JPH0684879A - 位相シフト・マスク材料および位相シフト・マスク - Google Patents
位相シフト・マスク材料および位相シフト・マスクInfo
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- JPH0684879A JPH0684879A JP2095993A JP2095993A JPH0684879A JP H0684879 A JPH0684879 A JP H0684879A JP 2095993 A JP2095993 A JP 2095993A JP 2095993 A JP2095993 A JP 2095993A JP H0684879 A JPH0684879 A JP H0684879A
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフト要素の欠落あるいは過剰を修理す
るためのマスク構造を提供する。 【構成】 位相シフト量θの第１の位相シフト層２２
と、第１の層に重なり、位相シフト量が（２π−θ）の
第２の位相シフト層２４と、第２の層に重なり、位相シ
フト量がθの第３の位相シフト層２６を有する基板２０
を含む材料により位相シフト・マスク２１を構成する。
位相シフタの欠落，不要位相シフタ，あるいは透明フィ
ルム内の欠陥に対する修理を、位相シフトの状態を変更
するか維持するかに応じて、１つまたは２つの層を除去
することによって行う。
るためのマスク構造を提供する。 【構成】 位相シフト量θの第１の位相シフト層２２
と、第１の層に重なり、位相シフト量が（２π−θ）の
第２の位相シフト層２４と、第２の層に重なり、位相シ
フト量がθの第３の位相シフト層２６を有する基板２０
を含む材料により位相シフト・マスク２１を構成する。
位相シフタの欠落，不要位相シフタ，あるいは透明フィ
ルム内の欠陥に対する修理を、位相シフトの状態を変更
するか維持するかに応じて、１つまたは２つの層を除去
することによって行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリソグラフィのためのマ
スクに関し、特にフォトリソグラフィに使用する位相シ
フト・マスクに関するものである。
スクに関し、特にフォトリソグラフィに使用する位相シ
フト・マスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィを行う場合、加工物
上にパターンを露光するためにマスクを用いる。製造上
の要求によって露光パターンが小さくなるにつれ、フォ
トリソグラフィ・プロセスの性能を高めることが必要と
なってきている。そのため、１つの方法としてＸ線な
ど、短波長のＵＶ波が用いられ、また別の方法として、
波長は従来どうりとする位相シフト法が用いられてい
る。
上にパターンを露光するためにマスクを用いる。製造上
の要求によって露光パターンが小さくなるにつれ、フォ
トリソグラフィ・プロセスの性能を高めることが必要と
なってきている。そのため、１つの方法としてＸ線な
ど、短波長のＵＶ波が用いられ、また別の方法として、
波長は従来どうりとする位相シフト法が用いられてい
る。
【０００３】位相シフト技術によって、コヒーレントあ
るいは部分コヒーレント光学画像システムの分解能を向
上させることができ、例えば正規化分解能ｋ1 を０．７
から０．３５に減少させ得ることが示されている。これ
はリソグラフィの２世代分の改善に相当する。
るいは部分コヒーレント光学画像システムの分解能を向
上させることができ、例えば正規化分解能ｋ1 を０．７
から０．３５に減少させ得ることが示されている。これ
はリソグラフィの２世代分の改善に相当する。
【０００４】位相シフト・システムはマスクの分解能を
向上させる手段としてよく知られている。図１〜図６に
マスク構造体のための従来の位相シフト・システムを示
す。各図は典型的な位相シフト・システムの構成を示し
ており、図１はその一例、図２は他の位相シフト・シス
テム、図３はサブ分解能補助位相シフト・システム、図
４はエッジ位相シフト・システム、図５はサブ分解能・
非減衰位相シフト・システム、図６は非減衰位相シフト
・システムをそれぞれ示している。
向上させる手段としてよく知られている。図１〜図６に
マスク構造体のための従来の位相シフト・システムを示
す。各図は典型的な位相シフト・システムの構成を示し
ており、図１はその一例、図２は他の位相シフト・シス
テム、図３はサブ分解能補助位相シフト・システム、図
４はエッジ位相シフト・システム、図５はサブ分解能・
非減衰位相シフト・システム、図６は非減衰位相シフト
・システムをそれぞれ示している。
【０００５】これらの従来の位相シフト・システムで
は、次式で表される厚み（ｔ）の位相シフト層１４が必
要である。
は、次式で表される厚み（ｔ）の位相シフト層１４が必
要である。
【０００６】
【数１】
【０００７】図１の従来のマスク４は、例えば水晶の基
板１０から成り、基板には従来のマスク・パターンとし
て構成されたクローム要素１２のアレーがコーティング
されている。
板１０から成り、基板には従来のマスク・パターンとし
て構成されたクローム要素１２のアレーがコーティング
されている。
【０００８】図２の位相シフト・マスク５はこれとは異
なり、図１のものと同種の、間隔をおいて配置したクロ
ーム・マーキング１２の下層に加えて、例えばＳｉＯ2
から成る位相シフタ１４の上層を有している。
なり、図１のものと同種の、間隔をおいて配置したクロ
ーム・マーキング１２の下層に加えて、例えばＳｉＯ2
から成る位相シフタ１４の上層を有している。
【０００９】図３のサブ分解能マスク８は、クローム要
素１２のエッジ付近に小開口を有する一組のクローム・
パターンを備えている。そして、位相シフタ１４が、マ
スク１２の表面に重ねて、上記小開口に堆積されてい
る。
素１２のエッジ付近に小開口を有する一組のクローム・
パターンを備えている。そして、位相シフタ１４が、マ
スク１２の表面に重ねて、上記小開口に堆積されてい
る。
【００１０】図４のエッジ位相シフト・マスク６は、エ
ッジ部を暗い画像とする位相シフタ１４を有している。
ッジ部を暗い画像とする位相シフタ１４を有している。
【００１１】図５のサブ分解能・非減衰位相シフタ・マ
スク７では、従来のマスク要素（クローム）を用いず、
位相シフト要素１４が基板１０に直接配設されている。
スク７では、従来のマスク要素（クローム）を用いず、
位相シフト要素１４が基板１０に直接配設されている。
【００１２】図６の非減衰マスク９では、基板１０は、
間隔をおいて配置した、かなりの面積の複数の位相シフ
タ１４を有している。位相シフタ１４は非減衰である。
間隔をおいて配置した、かなりの面積の複数の位相シフ
タ１４を有している。位相シフタ１４は非減衰である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらのマス
クでは分解能を高めることは可能ではあるが、位相シフ
ト・パターンが誤配置されていたり、欠落していたり、
誤って設けられていた場合、マスクを修理することは困
難である。位相シフタの追加や削除を行うことは可能で
あるが、しかしその厚み，屈折率，吸収率，マスク材料
のスムーズさを制御することは極めて困難である。
クでは分解能を高めることは可能ではあるが、位相シフ
ト・パターンが誤配置されていたり、欠落していたり、
誤って設けられていた場合、マスクを修理することは困
難である。位相シフタの追加や削除を行うことは可能で
あるが、しかしその厚み，屈折率，吸収率，マスク材料
のスムーズさを制御することは極めて困難である。
【００１４】位相シフト・マスクの修理は以下の点で困
難である。 （１）修理の際に正確な厚みで除去したり追加したりす
ること。 （２）仕上がりをスムーズにすること。 （３）修理部分の材料の吸収率および屈折率を制御する
こと。
難である。 （１）修理の際に正確な厚みで除去したり追加したりす
ること。 （２）仕上がりをスムーズにすること。 （３）修理部分の材料の吸収率および屈折率を制御する
こと。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の位相シフト・マ
スク材料は、（ａ）位相シフト・マスク基板材料と、
（ｂ）位相シフト量がθである第１の位相シフト層と、
（ｃ）前記第１の層に重なり、位相シフト量が（２π−
θ）である第２の位相シフト層と、（ｄ）前記第２の層
に重なり、位相シフト量がθである第３の位相シフト層
とを備え、位相シフト状態を維持するか変更するかに応
じて、１つまたは２つの層を除去することによって、位
相シフタの欠落，不要位相シフタ，あるいは透明フィル
ム内欠陥に対する修理が行われることを特徴とする。
スク材料は、（ａ）位相シフト・マスク基板材料と、
（ｂ）位相シフト量がθである第１の位相シフト層と、
（ｃ）前記第１の層に重なり、位相シフト量が（２π−
θ）である第２の位相シフト層と、（ｄ）前記第２の層
に重なり、位相シフト量がθである第３の位相シフト層
とを備え、位相シフト状態を維持するか変更するかに応
じて、１つまたは２つの層を除去することによって、位
相シフタの欠落，不要位相シフタ，あるいは透明フィル
ム内欠陥に対する修理が行われることを特徴とする。
【００１６】また、本発明の位相シフト・マスクは、
（ａ）位相シフト量がそれぞれθ，（２π−θ），θで
ある、第１，第２，第３の位相シフト層を順次重ねて設
け、（ｂ）前記最上部の層は、位相シフトを必要としな
い領域では、エッチングによって除去され、（ｃ）前記
最上部の層は、位相シフト量θを必要とする領域では、
維持され、位相シフト領域に欠陥があった場合、最上部
の層を除去することによって前記位相シフト領域をゼロ
位相シフト領域にしてマスクを修理でき、その修理にお
いて誤りが生じた場合には、それを訂正するために次の
層をエッチングにより除去できることを特徴とする。
（ａ）位相シフト量がそれぞれθ，（２π−θ），θで
ある、第１，第２，第３の位相シフト層を順次重ねて設
け、（ｂ）前記最上部の層は、位相シフトを必要としな
い領域では、エッチングによって除去され、（ｃ）前記
最上部の層は、位相シフト量θを必要とする領域では、
維持され、位相シフト領域に欠陥があった場合、最上部
の層を除去することによって前記位相シフト領域をゼロ
位相シフト領域にしてマスクを修理でき、その修理にお
いて誤りが生じた場合には、それを訂正するために次の
層をエッチングにより除去できることを特徴とする。
【００１７】
【実施例】本発明により、修理に適したマスク構造体２
１が得られる。図７に、本発明にもとづく、パターン化
前の、作製に適した位相シフト・マスク２１の材料を示
す。図８に、図７のマスク材料をパターン化して欠陥の
無いマスク２１に形成したものを示す。図７および図８
において、マスク２１の３つの位相シフト層２２，２
４，２６が順番に積み重ねてある。本発明では、マスク
基板２０の上に１つの位相シフト層を設ける代りに（図
１〜図６のマスク１０のように）、位相シフト層２２，
２４，２６を順番に積み重ねる。それらの位相シフト量
は、層２２はθ、層２４は（２π−θ）、層２６はθと
する。層２６の上部には吸収体の層２８を設ける。マス
クを作製する際には、まず上部の吸収体（クロームなど
から成る）の層２８を通常どうりにパターン化する。上
部の位相シフト層２６は、位相シフト量θが必要な部分
ではそのままとする。残りの２つの層の全位相シフト量
は２πであり、３つの層の全位相シフト量は（２π＋
θ）であるため、必要とする位相シフト差θが得られ
る。このシフト領域で欠陥が見つかり、それを修理して
位相シフトを無くす場合には、図８の領域２５のように
上部の層２６を選択的に除去すればよい。同様に、位相
シフトの無い領域で位相シフトを達成するには、現時点
で最上層となっている中間の層２４を、例えば図８の領
域２７のように除去すればよい。
１が得られる。図７に、本発明にもとづく、パターン化
前の、作製に適した位相シフト・マスク２１の材料を示
す。図８に、図７のマスク材料をパターン化して欠陥の
無いマスク２１に形成したものを示す。図７および図８
において、マスク２１の３つの位相シフト層２２，２
４，２６が順番に積み重ねてある。本発明では、マスク
基板２０の上に１つの位相シフト層を設ける代りに（図
１〜図６のマスク１０のように）、位相シフト層２２，
２４，２６を順番に積み重ねる。それらの位相シフト量
は、層２２はθ、層２４は（２π−θ）、層２６はθと
する。層２６の上部には吸収体の層２８を設ける。マス
クを作製する際には、まず上部の吸収体（クロームなど
から成る）の層２８を通常どうりにパターン化する。上
部の位相シフト層２６は、位相シフト量θが必要な部分
ではそのままとする。残りの２つの層の全位相シフト量
は２πであり、３つの層の全位相シフト量は（２π＋
θ）であるため、必要とする位相シフト差θが得られ
る。このシフト領域で欠陥が見つかり、それを修理して
位相シフトを無くす場合には、図８の領域２５のように
上部の層２６を選択的に除去すればよい。同様に、位相
シフトの無い領域で位相シフトを達成するには、現時点
で最上層となっている中間の層２４を、例えば図８の領
域２７のように除去すればよい。
【００１８】位相シフト領域で欠陥が見つかり、修理後
も位相シフト領域とする場合には、その領域で層２６，
２４を除去する。同様に、領域２５のような非位相シフ
ト領域で修理を行い、そのまま非位相シフト領域として
残す場合には、その部分で層２４，２２を除去する。
も位相シフト領域とする場合には、その領域で層２６，
２４を除去する。同様に、領域２５のような非位相シフ
ト領域で修理を行い、そのまま非位相シフト領域として
残す場合には、その部分で層２４，２２を除去する。
【００１９】位相シフタをまず除去した後、さらにマス
クの修理を行うことも可能であり、その場合には残った
層の中の１つまたは両方をエッチングにより除去すれば
よい。そのためには、エッチングにおいて３つの層２
２，２４，２６の間の高い選択性が必要であるが、具体
的には、窒化シリコン／二酸化シリコン／窒化シリコン
（Ｓｉ3 Ｎ4 ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 ）のサンドイッチ
とし、ウェット・エッチングを行うのがよい。
クの修理を行うことも可能であり、その場合には残った
層の中の１つまたは両方をエッチングにより除去すれば
よい。そのためには、エッチングにおいて３つの層２
２，２４，２６の間の高い選択性が必要であるが、具体
的には、窒化シリコン／二酸化シリコン／窒化シリコン
（Ｓｉ3 Ｎ4 ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ3 Ｎ4 ）のサンドイッチ
とし、ウェット・エッチングを行うのがよい。
【００２０】あるいは、Ａｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 ／Ａｌ2
Ｏ3 でもよい。
Ｏ3 でもよい。
【００２１】また、ＳｉＯ2 （位相シフト）／エッチン
グ・ストップ／ＳｉＯ2 （位相シフト）／エッチング・
ストップ／ＳｉＯ2 （位相シフト）／エッチング・スト
ップ／というサンドイッチでもよい。この場合、層２
２，２４，２６の間には、上述のように、Ａｌ2 Ｏ3 や
Ｓｉ3 Ｎ4 などの非常に薄いエッチング停止層を挿入す
る必要がある。
グ・ストップ／ＳｉＯ2 （位相シフト）／エッチング・
ストップ／ＳｉＯ2 （位相シフト）／エッチング・スト
ップ／というサンドイッチでもよい。この場合、層２
２，２４，２６の間には、上述のように、Ａｌ2 Ｏ3 や
Ｓｉ3 Ｎ4 などの非常に薄いエッチング停止層を挿入す
る必要がある。
【００２２】図９〜図１４に、図７および図８の構成に
基づく、３層位相シフト構造体を示す。なお、同じ層に
は同じ符号を付した。図９および図１０には、マスク４
０を形成する最初の段階を示す。図９のパターン化して
いないマスク４０は、３つの位相シフト層２２，２４，
２６を有し、その最上部は吸収体層２８によって被覆し
てある。吸収体層２８は、通常の方法でパターン化し
て、図１０の非常に単純なマスク４１を形成する。この
マスクには明らかな欠陥はない。吸収体層に欠陥がある
場合には、従来のマスク修理法によって修理することが
できる。
基づく、３層位相シフト構造体を示す。なお、同じ層に
は同じ符号を付した。図９および図１０には、マスク４
０を形成する最初の段階を示す。図９のパターン化して
いないマスク４０は、３つの位相シフト層２２，２４，
２６を有し、その最上部は吸収体層２８によって被覆し
てある。吸収体層２８は、通常の方法でパターン化し
て、図１０の非常に単純なマスク４１を形成する。この
マスクには明らかな欠陥はない。吸収体層に欠陥がある
場合には、従来のマスク修理法によって修理することが
できる。
【００２３】図１１の位相シフトマスクには次のような
欠陥がある。 （１）層２４の領域２９に傷がある。 （２）領域３０では、行うべき位相シフトが行われてい
ない。 （３）領域３２では、行うべきでない位相シフトが行わ
れている。 領域３２は、図１２に示すように、マスクを新たにレジ
ストで被い、それを選択的に除去し、層２６をエッチン
グすることによって修理する。
欠陥がある。 （１）層２４の領域２９に傷がある。 （２）領域３０では、行うべき位相シフトが行われてい
ない。 （３）領域３２では、行うべきでない位相シフトが行わ
れている。 領域３２は、図１２に示すように、マスクを新たにレジ
ストで被い、それを選択的に除去し、層２６をエッチン
グすることによって修理する。
【００２４】次に、新たにレジストで被い、図１２の領
域３０，３６において選択的に除去することにより、層
２４を領域３０，３６で選択的にエッチングし、領域３
０を修理する。
域３０，３６において選択的に除去することにより、層
２４を領域３０，３６で選択的にエッチングし、領域３
０を修理する。
【００２５】さらに図１３に示すように、３回目のレジ
スト・コーティングと領域３６における選択除去を行
い、そして層２２をエッチングして図１４のように修理
する。
スト・コーティングと領域３６における選択除去を行
い、そして層２２をエッチングして図１４のように修理
する。
【００２６】図１２〜図１４に、本発明に基づきどのよ
うにしてマスク４３〜４５の欠陥を修理するかあるいは
不要な位相シフト領域を除去するかを示す。当業者によ
く知られた通常の方法によって、修理すべきマスクをレ
ジストでコーティングする。そして、ポジティブ・レジ
ストの場合には修理すべき領域を露光し、一方、ネガテ
ィブ・レジストの場合には修理すべき領域を露光しない
ようにする。次に修理レジスト層を現像した後、３層位
相シフト・マスクの層の被覆されていない領域をエッチ
ングし、位相シフト領域を非位相シフト領域に変換す
る。例えば、図１１の領域３２に図１２の開口３４を形
成する。次に新たにレジスト・コーティングを行い、図
１２の領域３０，３６で選択除去を行って、図１３に示
すように、層２４を領域３０，３６で選択的にエッチン
グすることにより、領域３０を修理する。３回目のレジ
スト・コーティングおよび選択除去を行うことにより図
１３の領域３６で層２２をエッチングし、図１４のよう
に修理を完了する。非位相シフト領域のレジストは、同
じ修理露光レベルで除去することができ、それによっ
て、図１２の二位相シフト開口３０，３６を削除して図
１３の一位相シフト開口３０，３６あるいは図１４の一
位相シフト開口３０を容易に生成できる。互いに排他的
なエッチング材料（例えばＣＦ4 ）を三位相シフト領域
および二位相シフト領域に対して用いることにより、同
一の露光によって両方のタイプの誤りを容易に除去でき
る。そうでない場合には、各タイプの誤りに対応して２
回の露光を行うことになる。
うにしてマスク４３〜４５の欠陥を修理するかあるいは
不要な位相シフト領域を除去するかを示す。当業者によ
く知られた通常の方法によって、修理すべきマスクをレ
ジストでコーティングする。そして、ポジティブ・レジ
ストの場合には修理すべき領域を露光し、一方、ネガテ
ィブ・レジストの場合には修理すべき領域を露光しない
ようにする。次に修理レジスト層を現像した後、３層位
相シフト・マスクの層の被覆されていない領域をエッチ
ングし、位相シフト領域を非位相シフト領域に変換す
る。例えば、図１１の領域３２に図１２の開口３４を形
成する。次に新たにレジスト・コーティングを行い、図
１２の領域３０，３６で選択除去を行って、図１３に示
すように、層２４を領域３０，３６で選択的にエッチン
グすることにより、領域３０を修理する。３回目のレジ
スト・コーティングおよび選択除去を行うことにより図
１３の領域３６で層２２をエッチングし、図１４のよう
に修理を完了する。非位相シフト領域のレジストは、同
じ修理露光レベルで除去することができ、それによっ
て、図１２の二位相シフト開口３０，３６を削除して図
１３の一位相シフト開口３０，３６あるいは図１４の一
位相シフト開口３０を容易に生成できる。互いに排他的
なエッチング材料（例えばＣＦ4 ）を三位相シフト領域
および二位相シフト領域に対して用いることにより、同
一の露光によって両方のタイプの誤りを容易に除去でき
る。そうでない場合には、各タイプの誤りに対応して２
回の露光を行うことになる。
【００２７】詳しく説明すると、図１１においてマスク
４２は、位相シフト量が２π−θである中間位相シフト
層２４に欠陥２９を有している。ここで目標は、それぞ
れ図１３および図１４のマスク４４，４５のように上記
欠陥を除去することである。図１３および図１４のマス
クは、処理を行って欠陥２９を除去したものである。ま
た、開口３０において本来あるべき位相シフタが欠落し
ており、その問題は、図１３のマスク４４のように解決
する。図１１における第３の問題は、領域３２の位相シ
フタ層２６が不要であるということである。層２６は開
口３６の材料を除去するとき除去しておくべきものであ
る。この問題は、図１２のマスク４３のように解決する
必要がある。マスク４３では不要な材料３２を除去して
開口３４を形成している。
４２は、位相シフト量が２π−θである中間位相シフト
層２４に欠陥２９を有している。ここで目標は、それぞ
れ図１３および図１４のマスク４４，４５のように上記
欠陥を除去することである。図１３および図１４のマス
クは、処理を行って欠陥２９を除去したものである。ま
た、開口３０において本来あるべき位相シフタが欠落し
ており、その問題は、図１３のマスク４４のように解決
する。図１１における第３の問題は、領域３２の位相シ
フタ層２６が不要であるということである。層２６は開
口３６の材料を除去するとき除去しておくべきものであ
る。この問題は、図１２のマスク４３のように解決する
必要がある。マスク４３では不要な材料３２を除去して
開口３４を形成している。
【００２８】図１２において、マスク４３は材料３２を
単に除去した結果を示している。他の問題は上述のよう
に図１３および図１４のように扱う。
単に除去した結果を示している。他の問題は上述のよう
に図１３および図１４のように扱う。
【００２９】図１３において、開口３０での位相シフト
の不足は、図１１および図１２の欠陥２９を有する材料
を除去するために層２２を取り除くと共に、開口３０の
層２２を除去することによって修理している。しかし、
位相シフト量が正しくないという新しい問題が生じてい
る。これは図１４のように解決する。
の不足は、図１１および図１２の欠陥２９を有する材料
を除去するために層２２を取り除くと共に、開口３０の
層２２を除去することによって修理している。しかし、
位相シフト量が正しくないという新しい問題が生じてい
る。これは図１４のように解決する。
【００３０】図１４では、欠陥２９のあった開口３６の
部分で層２２を除去している。すなわち３つの位相シフ
ト層をすべて除去したことになり、これにより最初に意
図した通りの位相シフトが得られる。
部分で層２２を除去している。すなわち３つの位相シフ
ト層をすべて除去したことになり、これにより最初に意
図した通りの位相シフトが得られる。
【００３１】簡単のため、位相シフト領域は常に、より
大きい屈折率を有する領域に関連させている。図７およ
び図８において、例えば“１”は位相シフト領域とな
り、“２”は非位相シフト領域となる。これは位相シフ
トが相対的であるという理由による。全体を通じて３つ
の表現は、本発明の精神に影響を与えることなく交換す
ることができる。
大きい屈折率を有する領域に関連させている。図７およ
び図８において、例えば“１”は位相シフト領域とな
り、“２”は非位相シフト領域となる。これは位相シフ
トが相対的であるという理由による。全体を通じて３つ
の表現は、本発明の精神に影響を与えることなく交換す
ることができる。
【００３２】欠陥は、それを含むレジストを除去するこ
とによって図１４のように修理することができる。
とによって図１４のように修理することができる。
【００３３】
【発明の効果】本発明により、位相シフタの欠落、不要
位相シフタあるいは透明フィルム内欠陥に対する位相シ
フト・マスクの修理が容易にできるようになった。
位相シフタあるいは透明フィルム内欠陥に対する位相シ
フト・マスクの修理が容易にできるようになった。
【図１】マスク構造体のための従来の位相シフト・シス
テムを示す図である。
テムを示す図である。
【図２】マスク構造体のための従来の位相シフト・シス
テムを示す図である。
テムを示す図である。
【図３】マスク構造体のための従来の位相シフト・シス
テムを示す図である。
テムを示す図である。
【図４】マスク構造体のための従来の位相シフト・シス
テムを示す図である。
テムを示す図である。
【図５】マスク構造体のための従来の位相シフト・シス
テムを示す図である。
テムを示す図である。
【図６】マスク構造体のための従来の位相シフト・シス
テムを示す図である。
テムを示す図である。
【図７】本発明に基づく、パターン化前の位相シフト・
マスク材料を示す図である。
マスク材料を示す図である。
【図８】欠陥の無い、パターン化後の図７のマスク材料
を示す図である。
を示す図である。
【図９】図７および図８の構成に基づく３層位相シフト
構造体を示す図である。
構造体を示す図である。
【図１０】図７および図８の構成に基づく３層位相シフ
ト構造体を示す図である。
ト構造体を示す図である。
【図１１】図７および図８の構成に基づく３層位相シフ
ト構造体を示す図である。
ト構造体を示す図である。
【図１２】図７および図８の構成に基づく３層位相シフ
ト構造体を示す図である。
ト構造体を示す図である。
【図１３】図７および図８の構成に基づく３層位相シフ
ト構造体を示す図である。
ト構造体を示す図である。
【図１４】図７および図８の構成に基づく３層位相シフ
ト構造体を示す図である。
ト構造体を示す図である。
２１ マスク構造体 ２２，２４，２６ 位相シフト層 ２８ 吸収体層 ２９ 欠陥 ３０，３６ 開口 ４４，４５ マスク
Claims (8)
- 【請求項１】（ａ）位相シフト・マスク基板材料と、
（ｂ）位相シフト量がθである第１の位相シフト層と、
（ｃ）前記第１の層に重なり、位相シフト量が（２π−
θ）である第２の位相シフト層と、（ｄ）前記第２の層
に重なり、位相シフト量がθである第３の位相シフト層
とを備え、 位相シフト状態を維持するか変更するかに応じて、１つ
または２つの層を除去することによって、位相シフタの
欠落，不要位相シフタ，あるいは透明フィルム内欠陥に
対する修理が行われることを特徴とする位相シフト・マ
スク材料。 - 【請求項２】前記第１，第２，第３の層の間に大きなエ
ッチング選択性が存在することを特徴とする請求項１記
載の位相シフト・マスク材料。 - 【請求項３】エッチング停止層を前記位相シフト層の間
に設けることによってエッチング選択性の不足を補うこ
とを特徴とする請求項１記載の位相シフト・マスク材
料。 - 【請求項４】非位相シフト領域に誤りがあった場合、前
記領域の層を除去して前記領域を位相シフト領域とする
ことによって、マスクを前記誤りを含む領域において修
理できることを特徴とする請求項３記載の位相シフト・
マスク材料。 - 【請求項５】位相シフト領域に誤りがあり、その領域が
非位相シフト領域に変わることなく前記誤りが除去され
なければならない場合、前記位相シフト領域の連続する
２つの層が除去されることを特徴とする請求項３記載の
位相シフト・マスク材料。 - 【請求項６】非位相シフト領域に誤りがあり、その領域
が位相シフト領域に変わることなく前記誤りが除去され
なければならない場合、前記非位相シフト領域の連続す
る２つの層が除去されることを特徴とする請求項３記載
の位相シフト・マスク材料。 - 【請求項７】（ａ）位相シフト量がそれぞれθ，（２π
−θ），θである、第１，第２，第３の位相シフト層を
順次重ねて設け、（ｂ）前記最上部の層は、位相シフト
を必要としない領域では、エッチングによって除去さ
れ、（ｃ）前記最上部の層は、位相シフト量θを必要と
する領域では、維持され、 位相シフト領域に欠陥があった場合、最上部の層を除去
することによって前記位相シフト領域をゼロ位相シフト
領域にしてマスクを修理でき、その修理において誤りが
生じた場合には、それを訂正するために次の層をエッチ
ングにより除去できることを特徴とする位相シフト・マ
スク。 - 【請求項８】３つの層の間に大きなエッチング選択性が
存在することを特徴とする請求項７記載の位相シフト・
マスク。
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|---|---|---|---|
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