KR20030040048A - 위상시프트마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

위상시프트마스크 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20030040048A
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이와사키하루오
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엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션
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Abstract

높은 치수정밀도를 갖고, 반도체장치들의 고수율을 제공하는 위상시프트마스크와 그 제조방법이 개시된다. 크롬차광막들은 차광막들로서 유리기판상에 기설정된 패턴으로 형성되고, 평탄한 표면을 갖는 실리콘산화막(제1위상시프트막)은 결과적인 구조의 전면(全面)상에 크롬차광막들간의 영역들을 매립하는 방식으로 형성된다. SOG(Silicon On Glass)막들(제2위상시프트막)의 패턴은 실리콘산화막상에 형성된다. SOG막들은 크롬차광막들 바로 위쪽에서 크롬차광막들보다 넓은 영역들에 형성된다.

Description

위상시프트마스크 및 그 제조방법{Phase shift mask and fabrication method therefor}
본 발명은 에지강화 위상시프트마스크와 그 제조방법에 관한 것이다.
도 1은 종래의 에지강화 위상시프트마스크의 구조를 보여주는 단면도이고, 도 2a 내지 2f는 이 위상시프트마스크(일본특개평 제1994-282065호 참조)의 제조를 공정순으로 보여주는 단면도들이다. 종래의 위상시프트마스크에서는, 식각저지막(2)이 유리기판(1)상에 형성되고, 실리콘산화막들(3)이 식각저지막(2)상에 패터닝된다. 그 후, 크롬(Cr)차광막(4)은 각 실리콘산화막(3)상에 형성된다.
위상시프트마스크는 다음과 같이 제조된다. 도 2a에 보인 바와 같이, 식각저지막(2), 실리콘산화막(3) 및 크롬차광막(4)이 유리기판(1)상에 형성된다. 레지스트(5)가 크롬차광막(4)상에 형성된 후, 위상시프트패턴이 레지스트(5)상에 마스크기록장치를 이용하여 그려지고, 뒤이어 이 레지스트(5)는 도 2b에 보인 바와 같이 레지스트를 형성하기 위해 현상된다.
다음, 도 2c에 보인 바와 같이, 이 레지스트패턴을 마스크로 하여, 크롬차광막(4)과 실리콘산화막(3)이 선택적으로 제거된다. 제거 후, 레지스트(5)는 제거된다.
그 후, 도 2d에 보인 바와 같이, 레지스트(6)가 결과적인 구조의 전면(全面)에 형성된 후, 회로패턴이 이 레지스트(6)상에 마스크기록장치를 이용하여 그려진다.
그 후, 이 레지스트(6)는 도 2e에 보인 바와 같은 레지스트패턴을 형성하기 위해 현상된다. 그 후, 도 2f에 보인 바와 같이, 크롬차광막(4)이 이 레지스트패턴을 마스크로서 이용하여 패터닝되고 선택적으로 제거되어, 크롬차광막(4)에 의해 형성된 마스크가 완성된다.
종래의 위상시프트마스크의 제조방법에 따르면, 도 2e에 보인 바와 같이, 레지스트(6)에 의해 형성된 마스크는 불균일한 두께를 가지고 마스크두께는 주변부에서 얇게 된다. 주변부에서의 마스크두께의 변경은 노광감도를 변화시키고, 노광감도의 변화는 크롬차광막(4)의 패턴형성의 정밀도를 떨어뜨린다. 이는 마스크에 기인한 크기변동에 큰 영향을 초래하여, 반도체장치의 제조수율의 향상을 억제시킨다.
도 3은 다른 종래의 마스크(일본특개평 제1993-313344호 참조)를 보여주는 단면도이다. 크롬차광막(12)은 유리기판(11)상에 형성되며 이 크롬차광막(12)상에 형성된 레지스트(13)를 마스크로 이용하여 측면식각된다. 그 후, 실리콘산화막(14)은 액상성장법에 의해 유리기판(11)상에 형성된다. 이 액상성장법으로 유리기판(11)상에만 실리콘산화막(14)이 형성된다. 이 위상시프트마스크는 투명기판의 적어도 한 부분상에 위상투명영역이 마련된 자가정렬 위상시프트마스크이다.
그러나, 도 3에 보인 위상시프트마스크에서의 실리콘산화막(14)은 액상성장단계에서 형성되기 때문에, 실리콘산화막(14)의 두께를 제어하기 매우 힘들어, 산화막에 대하여 위상시프트에 필요한 소정의 두께정밀도를 얻을 수 없게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 높은 치수정밀도를 갖고 반도체장치들의 고수율을 제공하는 위상시프트마스크 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
도 1은 종래의 위상시프트마스크의 구조를 보여주는 단면도,
도 2a 내지 2f는 종래의 위상시프트마스크의 제조방법을 공정순으로 보여주는 단면도들,
도 3은 다른 종래의 위상시프트마스크의 구조를 보여주는 단면도,
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 위상시프트마스크를 보여주는 단면도,
도 5a 내지 5g는 본 발명의 제1실시예에 따른 위상시프트마스크의 제조방법을 공정순으로 보여주는 단면도들,
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 위상시프트마스크를 보여주는 단면도,
도 7a 내지 7c는 본 발명의 제2실시예에 따른 위상시프트마스크의 제조방법을 공정순으로 보여주는 단면도들,
도 8은 본 발명의 제3실시예에 따른 위상시프트마스크를 보여주는 단면도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
21:유리기판22:크롬차광막
23, 23a:실리콘산화막24, 24a:SOG막
25, 25a:레지스트31:유리기판
32:크롬차광막33:실리콘산화막
34, 34a:SOG막35, 35a:레지스트
41:유리기판42:크롬차광막
43:실리콘산화막44:식각저지막
45:실리콘산화막
본 발명에 따른 위상시프트마스크는, 투명기판; 투명기판상에 패턴형성된 차광막들; 평탄한 표면을 가지며 차광막들을 덮고 차광막들간의 영역을 매립하는 방식으로 투명기판상에 형성된 제1위상시프트막; 및 차광막들 위쪽에서 상기 제1위상시프트막상의, 차광막들보다 넓은 영역들에 선택적으로 형성된 제2위상시프트막을 포함한다.
본 발명에 따른 다른 위상시프트마스크는, 투명기판; 투명기판상에 패턴형성된 차광막들; 평탄한 표면을 가지며 차광막들을 덮고 차광막들간의 영역을 매립하는 방식으로 투명기판상에 형성된 제1위상시프트막; 및 차광막들간의 영역 위쪽의 상기 제1위상시프트막상에서, 차광막들간의 영역들보다 넓은 영역들에 선택적으로 형성된 제2위상시프트막을 포함한다.
이러한 위상시프트마스크들에서, 식각저지막은 제2위상시프트막과 제1위상시프트막 사이에 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 위상시프트마스크의 제조방법은, 투명기판상에 차광막들의 패턴을 형성하는 단계; 결과적인 구조의 전면상에 제1위상시프트막을 형성한 후, 제1위상시프트막의 표면을 평탄화시키는 단계; 제2위상시프트막을 형성하는 단계; 제2위상시프트막상에 레지스트를 형성하는 단계; 레지스트상에 포토리소그래피법으로 위상시프트패턴을 그리고, 위상시프트패턴을 현상하여 레지스트패턴을 형성하는 단계; 및 레지스트패턴을 마스크로 이용하여 제2위상시프트막을 식각하고 패터닝하는 단계를 포함하고, 이에 의해 제2위상시프트막은 차광막들 위쪽의 제1위상시프트막상에서 상기 차광막들보다 넓은 영역들에 선택적으로 형성된다.
위상시프트마스크의 다른 제조방법은, 투명기판상에 차광막의 패턴을 형성하는 단계; 결과적인 구조의 전면상에 제1위상시프트막을 형성한 후, 제1위상시프트막의 표면을 평탄화하는 단계; 제2위상시프트막을 형성하는 단계; 제2위상시프트막상에 레지스트를 형성하는 단계; 레지스트상에 포토리소그래피법으로 위상시프트패턴을 그리고 위상시프트패턴을 현상하여 레지스트패턴을 형성하는 단계; 및 레지스트패턴을 마스크로 이용하여 제2위상시프트막을 식각하고 패터닝하는 단계를 포함하고, 이에 의해 제2위상시프트막은 차광막들간의 영역들 위쪽의 제1위상시프트막상에서 차광막들간의 영역들 보다 넓은 영역들에 선택적으로 형성된다.
이러한 제조방법들에서, 제1위상시프트막은, 예컨대, 실리콘산화막이다.
식각저지막은 제1위상시프트막을 형성하는 단계와 제2위상시프트막을 형성하는 단계 사이에서 형성될 수 있다. 이러한 제조방법들에서, 실리콘산화막이 제1위상시프트막으로서 형성되는 경우, 실리콘산화막이 제2위상시프트막으로서 형성된다.
SOG막이 제2위상시프트막으로서 형성될 수 있고, 실리콘산화막이 제1위상시프트막으로서 형성되는 경우에는 식각저지막을 형성할 필요가 없다.
본 발명의 바람직한 실시예들은 첨부된 도면들을 참조하여 아래에서 상세하게 설명될 것이다.
[제1실시예]
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 위상시프트마스크를 보여주는 단면도이다. 크롬차광막들(22)은 유리기판(21)상에 차광막으로서 기 설정된 패턴으로 형성되고, 평탄한 표면을 갖는 실리콘산화막(23; 제1위상시프트막)은 결과적인 구조의 전면상에 크롬차광막들(22)간의 영역들을 매립하는 방식으로 형성된다. SOG(Silicon On Glass)막들(24; 제2위상시프트막)의 패턴은 실리콘산화막(23)상에 형성된다. SOG막들(24)은 크롬차광막들(22) 바로 위쪽이면서 크롬차광막들(22)보다 넓은 영역들에 형성된다. 이로써 위상시프트마스크의 구조가 완성된다.
이 위상시프트마스크는 크롬차광막들(22)에 의해 차단되지 않는 영역의 중심부와 끝단부에서 180°의 위상차를 갖기 때문에, 패턴의 해상시에 콘트라스트를 향상시킨다. 크롬차광막들(22)간의 광투과영역은, 광이 실리콘산화막(22)만 통과하는 영역과 광이 실리콘산화막(23) 및 SOG막(24)을 통과하는 영역을 가진다. 이는 양 영역들에서 180°의 위상차를 발생시키기 때문에, 에지가 강조될 수 있다.
도 5a 내지 5g는 본 발명의 제1실시예에 따른 위상시프트마스크의 제조방법을 공정순으로 보여주는 단면도들이다. 먼저, 도 5a에 보인 바와 같이, 회로패턴의크롬차광막들(22)이 유리기판(21)상에 형성되어, 마스크기판이 마련된다.
다음, 도 5b에 보인 바와 같이, 실리콘산화막(23a)이 결과적인 구조의 전면상에 화학기상증착(CVD)이나 스퍼터링에 의해 형성된다. 이 실리콘산화막(23a)의 표면은 돌출부들이 회로패턴의 크롬차광막들(22)이 존재하는 부분들이 되는 요철(물결형상)을 가진다. 즉, 실리콘산화막(23a)의 표면에는 크롬차광막들(22)을 반영한 요철(물결형상)들이 잔존한다.
그 후, 도 5c에 보인 바와 같이, 실리콘산화막(23a)의 표면은 화학기계적연마법(CMP)에 의해 평탄화되어, 평탄한 표면을 갖는 실리콘산화막(23)이 형성된다.
다음, 도 5d에 보인 바와 같이, SOG막(24a)이 실리콘산화막(23)의 전면 위에 형성된다.
그 후, 도 5e에 보인 바와 같이, 레지스트(25a)가 SOG막(24a)상에 형성되고, 위상시프트패턴은 레지스트(25a)상에 마스크기록장치를 이용하여 그려진다.
다음, 도 5f에 보인 바와 같이, 레지스트(25a)는 레지스트(25)의 패턴을 형성하기 위해 현상된다.
그 후, 도 5g에 보인 바와 같이, 레지스트(25)의 패턴을 마스크로 이용하여, SOG막(24a)은 SOG막들(24)의 패턴을 형성하기 위해 선택적으로 제거된다. 이 경우, SOG막의 처리시에 CF4또는 CHF3가스를 이용하는 건식식각법을 사용하는 것이 바람직하다. 이 SOG막은 실리콘산화막에 비해 식각율이 높기 때문에, ITO(Indium Titanium Oxide) 등으로 된 식각저지막의 사용이 필요 없는 이점이 있다. 도 4에보인 실시예에 따른 위상시프트마스크는 상술한 방식으로 완성된다.
종래의 제조방법에 따르면, 도 2d에 보인 바와 같이, 마스크기판상에 형성된 레지스트(6)의 두께는 변하고, 그러한 환경하에서 패터닝된 레지스트(6)의 패턴은 두께의 변화, 감도의 변화 및 단차들로부터의 반사와 같은 요인들에 의해 영향을 받는다. 그러므로, 크롬차광막(4)이 레지스트(6)의 패턴을 이용하여 패터닝된다면, 높은 치수정밀도를 얻을 수 없다.
그러나, 본 실시예에 따르면, 크롬차광막들(22)의 패턴이 도 5a에 보인 바와 같이 평평한 기판 위에 형성되기 때문에, 크롬차광막(22)은 매우 높은 치수정밀도를 가진다. 그래서, 본 실시예에 의하면, 크롬차광막들(22)과 SOG막들(24)이 매우 높은 치수정밀도를 갖는 위상시프트마스크가 얻어질 수 있다.
광차광막은 크롬으로 된 얇은 금속막에 한정되지 않고, 니켈 등으로 된 얇은 금속막도 사용될 수 있다. 제1위상시프트막은 실리콘산화막에 한정되지 않고, SOG와 같은 다른 재료들도 사용될 수 있다. 게다가, 제2위상시프트막도 SOG막에 한정되지 않고, 산화실리콘과 같은 다른 재료들도 사용될 수 있다.
[제2실시예]
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 위상시프트마스크를 보여주는 단면도이고, 도 7a 내지 7c는 본 실시예에 따른 위상시프트마스크의 제조방법을 공정순으로 보여주는 단면도들이다. 본 실시예에서, 유리기판(31)상에 크롬차광막(32)의 패턴이 형성되고, 실리콘산화막(33)이 결과적인 구조의 전면상에 크롬차광막들(32)간의 영역들을 매립하는 방식으로 형성된다. SOG막들(34)의 패턴은 실리콘산화막(33)상에 형성된다. SOG막들(34)은 크롬차광막들(32)간의 영역들 바로 위쪽이면서 크롬차광막들(32)간의 영역들 보다 좁은 영역들에 직접 형성된다. 이로써 위상시프트마스크의 구조가 완성된다.
도 7a에 보인 바와 같이, 먼저, 본 실시예에 따른 위상시프트마스크가 도 5e의 구조와 비슷한 층구조로 형성된다. 즉, 도 5a 내지 5d에 보인 공정들과 비슷한 공정으로, 크롬차광막들(32)이 유리기판(31)상에 기 설정된 패턴으로 형성되고, 실리콘산화막(33)이 전면이 평평하게 되도록 형성되고, SOG막(34a)이 실리콘산화막(33)상에 형성된 후, 레지스트(35a)가 SOG막(34a)상에 형성된다. 그 후, 위상시프트패턴이 레지스트(35a)상에 마스크기록장치를 이용하여 그려진다.
다음, 도 7b에 보인 바와 같이, 레지스트들(35)의 패턴이 레지스트(35a)를 현상함으로서 형성된다. 레지스트들(35)의 패턴은 크롬차광막들(32)간의 영역들 위쪽의 크롬차광막들(32)간의 영역들보다 좁은 영역들 상에 직접 형성된다.
그 후, 도 7c에 보인 바와 같이, SOG막(34a)은 레지스트들(35)을 마스크로 이용하여 SOG막들(34)의 패턴을 형성하기 위해 식각된다. 이로써 도 6에 보인 바와 같은 구조를 갖는 위상시프트마스크가 얻어진다.
유리기판상에 형성된 크롬차광막들의 패턴은 물론 SOG막들(34)의 패턴도 본 실시예에서의 균일한 두께를 갖는 레지스트들(35)에 의해 형성되기 때문에, 소망하는 위상시프트마스크의 치수정밀도는 매우 높다.
[제3실시예]
도 8은 본 발명의 제3실시예에 따른 위상시프트마스크를 보여주는 단면도이다. 도 8에 보인 본 실시예에 따른 위상시프트마스크에서, 크롬차광막들(42)의 패턴은 유리기판(41)상에 형성되고, 평탄한 표면을 갖는 실리콘산화막(43)은 크롬차광막들(42)간의 영역들을 매립하는 방식으로 결과적인 구조의 전면상에 형성된다. 식각저지막(44)은 실리콘산화막(43)상에 형성되고, 실리콘산화막들(45)의 패턴은 식각저지막(44)상에 형성된다. 실리콘산화막들(45)은 크롬차광막들(42) 위쪽에서 크롬차광막들(42)보다 넓은 영역에 직접 형성된다. 이로써 위상시프트마스크의 구조가 완성된다.
제3실시예에서, 실리콘산화막들(45)은 도 4에 보인 제1실시예에서의 SOG막들(24)의 위치에 형성된다. 그러므로, 실리콘산화막들(45)과 밑에 있는 실리콘산화막(43)간의 식각선택성은 필요 없다. 실리콘산화막(45)이 도 5f에 보인 마스크를 이용하여 식각될 때, 밑에 있는 실리콘산화막(43)은 식각저지막(44) 없이 식각되곤 한다. 이 점에 있어서, 본 실시예에서 식각저지막(44)은 필수적이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 크롬차광막들의 형성정밀도(치수정밀도)와 광이 차단되지 않는 영역에서 180°의 위상차를 얻기 위한 위상차조절막의 형성정밀도(치수정밀도)가 높은 고정밀 위상시프트마스크를 제조할 수 있다. 그래서, 마스크에 기인한 반도체장치들의 치수변동을 방지할 수 있는 반도체장치들의 수율을 향상시킬 수 있다.

Claims (9)

  1. 투명기판;
    상기 투명기판상에 패턴형성된 차광막들;
    평탄한 표면을 가지며 상기 차광막들을 덮고 상기 차광막들간의 영역을 매립하는 방식으로 상기 투명기판상에 형성된 제1위상시프트막; 및
    상기 차광막들 위쪽에서 상기 제1위상시프트막상에 있으면서, 상기 차광막보다 넓은 영역들에 선택적으로 형성된 제2위상시프트막을 포함하는 위상시프트마스크.
  2. 투명기판;
    상기 투명기판상에 패턴형성된 차광막들;
    평탄한 표면을 가지며 상기 차광막들을 덮고 상기 차광막들간의 영역을 매립하는 방식으로 상기 투명기판상에 형성된 제1위상시프트막; 및
    상기 차광막들간의 영역들 위쪽에서 상기 제1위상시프트막상에 있으면서, 상기 차광막들간의 영역들보다 넓은 영역들에 선택적으로 형성된 제2위상시프트막을 포함하는 위상시프트마스크.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2위상시프트막과 상기 제1위상시프트막간에는 식각저지막이 형성되는 위상시프트마스크.
  4. 투명기판상에 차광막들의 패턴을 형성하는 단계;
    결과적인 구조의 전면상에 제1위상시프트막을 형성한 후, 상기 제1위상시프트막의 표면을 평탄화시키는 단계;
    제2위상시프트막을 형성하는 단계;
    상기 제2위상시프트막상에 레지스트를 형성하는 단계;
    상기 레지스트상에 포토리소그래피법으로 위상시프트패턴을 그리고 상기 위상시프트패턴을 현상하여, 레지스트패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 레지스트패턴을 마스크로 이용하여 상기 제2위상시프트막을 식각하고 패터닝하는 단계를 포함하여,
    상기 제2위상시프트막은 상기 차광막들 위쪽의 상기 제1위상시프트막상에 있으면서, 상기 차광막들보다 넓은 영역들에 선택적으로 형성되는 위상시프트마스크 제조방법.
  5. 투명기판상에 차광막의 패턴을 형성하는 단계;
    결과적인 구조의 전면상에 제1위상시프트막을 형성한 후, 상기 제1위상시프트막의 표면을 평탄화하는 단계;
    제2위상시프트막을 형성하는 단계;
    상기 제2위상시프트막상에 레지스트를 형성하는 단계;
    상기 레지스트상에 포토리소그래피법으로 위상시프트패턴을 그리고 상기 위상시프트패턴을 현상하여, 레지스트패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 레지스트패턴을 마스크로 이용하여 상기 제2위상시프트막을 식각하고 패터닝하는 단계를 포함하여,
    상기 제2위상시프트막은 상기 차광막들간의 영역들 위쪽의 제1위상시프트막상에 있으면서, 상기 차광막들간의 영역들 보다 넓은 영역들에 선택적으로 형성되는 위상시프트마스크 제조방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 제1위상시프트막은 실리콘산화막인 위상시프트마스크 제조방법.
  7. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 제1위상시프트막의 형성단계와 상기 제2위상시프트막의 형성단계 사이에 식각저지막이 형성되는 위상시프트마스크 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제2위상시프트막은 SOG(Silicon On Glass)막인 위상시프트마스크 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제2위상시프트막은 실리콘산화막인 위상시프트마스크 제조방법.
KR1020020066641A 2001-11-15 2002-10-30 위상시프트마스크 및 그 제조방법 KR20030040048A (ko)

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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06202310A (ja) * 1992-12-25 1994-07-22 Nippon Steel Corp 位相シフトレチクルの製造方法
JPH06317892A (ja) * 1993-04-14 1994-11-15 Sanyo Electric Co Ltd 露光マスク
JPH0728225A (ja) * 1993-07-06 1995-01-31 Nippon Steel Corp 位相シフトマスク及びその製造方法
JPH0950112A (ja) * 1995-08-04 1997-02-18 Dainippon Printing Co Ltd 位相シフトマスク
KR980003882A (ko) * 1996-06-26 1998-03-30 김광호 위상반전 마스크 제조방법
KR20010058711A (ko) * 1999-12-30 2001-07-06 박종섭 적층 위상반전 패턴을 구비하는 위상반전 마스크

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2710967B2 (ja) * 1988-11-22 1998-02-10 株式会社日立製作所 集積回路装置の製造方法
US5194345A (en) * 1991-05-14 1993-03-16 Micron Technology, Inc. Method of fabricating phase shift reticles
US5851704A (en) * 1996-12-09 1998-12-22 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for the fabrication of semiconductor photomask

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06202310A (ja) * 1992-12-25 1994-07-22 Nippon Steel Corp 位相シフトレチクルの製造方法
JPH06317892A (ja) * 1993-04-14 1994-11-15 Sanyo Electric Co Ltd 露光マスク
JPH0728225A (ja) * 1993-07-06 1995-01-31 Nippon Steel Corp 位相シフトマスク及びその製造方法
JPH0950112A (ja) * 1995-08-04 1997-02-18 Dainippon Printing Co Ltd 位相シフトマスク
KR980003882A (ko) * 1996-06-26 1998-03-30 김광호 위상반전 마스크 제조방법
KR20010058711A (ko) * 1999-12-30 2001-07-06 박종섭 적층 위상반전 패턴을 구비하는 위상반전 마스크

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