 마련되므로써, 도 8에 도시된 바와 같이, 보상 패턴(220)의 측벽면(T)에서 위상 변형이 발생되어, 1차광의 세기를 증대시킬 수 있다.
이때, 보상 패턴(231)은 도 9에 도시된 바와 같이, 보상 패턴(231)은 상기 투광 방지 패턴(220)의 선폭보다 좁게 형성할 수도 있고, 도 10에 도시된 바와 같이 보상 패턴(232)은 투광 방지 패턴(220)을 포함하도록 형성할 수도 있으며, 도 11에 도시된 바와 같이 어느 하나의 측벽은 투광 방지 패턴(220)상에 형성하고, 다른 하나의 측벽은 투광 방지 패턴(220) 외측에 형성할 수도 있다.
도 12a 및 도 12b는 바이너리 포토 마스크의 인텐서티 분포를 시뮬레이션한 그래프로서, 도 12a는 보상 패턴이 없는 바이너리 포토 마스크의 인텐서티 분포를 나타낸 시뮬레이션 그래프이고, 도 12b는 보상 패턴이 형성된 바이너리 포토 마스크의 인텐서티 분포를 나타낸 시뮬레이션 그래프이다. 여기서, 투광 방지 패턴(220) 및 보상 패턴(230)은 약 65nm의 선폭을 가지며, 상기 보상 패턴(230)은 2400Å 두께의 실리콘 산화막으로 형성하였다.
우선, 보상 패턴이 없는 종래의 포토 마스크는 도 12a에 도시된 바와 같이, 투광 방지 패턴(220)의 상면의 약 0.6㎛ 대역까지만 인텐서티가 제로(0)에 가깝고 그 외의 영역은 약 0.6 이상의 인텐서티를 보이고 있었다. 한편, 보상 패턴(230)이 형성된 본 실시예의 포토 마스크의 경우, 도 12b에 도시된 바와 같이, 투광 방지 패턴(220)의 상면으로부터 1.2㎛에 이르기까지에도 인텐서티가 0을 보이고 있으며 인텐서티가 0인 분포 역시 도 23a에 비해 샤프함을 확인할 수 있다.
도 13는 본 발명의 포토 마스크의 라인 앤 스페이스(line and space)의 비에 따른 NILS(normalized image log slope) 분포를 보여주는 그래프이다. 여기서, NILS는 패턴의 이미지 콘트라스트를 대변하는 변수로서, 상기 NILS는 이미지 콘트라스트 곡선의 기울기를 나타내며, NILS값이 클수록 이미지 콘트라스트가 우수하다. 상기 도 13은 보상층(보상 패턴)을 형성한 상태에서 투광 방지 패턴(220)의 선폭과 투광 방지 패턴(220) 사이의 간격을 조절하였을때의 NILS 분포를 보여준다. 그 결과 라인 앤 스페이스의 비가 클수록 NILS가 우수해지는 것을 알 수 있다. 그러므로 본 발명의 포토 마스크는 라인 앤 스페이스가 1:2 이상(1:1000 이하)인 패턴을 형성하는데 제공됨이 바람직하며, 라인 앤 스페이스가 1:3 이상(1:1000 이하)인 패턴에 적용하면 보다 효과가 있다.
도 14는 보상층의 표면 형태에 따른 NILS 분포를 보여주는 그래프이다. 도 14에서 type A는 토폴로지가 없는 보상층을 적용한 예이고, type B는 토폴로지를 가지며 투광부에도 보상층이 형성된 예이며, type C는 투광 방지층 상부에만 토폴로지를 갖는 보상 패턴이 형성된 예이다. 도 14에 의하면, type B 및 C와 같이 보상층의 토폴로지가 있는 경우 NILS값이 증대되었지만, type A와 같이 토폴로지가 없는 경우 보상층이 형성되었다 하더라도 NILS 변화가 없음을 확인할 수 있다.
이상에서 자세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 투광 방지 패턴으로 구성된 바이너리 포토 마스크 상부에 3차원 토폴로지를 갖는 보상층을 형성한다. 그러면 3차원 토폴로지(보상 패턴의 경우 보상 패턴의 측벽)에 의해 입사광의 위상이 변조되어, 입사광의 0차광의 세기를 감소시키면서 1차광의 세기를 증대시킨다. 이에 의해 이미지 콘트라스트를 개선시킬 수 있어, 패턴 해상도가 증대된다.
또한, 보상층을 갖는 바이너리 마스크는 다수의 트렌치 공정과 같은 복잡한 공정의 요구없이 보상층의 증착 및/또는 보상층의 식각만으로 달성될 수 있으므로, 제조 공정을 단순화할 수 있다는 잇점이 있다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.
Claims (27)
- 기판;상기 기판상에 회로 패턴을 한정하는 투광 방지 패턴; 및상기 투광 방지 패턴을 포함하는 기판상에 형성되는 3차원 토폴로지를 갖는 보상층을 포함하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 1 항에 있어서, 상기 보상층은 상기 투광 방지 패턴을 갖는 기판 표면에 컨퍼멀한 두께로 형성된 막인 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 1 항에 있어서, 상기 투광 방지 패턴의 폭(라인) 대 투광 방지 패턴사이의 간격(스페이스)이 1 대 2 이상인 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 1 항에 있어서, 상기 투광 방지 패턴의 폭(라인) 대 투광 방지 패턴사이의 간격(스페이스)이 1 대 3 이상인 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 1 항에 있어서, 상기 보상층은 상기 투광 방지 패턴 상에 형성되는 보상 패턴인 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 5 항에 있어서, 상기 투광 방지 패턴과 상기 보상 패턴은 동일 선폭을 갖 는 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 6 항에 있어서, 상기 보상 패턴의 측벽과 상기 투광 방지 패턴의 측벽이 일치하는 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 5 항에 있어서, 상기 보상 패턴의 선폭은 상기 투광 방지 패턴의 선폭보다 작은 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 5 항에 있어서, 상기 보상 패턴의 적어도 하나의 측벽은 상기 투광 방지 패턴의 측벽을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 9 항에 있어서, 상기 보상 패턴의 어느 하나의 측벽은 상기 투광 방지 패턴의 측벽을 포함하고, 다른 하나의 측벽은 상기 투광 방지 패턴 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 1 항에 있어서, 상기 보상층은 100 내지 5000Å 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 11 항에 있어서, 상기 보상층은 2000 내지 3000Å 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 1 항에 있어서, 상기 보상층은 투명한 물질인 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 13 항에 있어서, 상기 보상층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 하프늄 산화막과 같은 투명한 절연막 중 선택되는 하나, 혹은 이들의 적층막인 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 기판;상기 기판상에 회로 패턴을 한정하는 투광 방지 패턴; 및상기 투광 방지 패턴 상에 형성되는 투명한 보상 패턴을 포함하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 15 항에 있어서, 상기 투광 방지 패턴과 상기 보상 패턴은 동일 선폭을 갖으며, 상기 보상 패턴의 측벽과 상기 투광 방지 패턴의 측벽이 일치하는 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 15 항에 있어서, 상기 보상 패턴의 선폭은 상기 투광 방지 패턴의 선폭보다 작은 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 15 항에 있어서, 상기 보상 패턴의 적어도 하나의 측벽은 상기 투광 방지 패턴의 측벽을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 18 항에 있어서, 상기 보상 패턴의 어느 하나의 측벽은 상기 투광 방지 패턴의 측벽을 포함하고, 다른 하나의 측벽은 상기 투광 방지 패턴 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 15 항에 있어서, 상기 투광 방지 패턴의 폭(라인) 대 투광 방지 패턴사이의 간격(스페이스)이 1 대 2 이상인 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 15 항에 있어서, 상기 보상 패턴은 10 내지 5000Å 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 21 항에 있어서, 상기 보상 패턴은 2000 내지 3000Å 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 제 15 항에 있어서, 상기 보상 패턴은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 하프늄 산화막과 같은 투명한 절연막 중 선택되는 하나, 혹은 이들의 적층막인 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크.
- 투명한 기판상에 투광 방지 패턴을 형성하는 단계; 및상기 투광 방지 패턴이 형성된 투명한 기판상에 상기 기판의 표면을 따라 고른 두께로 보상층을 형성하는 단계를 포함하는 바이너리 포토 마스크의 제조방법.
- 제 24 항에 있어서, 상기 보상층은 스퍼터링 방식 및 CVD 방식 중 선택되는 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 바이너리 포토 마스크의 제조방법.
- 제 24 항에 있어서, 상기 보상층을 형성하는 단계 이후에, 상기 투광 방지 패턴 상부에 상기 보상층이 잔류하도록 패터닝하는 단계를 더 포함하는 바이너리 포토 마스크의 제조방법.
- 투명한 기판상에 투광 방지층을 형성하는 단계;상기 투광 방지층 상부에 보상층을 형성하는 단계; 및상기 보상층 및 투광 방지층을 패터닝하는 단계를 포함하는 바이너리 포토 마스크의 제조방법.
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